「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Some of the noises that reach the p-type diffusion region 206 pass through a parasitic resistor 211 of the p-type semiconductor substrate, a p-type diffusion region 212, a contact hole 213, and a grounding metallic electrode 204; and reach a noise protecting circuit 204.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した一部のノイズは、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１１、Ｐ型拡散領域２１２、コンタクトホール２１３、接地用メタル電極２０４を通過しノイズ保護対象回路２０３に到達する。 - 特許庁

Even if the CO converter 810 and the CO selective oxidation apparatus 830 are not heated with an electric heater, it is possible to prevent the catalyst from getting wet to be deteriorated by storing the water which is obtained, for example, by condensing the water vapor in a gas diffusion region 812 and a diffusion region.例文帳に追加

電気ヒーターにてＣＯ変成器810およびＣＯ選択酸化器830を加熱しなくても、仮に水蒸気が凝縮した水はガス拡散領域812および拡散領域で貯留させ、触媒が濡れて劣化することを防止できる。 - 特許庁

The lateral MOS transistor includes a substrate 100, an active layer 101, the Locos oxide film 102, diffusion layers 103, 104 and 105, a gate oxide layer 106, a drain region 107, a source region 108, a body diffusion layer 109, and a gate polycide electrode 110.例文帳に追加

横型ＭＯＳトランジスタは、基板１００、活性層１０１、Ｌｏｃｏｓ酸化膜１０２、拡散層１０３、１０４、１０５、ゲート酸化層１０６、ドレイン領域１０７、ソース領域１０８、ボディ拡散層１０９、ゲートポリサイド電極１１０を備える。 - 特許庁

The gate electrode 5B, p-type diffusion region, and a first-layer wiring M1H are connected to each other at a shared contact 9A1 and the gate electrode 5E, an n-type diffusion region 7A6, and a first-layer wiring M1I are connected to one another at a shared contact 9A2.例文帳に追加

ゲート電極５ＢおよびＰ型拡散領域と１層目配線Ｍ１Ｈとはシェアードコンタクト９Ａ１で接続され、ゲート電極５ＥおよびＮ型拡散領域７Ａ６と１層目配線Ｍ１Ｉとはシェアードコンタクト９Ａ２で接続される。 - 特許庁

A floating diffusion region 131 formed in the p-type impurity layer 113 and a transfer gate electrode 123 formed surrounding the floating diffusion region 131 are provided on the first surface 1 side on the n-type impurity layer 111.例文帳に追加

ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。 - 特許庁

An LDMOS transistor comprises: a gate electrode formed on a semiconductor substrate via a gate insulating film; a source diffusion region and a drain diffusion region each formed in the semiconductor substrate at the both side of the gate electrode; and a field drain portion.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳトランジスタは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体基板中にそれぞれ形成されたソース拡散領域及びドレイン拡散領域と、フィールドドレイン部と、を備える。 - 特許庁

n-type diffusion regions 20a, 20b are formed on the surface of the p-type well region 11 and the gate electrode 17 of a transfer transistor 21 is formed on the p-type well region 11 pinched by the n-type diffusion regions 20a, 20b.例文帳に追加

ｐ型ウェル領域１１表面にはｎ型拡散領域２０ａ，２０ｂが形成され、このｎ型拡散領域２０ａ，２０ｂに挟まれたｐ型ウェル領域１１上に転送トランジスタ２１のゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

In the memory 32, the quantity of current flowing from one source/drain diffusion region 13 to the other source/drain diffusion region 13 upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the memory function body 25.例文帳に追加

半導体記憶素子３２では、メモリ機能体２５に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン領域１３から他方のソース／ドレイン領域１３に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

The size of a diffusion plate 103b forming an optical sheet 134 of the backlight device 103 is made smaller than an irradiation opening Do in a diffusion region D, and the diffusion plate 103b is not provided in the vicinity of the end portion of the irradiation opening Do.例文帳に追加

バックライト装置１０３の光学シート１３４を構成する拡散板１０３ｂの大きさを拡散領域Ｄの照射口Ｄｏより小さくし、照射口Ｄｏの端部近傍には拡散板１０３ｂが備わらない構成とする。 - 特許庁

The channel region having the region of high impurity concentration and the region of low impurity concentration is formed in terms of self-matching by ion implantation through an implantation mask of two kinds of second conductivity impurities different in diffusion coefficients, extension of the implantation mask, ion implantation of the first conductivity impurity and diffusion of the second conductivity impurity with the large diffusion coefficient owing to activation annealing.例文帳に追加

拡散係数の異なる２種の第２導電型不純物の注入マスクを介したイオン注入、注入マスクの拡幅、第１導電型不純物のイオン注入、活性化アニールによる拡散係数の大きな第２導電型不純物の拡散により、不純物濃度が高い領域と低い領域とを有したチャネル領域を自己整合的に形成する。 - 特許庁

A low-concentration diffusion region is such that a first part 3a coming into contact with the element isolation region 6 is as deep as or shallower than the element isolation region 6, and a second part 3b on a side of a gate electrode 1 as compared with the first part 3a is deeper than the element isolation region 6.例文帳に追加

低濃度拡散領域は、素子分離領域６に接する第１部分３ａは素子分離領域６と同じ深さであるか又はそれよりも浅く、第１部分３ａよりもゲート電極１側の第２部分３ｂは素子分離領域６よりも深い。 - 特許庁

Transistors in the memory cell forming region 25 are insulated and isolated by a shallow first STI 28, a guard ring diffusion region 32 is formed in a peripheral boundary region 26 and a peripheral circuit region 27, and it is insulated and isolated by a deep second STI 29.例文帳に追加

メモリセル形成領域２５の各トランジスタは、浅い第１ＳＴＩ２８で絶縁分離され、周辺の境界領域２６および周辺回路領域２７にはガードリング拡散領域３２が形成され、深い第２ＳＴＩ２９で絶縁分離されている。 - 特許庁

A PTFE content in the first region 251 is controlled to 5% by weight of the anode gas diffusion layer 25 and a PTFE content in the second region 252 is to 30% by weight, thus providing the water permeability of the first region 251 more than that of the second region 252.例文帳に追加

そして第一領域251中のＰＴＦＥ含有量をアノードガス拡散層25の5ｗｔ％、第二領域252のＰＴＦＥ含有量を30ｗｔ％にそれぞれ調整することによって、第一領域251の水分透過性を第二領域252よりも向上させる。 - 特許庁

To suppress outer diffusion of impurity and to prevent the contact resistance of a source region connected to a source electrode from becoming high.例文帳に追加

不純物の外部拡散を抑制し、ソース電極と接続されるソース領域のコンタクト抵抗が高くならないようにする。 - 特許庁

To provide a photodiode which can restrict trailing caused by light injected between a photosensitive part and a diffusion shielding region.例文帳に追加

受光部と拡散遮蔽用領域との間に入射する光に起因する裾引きを低減できるフォトダイオードを提供する。 - 特許庁

Consequently, the volatile component of the adhesive is diffused (bleed effect) only to the rough surface region 40, and diffusion to the other regions is suppressed.例文帳に追加

このため、粗面領域４０にのみに接着剤の揮発成分が拡散（ブリード効果）し、他の領域へ拡散が抑制される。 - 特許庁

An n-type source/drain diffusion layer 15 is formed on the surface of a p-type Si substrate 11 via a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型のＳｉ基板１１表面に、チャネル領域１２を隔ててＮ型のソース／ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises substrates 1 and 10, a high-concentration diffusion layer region 11, a first well 4, and a second well 3.例文帳に追加

半導体装置は、基板１、１０と、高濃度拡散層領域１１と、第１ウェル４と、第２ウェル３とを具備している。 - 特許庁

A deep central diffusion region is eliminated and accordingly cell density increases and on-resistance of the MOSFET is improved.例文帳に追加

深い中央拡散部を削除することによりセル密度が増加し、かつＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を改善することができる。 - 特許庁

To provide a unit pixel of a photo detecting apparatus capable of improving charge transfer efficiency in a floating diffusion region.例文帳に追加

フローティング拡散領域においての電荷伝送効率を向上させることのできる光感知装置の単位ピクセルを提供する。 - 特許庁

To reduce leakage current in a floating diffusion region without leaving an electrical charge on a photo diode to improve yield of an imaging device.例文帳に追加

フォトダイオードに電荷を残すことなく、フローティングディフュージョン領域のリーク電流を削減し、撮像装置の歩留を向上する。 - 特許庁

Application of high voltage to the inside diffusion region 1b side reduces a leak current between the adjacent elements.例文帳に追加

内部拡散領域１ｂ側に高電圧を印加することで、隣接する素子との間のリーク電流の低減が可能である。 - 特許庁

The mask 48 has an opening 48a prescribing a region for introducing tin to a semiconductor multilayered film by a thermal diffusion method.例文帳に追加

マスク４８は、熱拡散法を用いて半導体多層膜に錫を導入する領域を規定する開口部４８ａを有する。 - 特許庁

In a case where a significant pixel is included in a region C, banding can be surely suppressed by using an error diffusion parameter C.例文帳に追加

Ｃ領域に有意な画素が含まれている場合、誤差拡散パラメータＣを用いることにより、バンディングを確実に抑制できる。 - 特許庁

A cobalt silicide film 21 is formed on the surface of diffusion region 4 and that of base taking-out electrode 16 which are exposed.例文帳に追加

そして、露出した拡散領域４表面及びベース取り出し電極１６表面にコバルトシリサイド膜２１を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 8 is provided on a channel 11 formed in a diffusion layer region 3 through the intermediary of a gate insulating film 7.例文帳に追加

拡散層領域３に形成されたチャネル１１の上には、ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が設けられている。 - 特許庁

The divided diffusion layer regions 21a are mutually isolated with a diffusing layer dividing region 23 formed with the STI method.例文帳に追加

分割拡散層領域２１ａは、ＳＴＩ法で形成された拡散層分割領域２３によって相互から分離される。 - 特許庁

An n^--type diffusion layer 4 is formed in an SOI layer on an SOI substrate, an unnecessary part is removed, and a collector region is formed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上のＳＯＩ層にＮ^-型拡散層４を形成し、不要部分を除去してコレクタ領域を形成する。 - 特許庁

To promote microfabrication of a semiconductor device in which the potential of a source diffusion layer is made equal with that of a well region (semiconductor wafer).例文帳に追加

ソース拡散層とウェル領域（半導体基板）との電位を同電位とする半導体装置の微細化を促進させる。 - 特許庁

Since the projecting part comes close to the first diffusion plate, light emitted from each light source never leaks to the adjacent display region.例文帳に追加

突出部が第１拡散板に近接しているため、各光源の発光が隣接する表示領域に漏れることがない。 - 特許庁

The element regions 13 and the heat diffusion region 5 are integrally connected via a metallic heat-conducting part 18 passing through the insulative member 11.例文帳に追加

絶縁部材１１を通った金属製の導熱部１８で、素子配設部１３と熱拡散部５を一体に連続する。 - 特許庁

A p^+-type diffusion region 21 constituting the ZD is formed at the center of an element to prevent an increase in total amount of p-type dopants.例文帳に追加

素子中央にＺＤを構成するＰ^+型拡散領域２１を形成し、Ｐ型不純物総量の増加を防いだ。 - 特許庁

This can suppress impurity diffusion into deep region caused by ion channeling generated in doping by ion implantation.例文帳に追加

この結果、イオン注入によるドーピング時に発生するイオンのチャネリングによる深い領域までの不純物拡散を抑止できる。 - 特許庁

By this construction, a common diffusion area can be arranged in a region where the gate electrodes are opposed to each other.例文帳に追加

このような構造にすることで、ゲート電極同士が対向する領域に共通拡散領域を設けることが可能となる。 - 特許庁

Further, a p floating region 51 is formed by carrying out ion injection and thermal diffusion processing from the bottom of the trench 21.例文帳に追加

次に，トレンチ２１の底部からイオン注入および熱拡散処理を行うことでＰフローティング領域５１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of applying a diffusion aluminide coating partially to a selective region more simply and conveniently.例文帳に追加

本発明は、より簡便に選択的領域に部分的にアルミニウムの拡散コーティングを施工する方法を提供することである。 - 特許庁

Related to the p-type partition region 38b, 3-stage of p-type embedded diffusion unit regions Up are connected mutually in the vertical direction.例文帳に追加

ｐ型の仕切領域３８ｂは３段のｐ型の埋め込み拡散単位領域Ｕ_p を縦方向に相互連結して成る。 - 特許庁

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof.例文帳に追加

ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。 - 特許庁

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of simplifying the manufacture process and reducing the manufacture cost by varying the thickness of a cap layer immediately above a window region arbitrarily in order to facilitate control of the diffusion depth of a diffusion source thereby controlling the distance from the diffusion source to an active layer and controlling the diffusion depth of the diffusion source, and to provide a wafer for semiconductor laser employing it.例文帳に追加

拡散源の拡散深さの制御を容易に行うために、窓領域を形成する直上のキャップ層厚を任意に変えることにより、拡散源から活性層までの距離を制御し、拡散源の拡散深さを制御し、製造プロセスを簡易にし、製造コストを低下させることができる、半導体レーザ素子およびそれを用いた半導体レーザ用ウェハを提供すること。 - 特許庁

The diffusion layer 5 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 of the region specified by the position specifier, 4a so that its shape may be specified and the diffusion layer 5 may be connected with the electric conductive film 4 in series.例文帳に追加

拡散層５は、位置規定部４ａにより規定された領域の半導体基板１の表面上に形成されて形状が規定され、導電膜４と拡散層５が直列に接続される。 - 特許庁

In the surface of the semiconductor regions 5, n-type diffusion regions 7 are formed, while between the n-type diffusion regions 7 and an insulation film 2, an n-type high- density embedded region is formed.例文帳に追加

また、半導体領域５の表面にはｎ形拡散領域７を形成すると共に、ｎ形拡散領域７と絶縁膜２との間にはｎ形高濃度埋込み領域を形成する。 - 特許庁

The position of the diffusion plate is controlled in such a manner that a desired diffusion pattern generating region is placed on the optical path where the laser light passes while the laser light is outputted based on the detected identification information.例文帳に追加

検出された識別情報に基づいて、レーザ光が出力されている時に、所望の拡散パターン生成領域がレーザ光が通過する光路上にくるように、拡散板の位置を制御する。 - 特許庁