「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable the sufficient diffusion of impurities in a gate electrode and the sufficient activation of impurities in a diffusion region while inhibiting the damage of an Si substrate due to a stress applied to the Si substrate by a heat treatment.例文帳に追加

熱処理によりＳｉ基板にかかるストレスによるＳｉ基板の損傷を抑えつつ、ゲート電極の不純物の十分な拡散、拡散領域の不純物の十分な活性化ができるようにする。 - 特許庁

The electrode 16 is formed on a region, where diffusion entrance speed of peripheral gas is restricted by the gas diffusion rate determiner 14 and has a catalyst action for accelerating the reaction between the combustible component and oxygen.例文帳に追加

電極１６は、ガス拡散律速体１４によって周囲ガスの拡散進入速度が制限される領域に形成されており、可燃性ガスと酸素の反応を促進する触媒作用を備えている。 - 特許庁

After a gate groove 20 is formed on the n+diffusion layer 5 so that the n+diffusion layer 5 on the spot which will be a gate in elements region between the element isolation layers 2 may be separated, a gate insulation film 8 is formed.例文帳に追加

次に、素子分離層２に挟まれた素子領域のゲートとなる位置のｎ^+拡散層５を分断するようにｎ^+拡散層５にゲート溝２０を形成した後、ゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

The end of the gate electrode 14 at the side of the second source diffusion region 72S is positioned in the vicinity of a boundary surface between the first and second source diffusion regions 71S and 72S.例文帳に追加

上記第１ソース拡散領域部７1Ｓと上記第２ソース拡散領域部７２Ｓとの境界面近傍には、上記ゲート電極１４の上記第２ソース拡散領域部７２Ｓ側の端部が位置する。 - 特許庁

The membrane type air diffusion device is provided with a bag-shaped body 2 obtained by joining sheet-shaped members 5, 6, and an air diffusion region 7 provided at least at the upper face part of the bag-shaped body 2 is composed of an air-permeable sheet-shaped member 6.例文帳に追加

シート状部材５、６を接合してなる袋状体２を備え、袋状体２の少なくとも上面部に設ける散気領域７が通気性のシート状部材６からなる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device in which color mixture is prevented by utilizing arrangement of a capacitor region separately provided from a floating diffusion region, and to provide a camera using the solid-state imaging device.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域と別に設けたコンデンサ領域の配置を活用して混色を防ぐことができる固体撮像装置及びその固体撮像装置を用いたカメラを提供する。 - 特許庁

To easily form a correction pattern effective for preventing the deformation of a gate size occurring in the level difference portion consisting of a boundary between the diffusion region and element separation region of a transistor(TR).例文帳に追加

トランジスタの拡散領域と素子分離領域との境界からなる段差部分に起因したゲート寸法の変形を防止する有効な補正パターンを簡便に生成できるようにする。 - 特許庁

A connection part 12 is formed under the second impurity diffusion layer in the element forming film, and electrically connects a body region of the first element with a body region of the second element.例文帳に追加

接続部１２は、素子形成膜における第２の不純物拡散層の下方に形成され、第１の素子のボディ領域と第２の素子のボディ領域とを電気的に接続する。 - 特許庁

A p-type body 5 is formed on one side of a drift region 11 contained in an n-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type source diffusion region 7S is formed on the body 5.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１が含むドリフト領域１１の一方の側方にはＰ型ボディ部５を形成し、ボディ部５上にはＮ^+型ソース拡散領域７Ｓを形成する。 - 特許庁

Since the P-type semiconductor diffusion region 160 is provided, no potential barrier is provided on the way from the surface of silicon substrate 110 to the P-type well region 120.例文帳に追加

このＰ型半導体拡散領域１６０を設けたことにより、シリコン基板１１０の表面からＰ型ウエル領域１２０に至る間の中途位置でポテンシャルバリアをもたないものとなる。 - 特許庁

A gate structure 6 and a low-concentration diffusion layer that becomes LDD regions 15, 21 are formed in a high breakdown voltage MOS transistor formation region and a high-drive MOS transistor formation region.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタ形成領域と高駆動ＭＯＳトランジスタ形成領域とにゲート構造６と、ＬＤＤ領域１５，２１となる低濃度拡散層を形成する。 - 特許庁

Both masks are defined based on a region (a diffusion region, for example) in a different layer of the integrated circuit layout than the structure (the gate, for example) being created with the phase shifting process.例文帳に追加

これらのマスクはともに、集積回路レイアウトの、位相シフト処理で作成している構造（例えばゲート）とは異なる層中の領域（例えば拡散領域）に基づいて区画される。 - 特許庁

In a CO converter 810, there are provided a gas diffusion region 812 into which a reformed gas flows and a CO conversion reaction region 813 filled with a CO conversion catalyst in communication with each other.例文帳に追加

ＣＯ変成器810の内部に、改質ガスが流入するガス拡散領域812およびＣＯ変成触媒を充填するＣＯ変成反応領域813をそれぞれ連通して設ける。 - 特許庁

To form a memory cell region and a high concentration impurity diffusion region of a high-voltage transistor at the same time by ion implantation so that the high-voltage transistor side is shallower.例文帳に追加

メモリセル領域と高電圧トランジスタとの高濃度不純物拡散領域を同時にイオン注入で形成し、且つ高電圧トランジスタ側の方が浅くなるように形成する。 - 特許庁

In a plan view, the gate electrode 110 has a configuration formed in a comb-like structure having comb teeth covering the second conduction type impurity diffusion region of the drift region 172.例文帳に追加

ゲート電極１１０は、平面視で、ドリフト領域１７２の第２導電型の不純物拡散領域上を覆う櫛歯を有する櫛形構造に形成された構成を有する。 - 特許庁

At four corner parts of the n-type semiconductor layer region 130, a p type impurity diffusion region 170 is formed so that at least a part of it is in contact with the dielectric separation film 120.例文帳に追加

ｎ−型半導体層領域１３０の四隅部には誘電体分離膜１２０に少なくともその一部が接するようにｐ型不純物拡散領域１７０が形成される。 - 特許庁

The lateral double-diffused MOS transistor has a first conductivity type drift region 2 provided on a second conductivity type semiconductor substrate 1, and a body diffusion region 3 formed on the surface thereof.例文帳に追加

第２導電型の半導体基板１上に設けられた第１導電型のドリフト領域２と、その表面に形成された第２導電型のボディ拡散領域３を備える。 - 特許庁

An insulation layer is formed on the germanium layer, the germanium layer and the insulation layer are heat treated at 550°C to 1000°C, and the n-type diffusion region is formed in the prescribed region of the germanium layer.例文帳に追加

ゲルマニウム層上に絶縁層を形成し、ゲルマニウム層および絶縁層を５５０℃〜１０００℃で熱処理して、ゲルマニウム層の所定の位置にｎ型拡散領域を形成する。 - 特許庁

Since the width of a low-concentration impurity region for securing a withstand voltage can be adjusted with the thickness of a semiconductor layer, a conventional low-concentration impurity region by diffusion of impurities can be omitted.例文帳に追加

半導体層の厚みで耐圧を確保する低濃度不純物領域の幅を調整できるので、従来の不純物の拡散による低濃度不純物領域を省くことができる。 - 特許庁

More specifically, the regular reflected light is detected relatively strongly in a region SF1 having a smooth surface, and the diffusion reflected light is detected relatively strongly in a region SF2 having a rough surface.例文帳に追加

すなわち、表面が滑らかな領域ＳＦ１においては正反射光が比較的強く検出され、粗い領域ＳＦ２においては拡散反射光が比較的強く検出される。 - 特許庁

The groove-embedded gate electrode 3 is provided to a substrate equipped with a p-type well layer 2, a p-type channel doped layer 4, and n-type diffusion layers 5 serving as a source region and a drain region.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２と、ｐ型チャネルドープ層４と、ソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散層５とを有する基板に溝埋め込み型のゲート電極３が設けられている。 - 特許庁

The extension region 151 of a low concentration is formed by a first dose amount and, thereafter, the main diffusion region 152 of the source/drain is formed by a second dose amount bigger than the first dose amount.例文帳に追加

第１のドーズ量で低濃度のエクステンション領域１５１を形成後、第１のドーズ量より大きい第２のドーズ量でもってソース／ドレインの主拡散領域１５２を形成する。 - 特許庁

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented.例文帳に追加

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

The gate G_MT of the memory transistor MT is formed with a MONOS structure on the second body region 106 so as to straddle the second body region 106 and the first impurity diffusion layer 104.例文帳に追加

第２ボディ領域１０６と第１不純物拡散層１０４に跨るように第２ボディ領域１０６上にメモリトランジスタMTのゲート部G_MTをＭＯＮＯＳ構造で形成する。 - 特許庁

In the P-type silicon layer 3, every memory cell, N-type source and drain diffusion layers 7, 8 extended to the buried oxide film 2 are so formed that the region sandwiched between the source and drain diffusion layers 7, 8 becomes a body region 9 under a gate insulation layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層３には、メモリセル毎に、埋込酸化膜２まで達するＮ型のソース拡散層７及びドレイン拡散層８が形成され、ゲート絶縁膜５の下でソース拡散層７及びドレイン拡散層８に挟まれた領域がボディ領域９となっている。 - 特許庁

To easily enlarge the dynamic range of an output signal in a charge detecting device receiving a signal charge in a stray diffusion region formed on a semiconductor substrate 20 and outputting the output signal corresponding to the potential VFD of the stray diffusion region 22.例文帳に追加

半導体基板２０上に形成された浮遊拡散領域２２に信号電荷を受けて、その浮遊拡散領域２２の電位ＶＦＤに応じた出力信号を出力する電荷検出装置において、簡単に、出力信号のダイナミックレンジを広げること。 - 特許庁

In an IGBT, an N--type epitaxial layer 3 is formed on a P+-type silicon substrate 1 via an N+-type silicon layer 2, and a P-type impurity diffusion region 4 and an N+-type impurity diffusion region 5 are formed in the surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、Ｐ^+ 型シリコン基板１の上にＮ^+ 型シリコン層２を介してＮ^- 型エピタキシャル層３が形成され、エピタキシャル層３の表層部にＰ型不純物拡散領域４およびＮ^+ 型不純物拡散領域５が形成されている。 - 特許庁

A bottom wall 15A of the combustion panel 22 forms a predetermined region around the vaporizer 16 that serves as a burner port absence region A, whereby diffusion of a liquid fuel and diffusion of a flame upon spray combustion can be prevented.例文帳に追加

燃焼盤２２の底壁１５Ａは、気化筒１６周囲の一定領域が炎孔不存在領域Ａとなっており、この炎孔不存在領域Ａによって、噴霧燃焼時における液体燃料の拡散及び火炎の拡散を防止できるようになっている。 - 特許庁

Next, in a region 10e1 on the catalyst layer 12a side face of the electrolyte membrane 10, gaseous diffusion layer base material 14c is adhered in the region 10e2 on the catalyst layer 12c side face side of electrolyte membrane 10, gas diffusion layer base material 14a is adhered.例文帳に追加

次に、電解質膜１０の触媒層１２ａ側表面における領域１０ｅ１に、ガス拡散層基材１４ｃを接着し、電解質膜１０の触媒層１２ｃ側表面における領域１０ｅ２に、ガス拡散層基材１４ａを接着する。 - 特許庁

To suppress an increase in junction leakage current without causing corrosion or the like in an impurity diffusion region, to completely decrease a resistance value of the impurity diffusion region, and to provide a further microscopic, highly integrated, low electric power consumption, and high speed operational semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散領域の侵食等を生ぜしめることなく接合リーク電流の増大を抑制して不純物拡散領域の抵抗値を十分に低減し、更なる微細化・高集積化を実現して、低消費電力で高速動作を可能とする。 - 特許庁

Quantity of a current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section consisting of the charge storage film 23 and the fine particles 10.例文帳に追加

蓄電体膜２３と微粒子１０とからなる電荷保持部に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方の上記ソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

The volatile memory element 312 has a body region 42, a gate electrode 15 and diffusion layer regions 31 and 32, and the quantity of current between the diffusion layer regions 33 and 34 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of current being held in the body region 42.例文帳に追加

揮発性メモリ素子３１２は、ボディ領域４２、ゲート電極１５、拡散層領域３１，３２を備え、ボディ領域４２が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３３，３４間の電流量を変化させる。 - 特許庁

From the top part of the glove glass to cover a light emitting tube to the periphery of the maximum outer diameter formed by the globe glass is made a coated region by coating with the diffusion film, and from the peripheral part of the maximum outer diameter of the glove glass to the opening part of the glove glass is made a non-coated region with the diffusion film.例文帳に追加

発光管を覆うグローブガラスの頂上部からグローブガラスが形成する最大外径の周辺までは拡散膜を塗布し塗布領域とし、グローブガラスの最大外径周辺部から、グローブガラスの開口部までは拡散膜の無塗布領域とする。 - 特許庁

An N+ type buried diffusion layer 103 and an N type epitaxial layer 102 are formed on a P type silicon substrate 101, and a P type diffusion layer 104 and an N+ type drain lead-out diffusion layer 106A in a surface region are formed in the N type epitaxial layer 102.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上にＮ＋埋め込み拡散層１０３およびＮ型エピタキシャル層１０２が形成され、Ｎ型エピタキシャル層１０２内には表面領域内のＰ型拡散層１０４とＮ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａが形成されている。 - 特許庁

The storage apparatus comprises a bit line diffusion layer 2 extending in the substrate 1 in columns, an insulating film 14 formed on a region between the bit line diffusion layers 2, word lines 3 on the substrate 1 and the insulating film 14, and bit line backing wiring 7 above the bit line diffusion layers 2.例文帳に追加

基板１中に列方向に延びるビット線拡散層２、ビット線拡散層２の間の領域上に形成された絶縁膜１４、基板１及び絶縁膜１４上のワード線３、ビット線拡散層２上方のビット線裏打ち配線７を備える。 - 特許庁

In a region Z2 of an LDMOS, which is different from a formation region Z1 of an IGBT inside a chip, a P-type well region 13 and an N+-type impurity diffusion regions 14, 15 are formed in a surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

チップ内でのＩＧＢＴの形成領域Ｚ１とは異なるＬＤＭＯＳの領域Ｚ２において、エピタキシャル層３の表層部にＰ型ウエル領域１３およびＮ^+ 型不純物拡散領域１４，１５が形成されている。 - 特許庁

An impurity region 19 having the same impurity concentration with that of the impurity region 17 is formed at the same depth of that of the impurity region 17 from the surface of the semiconductor substrate 11 in the semiconductor substrate 11 under the diffusion layer 18.例文帳に追加

拡散層１８下で半導体基板１１の表面から不純物領域１７と同じ深さの半導体基板１１内に、不純物領域１７と同じ不純物濃度を持つ不純物領域１９が形成されている。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has a semiconductor substrate 100 having a pixel region and a peripheral region, and plural diffusion layers 102, 103 formed in the pixel region of the semiconductor substrate 100 and arranged in a matrix form.例文帳に追加

固体撮像素子は、画素領域と周辺領域とを有する半導体基板１００と、半導体基板１００の画素領域に形成され、行列状に配置された複数の拡散層１０２、１０３とを備えている。 - 特許庁

As a gate region is formed of an N+ diffusion layer 11 located under a channel region 14, the surface of the channel region 14 is restrained from increasing in surface roughness by a flattening process, and a thin film transistor is restrained from deteriorating in driving capacity.例文帳に追加

ゲート領域が、チャネル領域４の下にあるｎ^+ 拡散層１１によって形成されているので、平坦化プロセスによってチャネル領域１４の表面粗さが大きくならず、薄膜トランジスタの駆動能力の低下を抑制する。 - 特許庁

When P ions are to be injected, a region other than a region, such as the surface of the N+ diffusion layer where the Co silicide film is hard to be formed is selectively masked by a resist, and P ions are merely injected into the region, where the Co silicide film is hard to be formed.例文帳に追加

Ｐイオンの注入に際しては、Ｎ^＋拡散層上のようにＣｏシリサイド膜を形成しにくい領域以外をレジストにて選択的にマスクし、Ｃｏシリサイド膜を形成しにくい領域にのみＰイオンを注入する。 - 特許庁

A manufacturing method is provided with a reduction process for reducing an aspect ratio of a partial region between gate electrodes and diffusion layers made to be lower than that of a region, except for the partial region between the gate electrodes, prior to the formation of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜を形成する前に、ゲート電極間かつ拡散層間の一部領域のアスペクト比を、このゲート電極間のこの一部領域以外の領域のアスペクト比より低減させる低減工程を備える。 - 特許庁

To provide a method for preventing diffusion of boron between a first region and a second region adjoining to the first region of a semiconductor component element containing boron as the dopant, when the semiconductor component element is formed.例文帳に追加

半導体構成要素の製造時に、ドーパントとしてホウ素を含む半導体構成要素の第１の領域と該第１の領域に隣接する構成要素の第２の領域の間でのホウ素の拡散を防止する方法の提供。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor layer, two diffusion layers formed in the semiconductor layer and serving as the source region and the drain region respectively, a channel region defined between the two diffusion layers, a gate insulating film formed on the channel region and consisting of a silicon oxide film containing carbon atoms by 0.1-5.0 atm%, and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

半導体層と、該半導体層内に形成され、ソース領域及びドレイン領域となる２つの拡散層領域と、該２つの拡散層領域間に定められるチャネル領域と、該チャネル領域上に形成され、炭素原子を０．１乃至５．０アトミックパーセント含むシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する。 - 特許庁

The light emitting device includes: a luminescent panel including at least two luminescent regions positioned at a distance from each other, and a non-luminescent region positioned between the luminescent regions; and a diffusion member positioned in front of the luminescent panel, and including at least two first diffusion parts corresponding to the luminescent regions, and a second diffusion part corresponding to the non-luminescent region.例文帳に追加

発光装置は互いに距離を置いて位置する少なくとも２つの発光領域及び発光領域の間に位置する非発光領域を含む発光パネルと、発光パネルの前方に位置し、発光領域に対応する少なくとも２つの第１拡散部と非発光領域に対応する第２拡散部を含む拡散部材を含む。 - 特許庁