「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The second impurity diffusion layer 31A and the third impurity diffusion layer 21B are formed adjacently to each other with an element separation region 15 provided across a boundary between the first well and the second well, therebetween.例文帳に追加

第２不純物拡散層３１Ａと第３不純物拡散層２１Ｂとは、第１ウェルと第２ウェルとの境界上に跨って設けられた素子分離領域１５を挟んで隣接して形成されている。 - 特許庁

In the impurity diffusion method of diffusing impurities into a substrate 10, a region 18 of the substrate 10 where impurities are diffused is coated, at first, with a solution containing a mask material that prevents diffusion of impurities.例文帳に追加

基板１０に不純物を拡散する不純物拡散方法では、まず、基板１０において不純物を拡散すべき領域１８に、不純物の拡散を防止するマスク材料を含む溶液を塗布する。 - 特許庁

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁

To establish the optimum arranging method of a reinforcing base material layer and a resin diffusion net for accelerating the diffusion of an injection resin and to easily suppress the occurrence of the unimpregnated region of the injection resin.例文帳に追加

強化繊維基材層、および注入樹脂の拡散を促進させるための樹脂拡散ネットの最適な配置方法を確立し、注入樹脂の未含浸部位の発生を容易に抑えられるようにする。 - 特許庁

This protective insulating film prevents the diffusion of Cu or the like, which is an interconnection material, into a chip forming region of the wafer 100, thereby suppressing fluctuations in transistor characteristics caused by Cu diffusion.例文帳に追加

この保護絶縁膜によって、配線材料のＣｕなどがウェーハ１００のチップ形成領域内に拡散するのを防止し、Ｃｕ拡散が原因で生じるトランジスタ特性の変動を抑制するものである。 - 特許庁

According to this structure, the P-type diffusion layers 18-20 and the N-type diffusion layers 22, 23 are formed with high positional accuracy, the width wb1 of a base region is narrowed, and a horizontal-type PNP transistor having a high breakdown voltage is formed.例文帳に追加

この構造により、Ｐ型の拡散層１８〜２０、Ｎ型の拡散層２２、２３が位置精度良く形成され、ベース領域幅Ｗｂ１が狭められ、高耐圧の横型ＰＮＰトランジスタが形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type embedded layer 9 creeps up, a P-type diffusion layer 12 creeps down, and both the diffusion layers 9, 12 are connected, thus composing the back gate region of the MOS transistor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の埋込層９が這い上がり、Ｐ型の拡散層１２が這い下がり、両拡散層９、１２が連結することで、ＭＯＳトランジスタ３のバックゲート領域が構成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a diffusion in a lateral direction at the time of forming a diffusion region in a compound semiconductor layer, and suppressing a leakage current between electrodes.例文帳に追加

化合物半導体層内に拡散領域を形成する場合に横方向の拡散を抑制すること、または、電極間のリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Gate electrodes 8a and 8b are formed on the P- type diffusion region 5a positioned between the N+ type diffusion regions 6a and 6b and the N- type epitaxial layer 2 through a gate insulating film.例文帳に追加

Ｎ＋型拡散領域６ａ、６ｂとＮ−型エピタキシャル層２との間に位置するＰ型拡散領域５ａ上にゲート絶縁膜を介在させてゲート電極部８ａ、８ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

An oxide film on a p^+-type diffusion layer to be formed as an element isolation region of a photodiode is removed by etching, the p^+-type diffusion layer is connected by contact electrodes to a light-shielding metal film of a peripheral upper layer of the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードの素子分離領域となるＰ＋型拡散層の上の酸化膜をエッチングで取り除き、Ｐ＋型拡散層と、フォトダイオードの周囲上層の金属遮光膜とをコンタクト電極により接続する。 - 特許庁

A solid-state image pickup device is provided with a photodiode 1 where the n-type impurity region is formed in an active region 9, a transfer switch 2 transferring the optical signal charge and FD 3 (floating diffusion region) being a transfer destination of the optical signal charge.例文帳に追加

固体撮像装置は、アクティブ領域９にＮ型不純物領域を形成してなるフォトダイオード１と、光信号電荷を転送する転送スイッチ２と、光信号電荷の転送先であるＦＤ（浮遊拡散領域）３とを有する。 - 特許庁

As a result, characteristics of element can be improved because diffusion of impurity in the base region is controlled with the semiconductor region including carbon, and the semiconductor region including carbon having higher resistance is not formed at the lower side of the polycrystal SiGe 30.例文帳に追加

その結果、ベース領域中の不純物の拡散が炭素を含有した半導体領域によって抑えられ、また、多結晶ＳｉＧｅ３０の下部に高抵抗の炭素を含有した半導体領域が形成されず、素子の特性が良くなる。 - 特許庁

To solve the problem that the body region of a MOSFET is formed through oblique ion implantation from one direction, and the body region after diffusion is not homogeneously formed, and an avalanche resistance is weak, and the variations increase, because a low concentration region (laterally asymmetric in the sectional structure) is formed partially.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのボディ領域は、一方向からの斜めイオン注入により形成しており、拡散後のボディ領域が均一に形成されず、部分的に（断面構造において左右非対称となる）低濃度領域が形成されてしまう。 - 特許庁

The diffusion layer 17 has a gate region 24 provided right below the gate electrode 20 and is provided with a pair of groove portions 25 between the gate region 24 and source electrode and between the gate region 24 and drain electrode 22.例文帳に追加

拡散層１７は、ゲート電極２０の直下に設けられたゲート領域２４を有しており、このゲート領域２４とソース電極２１との間およびゲート領域２４とドレイン電極２２との間に一対の溝部２５が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for an electronic device that can improve crystallinity of a group III nitride semiconductor grown above an aluminum diffusion region by providing the aluminum diffusion region in a predetermined region of a silicon substrate and setting surface roughness within a proper range and a method of manufacturing the same, and an epitaxial substrate for a group III nitride electronic device.例文帳に追加

シリコン基板の所定領域にアルミニウム拡散領域を設け、表面粗さを適正範囲に設定することにより、その上方に成長されるIII族窒化物半導体の結晶性を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, the diffusion resistance region 3 has a constitution which is electrically separated by a second trench 6 and an impurity region of one conductivity type, and a conductive polysilicon 5 provided at a sidewall of the second trench 6 via an insulating film 7 is short-circuited and connected to either of ends 4a of the diffusion resistance region 3.例文帳に追加

前記拡散抵抗領域３は第二トレンチ６および一導電型の不純物領域により電気的に分離される構成を有し、さらに、前記第二トレンチ６の側壁に絶縁膜７を介して設けられている導電性ポリシリコン５が、前記拡散抵抗領域３のいずれかの端部４ａと短絡接続されている半導体装置とする。 - 特許庁

Because a diffusion preventing wall 80 is formed between the sealant 71 and the liquid crystal 50 in a pixel region Ar, the sealant component 71a having diffused into the liquid crystal 50 diffuses only as far as to a position of the diffusion preventing wall 80 and does not diffuse into the liquid crystal 50 in the pixel region (the display region) Ar.例文帳に追加

このとき、シール剤７１と画素領域Ａｒにおける液晶５０との間には、拡散防止壁８０が形成されていることから、液晶５０内に拡散したシール剤成分７１ａは、拡散防止壁８０の位置までしか拡散することはできず、画素領域（表示領域）Ａｒにおける液晶５０中まで拡散することはない。 - 特許庁

A diffusion member 102 for diffusing the reflected light of applied laser beams is provided at a region corresponding to the periphery of a light reception region to which laser beams emitted from an electronic cassette 12 are applied.例文帳に追加

電子カセッテ１２から射出されたレーザ光が入射される受光領域の周囲に相当する領域に、照射されたレーザ光の反射光を拡散させる拡散部材１０２を設ける。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor, capable of preventing charge from being injected from an impurity diffusion region such as a drain region to a floating gate and can improve S/N, and to provide an image capturing apparatus.例文帳に追加

ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、Ｓ／Ｎを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。 - 特許庁

Hence the diffusion of B from the base layer can be suppressed by making higher the Ge compsns. of the emitter- base junction region and base-collector junction region, which sandwich the base layer than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

したがって、ベース層を挟むエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くすることにより、ベース層からのBの拡散を抑制できる。 - 特許庁

In the end of the element isolation region, a p+ type impurity diffusion region 11 is formed selectively inside the surface of the silicon layer 4 so as to be buried inside the surface in a part of the STI 10.例文帳に追加

素子分離領域の端部において、シリコン層４の上面内には、ＳＴＩ１０の一部上面内に埋め込まれる格好で、ｐ^+型の不純物拡散領域１１が選択的に形成されている。 - 特許庁

The light that arrives at the screen 13 is reflected to a photo-receiver 17 in a reflection region 13b that is provided at a place other than the diffusion region 13a, and is image-formed at the photo-receiver 17.例文帳に追加

スクリーン１３に到達した光は、拡散領域１３ａ以外の場所に設けられた反射領域１３ｂにて受光装置１７に向けて反射され、受光装置１７にて結像する。 - 特許庁

To achieve element isolation more securely while suppressing an increase in plane size of a semiconductor device when an element isolation region is shallower than a part of a low-concentration diffusion region nearby a gate electrode.例文帳に追加

素子分離領域が低濃度拡散領域におけるゲート電極近傍の部分より浅い場合に半導体装置の平面寸法の大型化を抑制しつつ素子分離をより確実に行う。 - 特許庁

In this MOS transistor 21, after an LOCOS oxide film 28 and a gate electrode 35 are formed on an epitaxial layer 23, an N+ type diffusion region 31 as the drain lead-out region is formed.例文帳に追加

本発明のＭＯＳトランジスタ２１では、エピタキシャル層２３上にＬＯＣＯＳ酸化膜２８、ゲート電極３５を形成した後に、ドレイン取り出し領域であるＮ＋型の拡散領域３１を形成する。 - 特許庁

Trench element separation region 16 is so formed as to define an active region on a semiconductor substrate 2, and a drain diffusion layer is so formed as to be sandwiched between the trench element separation regions 16.例文帳に追加

半導体基板２上の活性領域を画定するようにトレンチ素子分離領域１６が形成され、トレンチ素子分離領域１６に挟まれるようにドレイン拡散層が形成される。 - 特許庁

Offsets are arranged by forming LOCOS regions 9 between the ends of an electrode of the gate G and a first diffusion region 8 to be the source/drain region.例文帳に追加

ゲートＧの電極端とソース／ドレインとなる第１の拡散領域８の間に、酸化領域であるＬＯＣＯＳ領域９を形成して、ゲート領域Ｇとソース／ドレインとの間にオフセットを設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of accurately forming an impurity diffusion region in a desired region even when the ion implantation of 500 keV to 3000 keV is performed.例文帳に追加

５００ｋｅＶ〜３０００ｋｅＶのエネルギーイオン注入を行っても、目的とする領域に精度良く、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A source-drain diffusion region 4 and a channel region 3 are formed on a polysilicon thin film formed on a substrate 1 such as a glass, and a gate electrode 6 is further formed via a gate insulating film 5.例文帳に追加

ガラス等の基板１上に形成されたポリシリコン薄膜にソースドレイン拡散層４とチャネル領域３が形成され、更に、ゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

As described above, since activation annealing is performed by use of the radiant heat, it is possible to reduce a difference in temperatures between an end of an activation region and an element isolation region, similarly to the case of using a diffusion furnace.例文帳に追加

このように、輻射熱を用いて活性化アニールが行われるため、活性領域端と素子分離領域との温度差は、拡散炉を用いた場合と同様に小さくすることができる。 - 特許庁

The extension depth x_drain of the extended drain region from the bottom of the first trench, the depth T_2 of the second trench and the diffusion depth x_base of a base region from the bottom of the second trench are made x_drain<T_2+x_base.例文帳に追加

拡張ドレイン領域の第一トレンチ底面からの拡散深さｘ_drain 、第二トレンチの深さT_2、ベース領域の第二トレンチ底面からの拡散深さｘ_baseについて、 ｘ_drain ＜ T_2 ＋ｘ_base とする。 - 特許庁

In this regard, patterning is performed such that the end 6a of the resist mask 6 abutting on a region for forming an N^+ type diffusion region 2 is located at a position separated by 0.3 μm from the STI end 3a, for example.例文帳に追加

このとき、レジストマスク６のＮ^+型拡散領域２の形成予定領域に接する端部６ａがＳＴＩ端部３ａから例えば０．３μｍ離れたところに位置するようにパターニングを行う。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 106a with an n-type impurity introduced thereinto is formed in the part of the write bit line 106 extending upward from the region of the read word line 110.例文帳に追加

また、読み出しワードライン１１０の領域より上方に延在している書き込みビットライン１０６の部分に、ｎ型不純物が導入されたｎ^+拡散領域１０６ａが形成されている。 - 特許庁

The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation.例文帳に追加

再結合領域７は、ベース領域４の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。 - 特許庁

A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.例文帳に追加

選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。 - 特許庁

The first conductive barrier layer includes a substance that suppresses the diffusion of the first metal from the first metal region to the outside, and the second metal region includes a catalytic metal internally.例文帳に追加

前記第１導電性バリア層は、前記第１金属領域からの前記第１金属の外部拡散を抑制する物質を含み、前記第２金属領域は、内部に触媒金属を含む。 - 特許庁

The field effect transistor has a WN/Al drain electrode Schottky-joined to a GaN channel layer 104 via an n^+ region (diffusion region) 112 below the drain electrode 109.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタによれば、ＷＮ/Ａｌドレイン電極１０９がドレイン電極１０９の下のｎ^＋型領域(拡散領域)１１２を介してＧａＮチャネル層１０４にショットキー接合されている。 - 特許庁

Thereafter, mechanical working such as peening and rolling is performed to establish a residual stress region 24 that extends through the metallic layer 16, the diffusion region, and at least partially into the titanium substrate 14.例文帳に追加

その後、ピーニングや圧延などの機械加工によって、金属層１６、拡散領域さらには少なくとも部分的にチタン基材１４の内部まで延びるような残留応力領域２４をつくる。 - 特許庁

Since a plurality of end plates for independently giving fastening force are arranged, surface pressures of a gas sealing region in the periphery of the stack and a gas diffusion layer region in the center can be controlled easily so as to become optimum values.例文帳に追加

独立して締結力を付与する複数の端板を設けたことにより、スタック外周のガスシール領域と中央のガス拡散層領域の面圧を容易に最適値に調整することができる。 - 特許庁

Then, the high-concentration diffusion region 19 of a high breakdown MOS transistor is formed with the gate structure 6 and the second side wall 18 as a mask.例文帳に追加

そして、ゲート構造６及び第２のサイドウオール１８をマスクとして高耐圧ＭＯＳトランジスタの高濃度拡散領域１９を形成する。 - 特許庁

The first well 4 is formed on the substrates 1 and 10, is provided on one side of the high-concentration diffusion layer region 11, and has the first conductivity type.例文帳に追加

第１ウェル４は基板１、１０上に形成され、高濃度拡散領域１１の一方側に設けられ、第１導電型である。 - 特許庁

A diffusion layer 170 is formed on a portion of a substrate 100 situating at a device forming region 104, to serve as a source and a drain of a transistor 110.例文帳に追加

拡散領域１７０は素子形成領域１０４に位置する基板１００に形成され、トランジスタ１１０のソース及びドレインとなる。 - 特許庁

The diffusion plates 310, 311 include ventilation parts 320, 321 for uniformly diffusing predetermined gas flowing from the air supply region A1, respectively.例文帳に追加

拡散板３１０、３１１は、給気領域Ａ１から流れる所定の気体を均一に拡散させる通気部３２０、３２１をそれぞれ有する。 - 特許庁

The periphery of the diffusion resistor 14 is surrounded by an n-type BR1 having a concentration higher than that of the region 13.例文帳に追加

そして、この拡散抵抗１４の周囲を、ｎ型半導体領域１３よりも濃度の高いｎ型半導体ＢＲ１により囲繞する。 - 特許庁

To solve the problem that a hard-to-remove compound is formed on a silicon semiconductor substrate when a diffusion region is formed using a liquid state impurity source.例文帳に追加

液状不純物源を使用して拡散領域を形成すると、除去し難い化合物がシリコン半導体基板上に形成される。 - 特許庁