「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device which can prevent a resistance value of a diffusion resistance region from becoming unstable, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

拡散抵抗領域の抵抗値が不安定になることを防ぐことのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor storage device, an impurity diffusion region is formed in the semiconductor substrate so as to be self-aligned with respect to the gate.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法では、前記ゲートと自己整合的に前記半導体基板内に不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

Decoupling capacitance is formed between the second well 3 and the high-concentration diffusion layer region 11 and between the second well 3 and the substrates 1 and 10.例文帳に追加

第２ウェル３と高濃度拡散領域１１との間、及び、第２ウェル３と基板１、１０との間でデカップリング容量が形成される。 - 特許庁

An impurity diffusion preventing film 36 is provided on a part of the surface of a first group III nitride semiconductor region 28 containing a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型の不純物を含む第１のIII族窒化物半導体領域２８の表面の一部に不純物拡散防止膜３６を備えている。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 6 is formed on the active region 2a, and an Si film 7 and an n-type diffusion layer 13 are formed thereon.例文帳に追加

活性領域２ａ上にはＳｉＧｅ合金層６を形成し、この上にはＳｉ膜７およびｎ型拡散層１３を形成する。 - 特許庁

Extended lines of a plurality of central axes of scattering in this anisotropic diffusion medium are oriented to form a focusing region where the extended lines are focused.例文帳に追加

また、複数の散乱中心軸の延長戦が集束する集束領域を形成するように配向している異方性拡散媒体。 - 特許庁

To provide a driving method for a charge transfer apparatus, capable of achieving a floating diffusion region (charge voltage conversion part) of a wide dynamic range.例文帳に追加

広ダイナミックレンジのフローティングディフュージョン領域（電荷電圧変換部）の実現を可能にした電荷転送装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

To connect a part between a pair of mutual diffusion regions which are isolated by an isolation region, by not arranging a contact but using a wiring layer.例文帳に追加

分離領域で隔てられた一対の拡散領域相互間を、コンタクトを設けずに、配線層により接続することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a high quality image processor, capable of reducing the generation of the chain-shaped specific pattern, in a low density region using an error diffusion method.例文帳に追加

誤差拡散法において低濃度域の鎖状の特異模様の発生を抑えた高画質な画像処理装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a laser processing method and a laser processing apparatus in which variation in the impurity diffusion region of a substrate can be reduced.例文帳に追加

基板において不純物が拡散する領域のばらつきを抑えることができるレーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁

The current value signals are fed to a control unit 2, and the control unit 2 supplies a control current corresponding to the current value signals to the first diffusion region sub.例文帳に追加

制御部２は、電流値信号を供給され、且つ電流値信号に応じた制御電流を第１拡散領域に供給する。 - 特許庁

A diffusion layer S/D for use as a source or drain region is formed in the semiconductor substrate 11 corresponding to both sides of the floating gate FG.例文帳に追加

浮遊ゲートＦＧの両側に対応する半導体基板１１内にソース又はドレイン領域としての拡散層Ｓ／Ｄが形成されている。 - 特許庁

A p^+ diffusion layer 10a as an outer base layer is formed outside a region serving as an inner base layer of the alloy layer 6.例文帳に追加

ＳｉＧｅ合金層４のうち内部ベース層として働く領域の外側に外部ベース層としてｐ＋拡散層１０ａを形成する。 - 特許庁

A ring-shaped negative electrode 206 is formed on the diffusion region 204, and a circular pad 207 is formed on the insulation film 205.例文帳に追加

拡散領域２０４上にはリング状の負電極２０６が形成され、絶縁膜２０５上には円形のパッド２０７が形成されている。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor especially capable of increasing the number of electrons stored at a floating diffusion region.例文帳に追加

シーモスイメージセンサに関し、特に、フローティング拡散領域で電子保存容量を高めることができるシーモスイメージセンサ及びその製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a shallow impurity diffusion region without inviting damages in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中にダメージを招かずに、浅い不純物拡散領域を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The lower part of the side walls 17 formed on a drain diffusion layer 15 side are formed in the position lower than the main surface of the semiconductor region.例文帳に追加

ドレイン拡散層１５側に形成されたサイドウォール１７は、その下部が半導体領域の主面よりも低い位置に形成されている。 - 特許庁

Using a difference in level of the polysilicon film 9 and the silicon nitride film 10 as an alignment mark, a diffusion layer 11 is formed as a drain region.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜９及びシリコン窒化膜１０の段差をアライメントマークとして利用し、ドレイン領域としての拡散層１１を形成する。 - 特許庁

The image sensor further comprises a first conductivity-type first channel region aligned under the transfer gate in the substrate, a second conductivity-type second channel region located between the transfer gate and the first channel region in the substrate, and a floating diffusion region which is located in the substrate and is in electrical contact with the second channel region.例文帳に追加

イメージセンサーは、基板で、トランスファゲートの下にアラインされている第１導電型の第１チャンネル領域と、基板で、トランスファゲートと第１チャンネル領域との間に位置した第２導電型の第２チャンネル領域と、基板に位置し、第２チャンネル領域に電気的に接しているフローティング拡散領域とを更に含むイメージセンサーである。 - 特許庁

This semiconductor device wherein the diffusion region of an impurity is formed comprises a silicon substrate, a silicon oxide film formed on the silicon substrate except a part on the diffusion region of the impurity, a polysilicon layer formed on the silicon substrate without the silicon oxide film and on the silicon oxide film, and an impurity film formed on the polysilicon layer and containing the impurity diffused in the diffusion region by heat treatment.例文帳に追加

不純物の拡散領域が形成される半導体素子において、シリコン基板と、このシリコン基板の不純物の拡散領域の上の部分以外に形成されたシリコン酸化膜と、このシリコン酸化膜が形成されていないシリコン基板上及び前記シリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層と、このポリシリコン層上に形成され熱処理により前記拡散領域に拡散させる前記不純物を含有する前記不純物膜とを備える。 - 特許庁

A gate oxide film 12, a gate electrode 13, and a protective insulating film 14 are sequentially formed on a semiconductor substrate surface 11 and impurity injection is conducted, and after the formation of an extremely shallow impurity diffusion region 18, a semiconductor material film 21 having an impurity diffusion rate higher than that of the semiconductor substrate 11 is deposited on the extremely shallow impurity diffusion region 18.例文帳に追加

半導体基板面１１にゲート酸化膜１２、ゲート電極１３、保護絶縁膜１４を順次形成した後、不純物注入を行い、極浅不純物拡散領域１８を形成後、極浅不純物拡散領域１８上に、半導体基板１１の不純物拡散係数以上の不純物拡散係数を有する半導体材料膜２１を成膜する。 - 特許庁

A screen laminated body formed by laminating a plurality of screens made of an internal refractive index distribution structure diffusion film having a top hat diffusion property independent of an incident angle in a predetermined incident angle region and a transparent property instead of the diffusion property outside the predetermined incident angle region is tightly laminated on a reflective film having a retroreflective property.例文帳に追加

所定の入射角度領域内において入射角無依存のトップハット的拡散特性を有すると共に前記所定の入射角度領域外において拡散せずに透明となる特性を有する内部屈折率分布構造拡散フィルムからなる複数のスクリーンが積層されたスクリーン積層体が、再帰反射特性を有する反射フィルムに密着積層されている。 - 特許庁

By selecting an impurity concentration of the second selective impurity introduction region 18, the first conductivity type in the region expanded by a lateral impurity diffusion from the first selective impurity introduction region 17 is cancelled to suppress a practical expansion of the element isolation region 16 in a lateral direction.例文帳に追加

第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 - 特許庁

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

ｐ形のベース領域１２にｎ^+形領域からなるベース電極接続部２４が設けられ、さらにベース電極接続部２４の周囲に、ｐｎ接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、ｐ^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域２５が設けられている。 - 特許庁

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域１４の表面濃度頂上領域１４Ａは、ゲート電極６と重ならずフィールド酸化膜４を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises: a select gate 3a formed in a first region on a substrate 1; the floating gate 6a formed in a second region adjacent to the first one; a second diffusion region 7b formed in a third region adjacent to the second one; and the control gate 11 formed on the floating gate.例文帳に追加

基板１上の第１の領域に配設されたセレクトゲート３ａと、第１の領域に隣接する第２の領域に配設されたフローティングゲート６ａと、第２の領域と隣接する第３の領域に配設された第２の拡散領域７ｂと、フローティングゲートの上に配設されたコントロールゲート１１と、を備える。 - 特許庁

Further, the substrate has, in the substrate, a first conductivity type source region 121 formed below the first upper surface, a second conductivity type drain region 121 formed below the second upper surface, and a second conductivity type lateral diffusion region 123 formed between the step lateral face S3 and the source region 121.例文帳に追加

さらに、基板内において、第１上面の下方に形成された第１導電型のソース領域１２１と、第２上面の下方に形成された第２導電型のドレイン領域１２２と、段差側面Ｓ３とソース領域１２２との間に形成された第２導電型の側方拡散領域１２３とを備える。 - 特許庁

After a protective film 6 has been formed on the first insulation film 4 in the DRAM circuit region 11 and on the logic circuit region 12, except a prescribed region 51 of the diffusion layer 5 formed on the periphery of a specified gate electrode 3a, a silicide layer 7 is formed above the prescribed region 51 by salicide method.例文帳に追加

ＤＲＡＭ回路領域１１に形成された第１の絶縁膜４上と、所定のゲート電極３ａの周辺に形成された拡散層５の所定領域５１を除いたロジック回路領域１２上に、保護膜６を形成した後、所定領域５１の上部にシリサイド層７をサリサイド法により形成する。 - 特許庁

The semiconductor image pickup element includes: a first conductivity-type semiconductor region 21 formed on a semiconductor substrate 30; a transfer gate 23 formed on the semiconductor substrate 30; a photodiode region 34 formed on the first conductivity-type semiconductor region 21; and a second conductivity-type floating diffusion region 31.例文帳に追加

半導体基体３０に形成された第１導電型の半導体領域２１と、半導体基体３０上に形成された転送ゲート２３と、第１導電型の半導体領域２１に形成されたフォトダイオード領域３４、及び、第２導電型のフローティングディフュージョン領域３１とを備える半導体撮像素子を構成する。 - 特許庁

In the semiconductor device having the field effect transistor having an SOI structure, the ion-implanted region 11 of the body contact 6 is separated from the active region 2 of the field effect transistor to suppress the diffusion of implanted ions to the active region 2 side.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタの活性領域２に対してボディコンタクト部６のイオン注入領域１１を離間させて、注入イオンの活性領域２側への拡散を抑制する。 - 特許庁

A transfer facilitation region 140 is formed in the lower layer region of a transfer gate 130 while being self-aligned by performing extra ion implantation to the entire region beneath a floating diffusion part 120, a photodiode 110 and the transfer gate 130 constituting an imaging element.例文帳に追加

撮像画素を構成するフローティングデフュージョン部１２０、フォトダイオード１１０、転送ゲート部１３０下の全領域に対して追加のイオン注入を行うことにより、自己整合的に転送容易化領域１４０を転送ゲート部１３０の下層領域に形成する。 - 特許庁

By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.例文帳に追加

約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。 - 特許庁

Source/drain diffusion region 1107 of a memory element on the same row is electrically connected in common with a bit line 1132 through a contact.例文帳に追加

同一列のメモリ素子のソース／ドレイン拡散領域１１０７は、ビット線１１３２に対してコンタクトを介して電気的に共通に接続されている。 - 特許庁

The inhibiting effect of the diffusion is obtained by selecting a height of the vertical plate 3, and the highly uniform vapor concentration distribution can be achieved in the coating region 2.例文帳に追加

立て板３の高さの選択により拡散の抑制効果を得られ、塗布領域２上で均一性の高い蒸気濃度分布を実現できる。 - 特許庁

An impurity region 130 comprising the component of the anti-diffusion film 120 is formed in the lower wiring 110 in a direction in which the via hole 230a is extended.例文帳に追加

下部配線１１０内にはビアホール２３０ａの延びる方向に拡散防止膜１２０の成分を含む不純物領域１３０が形成される。 - 特許庁

Second metal layers 6a and 6b are connected to second power supply wiring GND so that they may be formed on the surface of the diffusion region 7 of the silicon substrate 8.例文帳に追加

第２のメタル層６ａ、６ｂが、第２の電源配線ＧＮＤに接続され、シリコン基板８の拡散領域７が形成された面上に形成される。 - 特許庁

Next, impurities are injected into the upper part of the substrate region 40 to form a punch through stopper diffusion layer 30 is formed, whereby a Fin transistor is manufactured.例文帳に追加

次に、この基板領域４０の上部に不純物注入を行い、パンチスルーストッパー拡散層３０を形成することで、Ｆｉｎトランジスタを作製する。 - 特許庁

Since a diffusion region 4b of the Au of the stud bump 4 does not reach the first layer of the lead electrode 23, deterioration in the bonding strength can be prevented.例文帳に追加

スタッドバンプ４のＡｕの拡散領域４ｂは引出電極２３側において、第一層にまで達しないため、接合強度の劣化を防げる。 - 特許庁

A low-resistance polysilicon film 6 is formed on the P-type diffusion region 3 through the intermediary of a thin capacitor insulating film 5 of thermal oxide film.例文帳に追加

ｐ形拡散領域３上には熱酸化膜からなる薄い容量絶縁膜５を介して低抵抗のポリシリコン膜６が形成されている。 - 特許庁

Further, the impurity for forming a reverse conductivity type semiconductor layer to the impurity contained in the base region is contained in this diffusion suppression layer.例文帳に追加

また、この拡散抑制層に、ベース領域に含有させた不純物とは逆導電型の半導体層を形成するための不純物を含有させた。 - 特許庁

The p-type FET 20 includes p-type impurity diffusion layers 22, 23, an n-type impurity implantation region 24, a gate insulation film 25, and a gate electrode 26.例文帳に追加

Ｐ型ＦＥＴ２０は、Ｐ型不純物拡散層２２，２３、Ｎ型不純物注入領域２４、ゲート絶縁膜２５、およびゲート電極２６を含んでいる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state imaging device for efficiently transferring electric charges from a photodiode to a floating impurity diffusion region.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An oxide film 3 composed of an insulating body is arranged between the first metal layer 2 and the surface formed in the diffusion region 7 of the silicon substrate 8.例文帳に追加

絶縁体から構成される酸化膜３が、第１のメタル層２とシリコン基板８の拡散領域７が形成された面との間に配置される。 - 特許庁

A resistance diffusion region 7 is formed inside a semiconductor substrate 1 under a first MOS transistor 4 and a second MOS transistor 5, so as to be isolated by an insulating film 2.例文帳に追加

抵抗拡散領域７は絶縁膜２を隔てて第１および第２ＭＯＳトランジスタ４，５下部の半導体基板１内に形成される。 - 特許庁

The deep second STI 29 is formed at a part having the breakdown strength of the guard ring diffusion region 32, so that the memory cell can be made with a small width for space saving.例文帳に追加

ガードリング拡散領域３２の耐圧を持たせる部分で深い第２ＳＴＩ２９が形成されるので、幅を狭くして省スペース化を図れる。 - 特許庁