「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The nonvolatile memory cell comprises a gate electrode formed on a semiconductor layer through a gate insulation film, a channel region arranged under the gate electrode, a diffusion region arranged at both sides of the channel region and having a channel region and a reverse conduction type, and a memory function object having a function holding electric charges formed at the both sides of the gate electrode.例文帳に追加

不揮発性メモリセルは、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、チャネル領域の両側に配置され、チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなる。 - 特許庁

The semiconductor device of one embodiment comprises a substrate having an element isolation region, a plurality of quadrangle active regions on the substrate, which are isolated by the element isolation region and each having an impurity diffusion region, and a large active region which is an assembly of the plurality of active regions having a contour shape including stepped portions.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、素子分離領域を有する基板と、前記素子分離領域に分離された、不純物拡散領域を有する前記基板上の複数の四角形の活性領域と、前記複数の活性領域の集合からなり、段差を含む輪郭形状を有する大活性領域とを有する。 - 特許庁

At least a part of the impurity diffusion layer 104 and at least a part of the recording layer PC are formed in a region surrounded by the side wall insulating film 106.例文帳に追加

不純物拡散層１０４の少なくとも一部及び記録層ＰＣの少なくとも一部は、サイドウォール絶縁膜１０６に囲まれた領域内に形成されている。 - 特許庁

In the manufacturing method, an intrinsic base diffusion layer 7 is formed in almost a central part of a semiconductor region 2 which is enclosed with an isolation insulation film 3 in a main surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面において分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２の略中央部に真性ベース拡散層７を形成する。 - 特許庁

It is preferable that this light diffusion part is formed by continuously varying the thickness of the transmission region for transmitting the light from the first light-emitting element 232.例文帳に追加

この光拡散部は、第１発光素子２３２からの光を透過させる透過領域の厚みを連続的に変化させて形成したものであることが好ましい。 - 特許庁

To estimate variation in mobility in a transistor originated from mechanical stress when a plurality of gates are arranged in parallel in a same diffusion region.例文帳に追加

複数のゲートが同一の拡散領域内に並列に配置されている場合において、トランジスタにおける、機械的応力による移動度の変動を見積もることを目的とする。 - 特許庁

In a guard ring region 3, second diffusion layers 3a, 3b, 3c of a second conductivity type are provided in the main surface of a semiconductor substrate 5 of a first conductivity type.例文帳に追加

ガードリング領域３において、第１導電型の半導体基板５の主面に、ガードリングとなる第２導電型の第２拡散層３ａ、３ｂ、３ｃが設けられている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a static protection element in which static damage is reduced by avoiding concentration of current to the vicinity of surface of an impurity diffusion region.例文帳に追加

静電保護用素子を有する半導体装置において、不純物拡散領域の表面近傍における電流集中を回避して静電破壊を起こり難くする。 - 特許庁

The n-type FET 10 includes n-type impurity diffusion layers 12, 13, a p-type impurity implantation region 14, a gate insulation film 15, and a gate electrode 16.例文帳に追加

Ｎ型ＦＥＴ１０は、Ｎ型不純物拡散層１２，１３、Ｐ型不純物注入領域１４、ゲート絶縁膜１５、およびゲート電極１６を含んでいる。 - 特許庁

Both the parts of the material composite are joined by a fusion welding process or a diffusion welding process to the intermediate piece region of the same type even in any case.例文帳に追加

材料複合体のそれら両部分は、融接プロセス又は拡散溶接プロセスによって、いずれの場合においても、同じタイプの中間片領域に接合される。 - 特許庁

A source pad 17a and a p-type diffusion region 25 adjacent to the connection portion of the filed plate 19 and the floating limiter ring 20 have notches 17b, 25a.例文帳に追加

フィールドプレート１９とフローティングリミッティングリング２０との接続部分に隣接するソースパッド１７ａ及びＰ形拡散領域２５は、切欠部１７ｂ、２５ａを有する。 - 特許庁

The impurity diffusion regions facing each other across the element isolation region among the impurity regions of the plurality of active regions are electrically connected.例文帳に追加

前記複数の活性領域の前記不純物拡散領域のうち、前記素子分離領域を挟んで向かい合う不純物拡散領域は、電気的に接続される。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 so that they contact with the ends of the source/drain extension layers 11 opposite to the ends whereat the source/drain extension layers 11 contact with the channel region.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層は、ソース／ドレインエクステンション層のチャネル領域と反対側の端部と接するように半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁

First, the coating liquid is supplied to the circular region, and coating spots occurring in diffusion are restrained.例文帳に追加

塗布液が初め円形領域に供給され，その後にウェハＷ全面に広げられるので，塗布液が広げられる面積が小さくなり，拡散時にできる塗布斑が抑制される。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a plurality of modulation transistors Tm which output a pixel signal according to the optical generation charge held to a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

On the surface of the first diffusion region, a shielding layer is arranged so as to surround the first metal silicide film while being away from the edge of the first metal silicide film.例文帳に追加

第１の拡散領域の表面において、第１の金属シリサイド膜の縁から離れて、第１の金属シリサイド膜を取り囲むようにシールド層が配置されている。 - 特許庁

The entire surface except at least a portion of a side surface of a drain-side diffusion layer 112" A on the side of a channel region 116 is covered with an oxide film 107.例文帳に追加

ドレイン側拡散層１１２”Ａにおけるチャネル領域１１６側の側面の少なくとも一部を除いた全面が、酸化膜１０７により、覆われている。 - 特許庁

A bottom part of the bowing profile enters into the silicon semiconductor substrate, beyond the high concentration impurity diffusion semiconductor layer and improves the leakage characteristics of the element isolation region.例文帳に追加

ボーイング形状部底部は、高濃度不純物拡散半導体層を越えてシリコン半導体基板内に入り込み素子分離領域のリーク特性が向上する。 - 特許庁

The oxide film 46 becomes a nitride oxide film, which suppresses the deterioration of transistor characteristics caused by the diffusion of impurities, such as boron, etc., from a gate electrode 48 into the silicon region 42.例文帳に追加

この酸化膜４６は窒化酸化膜となり、ボロンなどの不純物がゲート電極４８からシリコン領域４２に拡散してトランジスタ特性を劣化させることを抑制する。 - 特許庁

The surface of a diffusion layer of at least a source region is formed of a metal silicide layer in a metal oxide field effect transistor actuating the heating element.例文帳に追加

本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタの少なくともソース領域の拡散層表面を金属シリサイド層により形成する。 - 特許庁

A diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 so as to overlap with the floating gate 40 in a channel width direction and in a channel length direction of a channel region.例文帳に追加

拡散層７０は、半導体基板２０内に設けられ、チャネル領域のチャネル幅方向およびチャネル長さ方向においてフローティングゲート４０とオーバーラップしている。 - 特許庁

When a person exists within the photographing region, while diffusion light is emitted from one of the lights, the person is irradiated by the spot light emitted by another light.例文帳に追加

撮影領域内に人物が存在している場合、一方のライトに拡散光を出射させる一方で、他方のライトにスポット光を出射させて人物を照らす。 - 特許庁

In this way, a resonance circuit is formed with parasitic capacitance, which is provided between the P-type substrate 1, the p^+ diffusion region 3 and the shunt circuit 4, and an inductance of the shunt circuit 4.例文帳に追加

そして、Ｐ型基板１及びｐ^＋拡散領域３とシャント配線４との間の寄生容量と、シャント配線４のインダクタンスとにより、共振回路を形成する。 - 特許庁

In contrast, the metal silicide layer is not formed on a P+ diffusion layer 14 whose junction surface with the N-epitaxial layer 4 is a pn junction surface and which is used as a collector region.例文帳に追加

一方、Ｎ-エピタキシャル層４との接合面がｐｎ接合面となるコレクタ領域としてのＰ+拡散層１４には、金属シリサイド層は形成されていない。 - 特許庁

The gas diffusion layer on the opposite surface side is extended to at least a part on the side opposite to the surface region over the overall peripheral edge of the electrolyte membrane.例文帳に追加

反対面側のガス拡散層は、電解質膜の外周縁全周に亘って該表面領域とは反対側の少なくとも一部にまで延在している。 - 特許庁

Consequently, the N+ diffusion region 49 and N+ additional embedded layer 45 are connected surely together to lower the collector-emitter saturation voltage of the NPN transistor 31.例文帳に追加

そのことで、Ｎ^+型拡散領域４９とＮ^+型付加埋め込み層４５とは確実に連結され、ＮＰＮトランジスタ３１におけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧が低減される。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 is formed on this active region 2a, and a silicon film 5 and an n-type diffusion layer (emitter layer) 6 are formed on the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

この活性領域２ａ上にＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。 - 特許庁

Under a field separation film 14, a P type diffusion region 7 is discretely formed in the direction across the direction where a current flows in on-state.例文帳に追加

フィールド分離膜１４の下に、オン状態において電流が流れる方向と交差する方向に沿って離散的にＰ型拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

An n-well 10 having no p-type diffusion layer inside is formed between pads 5 and the outside device region 4 on a chip formed by a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１により形成されたチップ上の、パッド５と外側素子領域４との間に、その内部にＰ型拡散層を有さないＮウェル１０が形成される。 - 特許庁

Injecting ions of impurity elements through the reflection preventing film 12 form N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 in the light receiving region.例文帳に追加

前記受光領域のＮ型およびＰ型不純物拡散層３２，３３は、反射防止膜１２を通して不純物元素をイオン注入することによって形成される。 - 特許庁

An N-drain region 38 is implanted in a P-epitaxial layer through the bottom part of a trench 35, extending between the N+-substrate 32 and the bottom part of trench through diffusion step.例文帳に追加

Ｎドレイン領域３３はトレンチ３５の底部を通りＰエピタキシャル層内に注入され、拡散ステップを経てＮ＋基板３２とトレンチの底部との間に延在する。 - 特許庁

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１のＮ型ウェルにＰ型ソース領域８ｂに接続するようにストレージノードとして機能するＰ型拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

After a diffusion layer 14 is formed on the surface side of the substrate 10 in the memory region 10, an interlayer insulating film layer (insulating film) 15 is formed to cover this.例文帳に追加

メモリ領域１０ａにおける基板１０の表面側に拡散層１４を形成した後、これらを覆う状態で層間絶縁膜層（絶縁膜）１５を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a p^+ diffusion layer 10 and a silicide film 11b are formed as an external base layer outside the region acting as an internal base layer in the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

さらにＳｉＧｅ合金層４のうち内部ベース層として働く領域の外側に、外部ベース層としてｐ^＋拡散層１０およびシリサイド膜１１ｂを形成する。 - 特許庁

Moreover, two memory elements adjoining each other in the same column also own jointly the diffusion region 1107 disposed in the area between the gate electrodes of the memory elements.例文帳に追加

更に、同一列で隣り合う２つのメモリ素子も、この２つのメモリ素子のゲート電極間の領域に配置された拡散領域１１０７を共有している。 - 特許庁

A thermal diffusion plate 11 is disposed on a region extending from the vicinity of a cold cathode tube 7 of the backlight unit 3 to the center of the bottom part of the rear frame 1.例文帳に追加

前記バックライトユニット４の冷陰極管７の近傍から前記リアフレーム１の底部の中央部にいたる領域に熱拡散板１１が設けられている。 - 特許庁

Therefore, the transfer characteristics and overflow characteristics of the signal charge are not heavily influenced even if locations, where each impurity diffusion region is formed, vary during manufacturing process.例文帳に追加

従って、製造工程において各不純物拡散領域の形成位置がばらついても、信号電荷の転送特性やオーバーフロー特性にはあまり影響しない。 - 特許庁

The field drain portion is an insulator formed in the semiconductor substrate under the gate electrode so as to be interposed between the gate electrode and the drain diffusion region.例文帳に追加

フィールドドレイン部は、ゲート電極とドレイン拡散領域との間に介在するように、ゲート電極の下方の半導体基板中に形成された絶縁体である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the number of manufacturing processes by restraining re-diffusion of impurities from a source/drain region, and simplifying a process.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域からの不純物の再拡散を抑制し、かつ、プロセスを簡略化して製造工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a memory cell of SRAM comprising a well contact cell and a memory cell in which disturbance of periodicity is suppressed in the layout of pattern of a diffusion region or a polysilicon layer.例文帳に追加

ウェルコンタクトセルとメモリセルとを有するＳＲＡＭのメモリセルにおいて、拡散領域やポリシリコン層等のパターンのレイアウトの周期性が乱れるのを抑制する。 - 特許庁

A pair of first diffusion layers 5a, which are shallow surface layers of a semiconductor substrate, are formed in part of a region inwardly from lower both ends of the gate electrode 4.例文帳に追加

半導体基板の浅い表層であって、ゲート電極４の下部の両端部から内方にかけて一部の領域に一対の第１の拡散層５ａが形成されている。 - 特許庁

The third activation treatment is carried out under the condition that the impurity concentration distribution gradient of the P-N junction be steeper than that of the first impurity diffusion region.例文帳に追加

そのｐｎ接合部における不純物濃度分布勾配が、第１の不純物拡散領域よりも急峻になる条件で第３の活性化処理を行う。 - 特許庁

To provide a mixing method, a mixing structure, a micromixer and a microchip provided with the mixing structure, by which diffusion and mixing are efficiently performed in a very small region.例文帳に追加

微小領域で効率よく拡散混合を行うことができる混合方法、混合機構、該混合機構を備えたマイクロミキサーおよびマイクロチップを提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device where depth of impurity diffusion in an anode electrode region can be made shallow so as to reduce recovery loss.例文帳に追加

リカバリー損失の低減を図るべく、アノード電極領域の不純物拡散深さを浅くすることができる電力用半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Gate electrodes 5A-5F have the same shapes and projections of the electrodes 5A-5F are extended to substrate contacting diffusion regions beyond an element separating region.例文帳に追加

ゲート電極５Ａ〜５Ｆを同一形状であり、ゲート電極５Ａ〜５Ｆの突き出し部は、素子分離領域を越えて基板コンタクト用の拡散領域上まで延びている。 - 特許庁