「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 which works as a base layer, and an n-type diffusion layer 5 which works as an emitter layer are formed.例文帳に追加

活性領域２ａの上に、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設ける。 - 特許庁

When the potential of the gate terminal Vg is lowered, the p^+ diffusion regions P1, P2 absorb a minority carrier or a hole from a channel region 4.例文帳に追加

そして、ゲート端子Ｖｇの電位を低下させたときに、ｐ^＋拡散領域Ｐ１及びＰ２がチャネル領域４からマイノリティキャリアである正孔を吸収する。 - 特許庁

To reduce a leakage current in a floating diffusion region and variations in the amount of leakage current between pixels in a CMOS solid-state imaging device.例文帳に追加

ＣＭＯＳ固体撮像装置において、フローティングディフージョン領域のリーク電流を少なく、かつ画素間のリーク電流量ばらつきを少なくする。 - 特許庁

The solar cell comprises a selective donor element diffusion region 131A and an electrode 133 formed by using the paste composition for electrode formation.例文帳に追加

また、該電極形成用ペースト組成物を用いて形成した選択的なドナー元素拡散領域１３１Ａ及び電極１３３を有する太陽電池セルである。 - 特許庁

The protective diffusion region prevents impact ionization and resultant carrier generation in the vicinity of a corner of a gate trench and prevents damage of a gate oxide layer.例文帳に追加

保護拡散部は衝撃イオン化及びその結果生じるゲートトレンチの角部付近におけるキャリアの発生を防ぎ、ゲート酸化物層の損傷を防ぐ。 - 特許庁

To provide a method of erasing for a non-volatile semiconductor memory device, capable of comparatively lowering the potential of a diffusion region at erasing.例文帳に追加

消去時に拡散領域の電位を比較的低くすることが可能な不揮発性半導体記憶装置の消去方法を提供することである。 - 特許庁

Accordingly, a diffusion into the gate insulating film 3 or a channel region of impurity ions is inhibited, and the dispersion of the threshold voltage of a MISFET can be reduced.例文帳に追加

これにより、不純物イオンのゲート絶縁膜３中又はチャネル領域への拡散を抑制し、ＭＩＳＦＥＴのしきい値のばらつきを低減できる。 - 特許庁

A current flows between the diffusion regions N21 and N12 only if a region into which the impurity is introduced is used as a drain among the regions 103 and 104.例文帳に追加

領域１０３，１０４のうち不純物が導入された領域がドレインとして使用される場合にのみ、拡散領域Ｎ_21，Ｎ_12間に電流が流れる。 - 特許庁

A second interlayer film 5 is arranged only in a region right below the wiring layer 2, and connects the wiring layer 2 with the diffusion preventing insulation layer 4 in a longitudinal direction.例文帳に追加

第２の層間膜５は配線層２の真下領域にのみ配置され、かつ配線層２と拡散防止絶縁層４とを縦方向に連結している。 - 特許庁

The capacitor 40 includes p-type impurity diffusion layers 42, 43, a p-type impurity implantation region 44, a capacitive insulation film 45, and an upper electrode 46.例文帳に追加

キャパシタ４０は、Ｐ型不純物拡散層４２，４３、Ｐ型不純物注入領域４４、容量絶縁膜４５、および上部電極４６を含んでいる。 - 特許庁

The capacitor 30 includes n-type impurity diffusion layers 32, 33, an n-type impurity implantation region 34, a capacitive insulation film 35, and an upper electrode 36.例文帳に追加

キャパシタ３０は、Ｎ型不純物拡散層３２，３３、Ｎ型不純物注入領域３４、容量絶縁膜３５、および上部電極３６を含んでいる。 - 特許庁

In addition, two memory elements adjoining each other in the same row own jointly the diffusion region 1107 disposed in the area between the gate electrodes of the memory elements.例文帳に追加

また、同一行で隣り合う２つのメモリ素子は、この２つのメモリ素子のゲート電極間の領域に配置された拡散領域１１０７を共有している。 - 特許庁

In the drawing, a barrier metal layer BMTL is formed to touch at least the contact region, i.e., diffusion layer 13, formed beneath an interlayer insulation film 12.例文帳に追加

図において、少なくとも層間絶縁膜１２下層のコンタクト領域である拡散層１３に接触するバリアメタル層ＢＭＴＬが形成されている。 - 特許庁

The half mirror 1a prevents expansion of a light diffusion region between the LEDs 3 and the light guide plate 4, and enables the backlight with uniform brightness distribution.例文帳に追加

このハーフミラー１ａにより、ＬＥＤ３と導光板４の間の光拡散領域を広げることなく、輝度分布が均質なバックライトとなる。 - 特許庁

When the intermediate region is shared as a diffusion window for forming the source or drain, an inexpensive intermediate layer having uniform concentration and width can be obtained.例文帳に追加

該中間領域をソース又はドレイン形成用拡散窓と共有して行うことにより、廉価で且つ均一濃度・均一幅の中間層を実現できる。 - 特許庁

To provide a Zn diffusion region 7, having a Zn concentration of 5E18/cm^3 or lower inside an Al_xGa_1-xAs (0<x<1) semiconductor crystal 1.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ＜１）半導体結晶１中に５Ｅ１８個／ｃｍ^3以下のＺｎ濃度を有するＺｎ拡散領域７を提供する。 - 特許庁

The optical waveguide 100 has a diffusion region (optical waveguide) 102 having a large refractive index, which is formed on a substrate 101 by diffusing impurities.例文帳に追加

光導波路１００は、基板１０１上に不純物を拡散させて形成した屈折率が大きい拡散領域（光導波路）１０２を有する。 - 特許庁

To restrain a vertical bipolar transistor in an element isolating diffusion region from latching up and to prevent a collector current from flowing out to a semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離用の拡散領域内の縦型バイポーラトランジスタにおいて、ラッチアップを回避しつつ、コレクタ電流が半導体基板に流出することを回避する。 - 特許庁

A trench capacitor 12, having strap units 22, 26 which make contact with the upper surface and the side surface of the n-type diffusion region 20a for the transfer transistor 21, is formed.例文帳に追加

転送トランジスタ２１のｎ型拡散領域２０ａの上面及び側面に接するストラップ部２２，２６を有したトレンチキャパシタ１２が形成されている。 - 特許庁

An etching gas serving as a processing gas is supplied into a processing chamber 2 via diffusion holes 23 of an upper electrode 21 that extends in the upper region of the chamber 2.例文帳に追加

処理ガスとしてのエッチングガスは、処理室２の上部にある上部電極２１の拡散孔２３を通じて処理室２内へと供給される。 - 特許庁

In the diffusion region 13, an input signal and specified voltage are applied to the two separated points in its longitudinal direction, and gate voltage is applied to the gate 17.例文帳に追加

拡散領域１３には、その長さ方向の離れた２点に入力信号と所定電圧を印加し、ゲート１７にはゲート電圧を印加する。 - 特許庁

An optical waveguide 100 is obtained by forming on a substrate 101 a second diffusion region (102) by diffusing second impurities to have a larger refractive index.例文帳に追加

光導波路１００は、基板１０１上に第２の不純物を拡散させて屈折率が大きい第２の拡散領域（１０２）を形成してなる。 - 特許庁

A P-type flat initial impurity profile is kept in a P-type region 21a of the P-type semiconductor substrate 21 present above the N diffusion layer 35.例文帳に追加

Ｎ拡散層３５の上部に存在するＰ型半導体基板２１のＰ領域２１ａではＰ型の平坦な初期不純物プロファイルが維持されている。 - 特許庁

If there is a difference in characteristic between the pixel data, error diffusion processing is performed so that the error data to be spread are not spread into a region having different characteristic.例文帳に追加

画素データの特性が異なる場合、拡散される誤差データを特性が異なる領域には拡散しないようにして誤差拡散処理を行う。 - 特許庁

The first and second diffusion layers 12 and 13 have different conductive types and formed so as to contact the tunnel region 15 over the same length.例文帳に追加

第１拡散層１２と第２拡散層１３は、反対の導電型を有し、同じ長さにわたってトンネル領域１５に接するように形成されている。 - 特許庁

Further, the many photodiodes can be pairs of photodiodes and a floating diffusion region is arranged between each pair of two adjacent photodiodes.例文帳に追加

また、前記多数のフォトダイオードは、２つずつ一対をなし、一対をなす隣接した２つのフォトダイオードの間にフローティング拡散領域が配されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents spikings into a thin back diffusion region, and has a high breakdown voltage non-detectiveness ratio; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

薄い裏面拡散領域に侵入するスパイキングを防止し、高い耐圧良品率を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby a current block layer 10 does not have to be laminated above the impurity diffusion region 16, and manufacture can be easily done.例文帳に追加

これにより、不純物拡散領域１６の上方に電流ブロック層１０を積層する必要がなくなり、容易に製造することが可能となる。 - 特許庁

The fixed layer 22A is electrically connected with the first interconnection layer BL, and the recoding layer 22C is electrically connected with the diffusion region 16 of the select transistor 13.例文帳に追加

固定層２２Ａは第１の配線層ＢＬに電気的に接続され、記録層２２Ｃは選択トランジスタ１３の拡散領域１６に電気的に接続される。 - 特許庁

A halo diffusion region 4 is provided to an MOS transistor 9 having a large threshold voltage, and halo implantation is omitted with respect to an MOS transistor 16 having a small threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧の大きいMOSトランジスタ９にはハロー拡散領域４を設け、しきい値電圧の小さいMOSトランジスタ１６からはハローインプラを除く。 - 特許庁

The through holes 11' and 11 provided in the perimeter region of the gaseous diffusion plate 9 are larger than the area of the outlet part becomes larger than the area of the outlet part.例文帳に追加

ガス拡散プレート９の周辺領域に設けられた貫通孔１１’、１１は入口部分の面積が出口部分の面積よりも大きくなっている。 - 特許庁

In the semiconductor device, for example, the MOS transistor, a p-type diffusion layer 5 as a back gate region is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置、例えば、ＭＯＳトランジスタでは、Ｎ型のエピタキシャル層３には、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A multiplication unit 306 acquires a quantization error generated in error diffusion processing on the neighborhood of the target pixel in a region including the target pixel from an error memory 305.例文帳に追加

乗算部306は、注目画素を含む領域の、注目画素近傍の誤差拡散処理で発生した量子化誤差を誤差メモリ305から取得する。 - 特許庁

A pair of impurity diffusion regions 24a and 24b is formed in a part of surface region of the semiconductor substrate sandwiching the control electrode.例文帳に追加

一対の不純物拡散領域２４ａ、２４ｂは、半導体基板の表層領域の制御電極を挟む領域部分に形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device 10 comprises an n-type diffusion layer 17 between an insulating layer 15 formed on the surface of a trench 19 and an n-type semiconductor region 11.例文帳に追加

半導体素子１０は、トレンチ１９の表面に形成された絶縁層１５とＮ型半導体領域１１との間にＮ型拡散層１７を備える。 - 特許庁

A contact hole is formed in this interlayer insulation film 17 so as to form a contact which reaches a source/drain diffusion region 11 and a gate electrode 14.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散領域１１及びゲート電極１４に達するコンタクトを形成するため、この層間絶縁膜１７にコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

To provide a method for effectively etching the insulating film formed on a substrate when forming a diffusion region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中に拡散領域を形成する場合において、基板上に形成された絶縁膜のエッチング処理を効率良く行う方法を提供する。 - 特許庁

A first contact electrode 40 electrically connected to an emitter electrode 26 of the IGBT is brought into contact with the first diffusion layer 32 in the operation region R1.例文帳に追加

ＩＧＢＴのエミッタ電極２６に電気的に接続された第１コンタクト電極４０が、動作領域Ｒ１で第１拡散層３２とコンタクトする。 - 特許庁

A P-type push-in diffusion region 440 higher in concentration than a semiconductor layer 200 is formed from the surface to the bottom face of the semiconductor layer 200.例文帳に追加

半導体層２００よりも高濃度のＰ型の押込拡散領域４４０は、半導体層２００の表層から底面まで設けられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus which forms a minute impurity diffusion region, and to provide the semiconductor apparatus and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

微細な不純物拡散領域を形成することが可能な半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To improve a roll-off characteristic of threshold voltage and BVD_ss by relaxing gradient of LDD junction using phosphor (P) dopant diffusion in a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のリン（Ｐ）ドーパント拡散を使用してＬＤＤ接合の勾配を緩和して、しきい値電圧のロールオフ特性並びにＢＶＤssを改善する。 - 特許庁

Furthermore, the conventional source/drain diffusion region can be replaced by including the formation of the electrical junction by impressing the voltage to the sub gate.例文帳に追加

さらに、本発明はサブゲートに電圧を印加することにより電気接合の形成を誘起し、従来のソース／ドレイン拡張領域を置換することができる。 - 特許庁

Polysilicon film 29 that becomes a gate electrode 24 and a sidewall 26 of polysilicon, which becomes a diffusion region, are formed by one pattern as a plurality of FETs.例文帳に追加

ゲート電極２４となるポリシリコン膜２９と拡散領域となるポリシリコンのサイドウォール２６とを、複数のＦＥＴ分として一つのパターンで形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device, in which a carbon-containing region is formed for preventing dopant diffusion during production of a semiconductor.例文帳に追加

半導体の製造中にドーパントの拡散を防止するために、炭素含有領域が形成される半導体デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, the element of a larger atomic radius compared to Si of In can be set to impurity forming the impurity diffusion region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｉｎ等のＳｉに比較して原子半径の大きい元素を半導体基板中の不純物拡散領域を形成する不純物とすることができる。 - 特許庁