「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor region 12 on the opposite sides of the channel portion 13, n-type impurity diffusion layers 161 and 162 for source/drain electrodes are formed.例文帳に追加

チャネル部１３を隔てた両側の半導体領域１２にソース／ドレイン電極用のＮ型不純物拡散層１６１，１６２が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of restricting variations of characteristics caused by a junction depth and having an extremely shallow impurity diffusion region.例文帳に追加

接合深さに起因する特性のバラツキを抑制可能な、極浅不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and a manufacturing method of the same which improves reliability by inhibiting secondary electrons generated in a channel region of the semiconductor storage device using a diffusion layer for a bit line.例文帳に追加

ビット線に拡散層を用いる半導体記憶装置のチャネル領域に発生する２次電子を抑制して信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

To stably and highly efficiently manufacture a light diffusion plate of high quality free from thickness irregularity or bubbles over the whole region of its main plane even in a light diffusion plate large in an aspect ratio and the surface of the main plane.例文帳に追加

縦横比が大きく、しかも主平面の面積が大きい光拡散板でも、主平面の全域に亘って板厚むらや気泡がない高品質の光拡散板を、安定して、しかも高効率に製造可能にすること。 - 特許庁

The first side diffusion region 2SDR1 is positioned directly above the cathode N+ layer 4, and the vertical sectional shape of the bottoms 2BS1, 2BS2 of both side diffusion regions 2SDR1, 2SDR2 is a slowly-varying parabolic shape.例文帳に追加

第１サイド拡散領域２ＳＤＲ１はカソードＮ＋層４の直上に位置しており、両サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２の底部２ＢＳ１，２ＢＳ２の縦断面形状は、緩やかに変化する放物線を成す。 - 特許庁

When a target pixel exists at a pixel position where reference of an error buffer 309 is necessary, an error buffer control unit 308 acquires a quantization error to be referenced generated in error diffusion processing in a region already subjected to error diffusion processing from the error buffer 309.例文帳に追加

誤差バッファ制御部38は、誤差バッファ309の参照が必要な画素位置に注目画素があれば誤差バッファ309から既に誤差拡散処理された領域の誤差拡散処理で発生した参照すべき量子化誤差を取得する。 - 特許庁

A single cell of a fuel cell is constituted by arranging an anode gas diffusion electrode 3 and a cathode gas diffusion electrode 5 on each side of an electrolyte membrane 1 to form a reaction region, and interposing them between a pair of separators 7, 9.例文帳に追加

電解質膜１の両面にアノードガス拡散電極３及びカソードガス拡散電極５をそれぞれ設けて反応領域を形成し、これらを一対のセパレータ７，９で挟持して燃料電池の単電池を構成する。 - 特許庁

In the semiconductor device and its manufacturing method by executing thermal treatment with only a PSG film or a BSG film as the thermal diffusion source, a shallow low concentration source/drain diffusion region can be easily formed.例文帳に追加

ＰＳＧ膜もしくはＢＳＧ膜のいずれかのみを熱拡散源として熱処理を行うことにより、容易に浅い低濃度ソース・ドレイン拡散領域を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Contact members 25 and 25 penetrate the interlayer insulating film 23 and the coating film 21 vertically above each source/drain diffusion region 13a, 13b and are connected electrically with the source/drain diffusion regions 13a and 13b.例文帳に追加

各ソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂ上でそれぞれ層間絶縁膜２３と被覆膜２１とを上下方向に貫通してそのソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂに電気的に接続されたコンタクト部材２５，２５とを備える。 - 特許庁

The high fusion temperature metallic silicide layer 140, which covers cover the P+ diffusion region 124 between gate electrodes 120A and 120B, is eliminated at two portions separating in the channel widthwise direction D and diffusion resistance regions 150A and 150B are formed.例文帳に追加

ゲート電極１２０Ａ，１２０Ｂ間のＰ^+拡散領域１２４を覆う高融点金属シリサイド層１４０はチャネル幅方向Ｄにて離れた２箇所にて除去され、拡散抵抗領域１５０Ａ，１５０Ｂが形成される。 - 特許庁

In such a Schottky diode, each p-type diffusion layer 3 is pinched off by a depletion layer extending from the lower region 3b of each p-type diffusion layer 3 and a field is relaxed in the reverse direction.例文帳に追加

このようなショットキーダイオードにおいては、各ｐ型拡散層３の下部領域３ｂから伸びる空乏層によって各ｐ型拡散層３の間がピンチオフされることで、逆方向における電界緩和が成されるようになっている。 - 特許庁

To improve reliability in a high melt-point metal diffusion prevention film at a first region where no high melt-point metal silicides are formed, and to improve reliability by preventing the diffusion of a high melt-point metal reliably in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、高融点金属シリサイドを形成しない第１の領域における高融点金属拡散防止膜の信頼性を向上し、高融点金属拡散を確実に防止して信頼性の向上を図る。 - 特許庁

One P-type high-concentration diffusion layer 23 and three or more (for example, four) N-type high-concentration diffusion layers 24-1 to 24-4, joined thereto, which constitute a ZAP diode are formed in a region enclosed with a field oxide film 22.例文帳に追加

フィールド酸化膜２２による包囲内に、ザップダイオードを構成している１つのＰ型高濃度拡散層２３とこれに接合された３つ以上（例えば、４つ）のＮ型高濃度拡散層２４−１〜２４−４とが形成されている。 - 特許庁

In a horizontal bipolar transistor, containing thermally diffused impurities provided on the upper part of a base region, contains a semiconductor layer, and has a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer juxtaposed, and a semiconductor device that has such a transistor, the semiconductor layer is laid down to further implant impurities, and then, subjected to heat treatment, to make a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer.例文帳に追加

ベース領域の上部に設けた不純物を含有する半導体層の前記不純物を熱拡散させてコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを並設してなる横型バイポーラトランジスタ、およびそれを有する半導体装置において、半導体層を横断させて不純物をさらにイオン注入した後に熱処理することによってコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを設ける。 - 特許庁

The screen 10 has a plurality of layers and includes a diffusion layer 12 that constitutes at least one layer of the plurality of layers and diffuses incident light, a support member 17 that is disposed outside an image forming region (A) on the diffusion layer 12 and swingably supports the diffusion layer 12, and a drive means 30 that causes the diffusion layer 12 to swing continuously.例文帳に追加

複数の層を有するスクリーン１０であって、複数の層のうち少なくとも１層を構成し、入射した光を拡散させる拡散層１２と、該拡散層１２における画像形成領域Ａ外に設けられるとともに、拡散層１２を揺動可能に支持する支持部材１７と、１２拡散層を連続的に揺動させる駆動手段３０とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To make a high speed operation possible with small power consumption by reducing the junction capacitance of a diffusion layer region and a shallow well region, related to a DTMOS wherein lengthening of a gate depletion layer is suppressed and driving current is increased.例文帳に追加

ゲート空乏層の伸びを抑制して駆動電流を大きくしたＤＴＭＯＳにおいて、拡散層領域と浅いウエル領域の接合容量を低減し、より低消費電力で、高速動作を可能にする。 - 特許庁

Thereby, after light emitted forward from the upper region 12B1 and the lower region 12B2 is diffused in the vertical direction, its degree of diffusion is allowed to be accurately controlled, and the cut-off line is appropriately obscured.例文帳に追加

これにより、上部領域１２Ｂ１および下部領域１２Ｂ２から前方へ出射する光を上下方向に拡散させるようにした上で、その拡散度合を精度良く制御可能とし、カットオフラインを適度に暈かす。 - 特許庁

In the LDD layer 5a, a protruding part 55 is formed, in a region which is directly underneath the p-type diffusion layer 10 so as to protrude from the bottom of the LDD layer 5a, toward a deeper region down to a depth D2.例文帳に追加

ＬＤＤ層５ａには、ｐ型拡散層１０の直下の領域においてＬＤＤ層５ａの底からさらに深い領域に向かって突出するように深さＤ２にわたり突出部５５が形成されている。 - 特許庁

Thus effective heat conductivity of the region 131 opposed to the projecting portion 115 can be increased in comparison with that of the other region, and the heat diffusion to the inside of the porous member 130 from the heating element 10 can be promoted.例文帳に追加

これにより、突起部１１５に対向する部位１３１での有効熱伝導率を他の領域よりも大きくでき、発熱体１０から多孔質材部材１３０内部への熱拡散を促進できる。 - 特許庁

Then, an impregnation optimization treatment in which a constituent material of the seal portion 16 can be impregnated more at the outside region than at the power generation region is applied on at least one of the pair of the gas diffusion layers.例文帳に追加

そして、一対のガス拡散層の少なくとも一方には、発電領域に比べて外側領域の方が、シール部１６の構成材料がより多く含浸可能となる含浸適正化処理が施されている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus of which the dynamic range can be expanded by fully utilizing the capacity of a capacitor region provided separately from a floating diffusion region, and to provide camera employing the solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域と別に設けたコンデンサ領域の容量を十分に活用してダイナミックレンジを拡大することができる固体撮像装置及びその固体撮像装置を用いたカメラを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents impurity ions of a source-drain region from being diffused abnormally and partially toward a channel region by suppressing diffusion of impurities in a gate electrode through a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極中の不純物がゲート絶縁膜を突き抜けてチャネル領域に拡散するのを抑制し、ソース・ドレイン領域の不純物イオンが部分的にチャネル領域方向に異常拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

The first gate electrode 230 comprises a silicide layer 235 on at least part of a region located on an element isolation film 50, and no silicide layer is in a region sandwiched by the first diffusion layer 226.例文帳に追加

そして第１ゲート電極２３０は、素子分離膜５０上に位置する領域の少なくとも一部にシリサイド層２３５を有しており、かつ第１拡散層２２６に挟まれた領域にはシリサイド層を有していない。 - 特許庁

In a CO selective oxidation apparatus 830, there are provided a diffusion region 832 into which a reformed gas after CO conversion and a CO selective oxidation reaction region filled with a CO selective oxidation catalyst in communication with each other.例文帳に追加

ＣＯ選択酸化器830の内部に、ＣＯ変成後の改質ガスが流入する拡散領域832およびＣＯ選択酸化触媒を充填するＣＯ選択酸化反応領域をそれぞれ連通して設ける。 - 特許庁

In the bonding layer 75, a heat transfer suppressed region is arranged on the upstream of the coolant where heat transfer between the catalyst layer 70 and gas diffusion layer 72 is more suppressed compared with that in a region downstream the coolant.例文帳に追加

接合層７５には、冷媒の上流側に、冷媒の下流側の領域より触媒層７０とガス拡散層７２との間の熱の移動が抑制されている熱移動抑制領域が設けられている。 - 特許庁

Impurity concentration of the impurity diffusion region 29 is set equal to that in the N-LDD region 31 of a fine CMOS device being integrated on the same substrate 1 and they are formed by performing ion implantation process only once.例文帳に追加

不純物拡散領域２９の不純物濃度を、同一基板１上に集積される微細ＣＭＯＳデバイスのＮ−ＬＤＤ領域３１と同じ濃度とし、それらを一度のイオン注入工程で形成する。 - 特許庁

The region 3 of the second conductivity type is diffused in such a manner that it reaches the highly doped region 1, with an upward diffusion of doping from a highly doped substrate layer 1 to a weakly doped layer 2 of the same conductivity type concurrently.例文帳に追加

第２の伝導型の領域３は、当該領域が高ドーピング領域１に達するように拡散し、同時に高ドーピング基板層１から同じ伝導型の弱ドーピング層２へのドーピングの上方拡散を行う。 - 特許庁

A floating diffusion(FD) region 21 and a source follower amplifier 5 are formed to two photoelectric conversion sections 1, 51 in common and the two photoelectric conversion areas are connected to the FD region 21 via a MOS transistor switch.例文帳に追加

フローティングディフュージョン（ＦＤ）領域２１とソースフォロワアンプ５を２つの光電変換部１，５１に１個だけ形成し、２つの光電変換領域を、ＭＯＳトランジスタスイッチを介してそのＦＤ領域２１に接続した。 - 特許庁

In addition, in a case where a significant pixel is not included in the region C, but included in a region B, occurrence of granular feeling can be surely suppressed by using an error diffusion parameter B.例文帳に追加

また、Ｃ領域に有意な画素が含まれず、且つ、Ｂ領域に有意な画素が含まれている場合、誤差拡散パラメータＢを用いることにより、粒状感の発生を抑制しつつ粒状感の発生を抑制できる。 - 特許庁

Furthermore, a heavily doped n type diffusion region 10 is formed on the surface of a region of the lightly doped n type epitaxial layer 3 where the p type well 4 is not formed and connected electrically with a power supply voltage.例文帳に追加

更に、前記低濃度ｎ型エピタキシャル層３の前記ｐ型ウェル４が形成されていない領域表面に、高濃度ｎ型拡散領域１０を形成し、これを電源電圧と電気的に接続した。 - 特許庁

The second drain region 23B has the same impurity concentration and diffusion depth of a conductive type as that of a channel stop region 31 (see Fig. 3) of a p-channel MOS transistor formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

第２ドレイン領域２２Ｂは、半導体基板１０上に形成されたｐチャネルＭＯＳトランジスタのチャネルストップ領域３１（図３参照）と同一の導電型の不純物濃度および拡散深さを有している。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 1 is formed as a drain region, a P type body diffusion region 2 is formed in the epitaxial layer 1, and a hollow gate electrode 3 is formed so that the plane shape is polygonal.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層１をドレイン領域とし、そのエピタキシャル層１内にＰ型のボディー拡散領域２を形成し、平面形状が多角形となるように中抜きされたゲート電極３を形成する。 - 特許庁

At least one of the separator and the gas diffusion layer of the fuel cell is smaller in thickness in stacking direction than other region, in a region corresponding to the overlapping part.例文帳に追加

燃料電池では、セパレータとガス拡散層とのうちの少なくとも一方が、重なり部に対応する対応領域において、その他の領域に比べて積層方向の厚みが小さくなるように構成されている。 - 特許庁

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁

Each photosensitive cell has a photodiode 101, a transfer gate 102, a floating diffusion layer 103, an amplifying transistor 104, and a restting transistor 105 formed in a active region 100 surrounded by an element separating region.例文帳に追加

各感光セルでは、フォトダイオード１０１と、転送ゲート１０２と、フローティング拡散層部１０３と、増幅トランジスタ１０４と、リセットトランジスタ１０５とが、素子分離領域に囲まれた一つの活性領域１００内に形成される。 - 特許庁

An N-type well diffusion layer 8 is formed by ion-implanting N-type dopants using a first resist mask to cover only an NMOS forming region Rnm, and then a P type well diffusion layer 11 is formed by ion-implanting P-type dopants using a second resist mask 9 to cover only a PMOS forming region Rpm.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ｒnmのみを覆う第１のレジストマスクを用いてＮ型不純物のイオン注入を行なって、Ｎ型ウェル拡散層８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ｒpmのみを覆う第２のレジストマスク９を用いて、Ｐ型不純物のイオン注入を行なって、Ｐ型ウェル拡散層１１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator type transistor comprises (a) an insulating layer, (b) a semiconductor material layer on the insulating layer, (c) a transistor gate provided in the semiconductor material layer, and (d) a vertical, outer source/drain diffusion region and a vertical, inner diffusion-region, provided in the semiconductor material layer operationally adjacent to the transistor gate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型トランジスタは、ａ）絶縁層、ｂ）絶縁層上の半導体物質の層、ｃ）半導体物質層内に設けられたトランジスタゲート、ｄ）トランジスタゲートに動作上近接して半導体物質層内に設けられた上下方向外側ソース／ドレイン拡散領域及び上下方向内側拡散領域とからなる。 - 特許庁

A CMOS image sensor has a plurality of unit charges including a photodiode, a memory part, a floating diffusion region, a first transfer gate for controlling the potential of an TRX barrier and the potential of the memory part and transferring charges from the photodiode to the memory part, and a second transfer gate for transferring the charges from the memory part to the floating diffusion region.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと、メモリ部と、浮遊拡散領域と、ＴＲＸバリアの電位およびメモリ部の電位を制御して、フォトダイオードからメモリ部に電荷を転送する第１転送ゲートと、メモリ部から浮遊拡散領域に電荷を転送する第２転送ゲートを備える複数の単位電荷を有する。 - 特許庁

When erasing information in the non-volatile semiconductor memory device, the semiconductor substrate 1 is made to be in a floating state, and a voltage having a first polarity is applied to the first diffusion region 2 or the second diffusion region 3, and a pulsing voltage having a second polarity which is the opposite polarity of the first polarity is applied to the gate electrode 7.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の消去時は、半導体基板１をフローティングの状態とし、第１の拡散領域２または第２の拡散領域３に第１の極性を持つ電圧を印加し、ゲート電極７に第１の極性とは逆の極性である第２の極性を持つパルス状の電圧を印加する。 - 特許庁

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加

半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an impurity diffusion region 105 and a gate electrode 104 formed on a semiconductor substrate 101, a silicide layer 106 formed on the impurity diffusion region 105 and the gate electrode 104, and a first etching stop film 110 formed on the silicide layer 106.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１上に形成されたゲート電極１０４および不純物拡散領域１０５と、ゲート電極１４および不純物拡散領域１０５の上に形成されたシリサイド層１０６と、シリサイド層１０６上に形成された第１のエッチングストップ膜１１０とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a pair of second diffusion layers 215 provided spaced apart from each other on a semiconductor substrate 11 in an element region; a first insulating film 111b provided on the surface of the element region between the pair of second diffusion layers 215; and a first gate electrode 112b provided on the first insulating film 111b.例文帳に追加

半導体素子は、素子領域内の半導体基板１１に離間して設けられた１対の第２拡散層２１５と、１対の第２拡散層２１５間の素子領域表面上に設けられた第１絶縁膜１１１ｂと、第１絶縁膜１１１ｂ上に設けられた第１ゲート電極１１２ｂとを備える。 - 特許庁

Further, the semiconductor substrate 1 contains a conductive source region 14 which is located on an opposite side of the contacts 11, 12 with respect to the word line 4 and extends in the first direction, and an embedded diffusion layer 15 which extends in a second direction perpendicular to the first direction from the source region 14 to be connected with the source diffusion layer 13.例文帳に追加

半導体基板１は，更に，ワード線４に対して上記コンタクト１１，１２の反対側に位置し，且つ，第１方向に延伸する導電性のソース領域１４と，ソース領域１４から第１方向と垂直な第２方向に延伸してソース拡散層１３に接続する埋め込み拡散層１５とを含む。 - 特許庁

The source area 14, the drain region 15 and the gate region 17 are formed by impurities diffusion from a source drawing layer 21 of polycrystalline silicon containing impurities, a drain drawing layer 23 and a gate drawing layer 18 as diffusion sources through an opening 20a of an insulating film 20.例文帳に追加

ソース領域１４、ドレイン領域１５およびゲート領域１７は、絶縁膜２０の開口２０ａを介して、不純物を含む多結晶シリコンよりなるソース取り出し層２１、ドレイン取り出し層２３およびゲート取り出し層１８を拡散源とする不純物拡散によりそれぞれ形成されたものである。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 and the like electrically; a diffusion region 43 formed adjacent to the STI separation layer 32; an insulation film 41 formed on the diffusion region 43; and a resistive element 34 formed on the insulation film 41.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１などを電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２に隣接して形成された拡散領域４３と、拡散領域４３上に形成された絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に形成された抵抗素子３４とを有する。 - 特許庁