「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

An SOI region obtained by laminating a semiconductor layer 5 on an insulating layer 103 and a bulk region where an underlayer is composed of only a substrate are provided on a same semiconductor substrate 101, and an impurity diffusion layer 91 for fixing a potential is provided in the semiconductor substrate 101 between a bulk transistor 10 formed in the bulk region and an SOI transistor 20 formed in the SOI region.例文帳に追加

絶縁層１０３上に半導体層５が積層されてなるＳＯＩ領域と、下地が基板のみからなるバルク領域とを同一の半導体基板１０１に備え、バルク領域に形成されたバルクトランジスタ１０と、ＳＯＩ領域に形成されたＳＯＩトランジスタ２０との間の半導体基板１０１に電位固定用の不純物拡散層９１を備える。 - 特許庁

When forming a source region 24 and a drain region 25 of an NMOS transistor 20 formed on the same silicon substrate 30 along with the NPN transistor 10, a high-concentration region 15 can be formed in the same process, thus excluding an exclusive diffusion process for forming the high-concentration region 15, and manufacturing a semiconductor device 1 with a small number of processes.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ１０と共に同一シリコン基板３０上に形成されるＮＭＯＳトランジスタ２０のソース領域２４およびドレイン領域２５を形成する際同一工程で高濃度領域１５を形成することができるので、高濃度領域１５を形成するための専用の拡散工程を省き、少ない工程数で半導体装置１を製造することができる。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method contains a step in which the impurities are selectively introduced at a first concentration, into a region for nonvolatile memory cells 20R and a region for the electrostatic discharge damage countermeasure transistors 10R in the semiconductor substrate 1, and thereby the tunnel diffusion layer 24 is formed; and at the same time, a source region 11 and a drain region 12 of the electrostatic discharge damage action transistor are formed.例文帳に追加

この製造方法は、半導体基板１において不揮発性メモリセル用領域２０Ｒおよび静電破壊対策トランジスタ用領域１０Ｒに第１濃度で不純物を選択的に導入することによって、トンネル拡散層２４を形成し、同時に静電破壊対策トランジスタのソース領域１１およびドレイン領域１２を形成する工程を含む。 - 特許庁

By further uniformly diffusing a light ray, the shortened diffusion body 42 eliminates hot spots and irregularity of light intensity in a region directly adjacent to the LEDs of the light pipe.例文帳に追加

光線をより均一に拡散することにより、短縮拡散体４２はホットスポット及び光パイプのＬＥＤに直接隣接した領域における光強度の不規則性を排除する。 - 特許庁

Display light output from a projection optical system 11 is image-formed at a diffusion region 13a of a screen 13, and is reflected and magnified by a concave mirror 15 to be projected onto a windshield 21.例文帳に追加

投射光学系１１から出力された表示光は、スクリーン１３の拡散領域１３ａにて結像し、凹面鏡１５で反射拡大され、ウインドシールド２１に投射される。 - 特許庁

That is, when a signal charge is transferred from the impurity diffusion region for electric charge storage to the charge detection part, a potential barrier is not generated between both thereof and complete transfer is realized.例文帳に追加

即ち、電荷蓄積用不純物拡散領域から電荷検出部に信号電荷を転送するときに、両者の間に電位の障壁は生じず、完全転送を実現できる。 - 特許庁

The air diffusion parts D2b, D2c, D2d are arranged at the lower, middle and upper parts in the up and down direction of the fluidizing region of the carrier C2 in the filter tank E in parallel over a plurality of stages.例文帳に追加

担体Ｃ２が濾過槽Ｅ２内を流動する流動領域の上下方向における下部及び中央に、上部に散気部Ｄ２ｂ，Ｄ２ｃ，Ｄ２ｄを設けて、散気部Ｄ２ｂ，Ｄ２ｃ，Ｄ２ｄを上下複数段に並設してある。 - 特許庁

Since the light from the LED 12 is diffused with a light diffusion part 10 and then irradiated through the fresnel lens part 8, color shading in an illumination region can be reduced.例文帳に追加

ＬＥＤ１２の発生する光を光拡散部１０によって拡散させた後、フレネルレンズ部８を通して照射するため、照射領域における色むらを低減させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which is capable of preventing the bright-lines generated at the peripheral end of a display region and surely fixing sheets, such as diffusion sheets, to a resin frame.例文帳に追加

表示領域の周辺端部に発生する輝線を防止すると共に、拡散シート等のシート類を樹脂フレームに確実に固定することが可能な液晶表示装置を得る。 - 特許庁

A silicide layer 18 is provided on a second conductivity type (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the region of the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加

上記ゲート電極１４及び側壁絶縁膜１７の領域を隔てて第２導電型（Ｎ型またはＰ型）の不純物拡散層１５上にシリサイド層１８が設けられている。 - 特許庁

To suppress electrical breakdown voltage deterioration at the contact part of a gate electrode and a diffusion region, without separately adding processes for removing an insulating film on the gate electrode.例文帳に追加

別途ゲート電極上の絶縁膜を除去するための工程を追加することなしに、ゲート電極と拡散領域のコンタクト部の電気的な耐圧劣化を抑制することを課題とする。 - 特許庁

Preferably, an etching region limiting section 7, which feeds N2 gas of a prescribed pressure which suppresses the diffusion of the radicals R which are jetted from the jetting hole 21 of the nozzle part 20, is provided.例文帳に追加

好ましくは、ノズル部２０の噴射口２１から噴射されるラジカルＲの拡散を抑える所定圧力のＮ2ガスをチャンバ９内に供給するエッチング領域限定部７を設ける。 - 特許庁

And the p-type epitaxial layer PEpi2 is connected to the ground via the p-type epitaxial layer PEpi1, the p-well PW, a p+ diffusion region PD5, a via V11 and wiring W11.例文帳に追加

そして、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２を、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１、ＰウエルＰＷ、ｐ^＋拡散領域ＰＤ５、ビアＶ１１及び配線Ｗ１１を介して接地端子に接続する。 - 特許庁

The antifuse structure includes a bit line formed in a first diffusion region inside a substrate, an insulating layer formed on the bit line, and a word line formed on the insulating layer.例文帳に追加

基板内に第１拡散領域で形成されたビットラインと、ビットライン上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されたワードラインと、を備えるアンチヒューズ構造体である。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of preventing the bright lines generated at a peripheral end of a display region and surely fixing sheets, such as diffusion sheets, to a resin frame.例文帳に追加

表示領域の周辺端部に発生する輝線を防止すると共に、拡散シート等のシート類を樹脂フレームに確実に固定することが可能な液晶表示装置を得る。 - 特許庁

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

The present invention includes a planar avalanche photodiode, having a first n-type semiconductor layer defining a planar contact area and a second n-type semiconductor layer having a p-type diffusion region.例文帳に追加

本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁

The height of the element isolation insulation film 4 at the location of a drain contact diffusion region 15' is set higher than that of the element isolation insulation film 4 at the locations of the memory transistors MC.例文帳に追加

ドレインコンタクト拡散領域１５’の位置における素子分離絶縁膜４の高さは、メモリトランジスタＭＣの位置における素子分離絶縁膜４の高さよりも高くされている。 - 特許庁

To provide a method of easily, stably and accurately setting an imaging object region in diffusion tensor imaging using an MRI apparatus independent of the subjectivity and skill, etc., of an examiner.例文帳に追加

検者の主観や技量などに依存しない、ＭＲＩ装置による拡散テンソルイメージングにおけるイメージング対象領域の簡便で安定かつ正確な設定方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses basic cells that are capable of changing the parallel connections of transistors in number without changing an impurity diffusion region and a gate electrode in layout.例文帳に追加

不純物拡散領域及びゲート電極のレイアウトを変更することなくトランジスタの並列接続数を変更することが可能なベーシックセルを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

At least the partial region of the outside surface 16 has a diffusion film 20 made from a base material such as that of the hollow body 10, and effectively absorbs ultraviolet ray radiation.例文帳に追加

少なくとも外側面１６の部分領域は、同じ中空体１０のような基礎材料から成る散乱被膜２０を有し、且つ有利には紫外線放射を吸収する。 - 特許庁

An impurity doped polysilicon film 31 is formed, and an impurity is diffused from the film 31 to the semiconductor substrate 30 side so that the impurity diffusion region for contact can be formed on the surface.例文帳に追加

不純物ドープトポリシリコン膜３１を形成するとともに、膜３１から半導体基板３０側に不純物を拡散させて表層部にコンタクト用不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into the Si substrate 1 through the thin part of the SiO2 film 7 in a region adjacent to the trench 5 to from a diffusion layer 8.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜７の薄い部分を介してＳｉ基板１に不純物をイオン注入して、Ｓｉ基板１におけるトレンチ５の近傍の領域に不純物を導入し拡散層８を形成する。 - 特許庁

Further, an antireflection film 9 covers from a part of the upper side of the gate electrode 7 to a whole upper side of a first n-type diffusion layer 3 of photoelectric region.例文帳に追加

さらに、ゲート電極７の上方の一部から光電変換領域である第１のｎ型拡散層３の上方全体までをシリコン窒化膜からなる反射防止膜９が覆っている。 - 特許庁

Diffusion layers functioning as sources or drains for a plurality of memory transistors arranged in the row direction are formed in common in the specified region of the semiconductor substrate as the bit lines 106.例文帳に追加

次に、半導体基板の所定領域に、列方向に並ぶ複数の前記メモリトランジスタのソースまたはドレインとして機能する拡散層をビット線106として共通に形成する。 - 特許庁

So, the wiring route of the source wiring 213 is not limited by the route of the inter-drain wiring 224, and is wired to cover the common source diffusion region 301 more widely.例文帳に追加

従って、ソース配線２１３の配線経路は、ドレイン間配線２２４の経路に制約を受けることが無く、共有ソース拡散領域３０１上をより広く覆うように配線できる。 - 特許庁

In the semiconductor substrate, a p-type impurity diffusion embedded layer 16 is extendedly provided from the layers 15 to the lower part of the region 6 and the layer 16 becomes one part of the breaking current paths.例文帳に追加

半導体基板においてｐ^+不純物拡散埋込層１５からｐ^+ボディ領域６の下方までｐ不純物拡散埋込層１６が延設され、ブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

The gate electrode 106 and the shallow well 104 are electrically connected by means of a high melting point silicide film 112 via the high concentration diffusion layer 111 of the contact region 120.例文帳に追加

、ゲート電極１０６と浅いウェル１０４とが、コンタクト領域１２０の高濃度拡散層１１１を介して高融点シリサイド膜１１２により電気的に接続されている。 - 特許庁

At the light guide plate 20, light incident from a side face is bent by bending dots 32 provided in a diffusion region 30 and a groove part 34, and guided out mainly from a main face.例文帳に追加

導光板２０では、側面から入射された光が、拡散領域３０に設けられた屈曲ドット３２及び溝部３４によって屈曲し、主に主面から導出される。 - 特許庁

In this case, zone 32 which is not doped with impurities is provided in a side of the clad layer 25 provided with the active layer 24 and is used as a buffer region of impurity diffusion at the thermal treatment.例文帳に追加

その場合、ｐ型クラッド層２５の活性層２４側に不純物がドープされない領域３２を形成し、上記熱処理の際に不純物拡散の緩衝領域とする。 - 特許庁

The second well 3 is formed on the substrates 1 and 10, is provided on the other side of the high-concentration diffusion layer region 11, and has a second conductivity type that is the reverse conductivity type with respect to the first conductivity type.例文帳に追加

第２ウェル３は基板１、１０上に形成され、高濃度拡散領域１１の他方側に設けられ、第１導電型と逆導電型となる第２導電型である。 - 特許庁

To provide a head box apparatus which is used for making paper and can prevent the formation of a back flow region, and can reduce a diffusion width to improve a basis weight-controlling width, and to provide a flow sheet used therefor.例文帳に追加

逆流域の発生を抑制し、拡散幅を減少させて坪量の制御幅を向上させることができる抄紙用ヘッドボックス装置及びそれに用いるフローシートを提供する。 - 特許庁

The angle between the light reflection face S3 of each low refractive index region 14 and the light axis direction of the incident light in the light incidence plane S1 of the light diffusion sheet 10 is an angle α, and satisfies numeric expression 1.例文帳に追加

低屈折率領域１４の光反射面Ｓ３は、光拡散シート１０の光入射面Ｓ１における入射光の光軸方向となす角が角αであり、 - 特許庁

To attain miniaturization of a nonvolatile semiconductor storage device, eliminating the need for forming a LOCOS isolation region in an impurity diffusion layer that is to serve as a bit line.例文帳に追加

不揮発性の半導体記憶装置において、ビット線となる不純物拡散層の上にＬＯＣＯＳ分離領域を形成する必要をなくして、該装置の微細化を実現できるようにする。 - 特許庁

The diffusion member 18 is positioned in a region that includes an upper end portion Ja in an optical path J of the illumination light I but does not include a lower end portion Jb therein and diffuses the illumination light I.例文帳に追加

前記拡散部材１８は、前記照明光Ｉの光路Ｊにおける上端部Ｊａを含み下端部Ｊｂを含まない領域に位置し、前記照明光Ｉを拡散する。 - 特許庁

The drain region 45 composed of the n-type diffusion layer is formed to the surface section of the p-type substrate/well 20 on the reverse side to the first storage 41 side of the gate electrode 44.例文帳に追加

このゲート電極４４の第１の蓄積部４１側とは反対側のｐ型基板／ウェル２０の表面部にｎ型拡散層からなるドレイン領域４５が設けられている。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 211A including a photodiode 221, a memory part 223, a floating diffusion region 225 and a charge discharging part 230 are lined.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード２２１、メモリ部２２３、浮遊拡散領域２２５、電荷排出部２３０を備える単位画素２１１Ａが複数配列されている。 - 特許庁

To reduce the scattering and the diffusion of a source in the lateral direction in a channel region, and to reduce the lowering of a drain induction barrier (DIBL) in a floating ate memory cell.例文帳に追加

ソースがチャネル領域の中に横方向に散在および拡散するのを低減させ、これはフローティングゲートメモリセルにおけるドレイン誘導障壁低下（ＤＩＢＬ）の低減をもたらす。 - 特許庁

An annular field plate 19 and a floating limiter ring 20 are formed along the edge of a semiconductor substrate while surrounding an impurity diffusion region composing the element and an electrode.例文帳に追加

素子を構成する不純物拡散領域及び電極を囲むように、環状のフィールドプレート１９及びフローティングリミッティングリング２０が半導体基板の縁に沿って形成される。 - 特許庁

To disclose a method for decreasing the diffusion of dopant atoms in the active region of optoelectronic devices as well as the interdiffusion of different types of dopant atoms among adjacent doped regions.例文帳に追加

光電装置の活性領域におけるドーパント原子の拡散と、隣接するドープ領域間の異なる形式のドーパント原子の相互拡散とを減少する方法を開示する。 - 特許庁

To provide a fuel cell achieving an increase in contact force between a catalyst layer and a diffusion layer in a region corresponding to a gas passage of a separator without causing any damage to MEA.例文帳に追加

セパレータのガス流路に対応する部位における触媒層と拡散層との接触力を増大でき、しかもそれをＭＥＡの損傷を伴わずに達成できる、燃料電池の提供。 - 特許庁

To eliminate digging of side portion of a gate electrode of a semiconductor substrate, and to reduce variations of an overlap region between the gate electrode and an extension diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板におけるゲート電極の側方部分の掘り込みをなくすと共に、ゲート電極とエクステンション拡散層とのオーバラップ領域のばらつきを低減できるようにする。 - 特許庁

Then, connection with an anode electrode 39 is executed at a part right above the p+ type second diffusion region 32 and a parasitic resistor R1 is made larger than a parasitic resistor R2.例文帳に追加

そして、Ｐ＋型の第２の拡散領域３２の直上部でアノード電極３９と接続させ、寄生抵抗Ｒ１を寄生抵抗Ｒ２より大きくすることに特徴を有する。 - 特許庁