「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

A diffusion state estimating device generates the gas flow field data of each of the divided areas 50 formed by dividing the specific region A3 into a plurality of areas, combines the gas flow field data of each of the plurality of generated divided areas 50, sets the specific region A3 of wider range, and generates the gas flow field data corresponding to the specific region A3.例文帳に追加

拡散状況予測装置は、特定領域Ａ３を複数の領域に分割した分割領域５０毎に気流場データを生成し、生成された複数の分割領域５０毎の気流場データを結合し、より広い領域の特定領域Ａ３を設定し、該特定領域Ａ３に対応する気流場データを生成する。 - 特許庁

Preferably, when the internal combustion engine is operated in a predetermined operating region, compressed self-ignition diffusion combustion by using hydrogenated fuel as fuel is performed, and when the internal combustion engine is operated in a region with lower load compared to the predetermined operating region, spark ignition combustion by using dehydrogenated fuel and hydrogen as fuel is performed.例文帳に追加

好ましくは、内燃機関が所定の運転領域で運転されているときには、水素化燃料を燃料として圧縮自着火拡散燃焼による運転を行い、内燃機関が前記所定運転領域よりも低負荷域で運転されるときには、脱水素燃料と水素を燃料として火花点火燃焼による運転を行うようにする。 - 特許庁

Two sides of the quadrangular region extend in the directions of two pixels 71, 72 out of subsequent pixels from a first vertex out of two vertexes facing to each other of the quadrangular region so that all the subsequent pixels of which the values are obtained using a diffusion error from a first pixel 61 located at the first vertex fit in the quadrangular region.例文帳に追加

そして、四角形領域の２つの辺は、四角形領域の互いに対向する２つの頂点のうちの第１頂点から、第１頂点に位置する第１画素６１からの拡散誤差を使用して値を求める後続画素がすべて四角形領域に入るように、後続画素のうちの２つの画素７１，７２の方向に延びている。 - 特許庁

When forming the MOS transistor in the LDD structure including gate sidewalls 14 at both ends of a gate electrode 12 and a salicide layer 16 on the source/drain region, thickness of the gate side walls when forming a deep diffusion layer 13b of the source/drain region is made different from thickness of the gate side walls, when forming the salicide layer 16 on the source/drain region.例文帳に追加

ゲート電極１２の両端のゲート側壁１４およびソース・ドレイン領域上のサリサイド層１６を有するＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタを形成する際、ソース・ドレイン領域の深い拡散層１３ｂを形成する際のゲート側壁の厚さと、ソース・ドレイン領域上にサリサイド層１６を形成する際のゲート側壁の厚さを異ならせる。 - 特許庁

A gate electrode comprising poly-Si 4 and WSi 5 is provided via a gate oxide film 3 in an active region on a semiconductor substrate 1 isolated by an isolation region 2 and a capacity contact hole 8 reaching a diffusion region is formed contiguously to a gate electrode, while being self-aligned in an interlayer insulation film 7 deposited to cover the electrode.例文帳に追加

半導体基板１上の素子分離領域２により分離された能動領域に、ゲート酸化膜３を介して多結晶Ｓｉ４とＷＳｉ５からなるゲート電極を設け、該電極を覆って堆積した層間絶縁膜７に、ゲート電極に対し隣接し自己整合的に形成された拡散領域まで貫通する容量接続孔８を形成する。 - 特許庁

With this structure, a channel region is efficiently arranged to suppress occurrence of parasitic currents in the P-type diffusion layer, thereby preventing fluctuation in on-resistance value of an N-channel MOS transistor 1.例文帳に追加

この構造により、効率的にチャネル領域が配置され、Ｐ型の拡散層での寄生電流の発生が抑制され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ１のオン抵抗値の変動が防止される。 - 特許庁

In an electric charge section of a solid-state imaging device, a plurality of unit pixels 131, each of which has a photodiode 141, a first CCD 142, a second CCD 143 and a floating diffusion region 145, are arranged two-dimensionally.例文帳に追加

固体撮像装置の電荷部には、フォトダイオード１４１と、第１ＣＣＤ１４２、第２ＣＣＤ１４３、浮遊拡散領域１４５とを備える複数の単位画素１３１が、２次元に配列される。 - 特許庁

Thereby, electric field concentration on the vicinity of a transfer gate TG end easily causing a crystal defect in the floating diffusion region FD in turning off the transfer gate is prevented, and leak current is suppressed.例文帳に追加

これにより、転送ゲートがオフ時に、フローティングディフュージョン領域ＦＤにおいて、結晶欠陥が生じ易い転送ゲートＴＧ端付近への電界集中を防ぎ、リーク電流を抑制する。 - 特許庁

Node contact resistance can be decreased because the N type diffusion layers 106ba, the gate electrodes 104ab, and the heavily-doped polysilicon region 111aa of the high resistance load are interconnected by the silicide layer 110.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１０６ｂａ、ゲート電極１０４ａｂ、高抵抗負荷の高濃度ポリシリコン領域１１１ａａとはシリサイド層１１０によって互いに接続するため、ノード・コンタクト抵抗は低く抑えられる。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

Thereby, the enhanced diffusion of the boron can be prevented, and the occurrence of a short channel effect of a miniaturized semiconductor element can be suppressed by allowing the halo region 306 to be formed with high precision.例文帳に追加

これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域３０６を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。 - 特許庁

The other conductive type diffusion region is formed at a depth and a concentration aligned with those of the body, on the wall of the trench 3, and both areas are fully depleted under reverse-direction blocking.例文帳に追加

トレンチ３の壁に、もう一方の導電型の拡散領域が、ボディの深さおよび濃度に整合した深さおよび濃度で形成され、逆方向ブロッキング下で両方の領域が完全に空乏化する。 - 特許庁

Boron and phosphorus are injected into the drain diffusion region 20a of a PMOS transistor 20 with pouring rates of 3×1015/cm2 and 3×1014 to 1.5×1015/cm2 respectively.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタ２０のドレイン拡散領域２０ａには、ホウ素が３×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で、及びリンが３×１０^14〜１．５×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で注入されている。 - 特許庁

Furthermore, a hot zone is formed by the radiation of the light from the lighting fixture unit 20A, and a diffusion region is formed by the radiation of the light from the lighting fixture units 20B, 20C, and 20D.例文帳に追加

そして、灯具ユニット２０Ａからの光照射によりホットゾーンを形成するとともに、灯具ユニット２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄからの光照射により拡散領域を形成するようにする。 - 特許庁

Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive layer as the source 26 and the drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

またソース２６とドレイン２８と同一の導電層で且つ低濃度である第１不純物拡散領域２０をソース２６とドレイン２８にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。 - 特許庁

Because the edge silhouette optical image on the incident side is scattered by the diffusion plane, the appearance of the dark line and the bright line in the illuminated region on the incident side of the light guide plate 2 is prevented or suppressed.例文帳に追加

この拡散面によって、入光側の端面輪郭光像が散乱するので、導光板２の入光側の照明領域に暗線・輝線が現れることを防止あるいは抑制できる。 - 特許庁

Light emitted from a white light source 404 is reflected by a white diffusion reflector 403 and is scattered to substantially uniformly light substantially the whole region of the surface to be polished of wafer Wm chucked by a chuck.例文帳に追加

白色光源４０４から発した光は、白色拡散反射板４０３で反射され散乱されて、チャックにチャッキングされているウエハＷｍの被研磨面のほぼ全域を、ほぼ均一に照明する。 - 特許庁

Since the trench 22 is narrow, the area can be made to be significantly reduced, as compared when the n+ type source region 104 is connected to the p+ type silicon substrate 101 through a deep diffusion layer.例文帳に追加

トレンチ溝２２の幅が狭いので、深い拡散層を通じてｎ＋型ソース領域１０４とｐ＋型シリコン基板１０１を接続する場合に比べて、大幅に面積を縮小することができる。 - 特許庁

The steam diffusion in a direction parallel to the substrate 1 is suppressed by providing the vertical plate 3, and the vapor concentration in the end of the coating region 2 approaches a vapor concentration in the center of the substrate 1.例文帳に追加

立て板３を設けることにより、基板１と平行な方向への蒸気の拡散が抑制され、塗布領域２端部の蒸気濃度が基板１中央部の蒸気濃度に近づいていく。 - 特許庁

Further, an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 100 milliseconds to recrystallize the semiconductor layer having been made amorphous, thereby forming a diffusion region of the dopant impurity in the semiconductor layer.例文帳に追加

次いで、０．１ミリ秒〜１００ミリ秒の活性化熱処理を行い、アモルファス化した半導体層を再結晶化することにより、半導体層にドーパント不純物の拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a laser doping method of forming a laser doping concentration profile which steeply varies in a direction parallel to the surface of a substrate at the end of at least a part of a dopant diffusion region.例文帳に追加

ドーパント拡散領域の少なくとも一部の端部において、基板の表面と平行な方向に急峻に変化するドーピング濃度プロファイルを形成するレーザドーピング方法を提供する。 - 特許庁

A first metal compound layer 212 (silicide layer) is formed on a surface of the gate electrode 210, and a second metal compound layer 222 (silicide layer) is formed on a surface of the diffusion layer region 220.例文帳に追加

ゲート電極２１０の表面には第１金属化合物層２１２（シリサイド層）が形成されており、拡散層領域２２０の表面には第２金属化合物層２２２（シリサイド層）が形成されている。 - 特許庁

Co group alloy 13 having ball-shaped or granular eutectic carbide is liquid-phase-diffusion-bonded to the region having the sealing function of an intake and exhaust valve 5 and a valve seat 6 for the cylinder 10 of the engine.例文帳に追加

エンジンのシリンダ１０に対する給排気バルブ５とバルブシート６のシール機能を有する部位に、球状又は粒状の共晶炭化物を有するＣｏ基合金１３を液相拡散接合した。 - 特許庁

To obtain an internal latent image type direct positive silver halide emulsion having high sensitivity and high contrast in a low density region on a reversal characteristics curve and to obtain a color diffusion transfer photosensitive material using the emulsion and excellent in graininess.例文帳に追加

高感度で反転特性曲線上の低濃度部が硬調な内部潜像型直接ポジハロゲン化銀乳剤を得、それを用いて粒状性に優れたカラー拡散転写感光材料を得る。 - 特許庁

Phosphorus and boron are injected into the drain diffusion region 22a of an NMOS transistor 22 with pouring rates of 6×1015/cm2 and 6×1014 to 3×1015/cm2 respectively.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ２２のドレイン拡散領域２２ａには、リンが６×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で、及びホウ素が６×１０^14〜３×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で注入されている。 - 特許庁

A gate insulating film 103 made of the non-conductive charge trap layer, and a memory cell region having a memory cell made of a gate electrode and source/drain diffusion layers are formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１に、非導電性電荷トラップ層からなるゲート絶縁膜１０３、ゲート電極およびソース・ドレイン拡散層とからなるメモリセルを有するメモリセル領域を形成する。 - 特許庁

By global shuttering, whereby image sensing is performed simultaneously in all the pixels, a potential commensurate with the amount of light incident on a buried diode PD is held in an N-type floating diffusion region FD.例文帳に追加

全画素同時に撮像動作を行うグローバルシャッター方式で動作することによって、埋込型フォトダイオードＰＤへの入射光に応じたポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに保持する。 - 特許庁

A connecting and conducting layer 31 bridges one of the source and drain diffusion layers 26 which are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and sandwich a channel region below the second gate electrode 22, and the conducting film 13.例文帳に追加

接続導電層３１は、半導体基板の表面に形成され且つ第２ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２６の一方と導電膜との上に亘る。 - 特許庁

The reflection region of the diffusion reflection electrode MT has a surface rugged shape profiling the surface rugged shape by the spherical particles PTC mixed into the organic insulating film PF of the lower layer.例文帳に追加

拡散反射電極ＭＴの反射領域は下層の有機絶縁膜ＰＦに混入された球形粒子ＰＴＣによる表面凹凸形状に倣った表面凹凸形状を有する。 - 特許庁

A source diffusion layer 24 of the MISFET-QM passes through the above region and further through the insulating layer 14 and connected with storage electrodes 13 of the capacitors C by using embedded storage electrode plugs 26.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ−ＱＭのソース拡散層２４は、これを貫通し更に絶縁膜１４を貫通して埋め込まれた蓄積電極プラグ２６により、キャパシタＣの蓄積電極１３に接続される。 - 特許庁

This significantly decreases a variation in contact area between the lower electrode 40 and a silicide film 23a on the surface of the impurity diffusion region 21a to stabilize electrical resistance between the both low.例文帳に追加

これにより、下部電極４０と、不純物拡散領域２１ａの表面のサリサイド膜２３ａとの接触面積のバラツキが大幅に低減し、両者間の電気抵抗が低く安定化する。 - 特許庁

As a result, the N+ type diffusion region 31 can be formed without taking into consideration the deviation of the mask, and the MOS transistor 21 wherein a desired characteristic like a withstanding voltage characteristic is obtained can be formed.例文帳に追加

そのことで、マスクずれを考慮することなくＮ＋型の拡散領域３１を形成でき、耐圧特性等の所望の特性を実現したＭＯＳトランジスタ２１を形成することができる。 - 特許庁

The N+ diffusion region 15a is formed in a part of the P-type well 4a located at the bottom of an opening 13 penetrating an element isolation film 3a, from a surface of the P-type well 4a to a predetermined depth.例文帳に追加

Ｎ＋拡散領域１５ａは、素子分離酸化膜３ａを貫通する開口部１３の底に位置するＰ型ウェル４ａの部分に、その表面から所定の深さにわたり形成されている。 - 特許庁

Furthermore, the SiO2 films are formed thick in this region, by which a capacitance of a floating diffusion layer, a capacity of an output electrode, and a parasitic capacitance of a reset electrode are lessened.例文帳に追加

さらにこの部分のＳｉＯ_２膜を厚くすることで、浮遊拡散層からなる容量と出力電極、または浮遊拡散層からなる容量とリセット電極の寄生容量を低減する。 - 特許庁

A light diffusing member is arranged at the light emitting side of an LED wherein the member consists of a transmittable material to light of the LED and light diffusion treatment is applied to peripheral edge portions at a region in which the light of the LED passes.例文帳に追加

LEDの光放出側に、LEDの光に対して透過性の材料からなり、LEDの光が通過する領域における周縁部分に光拡散処理を施した光拡散部材を配置する。 - 特許庁

To effectively utilize ions by effectively collecting both positive and negative types of ions in a specific space requiring them, by increasing ion density of a space region improved in natural diffusion of ions of a single type.例文帳に追加

単一種のイオンの自然拡散を改良してある空間領域のイオン密度をあげて、＋−の両種イオンが必要な特定空間にそれらを有効に集めて、イオンの有効活用を計る。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 12 is formed by injecting ions onto an n-type semiconductor substrate 15 and an n-type resistive element region 13 is formed by injecting ions onto the surface layer of the layer 12.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１５の上にイオン注入によってｐ型の拡散層１２を形成し、拡散層１２の表面層にイオン注入によってｎ型の抵抗素子領域１３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a wiring structure which is adaptive to microfabrication and prevents a contact plug formed on an impurity diffusion region from short-circuiting with a nearby conductive material.例文帳に追加

微細化に対応可能であり、不純物拡散領域上に形成したコンタクトプラグが近傍の導電材料とショートすることを防止する配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The carrier capture region formed in the high power supply voltage circuit section is formed by the same diffusion layer as the source or drain of the MOS-type transistor formed at the high supply voltage circuit section.例文帳に追加

また、高電源電圧回路部内に形成されたキャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたＭＯＳ型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁

Additionally, in a gate implantation, although not only the channel of the transistor, but also a region where the diffusion layer is formed in the periphery of the channel is ion-implanted, the effect of its ion implantation is not considered at all.例文帳に追加

また、ゲート注入では、トランジスタのチャネルだけでなく、その周囲の拡散層が形成される予定の領域にもイオンが注入されるが、そのイオン注入の影響が全く考慮されていない。 - 特許庁

A sidewall insulation film 41 of first insulation film 4 is formed on the side face of the gate electrode 3, and a diffusion layer 5 is formed in the substrate 1 within the logic circuit region 12 through ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極３側面に第１の絶縁膜４からなる側壁絶縁膜４１を形成し、ロジック回路領域１２における基板１内に拡散層５をイオン注入により形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 42 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on a p-type diffusion layer 41 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＰ型の拡散層４１上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４２が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a polarization reversal crystal in which a more preferable reversal region according to an electrode pattern can be formed while suppressing diffusion of an electrode material into the crystal.例文帳に追加

結晶内への電極材料の拡散を抑制しながらも、電極パターンに従ったより良好な反転領域の形成を可能とする、分極反転結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve diffusion of atomized washing water in a dishwasher having a preliminary washing process of diffusing the atomized washing water in a washing region for swelling dirt on a dish or the like.例文帳に追加

洗浄水を霧化して洗浄領域に拡散し、食器等に付着している汚れを膨潤させる予備洗浄工程を有するもので、霧化した洗剤水の拡散性を高めることを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, suppressing the degradation of reliability due to diffusion of impurities to a gate insulating film from an epitaxial growth crystal used as a channel region, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

チャネル領域として用いるエピタキシャル成長結晶からゲート絶縁膜への不純物拡散による信頼性の低下を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁