「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of surely and selectively forming an impurity diffusion region without needing a complicated process, and manufacturing an electrode including such an impurity diffusing agent layer.例文帳に追加

複雑な工程を必要とすることなく確実かつ選択的に不純物拡散領域を形成し、このような不純物拡散剤層を含む電極を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

A blocking region 23 for preventing diffusion of metal from the metal-semiconductor compound of a first control electrode 17 to the metal-semiconductor compound of a second control electrode 18 is formed.例文帳に追加

第１の制御電極１７の金属半導体化合物から、第２の制御電極１８の金属半導体化合物に、金属が拡散するのを防止するブロック領域２３を形成する。 - 特許庁

The start end part 31 of the branch stream guide body 7 is positioned by deviating it in a region 32 on a start end side in the diffusion guide groove 6 and just before the lower end opening part 33 of nozzle hole 3.例文帳に追加

分流ガイド体７の始端部３１は、拡散ガイド溝６内の始端側領域３２内で、前記噴孔３の下端開口部３３の直前にずらせて位置させる。 - 特許庁

A heavily doped diffusion layer 42 is formed to the surface layer of a terminal-section base region 40 by an ion implantation using an end on the cell-section side of the oxide film 10 as a mask and a heat treatment.例文帳に追加

酸化膜１０のセル部側の端部をマスクとするイオン注入および熱処理により終端部ベース領域４０の表面層に高濃度不純物拡散層４２を形成する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 22 is formed in the surface 11b of the n-type substrate 11, which corresponds to a detector 31 between the p-type well region 15 and the reading gate 21.例文帳に追加

また、Ｐ型ウェル領域１５および読み出し用ゲート２１の相互間の検出部３１に対応する、Ｎ型基板１１の表面部１１ｂにはＰ型拡散層２２が形成されている。 - 特許庁

In addition, the drain diffusion well (115) has lightly-doped regions (145) between heavily-doped regions (150), and an end portion of the lightly-doped region (155) substantially coincides with the outer peripheral portion (140) defined by the gate corner (125).例文帳に追加

また、ドレイン拡散ウエル(115)は、高ドープ領域(150)の間に低ドープ領域(145)を有し、低ドープ領域(155)の端部は、ゲートコーナ(125)によって定められた外周部(140)と実質的に一致する。 - 特許庁

As for the light guide plate 20, light incident from a side face is bent by a bending dot 32 installed in a diffusion region 30 and a groove part 34, and is led out mainly from a principal face.例文帳に追加

導光板２０では、側面から入射された光が、拡散領域３０に設けられた屈曲ドット３２及び溝部３４によって屈曲し、主に主面から導出される。 - 特許庁

The remaining noise that reach the p-type diffusion region 206 pass sequentially through a contact hole 207, a guard band metallic electrode layer 205, and an outside connecting pad and absorbed by a bypass capacitor.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した残りのノイズは、コンタクトホール２０７、ガードバンド用メタル電極層２０５、外部接続用パッドを順に通過しバイパスコンデンサに吸収される。 - 特許庁

Thereby, it becomes easy to remove moisture staying in the gas diffusion layer and uniform gas composition and flow velocity can be maintained in any region, thus flooding can be prevented.例文帳に追加

これによりガス拡散層内に滞留する水分を取り除くことが容易になり、また、いずれの領域でも均一なガス組成、流速を維持できるので、フラッディングの発生を防止できる。 - 特許庁

The semiconductor substrate is subjected to heat treatment after implanting impurities to a plurality of depths L1-L5, thereby forming the deep impurity diffusion region 8 by heat treatment in a short period of time.例文帳に追加

複数の深さＬ１〜Ｌ５に不純物を注入しておいてから熱処理をするので、深い不純物拡散領域８を短時間の熱処理で形成することができる。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ドレイン領域となるｎ型エピタキシャル層２０２の一部にｎ拡散層２１０を形成し、その上にＡｌ配線２０７を施し、そのＡｌ配線２０７の一方をｐアイソレーション層２０３の中のｐ拡散層２０４と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁

The charge transfer region 25 is composed of an N-type diffusion layer 26 that is formed in the side-wall surface layer of the trench, a side-wall-like transfer electrode 27 that is formed along the side wall of the trench, and an insulating film 23 that is provided between the N-type diffusion layer 26 and the transfer electrode 27.例文帳に追加

電荷転送領域２５は、トレンチの側壁表面層に形成されたＮ型拡散層２６と、トレンチの側壁に沿って形成されたサイドウォール状の転送電極２７と、Ｎ型拡散層２６と転送電極２７との間に設けられた絶縁膜２３とによって構成されている。 - 特許庁

To provide a method and a structure for suppressing the surfacing of turbidity, which can prevent the diffusion of the turbidity to areas outside the region of work waters, without imposing a load on a surrounding environment, when a gap is made between the bottom of the water and a membrane material installed for the prevention of the diffusion of the turbidity.例文帳に追加

汚濁の拡散防止のために設置される膜材と水底との間に隙間がある場合に、周辺環境に負荷を与えることなく、工事水域外への濁りの拡散を防止できる濁り浮上抑制方法および濁り浮上抑制構造を提供すること。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a first source/drain diffusion layer (11), a second source/drain diffusion layer (12), two electrically insulated charge storage layers (21) formed on a channel region, and two electrically insulated gate electrodes (13, 14).例文帳に追加

第１ソース／ドレイン拡散層（１１）と、第２ソース／ドレイン拡散層（１２）と、チャネル領域の上に構成され、電気的に絶縁される二つの電荷蓄積層（２１）と、電気的に絶縁された二つのゲート電極（１３、１４）とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

Furthermore, a reflecting member 70 which emits the white light incident from the aperture 40 to the region interposed between the reflecting sheet 41 and a diffusion sheet 42, is provided at the location opposed to the aperture 40 on a diffusion sheet 42 provided facing the reflecting sheet 41.例文帳に追加

また、反射シート４１と対向して設けられている拡散シート４２上の開口部４０と対向する位置に、開口部４０から入射した白色光を反射シート４１と拡散シート４２によって挟まれた領域に出射する反射部材７０を設ける。 - 特許庁

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film.例文帳に追加

基板の表面から所定の深さまでの領域に第１の導電性不純物が拡散された第１のウェル拡散層と、第１のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第１のダミーパターンとからなる容量素子を有する。 - 特許庁

As a result, the bright lines generated at the peripheral end of the diffusion sheet 2, i.e. the peripheral end of the display region of the liquid crystal display element can be prevented and the prevention of the slippage of the diffusion sheet 2 and the sheets 4 and the sure fixing thereof to the resin frame 6 is made possible.例文帳に追加

これにより、拡散シート２周辺端部、すなわち液晶表示素子の表示領域の周辺端部に発生する輝線を防止できると共に、拡散シート２及びシート類３のずれを防止することができ、それらを樹脂フレーム６に確実に固定することができる。 - 特許庁

A region on a P-type substrate 3, corresponding to a lateral PNP transistor 1b, is etched to form a trench part 20 and the N+ type embedded diffusion layer 12 of the lateral PNP transistor 1b is formed at a position deeper than the N+ type embedded diffusion layer 4 of a lateral PNP transistor 1a.例文帳に追加

Ｐ型基板３上の縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂに対応する領域をエッチングして堀り込み部２０を設け、縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層１２を縦型ＮＰＮトランジスタ１ａのＮ＋型埋め込み拡散層４より深い位置に形成する。 - 特許庁

Then, after a gate insulating film 2 and the gate electrode 3 are formed on the diffusion layer 4a, a p-type diffusion layer 5a for channel is formed by performing ion implantation by using an implantation mask 12 covering part of the upper surface of the electrode 3 and the region 7a for drain of the substrate 1 and the gate electrode 3 as masks.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成した後、ゲート電極３上の一部及び半導体基板１のドレイン用領域７ａ上を覆う注入マスク１２及びゲート電極３をマスクにしてイオン注入を行い、ｐ型のチャネル用拡散層５ａを形成する。 - 特許庁

Gas flow field data is used for estimating diffusion states of diffusing substances at a plurality of estimation points in a specific region A3, and the use of the gas flow field data in which estimation points are finely set allows further detailed estimation of the diffusion states of the diffusing substances.例文帳に追加

気流場データは、特定領域Ａ３内の複数の評価地点における拡散物質の拡散状況を予測するために用いるデータであり、評価地点が細かく設定された気流場データを用いることによって、拡散物質の拡散状況をより詳細に予測することができる。 - 特許庁

Stiffening members 10 preventing a fibrous material contained in the diffusion layer 5 from penetrating is arranged in a side of the two opposing sides of a side where a region where the diffusion layer 5 is located outside beyond the catalyst layer 4 in the electrolyte film 2 is located.例文帳に追加

そして、電解質膜２における拡散層５が触媒層４を越えて外側に位置する領域が位置する側の対向する２辺側には拡散層５に含まれる繊維状物質が通過するのを阻止することのできる補強材料１０が配置されている。 - 特許庁

As a result, the bright-lines generated at the peripheral end of the diffusion sheet 2, i.e., the peripheral end of the display region of an liquid crystal display element may be prevented and the offset of the diffusion sheet 2 and the sheets 3 may be prevented and the sure fixing of these sheets to the resin frame 6 is made possible.例文帳に追加

これにより、拡散シート２周辺端部、すなわち液晶表示素子の表示領域の周辺端部に発生する輝線を防止できると共に、拡散シート２及びシート類３のずれを防止することができ、それらを樹脂フレーム６に確実に固定することができる。 - 特許庁

When a base diffusion layer 12 for a bipolar type transistor 10 formed to the semiconductor device 1 is formed, acceleration energy and a dosage are changed to a prearranged region as a base diffusion layer 12 for an n-type epitaxial layer 13, and impurity ions are implanted at a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置１に備わるバイポーラ型トランジスタ１０のベース拡散層１２を形成する際に、Ｎ型エピタキシャル層１３のベース拡散層１２となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Each of the plurality of pixels has a transmission region T of performing a transmission mode display by using light from the illumination element 10 and a reflection region R of performing a reflection mode display by using light from the observer side, and the liquid crystal display panel 20 has a first light diffusion layer 31 and a second light diffusion layer 32 which are disposed on the observer side than a liquid crystal layer 23.例文帳に追加

複数の画素のそれぞれは、照明素子１０からの光を用いて透過モードの表示を行う透過領域Ｔと、観察者側からの光を用いて反射モードの表示を行う反射領域Ｒとを有し、液晶表示パネル２０は、液晶層２３よりも観察者側に設けられた第１の光拡散層３１および第２の光拡散層３２を有する。 - 特許庁

The aging device includes a semiconductor substrate 11, first and second diffusion layers 11A, 11B formed in a first element region AA1, a floating gate 14 formed on a channel region between the first and second diffusion layers 11A, 11B, and control gate electrodes 16 formed to be arranged at intervals of a constant spacing horizontally relative to the floating gate 14.例文帳に追加

本発明の例に係わるエージングデバイスは、半導体基板１１と、第１素子領域ＡＡ１内に形成される第１及び第２拡散層１１Ａ，１１Ｂと、第１及び第２拡散層１１Ａ，１１Ｂ間のチャネル領域上に形成されるフローティングゲート１４と、フローティングゲート１４に対して横方向に一定間隔をおいて並んで形成されるコントロールゲート電極１６とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

A charge accumulation layer 20 for capacity coupling to the active region is formed on the active region through a first gate insulating film 18, a control gate 24 for capacity coupling to the charge accumulation layer 20 is formed on the charge accumulation layer 20 through a second gate insulating film 22, and a source diffusion layer 8 is formed on the opposite side of the drain diffusion layer to the control gate 24.例文帳に追加

活性領域上には第１のゲート絶縁膜１８を介して活性領域に容量結合する電荷蓄積層２０が形成され、電荷蓄積層２０上には第２のゲート絶縁膜２２を介して電荷蓄積層２０に容量結合する制御ゲート２４が形成され、制御ゲート２４に対してドレイン拡散層の反対側にはソース拡散層８が形成される。 - 特許庁

In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.例文帳に追加

１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁

The amount of the saturated electric charges Qs is increased by changing the power supply voltage AVD of a pixel 20 by ΔV to the positive side for a read period of the signal electric charges by a read transistor 22 so as to make the voltage between a photodiode 21 and the floating diffusion region FD larger than the voltage between the photodiode 21 and the floating diffusion region FD in a reset state.例文帳に追加

読み出しトランジスタ２２による信号電荷の読み出し期間で画素２０の電源電圧ＡＶＤをΔＶだけプラス側に変動させ、フォトダイオード２１と浮遊拡散領域ＦＤとの間の電位差（ポテンシャル）を、リセット状態でのフォトダイオード２１と浮遊拡散領域ＦＤとの間の電位差よりも大きくすることによって飽和電荷量Ｑｓを上げる。 - 特許庁

The solar cell includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, and a first conductivity type impurity diffusion region and a plurality of second conductivity type impurity diffusion regions, formed on one surface side of the semiconductor substrate, wherein adjacent second conductivity type impurity diffusion regions are at an interval of ≤400 μm.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、第２導電型不純物拡散領域を複数有し、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔が４００μｍ以下である太陽電池セルである。 - 特許庁

A p-type semiconductor region composed of the p-type semiconductor layers 3 and 4 has an impurity concentration distribution that combines a primary p-type impurity concentration distribution having a primary diffusion depth and a primary peak concentration, and a secondary p-type impurity concentration distribution having a secondary diffusion depth shallower than the primary diffusion depth and a secondary peak concentration higher than the primary peak concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層３及び４からなるｐ型半導体領域は、第１の拡散深さ及び第１のピーク濃度を持つ第１のｐ型不純物濃度分布と第１の拡散深さよりも浅い第２の拡散深さ及び第１のピーク濃度よりも高い第２のピーク濃度を持つ第２のｐ型不純物濃度分布とを重ね合わせた不純物濃度分布を有する。 - 特許庁

The thickness of the depletion layer which is formed between the n-type InP substrate 1 and the p-type diffusion layer region 7 when voltage is applied to a cathode electrode 8 and an anode electrode 9 is larger than that of a light receiver A at least in part of a region below the anode electrode 9.例文帳に追加

カソード電極８とアノード電極９に電圧を印加したときに、ｎ型ＩｎＰ基板１とｐ型拡散層領域７との間に形成される空乏層の厚さは、アノード電極９の下部領域の少なくとも一部で受光部Ａより厚くなる。 - 特許庁

An improved n-channel integrated lateral DMOS (10), in which an embedded main body region (30) placed beneath a source (18) and a normal main body diffusion part, and being self-aligned to them, provides a low impedance path for holes emitted at a drain region (16).例文帳に追加

ソース（１８）及び通常の本体拡散部の下方にあって、それに対してセルフアラインである埋込み本体領域（３０）が、ドレイン領域（１６）で放出された正孔に対する低インピーダンス通路となる改良されたｎチャンネル集積横形ＤＭＯＳ（１０）。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 serving as a base layer and an n-type diffusion layer 5 serving as the emitter layer are provided on the active region 2a, and a groove 60 is formed on the surface of the region 2a between the SiGe alloy layer 4 and the element isolation film 3.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設け、ＳｉＧｅ合金層４と素子分離膜３との間の活性領域２ａの表面に溝６０が設けられる。 - 特許庁

To separately control a distance from a channel into optimum states under a gate electrode of a salicide layer on a source/drain region of a MOS transistor in an LDD structure, and a distance from a channel into optimum states under a gate electrode of a deep diffusion layer in the source/drain region.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域上におけるサリサイド層のゲート電極下のチャネル部からの距離と、ソース・ドレイン領域のうちの深い拡散層のゲート下電極のチャネル部からの距離を別々に最適状態に制御する。 - 特許庁

The contact holes 36 and 38 are respectively formed into a thin contact hole forming region A and a thick contact hole forming region B, both of which are provided on the lower diffusion layer 24 through dry etching by using a resist 34 as a mask.例文帳に追加

レジスト３４をマスクとしてドライエッチングを行い、下部配線層２６上の薄い膜厚のコンタクトホール形成領域Ａにコンタクトホール３６を形成するとともに、下部拡散層２４上の厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Ｂにコンタクトホール３８を形成する。 - 特許庁

The diffusion optical element produced by using holography and set in such a manner that the reduction rate in the intensity from the direction of the highest intensity is small for light in the wavelength region with high incident intensity and that the reduction rate is large for light in the wavelength region with low incident intensity.例文帳に追加

ホログラフィを利用して拡散光学素子を作成し、最高強度の方向からの強度の低下率が入射強度の高い波長帯域の光に対して小さく、入射強度の低い波長帯域の光に対して大きくなるように設定する。 - 特許庁

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.例文帳に追加

前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁

An extension part 18a of the gate electrode covers a part of gate insulating film 17b on the second element region 15, and is connected to the n+ diffusion layer 16 on the second element region 15 through an opening 17c provided to the gate insulating film 17b.例文帳に追加

ゲート電極の延出部１８ａは、第２の素子領域１５上のゲート絶縁膜１７ｂの一部を被覆しており、ゲート絶縁膜１７ｂに備えられた開口部１７ｃを通じて、第２の素子領域１５上のｎ＋拡散層１６に接続されている。 - 特許庁

The element part coverage calculation part 32 calculates coverage representing the ratio of an element region in each of a plurality of regions divided into lengths without exceeding diffusion length of a wafer material based on layout data of a wafer having the element region.例文帳に追加

素子部被覆率計算部３２は、素子領域を有するウエハのレイアウトデータに基づき、ウエハ材料の拡散長を超えない長さに分割された複数の領域の各々毎に、当該領域に占める素子領域の割合を示す被覆率を算出する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

In the reverse-blocking insulated gate bipolar transistor of which the substrate thickness is ≤150 μm, a trench groove 23 for isolation region formation formed on a first principal surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

In such a constitution, the outer diffusion of boron from the substrate region of MOSFET to the STI structured buried-in oxide films 34 is suppressed, thereby making feasible of obviating the kink defect due to the decline in the threshold value by the decrease in the boron concentration in the MOSFET substrate region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの基板領域からＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４中へのボロンの外方拡散が抑制され、ＭＯＳＦＥＴの基板領域のボロン濃度の低下によるしきい値電圧の低下に起因するキンク特性を抑えることができる。 - 特許庁

The solid photographing device has a picture element comprising photoelectric converters PD1, PD2 and transistors, and the plurality of photoelectric converters PD1, PD2 are formed in the depthwise direction of its one picture-element region 12, and further, floating diffusion regions FD1, FD2 are formed in the picture-element region 12.例文帳に追加

光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２とトランジスタからなる画素を有し、１つの画素領域１２の深さ方向に複数の光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２が形成され、画素領域１２にフローティング・ディフージョン領域ＦＤ１，ＰＤ２が形成されて成る。 - 特許庁

On an element isolation region 101, that is, under a silicide formation preventing film 106, a nonreactive n-type polycrystalline silicon film 103A remains as a conductive diffusion preventing region which prevents an interdiffusion between the NiSi film 110A and the Ni_3Si film 110B.例文帳に追加

素子分離領域１０１上つまりシリサイド化防止膜１０６の下には、未反応のＮ型多結晶シリコン膜１０３Ａが、ＮｉＳｉ膜１１０ＡとＮｉ_3 Ｓｉ膜１１０Ｂとの間の相互拡散を防止する導電性拡散防止領域として残存する。 - 特許庁