「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a new impurity in which an impurity diffusion region is formed on a semiconductor substrate, while reducing the effect disturbing a crystal structure, without locally supplying energy more than is required, and which is injected into the semiconductor substrate to be used as a function region.例文帳に追加

局所的に必要以上にエネルギーが供給されることなく結晶構造を乱す効果を低減させながら半導体基板に不純物拡散領域を形成すると共に、半導体基板に注入して機能領域として用いられる新規な不純物を提供する。 - 特許庁

An N type region is formed which is contacted with part of a gate oxide film and a field oxide film formed between source and drain electrodes, and which has an impurity concentration higher than an N type impurity concentration of an SOI substrate until the N type region is brought into contact with an N type diffusion layer contacted with the drain electrode.例文帳に追加

ゲート酸化膜の一部及びソース電極とドレイン電極間に構成されたフィールド酸化膜に接触し、ドレイン電極に接するＮ型拡散層に接触するまで、ＳＯＩ基板のＮ型の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するＮ型の領域を形成する。 - 特許庁

To enhance yield and performance of a semiconductor device and facilitate miniaturization of the device by distributing an impurity introduced onto a surface of a semiconductor substrate over a shallow region of the surface with high precision and at a high concentration, thereby preventing diffusion of the impurity into a deep region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。 - 特許庁

The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.例文帳に追加

トンネル拡散層２４を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するＭＯＳトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板１上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁

In a memory cell region 10A, for electric connection between a diffusion region 171A formed between a pair of gate structures and a wiring pattern 222 formed in a BPSG film 182, a polysilicon plug 191 is preliminarily formed at a state that it is self-aligned to a gate electrode 142.例文帳に追加

メモリセル領域１０Ａにおいては一対のゲート構造間に形成された拡散領域１７１ＡとＢＰＳＧ膜１８２に形成された配線パターン２２２との間の電気接続のため、予めポリシリコンプラグ１９１を、ゲート電極１４２に自己整合した状態で形成しておく。 - 特許庁

On a p silicon substrate 1131, a charge holding region 1133 consisting of a microparticle diffusion region 1133a, a gate insulation film 1137 consisting of an SiO_2 film, and an n polysilicon electrode 1138 functioning as a gate electrode are stacked sequentially from below.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１１３１上には、微粒子分散領域１１３３ａからなる電荷保持領域１１３３、ＳｉＯ_２膜からなるゲート絶縁膜１１３７及びゲート電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１１３８が下から順次積み上げられている。 - 特許庁

In a first particular generalized embodiment, a light blocking layer is located and formed interposed between a first semiconductor layer including a photoactive region and a second semiconductor layer including at least a second transistor or a floating diffusion region shielded by the light blocking layer.例文帳に追加

第１の特定の一般化された実施形態において、光ブロッキング層は、光活性領域を含む第１の半導体層と、光ブロッキング層によって遮蔽された少なくとも第２のトランジスタ又は浮遊拡散部を含む第２の半導体層との間に挿入されて配置及び形成される。 - 特許庁

A transfer circuit 20 is configured to transfer signal charges of an accumulating region 15 to a floating diffusion region 30 when in operation, and to interrupt the transfer of the signal charges when not in operation by means of a transfer gate 21 which is turned on and off in response to a transfer control signal TG.例文帳に追加

転送回路２０は、転送制御信号ＴＧに応答してオンオフする転送ゲート２１によって、作動時に蓄積領域１５の信号電荷をフローティングディフュージョン領域３０へ転送する一方で非作動時に信号電荷の転送を遮断するように構成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of forming a side wall without producing a dent on the surface of a substrate at the side wall of a gate electrode so as to stabilize the formation positions of diffusion layer regions, such as a source region, a drain region, etc., and to obtain a semiconductor device uniform in element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極側壁の基板表面に掘れを発生させることなくサイドウォールを形成することが可能で、これによりソース／ドレインなどの拡散層領域の形成位置が安定化して素子特性が均一な半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a transistor formed by a diffusion layer 103 and gate polysilicon 104 that becomes a gate electrode, an element separation region using a LOCOS oxide film 102, net-like gate polysilicon wiring 101 formed at the element separation region, and metal film wiring 105 arranged on the upper layer.例文帳に追加

拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成されたトランジスタと、ＬＯＣＯＳ酸化膜１０２を用いた素子分離領域と、素子分離領域に形成された、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、この上層に配置された金属膜の配線１０５とを備える。 - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises an n-type diffusion layer 16 formed in the n^--type semiconductor region 13 at the interface between the insulation layer 12 and the semiconductor region 13 with an n-type impurity concentration gradient increasing from the anode electrode 17 toward the cathode electrode 18.例文帳に追加

半導体素子１０は、絶縁膜１２とＮ^−型半導体領域１３との界面のＮ^−型半導体領域１３内に、アノード電極１７側からカソード電極１８側にかけてＮ型不純物濃度が高くなるように濃度勾配を設けたＮ型拡散層１６を更に備える。 - 特許庁

Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.例文帳に追加

したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁

The optical scanner includes: a glass substrate (10) on which a metallic wire wiring region is etched to a predetermined depth; a metallic wiring formed in the metallic wire wiring region; a diffusion blocking layer (112) so formed as to cover the metallic wire on the glass substrate; and an optical scanner structure connected to the glass substrate (10).例文帳に追加

金属配線領域が所定の深さにエッチングされたガラス基板（１０）と、金属配線領域に形成された金属配線と、ガラス基板上で金属配線をカバーするように形成された拡散障壁層（１１２）と、ガラス基板（１０）と結合された光スキャナ構造物と、を備える。 - 特許庁

When sewage to be treated having a high BOD value is treated, the position of the partition wall 17 is set so as to increase the volume of a biological treatment region to increase the stagnation time of sewage to be treated in an air diffusion region and the sewage to be treated having a high BOD value is suitably treated.例文帳に追加

ＢＯＤ値の高い被処理汚水を処理する場合は、生物処理領域の容積を増加させるように隔壁１７の位置を設定することで被処理汚水がエアーによる散気領域を滞留する時間が増加し、ＢＯＤ値の高い被処理汚水が好適に処理されることとなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, as well as its manufacturing method, that can cleave with no special problem through a cleavage method that performs positioning while looking at a stripe from the top side of a wafer in a semiconductor laser that internally has a region of a special structure, such as a Zn diffusion region in particular.例文帳に追加

特にＺｎ拡散領域など特殊な構造の領域を内部に有する半導体レーザにおいて、ウェハ上面からストライプを見ながら位置合わせを行う劈開の方法によっても、特に問題なく劈開し得る半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of transition from one of the pre-mix combustion region (H) and the diffusion combustion region (D) of the engine 1 to the other, an opening of an EGR valve 35 is changed, and after the actual EGR rate EGR reaches a designated switching EGR rate (a designated EGR 1), the injection mode of fuel is switched.例文帳に追加

エンジン１が予混合燃焼領域（Ｈ）又は拡散燃焼領域（Ｄ）の一方から他方に移行するとき、ＥＧＲ弁３５の開度を変更して、実ＥＧＲ率ＥＧＲが所定の切換ＥＧＲ率（所定値ＥＧＲ１）になった後に、燃料の噴射態様を切換える。 - 特許庁

In an opposing direction of the LED 105 and the incidence plane 132, the distance between an region end of the light diffusion part 125 adjacent to the LED 105 and the LED 105 is longer than the distance between a display region end adjacent to the LED 105 and the LED 105.例文帳に追加

ＬＥＤ１０５と入射面１３２との対向方向において、光拡散部１２５の位置する領域のＬＥＤ１０５側の端部の位置とＬＥＤ１０５との間の距離は、表示領域のＬＥＤ１０５側の端部の位置とＬＥＤ１０５との間の距離より長い。 - 特許庁

Two kinds of p-type impurities of boron having higher solid solubility with respect to silicon, and indium having lower solid solubility with respect to silicon, are diffused into a body region 10 while the ratio of concentration of indium in a site near the source diffusion layer 12a of the body region 10 is specified so as to be higher than that in the other sites.例文帳に追加

シリコンに対する固溶限度のより高いボロンとより低いインジウムとの２つのＰ型不純物をボディ領域１０に拡散するとともに、そのボディ領域１０のソース拡散層１２ａ近傍の部位におけるインジウムの濃度比を該ボディ領域１０の他の部位に比して高くする。 - 特許庁

To provide new impurity in which an impurity diffusion region is formed on a semiconductor substrate, while the effect of disturbing crystal structure is reduced without having to locally supply energy more than is needed and is used as a function region by injecting it to the semiconductor substrate.例文帳に追加

局所的に必要以上にエネルギーが供給されることなく結晶構造を乱す効果を低減させながら半導体基板に不純物拡散領域を形成すると共に、半導体基板に注入して機能領域として用いられる新規な不純物を提供する。 - 特許庁

A select gate 6 and a floating gate 7 are formed on a silicon substrate 1 through gate oxide films 5 and 4, a drain region 2 is formed on the side of the floating gate 7, a source region 3 is formed on the side of the select gate 6, and a diffusion layer 11 is formed in the silicon substrate 1 located between the gates 6 and 7.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ゲート酸化膜５，４を介して選択ゲート６，浮遊ゲート７が形成され、浮遊ゲート７の側方にドレイン領域２が、選択ゲート６の側方にソース領域３が、各ゲート６，７間に位置するシリコン基板１内に拡散層１１がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a planographic printing plate capable of preventing blanket stain and ink stain of a non-image region without lowering the ink receptivity and printing resistance of a silver image region with respect to a planographic printing plate using an aluminum sheet as a support and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、銀画像部のインキ受理性・耐刷性を低下させずに、非画像部のインキ汚れ、ブランケット汚れを防止することができる平版印刷版の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A carrier fluidization filter chamber 10 is provided with communicating ports 11 for communicating a first carrier packed section 21 (aerobic treatment region) and a second carrier packed section 22 (filtration region) with each other in the lower part of a partition 17 and is installed with air diffusion pipes 32a and 32a below these carrier packed sections 21 and 22.例文帳に追加

担体流動生物濾過槽１０において、隔壁１７の下部には第１担体充填部２１（好気処理領域）と第２担体充填部２２（濾過領域）を連通する連通口１１が設けられ、担体充填部２１，２２の下方には散気管３１ａ，３２ａが設置されている。 - 特許庁

To control a size of a gate electrode layer in processing and to control a regions of impurity diffusion layers (= a source region, a drain region) in a heat treatment step in particular when having a LDD structure as a gate length shortens with a MOS transistor made fine.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの微細化に伴い、ゲート長が短くなり、特にＬＤＤ構造を有する場合には、加工時におけるゲート電極層の寸法制御性、また、熱処理工程時の不純物拡散層（＝ソース領域、ドレイン領域）の領域を制御することが重要となる。 - 特許庁

An edge portion of image data is subjected to smoothing processing in which correction data subjected to screen processing using a multi-valued dither matrix which grows smoothly without pattern interference is added in a high density region, and correction data subjected to error diffusion with density stability is added in a low density region.例文帳に追加

画像データのエッジ部分に、高濃度域はパターン干渉のない平滑な成長をする多値のディザマトリックスを用いたスクリーン処理を施した補正データを付加し、低濃度域は濃度安定性のある誤差拡散を施した補正データを付加するスムージング処理を施す。 - 特許庁

A color reproducing range is more improved by ≥5% by using the diffusion film containing at least dyestuff having selective absorption in a wavelength region from 440nm to 510nm and/or dyestuff having selective absorption in a wavelength region from 570nm to 605nm at least in any one of a diffusion layer, base material and a back coat layer for the liquid crystal display device.例文帳に追加

少なくとも、４４０ｎｍから５１０ｎｍの間の波長領域に選択的な吸収を有する色素、及び／または５７０ｎｍから６０５ｎｍの間の波長領域に選択的な吸収を有する色素を、拡散層、基材及びバックコート層の少なくともいずれか１つに含有させた拡散フィルムを液晶表示装置表示装置に用いることにより、色再現範囲を５％以上向上することが可能である。 - 特許庁

This variable gain circuit is equipped with two diffusion regions 12 and 13 which are made at a specified interval within a semiconductor substrate, an insulating layer 16 which is provided in the region caught between the two diffusion regions 12 and 13 besides being on the semiconductor substrate, and a gate 17 which is provided on this insulating layer 16.例文帳に追加

この発明は、半導体基板内に所定間隔をおいて形成させた２つの拡散領域１２、１３と、半導体基板上であってその２つの拡散領域１２、１３に挟まれた領域に設けた絶縁層１６と、この絶縁層１６上に設けたゲート１７とを少なくとも備えている。 - 特許庁

Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.例文帳に追加

このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁

Stress concentration can be eased by estranging adjacent high concentration diffusion regions 13 a predetermined distance via an epitaxial layer 12 formed into an impurity concentration lower than that of the high concentration diffusion region 13, and the occurrence of crystal strain in the semiconductor device 10 can favorably be controlled.例文帳に追加

隣り合う高濃度拡散領域１３が、高濃度拡散領域１３より低い不純物濃度に形成されたエピタキシャル層１２を介して所定距離離間することによって、応力の集中を緩和することができ、半導体素子１０内に結晶歪が生ずることを良好に抑制することができる。 - 特許庁

To provide a coaxial flow diffusion flame burner unit for manufacturing an optical waveguide so as to have a uniform particle distribution by reducing the sizes of the particles of glass soot and to provide the coaxial flow diffusion flame burner unit for manufacturing the optical waveguide for uniformly depositing the glass soot by evaporation on over a wider region.例文帳に追加

ガラススートの粒子のサイズを小さくして均一な粒子分布を有するようにするための光導波路製造用同軸流拡散火炎バーナー装置を提供し、より広い領域にかけて均一にガラススートを蒸着させるための光導波路製造用同軸流拡散火炎バーナー装置を提供する。 - 特許庁

The concentration of a low concentration N-type diffusion layer 14 of a drain electrode 26 that affects the characteristics of N channel high voltage MOS transistor 10 can be increased 50% by generating an overlapping region 36 at the border portion between a gate electrode 22 and the low concentration of N-type diffusion layer 14.例文帳に追加

ゲート電極２２と、ドレイン電極２６の低濃度Ｎ型拡散層１４との境界部分にオーバーラップ領域３６を設けることで、上記Ｎチャンネル高耐圧ＭＯＳトランジシタ１０の所謂トランジスタ特性に影響のある低濃度Ｎ型拡散層１４の濃度を約５０％増加することができる。 - 特許庁

The photodiode unit PD includes a light reception portion 11 comprising an N conductivity type diffusion layer for accumulating signal charges obtained by photoelectrically converting incident light, and an accumulation layer 12 comprising a diffusion layer region (P-layer) of low impurity concentration having, for example, a P conductivity type for suppressing a dark current.例文帳に追加

フォトダイオード部ＰＤは、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積するためのＮ導電型の拡散層からなる受光部１１と、暗電流を抑制するための、たとえばＰ導電型を有する低不純物濃度の拡散層領域（Ｐ−層）からなるアキューミュレーション層１２と、を有して構成されている。 - 特許庁

An optical diffusion portion 40 for randomly dispersing light, or a white optical diffusion portion is arranged in the ineffective region on the solar cell element 11.例文帳に追加

受光面側の透光性シート状部材１２と、裏面側のシート状部材との間に、板状太陽電池素子１１を挟み、内部の隙間に封止樹脂１４を充てんした構造であって、太陽電池素子１１上の無効領域に、光を乱反射する光拡散部４０または白色を有する光拡散部を、配置する。 - 特許庁

The luminous body 10 comprises a light emitting element 11 formed of a semiconductor, a light diffusion means 12 provided in a region including right above a light emitting part 11a of the light emitting element, and a reflector 13 provided around the light emitting element for mainly reflecting light which does not transmit the light diffusion means.例文帳に追加

半導体からなる発光素子１１と；発光素子の発光部１１ａ直上を含む領域に設けられた光拡散手段１２と；発光素子の周囲に設けられ、光拡散手段を透過していない光を主に反射する反射体１３と；を具備する発光体１０を構成する。 - 特許庁

The gas diffusion layer 42 of the cathode electrode 4 has a water retaining/water repellent part mixed layer 44 in which a water retaining part 442 is formed in a water repellent part 441, and a conductive gas exchange restriction layer 7 is installed in a restriction region established beforehand on the entrance side of the oxidant gas passage 6 between the oxidant gas passage 6 and the gas diffusion layer 42.例文帳に追加

カソード電極４のガス拡散層４２は、撥水部４４１内に保水部４４２が形成された保水・撥水部混在層４４を有し、酸化ガス流路６とガス拡散層４２の間には、酸化ガス流路６の入口側に予め設定した制限領域に導電性のガス交換制限層７を設けている。 - 特許庁

The diode element comprises a P type silicon layer 3 formed at a part positioned in an underlayer of the partial separation insulating film 4 in the active region 30, and a P type diffusion layer 5 and an N type diffusion layer 6 formed to reach the buried insulating film 2 while sandwiching the partial separation insulating film 4 and the P type silicon layer 3.例文帳に追加

ダイオード素子は、活性領域３０における部分分離絶縁膜４の下層に位置する部分に形成されるＰ型シリコン層３と、埋込み絶縁膜２に達し、部分分離絶縁膜４およびＰ型シリコン層３を挟むように形成された、Ｐ型拡散層５およびＮ型拡散層６とを有する。 - 特許庁

A first reflection layer 11 and a first shading layer 12 are laminated in order at the first region 1 among planes of an observer 7 side of a supporting body 8, a second decoration layer 14 on which patterns composing a design shape including a first decoration layer 13 and characters are formed are laminated in order in the second region 2, and a first diffusion layer 31 is laminated in the third region 3.例文帳に追加

支持体８の観察者７側の面のうち、第１の領域１には第１の反射層１１、第１の遮光層１２が順に積層され、第２の領域２には第１の加飾層１３と文字を含む意匠形状を構成するパターンが形成された第２の加飾層１４が順に積層され、第３の領域３には第１の拡散層３１が積層されている。 - 特許庁

The imaging apparatus (CMOS image sensor) comprises: a p-type silicon substrate 10; a gate insulating film 11; three gate electrodes, that is, a transfer gate electrode 12, a multiplication gate electrode 13 and a read-out gate electrode 14; a photodiode portion (PD) 15; a floating diffusion region 16 made of an n-type impurity region; and an element isolation region 17.例文帳に追加

この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、ｐ型シリコン基板１０と、ゲート絶縁膜１１と、１つの転送ゲート電極１２、１つの増倍ゲート電極１３および１つの読出ゲート電極１４の３つのゲート電極と、フォトダイオード部（ＰＤ）１５と、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１６と、素子分離領域１７とにより構成されている。 - 特許庁

The region is set by at least either a position in the direction of the height and/or in the direction of the width of the diffusing pipe to the heat exchanger or an angle of a jetting opening of the diffusion pipe to the heat exchanger.例文帳に追加

前記領域は、拡散パイプの熱交換器に対する高さ方向及び又は幅方向の位置か、拡散パイプの噴射孔の熱交換器に対する角度の少なくとも一方によって設定される。 - 特許庁

This is because holes generated due to an inter-band tunnel effect are attracted to the word gate by negative potential on the junction end portion of a right diffusion region 42 and further accumulated under a target control gate 62.例文帳に追加

これは、右側の拡散領域４２の接合端部でバンド間トンネル効果により発生するホールが負の電位によってワードゲートの方に引き寄せられ、目標制御ゲート６２の下に更に蓄積されるからである。 - 特許庁

The support 5 has a heat diffusion body 253 for axially moving heat so that the axial temperature distribution, in a maximum recorded material-passing region of the nip-forming surface 253a is substantially uniformed at a predetermined fixing temperature.例文帳に追加

支持体５は、ニップ形成面２５３ａの被記録材の最大通過領域における軸方向の温度分布が所定の定着温度で略均一になるように、軸方向に熱を移動させる熱拡散体２５３を有する。 - 特許庁

Since the source diffusion layer 15a and the well contact layer are adjacent to each other along the lengthwise direction, the forming region of source contact layers 14a, 14b in contact with them can be reserved in the lengthwise direction.例文帳に追加

ソース拡散層１５ａおよびウェルコンタクト層は、上記長手方向に沿って隣接しているため、これらに接するソースコンタクト層１４ａ、１４ｂの形成領域を上記長手方向に確保することができる。 - 特許庁

In the formation region of an electrode pad 7, N+ diffusion regions 19a, 19b, and 19c are formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 3 so as to be separated form each other by a field oxide film 21.例文帳に追加

電極パッド７の形成領域において、Ｐ型半導体基板３の表面にフィールド酸化膜２１によって互いに分離されてＮ＋拡散領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate structure that can reduce the parasitic capacitance between a gate electrode and a source/drain diffusion region (including its wiring) and can make a transistor element to operate at a high speed, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン拡散領域（及びその配線を含む）との間の寄生容量を低減でき高速動作が可能となるゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the light guide plate 2 to be used for the edge light type backlight system, a base region A with a specified width extending from the end face 21 on the incident side in a base reflection plane 22 is formed into a diffusion plane by abrasive blasting treatment or the like.例文帳に追加

エッジライト式のバックライトシステムに用いる導光板２では、その底面反射面２２における、入光側の端面２１から所定幅の底面領域Ａが、ブラスト処理等によって拡散面とされている。 - 特許庁