「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid state imaging device includes a floating diffusion portion (FD portion) 114 to accumulate signal charges, and an output circuit 140 to output a signal corresponding to the signal charges of the FD portion, wherein a part of a gate electrode 124a of a first stage transistor 124 constituting the output circuit 140 is arranged so as to contact an impurity diffusion region 117 constituting the FD portion 114.例文帳に追加

固体撮像素子において、信号電荷を蓄積するフローティングディフージョン部（ＦＤ部）１１４と、該ＦＤ部の蓄積電荷に応じた信号を出力する出力回路１４０とを備え、該出力回路１４０を構成する初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４ａを、その一部が、該ＦＤ部１１４を構成する不純物拡散領域１１７に接触するように配置した。 - 特許庁

A semiconductor device may include a semiconductor substrate; an element isolation region which is formed in the semiconductor substrate and includes an oxide layer and an oxidant diffusion prevention layer located on the oxide layer; a gate insulating film formed on the semiconductor substrate and the oxidant diffusion prevention layer; and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、酸化物層と、前記酸化物層上に位置する酸化剤拡散防止層とを有する素子分離領域と、前記半導体基板上および前記酸化剤拡散防止層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

When a reaction product with Ni is formed on an impurity diffusion layer or a polycrystalline-Si layer formed on an Si substrate, a reaction region is defined while taking account of the diffusion coefficient of Ni in Si during reaction.例文帳に追加

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

An n+ type diffusion layer is provided at a recess on a p+ type buried layer 12 functioning as a collector region, where the n+ type diffusion layer has higher concentration of impurities than an n- type silicon layer 14 formed next in advance.例文帳に追加

コレクタ領域として働くｐ^＋型埋め込み層１２上の釜底型凹部にあらかじめ次に成形するｎ^−型シリコン層１４より不純物濃度の高いｎ^＋型拡散層を設け、ベース領域として働くｎ^−型シリコン層１４のエピタキシャル成長時に、このｎ^＋型拡散層によりｐ^＋型埋め込み層１２から不純物がｎ^^−型シリコン層１４へ拡散するのを抑制することを特徴としている。 - 特許庁

At least one of the gas diffusion layer arranged on the anode side and the gas diffusion layer arranged on the cathode side changes its in-plane thickness such that the thermal resistance between the electrolyte membrane and the fuel gas flow path is smaller than that between the electrolyte membrane and the oxidation gas flow path in a region near an inlet where the fuel gas flows into the fuel gas flow path.例文帳に追加

アノード側に配置されたガス拡散層とカソード側に配置されたガス拡散層の少なくとも一方は、燃料ガス流路に対して燃料ガスが流入する入り口部近傍領域において、電解質膜と燃料ガス流路との間の熱抵抗が、電解質膜と酸化ガス流路との間の熱抵抗よりも小さくなるように、面内で厚さが変化している。 - 特許庁

The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、Ｐ型シリコン層２０中にソース／ドレインとして形成された第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２と、第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２に挟まれたチャネル領域ＣＮＬ上に絶縁膜３０を介して形成されたゲート電極５０と、その絶縁膜３０中に形成された電荷蓄積層４０とを備える。 - 特許庁

The gas diffusion layer and the electrode layer on one surface side are arranged on the surface of the electrolyte membrane so that the whole peripheral edge of the gas diffusion layer falls in the range of the peripheral edge of the electrolyte membrane, and a surface region of the electrolyte membrane is left between the peripheral edge of the electrode layer and the peripheral edge of the electrolyte membrane over the overall peripheral edge of the electrode layer.例文帳に追加

片面側のガス拡散層および電極層は、ガス拡散層の外周縁全体が電解質膜の外周縁の範囲内に収まると共に電極層の外周縁全周に亘って電極層の外周縁と電解質膜の外周縁との間に電解質膜の表面領域が残るように電解質膜の表面上に配置されている。 - 特許庁

The X-ray detected by the method described above is discharged mostly from the region within the diffusion range of the incident electron in the observation sample support member, and if the diffusion range of the incident electron is controlled to about a few nm, the resolution of the scanning X-ray microscope can be not more than 10 nm which has been considered to be the theoretical limit by the conventional method.例文帳に追加

上述の手法で検知されるＸ線は、概ね、観察試料支持部材内での入射電子の拡散範囲内の領域から放出されることとなり、当該入射電子の拡散範囲を数ｎｍ程度に制御すれば、得られる走査型Ｘ線顕微鏡像の分解能は、従来の手法の理論的限界とされていた１０ｎｍ以下とすることが可能となる。 - 特許庁

Firstly, the surface of a structure 1 consisting of iridium or an iridium based alloy is provided with an intermediate diffusion layer 2 consisting of a ternary alloy of platinum, rhodium and iridium, strengthening the joinability of a surface layer 3 consisting of platinum or a platinum alloy, and further attaining its chemical and physical stability in a high temperature region, and the surface of the intermediate diffusion layer 2 is coated with the above surface layer 3.例文帳に追加

第１に、イリジウム又はイリジウム基合金からなる構造体１の表面に、表面層３の接合性を強化すると共に高温域での化学的、物理的な安定性を図る白金、ロジウムとイリジウムとの三元系合金からなる中間拡散層２を設け、この中間拡散層２の表面を白金又は白金合金からなる前記表面層３にて被覆する。 - 特許庁

A pixel region includes N pieces of pixels each including a photo-diode, a first transfer transistor, a charge storage part and a second transfer transistor; N/2 pieces of floating diffusion parts each shared by neighboring two pixels; N/4 or less pieces of amplification transistors shared by at least two floating diffusion parts neighboring on one line; and N/4 or less pieces of reset transistors.例文帳に追加

画素領域は、フォトダイオードと第１の転送トランジスタと電荷蓄積部と第２の転送トランジスタとをそれぞれ有するＮ個の画素と、隣合う２つの画素で共有されるＮ／２個のフローティングディフュージョン部と、１列に隣合う少なくとも２つのフローティングディフュージョン部で共有されるＮ／４個以下の増幅トランジスタ及びＮ／４個以下のリセットトランジスタとを含む。 - 特許庁

When a reaction product with Ni is formed on the impurity diffusion layer or polycrystalline Si formed on Si substrate, a reaction region is specified in consideration of the diffusion coefficient of Ni inside Si during reaction.例文帳に追加

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Separation walls(diffusion layers 14a and 14b), electrically separating a predetermined region that is a magnetic detector HP in a semiconductor substrate, are formed in configurations such that the magnetic detector HP can be made successively narrower from a substrate surface in a direction toward the inside.例文帳に追加

半導体基板内の磁気検出部ＨＰとなる所定領域を電気的に区画する分離壁（拡散層１４ａおよび１４ｂ）についてこれを、基板表面から内部へ向けて磁気検出部ＨＰを順次狭める態様で形成する。 - 特許庁

To provide a technology for properly controlling a threshold by adopting a material suitable for a gate electrode of each of MOS structures with different thresholds, and for preventing diffusion from the gate electrode to a channel region from being conspicuous without complicating a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスを煩雑にすることなく、閾値が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値を適切に制御でき、かつゲート電極からチャネル領域への拡散を顕著としない技術を提供する。 - 特許庁

To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.例文帳に追加

電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁

The diffusion layer 12 is a layer of an oxide formed by diffusing at least a part of elements included in the ceramic element 1 therein, and is formed in a region on a surface side of the ceramic element 1 relative to internal electrode layers 21 and 22 located on the outermost side.例文帳に追加

この拡散層１２は、セラミック素体１に含まれる元素の少なくとも一部が拡散した酸化物の層であって、最外側に位置する内部電極層２１、２２よりも、セラミック素体１の表面側の領域に形成されている。 - 特許庁

A semiconductor storage device is configured of a semiconductor board 21 forming a trapezoidal step 21b, a first well 32, a gate electrode 38 fitted on the step through a gate oxide film 36, an impurity diffusion region 28, second wells 34a and 34b and the charge storage section 40.例文帳に追加

台状のステップ部21bが形成された半導体基板21と、第１ウェル32と、ステップ部上にゲート酸化膜36を介して設けられたゲート電極38と、不純物拡散領域28と、第２ウェル34a及び34bと、電荷蓄積部40とを備えて構成される。 - 特許庁

In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.例文帳に追加

本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁

A capacitive element 19 comprising a lower electrode 16, a capacitive dielectric film 17, and an upper electrode 18 is provided to be above a conductive plug 13 provided on a source diffusion region 30a of a MOS transistor 30.例文帳に追加

下部電極１６、容量絶縁膜１７及び上部電極１８からなる容量素子１９は、ＭＯＳトランジスタ３０のソース拡散領域３０ａ上に設けられた導電性プラグ１３のさらに上方に位置するように設けられている。 - 特許庁

It is thereby possible that the ink applied on the printing medium 9 is cured, an influence of a temperature difference to diffusion characteristics of the ink is suppressed by pre-heating the preceding irradiation region 921, and the generation of unevenness in the image is suppressed.例文帳に追加

これにより、印刷媒体９上に付与されたインクを硬化させるとともに、先行照射領域９２１を予熱してインクの拡散特性に対する温度差の影響を抑制し、画像におけるムラの発生を抑制することができる。 - 特許庁

Consequently, the first protection film 27 has higher oxygen density in an upper region above in a stacking direction than in other regions, and serves as a diffusion preventive film which prevents a reductive substance such as hydrogen and water from penetrating the ferroelectric capacitor 31.例文帳に追加

これによって、第１保護膜２７は、積層方向上側の上部領域の酸素濃度が他の領域に比べて高くなり、水素や水などの還元性物質が強誘電体キャパシタ３１に透過することを防止する拡散防止膜となる。 - 特許庁

To improve the degree of attraction of flying insects by enlarging a diffusion region of light emitted to the outside of an insect trapping lamp and, and at the same time, prevent viewing of trapped flying insects inside of a case through the opening when viewed obliquely from under.例文帳に追加

誘虫ランプからケースの外に出る光の拡散領域を拡大することにより、飛翔昆虫の誘引率を上げると同時に、斜め下方から見ても開口部からケース内部の捕獲された飛翔昆虫が目視されるのを防止する。 - 特許庁

At the time of forming a punch through stopper layer on one major surface of a semiconductor substrate 1, ions are implanted while masking a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor.例文帳に追加

半導体基板１の一主面側にパンチスルーストッパー層を形成する際に、アナログＣＭＯＳトランジスタ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗を形成する領域をマスクしてたとえばイオン注入をおこなう。 - 特許庁

To provide a melting range control method which increases energy efficiency and prevents the diffusion of gas generated during a melting process to the periphery by controlling the extension of a melting region of contaminated soil.例文帳に追加

本発明は、汚染土壌の溶融処理を行う際、汚染土壌の溶融領域の広がりを制御してエネルギー効率を向上させ、溶融過程で発生するガスを周辺に拡散させることがない溶融範囲制御方法を提供する。 - 特許庁

In order to prevent diffusion of aluminum atoms into a channel formation region, a first conductive layer consisting of Ti or Mo is provided, and a second conductive layer consisting of an aluminum simple substance (pure aluminum)having a low electric resistance is provided thereon.例文帳に追加

本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。 - 特許庁

To provide a method for evaluating the loss of a single mode optical fiber in a wavelength region of 1380 nm band and to provide a single mode optical fiber in which increase of loss due to diffusion of hydrogen can be reduced using that method for evaluating the loss.例文帳に追加

１３８０ｎｍ帯の波長領域でのシングルモード光ファイバの損失評価方法を提供し、この損失評価方法を用いて、水素の拡散による損失増加を低減することができるシングルモード光ファイバを提供する。 - 特許庁

The field oxide film 118 contains extending portions 160 extending to the interior of the active region, the side portions of the extending portions 160 are connected to the silicon oxide film 120c, and the exposed surface portions of the extending portions 160 become regions for hydrogen diffusion.例文帳に追加

フィールド酸化膜１１８は、活性領域内に向けて延在する延在部１６０を含み、延在部１６０の側部がシリコン酸化膜１２０ｃに接続され、延在部１６０の露出された表面部分が水素拡散のための領域となる。 - 特許庁

The floating resistor formed under a state that one end is floated electrically is formed in an isolated insular shape in an n-type semiconductor region 13 formed in a p-type semiconductor substrate 10 as a diffusion resistor 14 composed of a p-type semiconductor.例文帳に追加

一端が電気的に浮いた状態で設けられるフローティング抵抗を、ｐ型半導体からなる拡散抵抗１４として、ｐ型半導体基板１０内に形成されたｎ型半導体領域１３内に孤立した島状に形成する。 - 特許庁

By injecting P ions into a region, where the Co silicide film is hard to be formed since various ions, such as at least an N+ diffusion layer formed on a silicon substrate in a transistor, are injected, the Co silicide is formed easily.例文帳に追加

トランジスタにおけるシリコン基板上形成されたすくなくともＮ^^＋拡散層のような種々のイオン種が注入によって、Ｃｏシリサイド膜の形成が困難担っている領域に、Ｐイオンを注入してＣｏシリサイドの形成を容易にする。 - 特許庁

To provide a technology for properly controlling a threshold by adopting materials suitable for the gate electrode of each of MOS structures with different thresholds, and for preventing diffusion from the gate electrode to a channel region from being made remarkable without complicating a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスを煩雑にすることなく、閾値が異なるＭＯＳ構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値を適切に制御でき、かつゲート電極からチャネル領域への拡散を顕著としない技術を提供する。 - 特許庁

As a result a current flows radially from a through-hole 8 forming a region to the electrode 2 and the electrode 4 in a direction of diffusion, the parasitic inductance of the capacitor can be suppressed to a very small value.例文帳に追加

電流入力側コンデンサ電極２と電流出力側コンデンサ電極４にはスルーホール８の形成領域から放射状に電流が拡散方向に流れる結果、コンデンサの寄生インダクタンスを非常に小さく抑制することができる。 - 特許庁

To provide an incandescent lamp for an automobile capable of shining the reflection surface of a headlight, or the reflection surface of a reflection mirror disposed as surrounding the incandescent lamp, yellowish green when viewing the headlight from the diffusion region.例文帳に追加

拡散領域からヘッドランプを見た場合に、ヘッドランプの反射面、すなわち白熱電球を取り囲むように配置された反射鏡の反射面を黄緑色に光らせることができる自動車用白熱電球を提供することにある。 - 特許庁

With respect to two MOSFETs, to the gate, each a differential input terminal is connected, the two gates are arranged almost collinearly, and the sources of the two MOSFETs are formed in the same silicified diffusion region.例文帳に追加

差動入力端子がそれぞれのゲートに接続された２つのＭＯＳＦＥＴにおいて、２つのゲートをほぼ同一直線状に配置し、前記２つのＭＯＳＦＥＴのソースを同一の拡散層領域で形成し、該拡散層領域をシリサイド化する。 - 特許庁

By subjecting the end-surface regions of the semiconductor light emitting element to mixed crystallization, the energy level of the bottom of the band structure of each end-surface region becomes higher than the band structure of the inside of the element subjected to no mixed crystallization to reduce the diffusion of carriers to each end surface of the element.例文帳に追加

素子の端面領域を混晶化することにより、端面領域のバンド構造の底のエネルギー準位が混晶化されない素子内部のバンド構造に比べて相対的に高くなり、端面へのキャリアの拡散を低減する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The P-type impurity regions 9 are diffused by a thermal treatment carried out in an after process, an element isolating P-type impurity region 9a obtained by diffusion is diffused up to a point just under the side wall oxide film 7 at most, so that a channel is hardly narrowed.例文帳に追加

このＰ型不純物領域９は、後工程の熱処理により拡散するが、得られた素子分離用Ｐ型不純物領域９ａは高々サイドウォール酸化膜７の直下まで拡散するにすぎず、チャネル幅が狭くなるようなことはない。 - 特許庁

To suppress a property variation caused by contamination or damage and to improve a reliability by protecting a surface which is in a sensitive state caused by a low impurity concentration of a diffusion layer of an IIL which corresponds to a base region of a PNP bipolar transistor.例文帳に追加

ＩＩＬのＰＮＰバイポーラトランジスタのベース領域に相当する拡散層の不純物濃度が低濃度のために敏感な状態となっている表面を保護して、コンタミネーションやダメージによる特性変動の抑制、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses deterioration in electric endurance characteristics and leak resistance characteristics caused by diffusion of a conductivity type impurity nearby a boundary in a semiconductor substrate between the semiconductor substrate and a device isolation region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板内の半導体基板と素子分離領域との境界近傍における導電型不純物の拡散に起因する耐電圧特性や耐リーク特性の劣化を抑制する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, a coverage α_i,j of the diffusion dot in each unit region out of the mesh 34_2 for dot pattern is calculated, and the dot pattern is modified so that the coverage β_i,j after modification may satisfy β_i,j=(b_i,j/a_i,j)^N×α_i,j.例文帳に追加

この際、ドットパターン用のメッシュ３４_２のうち各単位領域の拡散ドットの被覆率α_ｉ,ｊを算出し、修正後の被覆率β_ｉ，ｊがβ_ｉ,ｊ＝（ｂ_ｉ，ｊ／ａ_ｉ，ｊ）^Ｎ×α_ｉ，ｊを満たすようにドットパターンを修正する。 - 特許庁

Light emitted from a plurality of light-emitting diodes 121 to 124 linearly arrayed is emitted to a hollow region 113 formed between a diffusion plate 16 to be a light-emitting face and a reflecting member 15 to be a reflecting face arranged in opposition.例文帳に追加

直線状に配列させた複数の発光ダイオード１２１〜１２４から放射される光を、対向配置した発光面となる拡散板１６および反射面となる反射部材１５間で形成される中空領域１１３に放射する。 - 特許庁

To provide a method for treating an aluminum planographic printing plate using a silver slat diffusion transfer method which ensures printing durability, in particular sufficiently stabilized printing durability required for a highly printing durable region withstanding a printing operation for 150,000 or more sheets of paper.例文帳に追加

本発明の目的は、耐刷性、特に１５万枚以上の高耐刷領域においても十分に安定した耐刷性を確保できる銀塩拡散転写法を利用したアルミニウム平版印刷版の処理方法を提供することにある。 - 特許庁

The gate electrode 20 is doped as an N-type, and an electrode 20b, a section located on the first and second impurity diffusion regions, has a lower concentration of impurity than an electrode 20a, which is a section located upward of the channel region.例文帳に追加

ゲート電極２０は、Ｎ型にドープされており、第一及び第二不純物拡散領域の上方に位置する部分の電極２０ｂの不純物濃度が、前記チャネル領域の上方に位置する部分２０ａの不純物濃度よりも低濃度である。 - 特許庁

In this magnetic resonance image evaluating method, especially the magnetic resonance image evaluating method for discriminating and demarcating critical cerebral tissue, a mismatch image is formed by superposing a perfusion-emphasized magnetic resonance image of the same body region on the diffusion-emphasized magnetic resonance image.例文帳に追加

磁気共鳴画像の評価方法、特に危機的な脳組織の識別および区画のための磁気共鳴画像の評価方法において、同一の身体部位の潅流強調磁気共鳴画像と潅流強調磁気共鳴画像とを重ねてミスマッチ画像を形成する。 - 特許庁

The host computer 16 also estimates a pixel value obtained by using a b-factor which is different from the at least two b-factors, regarding each pixel position included in the region of interest, based on the apparent diffusion coefficient derived for each pixel position.例文帳に追加

またホスト計算機１６は、前記着目領域内に含まれる画素位置のそれぞれについて、各画素位置について導出された前記見かけの拡散係数に基づいて、前記少なくとも２つのｂ値とは異なるｂ値を用いて得られる画素値を推定する。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 1, a gate oxide film 3 is formed, thereon an N-type polycrystalline silicon film 4 is formed, furthermore thereon a silicon nitride film 5 for preventing impurity diffusion is formed, and the films 3, 4, 5 are patterned so as to left in an NMOS region.例文帳に追加

シリコン基板１の表面上にゲート酸化膜３を形成し、その上にｎ型の多結晶シリコン膜４を形成し、さらにその上に不純物拡散防止用のシリコン窒化膜５を形成し、これらをｎＭＯＳ領域に残すようにパターニングする。 - 特許庁