「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device formed by such method has n-type impurity diffusion region of an active sheet carrier density between 1014 cm-2 and 1016 cm-2, and its resistance between 5 Ω/cm2 and 100 Ω/cm2.例文帳に追加

このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が１０^14ｃｍ^-2 以上、１０^1６ｃｍ^-2 以下であり、その抵抗値が５Ω／ｃｍ^2から１００Ω／ｃｍ^2の範囲にあるｎ型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

A diffusion layer region 131 of a transistor 13, constituting a switch of a memory cell and a storage node 151 constituting one electrode of a capacitor 15 are formed of a thin layer 151a, containing oxygen and a layer 151b in which oxygen is not contained.例文帳に追加

メモリセルのスイッチを構成するトランジスタ１３の拡散層領域１３１と容量１５の一方の電極を構成するストレージノード１５１を酸素を含有する薄い酸素含有層１５１ａと酸素を含有していない酸素非含有層１５１ｂとから形成する。 - 特許庁

To sufficiently ensure brightness of a diffusion region of a light distribution pattern after reducing the longitudinal length of a lamp unit, in a vehicular headlamp which is structured to form a predetermined light distribution pattern by light irradiation from a projector type lamp unit.例文帳に追加

プロジェクタ型の灯具ユニットからの光照射により所定の配光パターンを形成するように構成された車両用前照灯において、灯具ユニットの前後長を短くした上で、配光パターンの拡散領域の明るさを十分に確保可能とする。 - 特許庁

This device comprises a memory cell unit including a memory cell transistor, comprising a layered structure of floating gates (5, 11) and control gates (14), and the selective gate transistor where one side (23) of a source/ drain diffusion layer region is connected to a bit line or a source line and the other side (24) is connected to the memory cell unit.例文帳に追加

浮遊ゲート(5,11)と制御ゲート(14)との積層構造を有するメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、ソース／ドレイン拡散層領域の一方(23)がビット線またはソース線に接続され、他方(24)がメモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁

A pre fuel injection for premixed compression ignition is executed before a compression top dead center in at least a high load region, and a post fuel injection for the diffusion combustion is executed after the compression top dead center and before the start of the combustion of the premixed compression ignition.例文帳に追加

少なくとも高負荷域では、圧縮上死点前に、予混合圧縮着火用の前段燃料噴射が実行されると共に、圧縮上死点後でかつ予混合圧縮着火の燃焼開始後に、拡散燃焼用となる後段燃料噴射が行われる。 - 特許庁

A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加

シリサイド形成領域Ａにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層１１４が形成されており、第１のサイドウォール１０８は、第２のサイドウォール１０９をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate of which an abrasive trace is formed on a surface; and a part of a dopant diffusion region that extends along the abrasive trace, forming an angle to the abrasive trace within a range of -5° to +5°.例文帳に追加

半導体基板の表面には砥粒痕が形成されており、ドーパント拡散領域が砥粒痕の伸長方向と為す角度が−５°〜＋５°の範囲内に含まれる方向に伸長する部分を有する半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The parameter determining unit specifically determines parameters on mechanical stress applied to a transistor having a gate serving as a gate electrode according to the layout pattern of a plurality of gates when the gates are provided in the same diffusion region.例文帳に追加

パラメータ決定手段は、同一の拡散領域内に複数のゲートが設けられている場合において、ゲート電極として機能するゲートを有するトランジスタにかかる機械的応力に関するパラメータを、複数のゲートのレイアウト形状に応じて一意に決定する。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

The composition region of the boundary where a zirconia phase can assume both of a tetragonal phase and a monoclinic phase makes the structure unstable and exerts a microscopical stress on the ceria and the zirconia, thereby probably activating the diffusion, absorption and release of the oxygen.例文帳に追加

ジルコニア相がテトラゴナル相とモノクリニック相の両方を取り得る境界の組成領域であるため、構造が不安定となり共存するセリア−ジルコニア相に微視的な応力を及ぼして、酸素の拡散や吸放出を活性化させていると考えられる。 - 特許庁

For this semiconductor electron beam detector, an electron beam detection part formed of a P-type diffusion region is arranged on the surface of an N-type first semiconductor substrate, and a second semiconductor substrate is arranged at least on the electron beam detection part.例文帳に追加

本発明の半導体電子線検出器は、Ｎ型である第１の半導体基板の表面上に、Ｐ型拡散領域によって形成された電子線検出部が配置され、第２の半導体基板が少なくとも前記電子線検出部の上に配置される。 - 特許庁

By forming the layer 5 of impurity, having a larger diffusion constant than for the layer 3, the layer 5 can be formed on the layer 3 formed, in common with another element region without special mask alignment.例文帳に追加

埋め込みＮ＋層３よりも拡散定数の大きな不純物によってコレクタ層５を形成することにより、特別なマスク合わせを行うことなく、他の素子領域と共通に形成された埋め込みＮ＋層３上にコレクタ層５を形成することができる。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 functioning as a base layer and an n-type diffusion layer 5 functioning as a emitter layer are formed, and are encircled with a side wall film 6 consisting of a silicon oxide film.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５が設けられ、さらにＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われている。 - 特許庁

While using mutually reverse oblique ion injections with a previously formed gate 207a as a mask, a heavily-doped region 501 of the same conductive type as that of the diffusion layers 205 and the well is formed in self-aligned manner to the gate 207a.例文帳に追加

あらかじめ形成しておいたゲート２０７ａをマスクに用いて互いに逆方向からの斜めイオン打ち込み法を用いて、ゲート２０７ａに対して自己整合的に拡散層２０５とウェルと同導電型の高濃度不純物領域５０１を形成する。 - 特許庁

Therefore, in order to make the light uniform in the overlapping portion of the light inevitably created in consideration of the overlapping region C of the illumination utilizing a first and second diffusion plates 26, 28 can attain prevention of a light source reflection and a uniform illumination without unevenness.例文帳に追加

そこで、照明の重なり領域Ｃを予定した上で、必然的にできる光の重なり部分で光を均一にするために、第１及び第２の拡散板２６，２８を利用して、光源の写り込み防止、ムラの少ない均一な照明を達成させている。 - 特許庁

In the surface light source 20, the surface 23a of the light diffusion plate 23 on the lamp box 22 side has an arithmetic average roughness RA of ≤1.0 μm and an irregular average interval RSm of ≤200 μm in a contact region with at least each of the spacer pins 25.例文帳に追加

面光源装置２０では、光拡散板２３のランプボックス２２側の表面２３ａにおいて、少なくとも各スペーサピン２５との接触領域の算術平均粗さＲａが１．０μｍ以下且つ凹凸の平均間隔ＲＳｍが２００μｍ以下である。 - 特許庁

To minimize diffusion of heat and fluid by arrangement of respective equipment according to their operation temperature region and function, and inhibit heat effect from reaching the equipment as little as possible that are used at comparatively low temperature, and make improvement in wall face installation property and maintenance property.例文帳に追加

各機器を作動温度域毎及び機能毎に配置して熱や流体の拡散を最小化し、比較的低温で使用される機器に熱影響が及ぶことを可及的に阻止するとともに、壁面設置性及びメンテナンス性を向上させることを可能にする。 - 特許庁

The source electrode 11 and the drain electrode 12 are higher than the gate electrode 2 whereby the silicide of gate electrode 2 is effected completely, even when the source electrode 11 and the drain electrode 12 are formed so as to stay in the shallow region of the semiconductor substrate 1 through the diffusion of metal from the upper surfaces thereof.例文帳に追加

ゲート電極２よりソース及びドレイン電極１１、１２が高いから、ソース及びドレイン電極１１、１２を上面からの金属拡散により半導体基板１の浅い領域に留まるように形成しても、ゲート電極２は完全にシリサイド化される。 - 特許庁

In the reverse blocking insulated gate type bipolar transistor of which the substrate thickness is equal to 150 μm or less, a trench 23 formed on a first main surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加

素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

An impurity diffusion region for forming an element is formed on one surface of a water-shaped semiconductor substrate 30, and the substrate 30 is formed with a predetermined thickness being ground from the opposite face, and etched to a predetermined depth so as to be made thin excluding the outer periphery.例文帳に追加

ウエハ状の半導体基板３０における一方の面の表層部に素子形成用不純物拡散領域を形成し、その反対の面から研削加工して基板３０を所定の厚さにし、外周部を残して所定深さまでエッチングして薄膜化する。 - 特許庁

The projecting parts 10 are formed near both the ends with respect to the longitudinal direction so that a maximum warped position 4d is not brought into contact with a display region 2d of the LCD 2 through the diffusion sheet 3, when the lighting plate 4 is cased in the holder 8 in a warped state.例文帳に追加

突出部１０は、採光板４が反った状態でホルダ８内に収納された際に、ＬＣＤ２の表示領域２ｄに最大反り位置４ｄが拡散シート３を介して接触しないように、長手方向の両端部近傍に設けられている。 - 特許庁

The backlight assembly 40 includes a light source 41 which emits light, and an incident face 101 of the light onto which the light emitted from the light source 41 is made incident, and which guides the light, and a diffusion region of the light is formed on the incident face 101 of the light.例文帳に追加

バックライトアセンブリー４０は、光を出射する光源４１、及び光源４１から出射された光が入射されて、当該光を案内する光の入射面１０１を含み、前記光の入射面１０１には光の拡散領域が形成される。 - 特許庁

A plurality of pixels including a photoelectric conversion device PD and a pixel transistor are arranged, and a channel width of a transfer gate 21 in the transfer transistor of the pixel transistors is formed wider on the side of a floating diffusion (FD) region 20 than on the side of the photoelectric conversion device PD.例文帳に追加

光電変換素子ＰＤと画素トランジスタからなる画素が複数配列され、画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲート２１のチャネル幅が、前記光電変換素子ＰＤ側よりフローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０側で広くして成る。 - 特許庁

(5) The diffusion index (DI) of business sentiment, sales, ordinary profits, etc., by industry and region in every quarter will be calculated, and a Survey on SME Business Conditions will be implemented to ascertain current business trends affecting SMEs. (continuation) (included in SMRJ operating expense subsidy)例文帳に追加

（5）四半期ごとに業況判断・売上高・経常利益等のDI値を産業別・地域別等に算出し、中小企業における足元の景気動向を把握するための「中小企業景況調査」を実施する。（継続）（中小機構運営費交付金の内数） - 経済産業省

Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film.例文帳に追加

本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。 - 特許庁

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁

A plurality of trenches 11, an N type pillar region 2 formed by diffusing N type impurities contained in a dielectric layer 12 filling the trench 11 into a P type epitaxial layer, and a P type pillar region 3 by the P type epitaxial layer remaining between the diffusion regions are provided on the P type epitaxial layer laminated on a high concentration N type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

高濃度Ｎ型の半導体基板１上に積層されたＰ型のエピタキシャル層上に、複数のトレンチ溝１１と、トレンチ溝１１内に充填された誘電体層１２に含まれるＮ型不純物が、Ｐ型のエピタキシャル層中に拡散して形成されたＮ型ピラー領域２と、拡散領域間に残ったＰ型のエピタキシャル層によるＰ型ピラー領域３とを備える。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the excimer lamp in which, on an inner surface of a discharging vessel made of silica glass, there is formed an ultraviolet reflection layer by a diffusion reflection, which is composed of a particle deposited body of silica particles as a main composition, there is formed an impurity gas permeation controlling region composed as a film-state region continuing as a whole where a particle shape is lost.例文帳に追加

シリカガラスよりなる放電容器の内表面に、シリカ粒子を主成分とする粒子堆積体により構成された拡散反射による紫外線反射層が形成されたエキシマランプにおいて、前記紫外線反射層の内表面には、粒子の形態が失われて一体の連続した膜状領域として構成された不純ガス透過抑制領域が形成されている。 - 特許庁

A pixel of the CMOS image sensor includes a first conductive substrate, a second conductive photo diode region formed on the first conductive substrate, a transfer gate formed on the first conductive substrate, a floating diffusion layer formed between the second conductive photo diode region and the transfer gate on the first conductive substrate, a dielectric film laminated on the second conductive photo diode region and a capacitor electrode.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーのピクセルは、第１導電性の基板と、前記第１導電性の基板上に形成された第２導電性のフォトダイオード領域と、前記第１導電性の基板上に形成されたトランスファーゲートと、前記第１導電性の基板上の前記第２導電性のフォトダイオード領域と前記トランスファーゲートとの間に形成された浮遊拡散層と、前記第２導電性のフォトダイオード領域上に積層された誘電膜及びキャパシター電極を含む。 - 特許庁

In a two-transistor PMOS memory cell 40, having a PMOS floating gate (FG) transistor 40a and a PMOS selection gate (SG) transistor 40b, the drain of the FG transistor and the source of the selecting gate transistor are formed by a common P+ diffusion region 48 formed in an N-well 42.例文帳に追加

ＰＭＯＳフローティングゲート（ＦＧ）トランジスタ（４０ａ）とＰＭＯＳ選択ゲート（ＳＧ）トランジスタ（４０ｂ）とを有する２トランジスタＰＭＯＳメモリセル（４０）において、ＦＧトランジスタのドレインとＳＧトランジスタのソースはＮ−ウェル（４２）内に形成された共通のＰ＋拡散領域（４８）により形成される。 - 特許庁

The nitride film is formed from the side wall of the gate electrode on the upper part of the first oxide film to the rear side of the side contacting the side wall of the gate electrode of the first oxide film and all over a low concentration impurity diffusion region 35.例文帳に追加

上記窒化膜は、上記第１の酸化膜の上部における上記ゲート電極の側壁から、上記第１の酸化膜における上記ゲート電極の側壁に接する側面の裏面側、及び上記低濃度の不純物拡散領域３５上にわたって形成される。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed via a gate oxidized film 14 on a prescribed channel region 13 on a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation oxide film 12, and a source/drain diffusion layer 16 is formed on the both-side substrates, and the gate electrode 15 is coated with dielectric 17.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた半導体基板１１上における所定のチャネル領域１３上にゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５、その両側の基板上にはソース／ドレイン拡散層１６が形成されゲート電極１５は絶縁膜１７で覆われている。 - 特許庁

A capacity value of the floating diffusion region 30 is equal to or larger than a sum of a first capacity value necessary for accepting the maximum signal charge accumulation amount and a second capacity value necessary for accepting signal charges generated from a photodiode 10 in the first period.例文帳に追加

そして、フローティングディフュージョン領域３０の容量値は、最大信号電荷蓄積量を受入れるために必要な第１の容量値と、上記第１の期間においてフォトダイオード１０が発生する信号電荷を受入れるために必要な第２の容量値との和以上である。 - 特許庁

Since the distance (d1) between the gate electrode 5 and the drain electrode, the distance (d2) between the gate electrode 5 and the drain wiring, and the distance between the gate electrode 5 and the drain diffusion region can be made larger than those in the conventional semiconductor device having the same size, the capacitance between them can be reduced.例文帳に追加

このようなゲート電極構造により、ゲート電極−ドレイン電極間距離（ｄ１）、ゲート電極−ドレイン配線間距離（ｄ２）、ゲート電極−ドレイン拡散領域間距離を同じサイズの従来のものより大きくすることができるのでそれらの間の容量が低減される。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of, adjoining in one direction of two-dimensional matrix, photoelectric conversion regions, respectively, to output pixel signals corresponding to optical generation charges held in a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

A distance X from an exhaust gas inlet passage branch region 19 to the hydrogen concentration detection means 14 is set so that the diffusion of water vapor in the exhaust gas to the detection chamber 15 can be delayed until the detection chamber 15 is warmed up by the heater 17 in starting the fuel cell.例文帳に追加

そして、排気ガス導入通路分岐部位１９から水素濃度検出手段１４までの距離Ｘを、燃料電池起動時に、ヒータ１７により検出室１５が暖機されるまで、排気ガス中の水蒸気が検出室１５に拡散するのを遅延させるように設定する。 - 特許庁

The apparatus also bases on the edge information of each hierarchy to control a signal level of the high-resolution region of image data each hierarchy; and synthesizes hierarchically by multi-resolutions the output data by non-linear anisotropic diffusion filtration as well as the out put data by the high regional level control obtained in the each hierarchy.例文帳に追加

また、各階層のエッジ情報に基づいて、高域分解画像データの信号レベルを階層毎に制御すると共に、前記各階層において得られる、非線形異方性拡散フィルタの出力データ及び高域レベル制御の出力データを階層的に多重解像度合成する。 - 特許庁

The N type impurity concentration in each of the plurality of second N type diffusion regions 20 is 5×10^17 or more and 3×10^19 or less pieces/cm^3 in the range of 0 or more and 0.2 or less μm in the depth direction with a bottom 30b of the STI region 30 as a reference point.例文帳に追加

複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々におけるＮ型の不純物濃度は、ＳＴＩ領域３０の底部３０ｂを基点に深さ方向で０μｍ以上、０．２μｍ以下の範囲内で、５×１０^17個／ｃｍ^3以上、３×１０^19個／ｃｍ^3以下である。 - 特許庁

An output part 55 includes: a floating diffusion FD adjoiningly provided on a downstream side in the charge transfer direction of a transfer path 1; a source follower amplifier SFA outputting a signal according to a charge accumulated in the FD; and a transfer gate region 7 provided between the FD and the transfer path 1.例文帳に追加

出力部５５は、転送路１の電荷転送方向下流側の隣に設けられたフローティングディフュージョンＦＤと、ＦＤに蓄積された電荷に応じた信号を出力するソースフォロアアンプＳＦＡと、ＦＤと転送路１との間に設けられた転送ゲート領域７とを含む。 - 特許庁

To provide a high tensile strength steel sheet with a tensile strength of ≥1,180 MPa, which has excellent delayed fracture resistance, and is suitable for an automobile field and building materials by forming a diffusion region of Ni or an Ni-based alloy on the surface of a steel sheet.例文帳に追加

鋼板の表面にＮｉまたはＮｉ合金の拡散領域を形成させることによって自動車分野および建材に用いる強度部材として好適な、耐遅れ破壊特性に優れた、引張り強度１１８０ＭＰａ以上を有する高張力鋼板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in manufacture of SJ-MOSFET by trench filling epitaxial technique, which does not isolate a p-column from a n-type source on a n-column without degrading on-resistance because of a drive diffusion in a n-type source region.例文帳に追加

トレンチ埋め込みエピ方式によるＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの製造において、ｎ型ソース領域のドライブ拡散によりオン抵抗を悪化させることなく、ｐカラムとｎカラム上のｎ型ソース領域を分離させない半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the oxide semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁