「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A backlight 20 as the lighting system is provided with a point light source 23 including a white LED 21 and a lens 22, a comparison diffusion member 25 with an illumination region 25a corresponding to the point light source 23.例文帳に追加

照明装置としてのバックライト２０は、白色ＬＥＤ２１とレンズ２２を有する点状光源２３と、この点状光源２３に対応する照明領域２５ａが形成される比較拡散部材２５を備える。 - 特許庁

To prevent generation of an intermediate region due to metal diffusion in a connection portion between conductors in a semiconductor device provided with the two conductors, at least one of them having an FUSI (fully silicided) structure.例文帳に追加

少なくとも一方がＦＵＳＩ構造である２つの導電体を備えた半導体装置において導電体同士の接続箇所での金属拡散に起因する中間相領域の発生を抑制する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing in which the source/drain region of an FET and a capacitor lower electrode are connected in small resistance without diffusion barrier in a memory cell provided with a stacked capacitor on a MOS field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

MOS電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）上にスタックトキャパシタを設けるメモリセルにおいて、ＦＥＴのソース／ドレイン領域とキャパシタ下部電極を拡散バリアのない低抵抗で接続する製造方法を提供する。 - 特許庁

The variation of a PN junction capacity caused by a thermal variation in the semiconductor wafer resulting from heat treatment in the diffusion furnace is corrected by making each area of the semiconductor region wherein the impurity is deposited different.例文帳に追加

上記拡散炉での熱処理による上記半導体ウェハの熱バラツキによるＰＮ接合容量のバラツキは、上記不純物がデポジションされら半導体領域の面積を異なせることにより補正する。 - 特許庁

To realize an illuminated defect repair using an ion beam device in which the deterioration in the quality in the periphery of a repair region due to a Ga ion diffusion in cleaning after post treatment of a halo component by a laser beam repair machine does not occur.例文帳に追加

レーザー修正機によるハロー成分のポストトリートメント後の洗浄時にGaイオン拡散に起因する修正領域周辺の品質劣化の起こらないイオンビーム装置を用いた白欠陥修正を実現する。 - 特許庁

Thus, this pull-up transistor array can output a signal of high voltage and high current, an element isolation region is not required between the double diffusion transistors, and therefore an element can be integrated highly.例文帳に追加

これによって、このプルアップトランジスタアレイは高電圧及び高電流の信号を出力することができ、二重拡散トランジスタの間に素子分離領域が要求されないので、素子を高集積化することができる。 - 特許庁

To provide a DMOS device and a method for manufacturing the same which can reduce the number of ion implantation processes, by simultaneously forming well regions and drift diffusion regions, in a low-voltage transistor region.例文帳に追加

低電圧領域のウェル領域とドリフト拡散領域とを同時に形成してイオン注入工程の数を短縮することで、工程の単純化を達成できるＤＭＯＳ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming the impurity introduction region of a photodiode having a part formed at the lower part of a gate electrode without oblique rotation implantation or excessive thermal diffusion.例文帳に追加

ゲート電極の下方に形成された部分を有するフォトダイオードの不純物導入領域を、斜め回転注入や過剰な熱拡散によることなく形成し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

Since the resistor may be a diffusion region between p^- regions of the two variable capacity diodes, or may be polysilicon arranged on a chip, the resistor can be incorporated in the variable capacity diode while keeping the chip size of the diode as it is.例文帳に追加

抵抗は可変容量ダイオードのｐ−領域間に拡散領域にて形成するか、ポリシリコンでチップ上に配置できるので、可変容量ダイオードのチップサイズを維持したまま抵抗を内蔵させることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion region by making small a depth from a substrate surface even if a setting of implantation conditions of an ion implantation device is not changed.例文帳に追加

イオン注入装置の注入条件の設定を変更しなくても、基板表面からの深さを小さく変更して、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The resistive element comprises two or more kinds of electric conduction layers containing an electric conductive film 4 and a diffusion layer 5, and a position specifier 4a for specifying a region to the semiconductor substrate 1 consisting of the same material as the electric conductive film.例文帳に追加

抵抗素子は、導電膜４と拡散層５を含む２種類以上の導電層と、導電膜と同一材料により構成され、半導体基板１に領域を規定する位置規定部４ａとを備える。 - 特許庁

An input/output pad 3 is formed on a substrate in an active region 1 with a transistor, a wiring and the like, which are formed of hierarchies, such as a diffusion layer 11, wiring layers 8, 8' and 8", contacts 9 and an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

基板上に拡散層１１、配線層８，８’，８”、コンタクト９、層間絶縁膜１０等の階層によりトランジスタや配線等が形成された能動領域１上に入出力パッド３を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the high conductivity region 18 is surrounded by a P-type diffusion layer 40, and there is no spherical bonding.例文帳に追加

更に、高導電領域１８は、Ｐ型の拡散領域４０によって囲まれており、球状接合が無く、高導電領域１８内に広がる空乏層は、高導電領域１８の内側に向けて伸びるようになっている。 - 特許庁

It is not necessary to form the embedded low-concentration impurity region by impurity diffusion in addition to the low-concentration semiconductor layer, the heat treatment temperature can be lowered relative to a conventional one in this case, and a high withstand voltage can be provided.例文帳に追加

また低濃度半導体層に追加して不純物拡散による埋め込み低濃度不純物領域を設けてもよく、この場合は従来より熱処理温度を短縮し、高い耐圧を得ることができる。 - 特許庁

To reduce a layout area of a memory cell array without causing an increase in leakage current of a transistor, an increase in a value of resistance of an impurity diffusion region, or the like in a semiconductor integrated circuit incorporating a mask ROM.例文帳に追加

マスクＲＯＭを内蔵した半導体集積回路において、トランジスタのリーク電流の増加や不純物拡散領域の抵抗値の増加等を招くことなく、メモリセルアレイのレイアウト面積を削減する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage MOS transistor having a low concentration diffusion layer which overlaps a region near the end of a gate electrode in a self-alignment process manner and works as a field alleviating layer, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ゲート電極の端部近傍領域に自己整合的にオーバーラップし、電界緩和層として働く、低濃度拡散層を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

On a p-type silicon substrate 1011, a fine particle diffusion region 1012, an SiO2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n-type polycrystalline silicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided in the order of lower part.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板1011上には、微粒子分散領域1012、絶縁膜として機能するＳｉＯ_2 膜1015、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極1016が下から順に設けられている。 - 特許庁

Thereafter, a low concentration diffusion region 8 is formed by implanting low concentration N-type impurity ions using a second masking means which has a reduced pattern width by slimming the first masking means 6a as a mask.例文帳に追加

その後、第１マスク手段６ａに対してスリミング処理を施してパターン幅を狭めた第２マスク手段をマスクとして、低濃度のＮ型不純物イオンを注入して低濃度不純物拡散領域８を形成する。 - 特許庁

The inner tube 32 of the metal halide lamp 14 has a diffusion part 88 to diffuse the light emitted from the arc tube 30 in the region on the opposite side to the pinch seal part rather than the location corresponding to the center of the pair of electrodes.例文帳に追加

メタルハライドランプ１４の内管３２は、一対の電極間の中央に相当する位置よりもピンチシール部と反対側の領域に、発光管３０から発せられた光を拡散する拡散部８８を有する。 - 特許庁

To provide a polluted soil purifying method which prevents the diffusion of a pollutant to a circumferential environment and removes the pollutant in the vicinity of a region, where the pollutant is present, to treat the same.例文帳に追加

汚染物質を周囲の環境に拡散してしまうことが無く、汚染土壌が存在する領域の近傍で汚染物質を除去、処理することが可能な汚染土壌浄化工法及び装置の提供。 - 特許庁

In the formation region of an electrode pad 7, N+ diffusion regions 19a, 19b, and 19c are formed on the surface of a P type semiconductor substrate 3 so as to be separated from each other by a field oxide film 21.例文帳に追加

電極パッド７の形成領域において、Ｐ型半導体基板３の表面にフィールド酸化膜２１によって互いに分離されてＮ＋拡散領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor photo diode which can control the depth of a p-type diffusion region with high precision and does not generate roughness on a semiconductor light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型拡散領域の深さを高い精度で制御することができかつ半導体受光表面の荒れを生じることのないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体フォトダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

A wavelength filter 210 covering the diffusion region 204 is, for example, a compound semiconductor thin film having a thickness of 7 μm consisting of InGaAsP having an absorption edge wavelength of 1.4 μm, and bonded using resin 211.例文帳に追加

拡散領域２０４を覆う波長フィルタ２１０は、例えば吸収端波長１．４μｍのＩｎＧａＡｓＰよりなる厚さ７μｍの化合物半導体薄膜であり、樹脂２１１によって接着されている。 - 特許庁

To improve conduction of a bipolar pole plate, especially, at its surface region and, thereby, minimize the contact resistance between the bipolar pole plate and a gas diffusion layer in the fuel cell assembly.例文帳に追加

双極極板の導電性を特にその表面領域で向上させそしてそれによって燃料電池組立物中の双極極板とガス拡散層との間の接触抵抗を最小化するこである。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 41 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on an n-type diffusion layer 40 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＮ型の拡散層４０上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４１が形成されている。 - 特許庁

To provide a radio transmitter-receiver, a radio transmitting-receiving method and its program which confines coded outputs for the transmission diversity within one diffusion region and improves the resistance against Doppler frequencies.例文帳に追加

送信ダイバーシチ用符号化出力を１つの拡散領域内に収め、ドップラー周波数に対する耐力を向上させることが出来る無線送受信機及び無線送受信方法並びにそのプログラムを提供する。 - 特許庁

The magnetic random access memory includes a transistor which has a gate electrode 11a located above a surface of a substrate 1 and a first and second impurity diffusion regions 13a, 12 interposing a channel region below the gate electrode between them.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、基板１の表面の上方に設けられたゲート電極１１ａと、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟む第１、第２不純物拡散領域１３ａ、１２とを有するトランジスタを含む。 - 特許庁

To provide an ion beam drawing acceleration method and a device with diffusion (loss) due to space charge effects alleviated, while ion beams drawn out of ion sources enter an acceleration/focusing region by a beam acceleration electrode.例文帳に追加

イオン源から引き出したイオンビームがビーム加速電極による加速・集束領域に入射するまでの間に、空間電荷効果によって拡散（損失）することを軽減したイオンビーム引出加速方法及び装置の提供。 - 特許庁

The MOSFET includes a gate insulating film 11 formed on the semiconductor substrate, a gate electrode 12 formed on the gate insulating film, and a source/drain diffusion layer 21 sandwiching a channel region below the gate electrode.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２１と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the area of the part of the anode electrode 3 formed with the insulating film 9 interposed is smaller than the area of the insulating film 9 on the surface of the outer circumferential portion 8 of the anode diffusion region 2.例文帳に追加

、前記アノード拡散領域２の外周部８の表面の絶縁膜９の面積より、該絶縁膜９を介して形成されるアノード電極３部分の面積が小さい半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage that prevents a machined shape in a diffusion region from varying easily for reducing variation in the characteristics of a transistor, and can achieve high integration in a CMOS-type SRAM memory.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＯＳ型ＳＲＡＭメモリセルにおいて、拡散領域の加工形状が変動しにくく、その結果としてトランジスタの特性ばらつきが少なく、高集積化が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The optical sheet member 20 used for the backlight device 1 is constituted so that the plurality of optical functional sheets such as a light diffusion sheet 201 and a prism sheet 203 are stacked and, on a non-effective region, are bound.例文帳に追加

バックライト装置に用いる光学シート部材であって、該光学シート部材は、光拡散シートやプリズムシートなどの複数の光学機能性シートが重ね合わされ、非有効領域で綴じられているものである。 - 特許庁

A single/poly 2T PMOS memory cell 10 comprises a PMOS floating gate (FG) transistor 16 and a PMOS selection gate (SG) transistor 18, which share a drain/source p+ diffusion region 22.例文帳に追加

複数回プログラミング用のシングルポリ・２Ｔ・ＰＭＯＳメモリセル１０は、ドレイン／ソースｐ＋拡散領域２２を共有している、ＰＭＯＳフローティングゲート（ＦＧ）トランジスタ１６と、ＰＭＯＳ選択ゲート（ＳＧ）トランジスタ１８とを備えている。 - 特許庁

Further, since the channel region of the J-FET can be formed simultaneously with emitter diffusion, IDSS and a pinch-off voltage become stable, and variance in consumption current as the amplifying element is reduced to improve productivity.例文帳に追加

また、Ｊ−ＦＥＴのチャネル領域は、エミツタ拡散31と同時に形成できるため、ＩＤＳＳＳや、ピンチオフ電圧が安定し、増幅素子としての消費電流のばらつきが低減し、生産性が向上する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate 1 on which a first diffusion region 2 and a second diffusion region 3 are formed separately from each other, a first insulating layer 4 formed on the semiconductor substrate 1, a charge storage layer 5 formed on the first insulating layer 4, a second insulating layer 6 formed on the charge storage layer 5, and a gate electrode 7 formed on the second insulating layer 6.例文帳に追加

本発明に用いられる不揮発性半導体記憶装置は、第１の拡散領域２および第２の拡散領域３が離間して形成された半導体基板１と、半導体基板１上に形成された第１の絶縁層４と、第１の絶縁層４上に形成された電荷蓄積層５と、電荷蓄積層５上に形成された第２の絶縁層６と、第２の絶縁層６上に形成されたゲート電極７と、を有する。 - 特許庁

Here, before applying the light-transmitting adhesive agent 31, a weir portion 24 on the semiconductor substrate 20 is so formed that the light-transmitting adhesive agent 31 applied to the region corresponding to the light receiving part 21 is prevented from flowing into the region corresponding to the floating diffusion part 22 on the semiconductor substrate 20 (S18).例文帳に追加

ここで、透光性接着剤３１の塗布前に、半導体基板２０上に、受光部２１に対応する領域に塗布された透光性接着剤３１が半導体基板２０上の浮遊拡散部２２に対応する領域に流れ込むのを防止するように堰部２４を形成する（Ｓ１８）。 - 特許庁

An n-conductivity-type first transistor Q1 formed in a memory region RM on a silicon substrate 1 has: a memory channel region CH1 containing boron; and n-type memory extension regions ET1 and diffusion preventing regions PA1 containing oxygen which are formed below both side walls of a memory gate electrode GE1.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域ＲＭに形成された、ｎ型導電型である第１トランジスタＱ１は、ホウ素を含むメモリ用チャネル領域ＣＨ１と、メモリ用ゲート電極ＧＥ１の両側壁側下に形成された、ｎ型のメモリ用エクステンション領域ＥＴ１および酸素を含む拡散防止領域ＰＡ１とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for allowing the size of the semiconductor device to be smaller than the conventional size concerning the semiconductor device having an impurity diffusion region which is formed by obliquely implanting ions from the lower part of a gate electrode to a region on a substrate without the formation of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の下部からゲート電極の形成されていない基板上の領域に斜め方向のイオン注入を行って形成される不純物拡散領域を有する半導体装置において、半導体装置のサイズを従来に比して縮小化することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed on a prescribed channel region 13 on a substrate 11 of a monocrystal Si enclosed with an element isolation oxide film 12 via a gate oxide film 14 of a combination structure, and a source/ drain diffusion layer 16 is formed away from the channel region 13 on the both-side substrates 11.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた単結晶Ｓｉの基板１１上における所定のチャネル領域１３上には組み合わせ構成のゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５が形成され、その両側の基板１１上にはチャネル領域１３を隔ててソース／ドレイン拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

The residual two sides of the quadrangular region extend in the directions of two pixels 76, 77 out of preceding pixels from a second vertex out of the two vertexes so that all the preceding pixels where the diffusion error is used for calculation of a value for a second pixel 62 located at the second vertex fit in the quadrangular region.例文帳に追加

また、四角形領域の残りの２つの辺は、２つの頂点のうちの第２頂点から、第２頂点に位置する第２画素６２についての値の演算のために拡散誤差が使用される先行画素がすべて四角形領域に入るように、先行画素のうちの２つの画素７６，７７の方向に延びている。 - 特許庁

The fuel cell includes a gas diffusion layer 24 pinched by a cathode catalyst layer 22 and a cathode side separator plate 60, and the region 24A of the layer 24 confronts an oxidator channel 65 in a certain range from the inlet for oxidizing agent gas (air) is adjusted as having a higher water retaining performance than the region 24B confronting a rib 66.例文帳に追加

カソード触媒層２２とカソード側セパレータ板６０とに挟まれたガス拡散層２４において、酸化剤ガス（空気）の入口側から一定の範囲では、酸化剤チャネル６５と対向する領域２４Ａでは、リブ６６と対向する領域２４Ｂと比べて保水性が高くなるように調整されている。 - 特許庁

A deep diffusion part with high conductivity of a conductivity type same as a drift region is provided between adjacent trenches of a trench type IGBT and at the lower part of these trenches to reduce the resistance of a drift region to the electric current at the time when a device is turned on and the resistance component at the time when spreading resistance is turned on.例文帳に追加

デバイスがターンオンしているときの電流に対するドリフト領域の抵抗、および広がり抵抗のターンオン時の抵抗成分を小さくするように、トレンチタイプのＩＧＢＴの隣接するトレンチの間であって、これらトレンチの下方に、ドリフト領域と同じ導電性タイプの大きい導電度の深い拡散部を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a bipolar transistor with a structure capable of regulating a base input signal voltage bringing the transistor forming a conductive diffusion region that is different from a base region at the contact part of a base electrode to ON-state and controlling a base current in the case when this is a digital transistor.例文帳に追加

ベース電極のコンタクト部にベース領域と異なる導電形の拡散領域を形成するトランジスタのオンするベース入力信号電圧を調整し得ると共に、これをデジタルトランジスタとする場合に、ベース電流を制御し得る構造のバイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁