「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The combustion control system for the compression ignition internal combustion engine capable of switching between the diffusion combustion operation mode and the premixed combustion operation mode causes the internal combustion engine to perform diffusion combustion operation if the temperature of an exhaust emission control device is lower than an activation determination temperature when the operating state of the internal combustion engine belongs to a premixed combustion operation region.例文帳に追加

本発明は、拡散燃焼運転モードと予混合燃焼運転モードを切換可能な圧縮着火式内燃機関の燃焼制御システムにおいて、内燃機関の運転状態が予混合燃焼運転領域に属する時に、排気浄化装置の温度が活性判定温度より低ければ、内燃機関を拡散燃焼運転させるようにした。 - 特許庁

A CoxSiy (x≥y) intermediate reaction layer is formed on a diffusion layer 6 and a gate silicon film 4 in self-aligning way, by intermittently depositing first and second Co films 7a and 7b while the silicon substrate 1 of a MOS transistor 10, in which the diffusion layer 6 constituting a source-drain region and the gate silicon film 6 constituting a gate electrode are formed is heated.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域である拡散層６及びゲート電極であるゲートシリコン膜４が形成されたＭＯＳトランジスタ１０のシリコン基板１を加熱しながら第１Ｃｏ膜７ａ及び第２Ｃｏ膜７ｂを間欠的に堆積して、拡散層６及びゲートシリコン膜４上にＣｏ_xＳｉ_y（ｘ≧ｙ）の中間反応層を自己整合的に形成する。 - 特許庁

A light diffusion part 40 for diffusely reflecting a light or a light diffusion part with a white color is arranged in an invalid region on the solar cell element 11.例文帳に追加

受光面側の透光性シート状部材１２と、裏面側のシート状部材１３との間に、板状太陽電池素子１１を挟み、内部の隙間に封止樹脂１４を充てんした構造であって、太陽電池素子１１上の無効領域に、光を乱反射する光拡散部４０または白色を有する光拡散部を、配置したことを特徴とする - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a fuel battery, capable of effectively restraining an edge that protrudes from an end face of a porous body forming a gas-flow channel layer from piercing a gas diffusion layer (diffusion layer base material), constituting at least the power generation region of an electrode body, while maintaining a given compression force at stacking, even if a compression force is intensively made to act from the edge.例文帳に追加

スタッキング時の所与の圧縮力を維持しながら、ガス流路層を形成する多孔体の端面から突出するエッジから集中的に圧縮力が作用した場合でも、少なくとも電極体の発電領域を構成するガス拡散層（拡散層基材）に該エッジが突き刺さることを効果的に抑止することのできる燃料電池を提供する。 - 特許庁

Consequently, when a non-absorption region for an oscillation wavelength is formed on a light projection end surface of the infrared laser active layer 3 by effectively increasing the band gap of the infrared laser active layer 3 using diffusion of impurities, the diffusion temperature of impurities can be lowered to prevent the decrease in light emission efficiency and the increase in threshold current.例文帳に追加

このため、赤外レーザ活性層３の光出射端面において、不純物の拡散を用いて、この赤外レーザ活性層３のバンドギャップを実効的に大きくして、発振波長に対する非吸収領域を形成する際に、この不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる。 - 特許庁

It is preferable that the radius R of the region subjected to diffusion treatment from the edge of the light transmission body and the thickness of the light transmission body at the edge satisfy the relation of t/5<R<5t.例文帳に追加

上記拡散処理が施された部分の導光体のエッジからの半径をＲ（ｍｍ）で、エッジでの導光体の厚さをｔ（ｍｍ）でそれぞれ表した場合、Ｒおよびｔが式、ｔ／５＜Ｒ＜５ｔを満足することが好ましい。 - 特許庁

An n^++ diffusion layer 3 is formed by ion implantation or diffuison method in the dicing region of the semiconductor wafer 1, in such a manner that it may reach an n^++ layer 11 formed in a deep place of the semiconductor wafer 1 from the front surface of the wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ１のダイシング領域にｎ^＋＋拡散領域３を、ウェハ表面から、半導体ウェハ１の深いところに設けられたｎ^＋＋層１１に達するように、イオン注入法や拡散法により形成する。 - 特許庁

By the embedded insulating film 4 and the n^+-type diffusion layer 5, the p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging device region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of an outside where a chip end surface F exists is separated electrically.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁

A conductive layer equipped with a silicide layer 103 is formed on a diffusion layer 105 in a region sandwiched in between element isolation oxide films 104 on a silicon substrate 101, and a polysilicon film 106 is formed on all the surfaces of the element isolation oxide films 104 and the silicide layer 103 (c).例文帳に追加

シリコン基板１０１上の素子分離酸化膜１０４に挟まれた領域内に、拡散層１０５上にシリサイド層１０３を有する導電性層を形成し、その上全面にポリシリコン膜１０６を形成する（ｃ）。 - 特許庁

The submount 50 has substrates 1 and 2 principally comprising Si, and impurity diffusion layers 4 and 5 formed by diffusing impurities in a region on the surface 1a of a substrate where a semiconductor laser chip is mounted.例文帳に追加

この発明のサブマウント５０は、Ｓｉを主材料とした基板１，２と、基板表面１ａのうち、半導体レーザチップが上方に搭載されるべき領域に不純物を拡散して形成された不純物拡散層４，５とを備える。 - 特許庁

The p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging element region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of outside where a chip end surface F exists is separated electrically by the embedded electrode 4 and the n^+-type diffusion layer 5.例文帳に追加

埋め込み電極４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

A second conductivity-type breakdown strength layer 13 is formed on a first conductivity-type drain layer 12, and a first conductivity-type conductive region 42 is formed partially into the breakdown strength layer 13 by diffusion from the surface of the breakdown strength layer 13.例文帳に追加

第１の導電型のドレイン層１２上に第２の導電型の耐圧層１３を形成し、耐圧層１３内に、耐圧層１３表面からの拡散によって、部分的に第１の導電型の導電領域４２を形成する。 - 特許庁

A silicide film 6a is formed in the surface on one end side of the n^+ diffusion region 11, a silicide film 6b is formed in the surface on the other end side, and metal plugs 7 and 7 are formed on the silicide films 6a and 6b, respectively.例文帳に追加

そして、Ｎ^+拡散領域１１の一端側の表面内にシリサイド膜６ａが形成され、他端側の表面内にシリサイド膜６ｂが形成され、シリサイド膜６ａ，６ｂ上に金属プラグ７，７がそれぞれ形成される。 - 特許庁

Each of the plurality of the first transmission transistors transmits a plurality of electric charges formed under each of the first photo gates of the plurality of pairs of photo gates to the first shared floating diffusion region according to a first control signal.例文帳に追加

複数の第１伝送トランジスタのそれぞれは、第１制御信号に応答して、複数のフォトゲート対のそれぞれの第１フォトゲート下に形成された複数の電荷を第１共有フローティングディフュージョン領域に伝送する。 - 特許庁

The gate groove 4 has a shape of its opening end 4a defined by the element isolation region 3 in a channel-width direction, and is formed so as to be in contact with the pair of diffusion regions 5 respectively in a channel length direction E.例文帳に追加

ゲート溝４は、チャネル幅方向Ｄではその開口端４ａの形状が素子分離領域３により画定され、且つ、チャネル長方向Ｅでは一対の拡散領域５にそれぞれ接するように形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be reduce the capacitance, such as the gate electrode-drain wiring capacitance, gate electrode-drain diffusion region capacitance, gate electrode-drain electrode capacitance, etc., and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極−ドレイン配線間容量、ゲート電極−ドレイン拡散領域間容量及びゲート電極−ドレイン電極間容量などの素子容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a p silicon substrate 1011, a microparticle diffusion region 1012, an SiO_2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n polysilicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided sequentially from below.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０１１上には、微粒子分散領域１０１２、絶縁膜として機能するＳｉＯ_２膜１０１５、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１０１６が下から順に設けられている。 - 特許庁

The fuel cell comprises a catalyst layer, a gas diffusion layer, and a protective film for an electrolyte membrane which covers such region of the electrolyte membrane as no catalyst layer is stacked and comprises an overlap part for overlapping with the catalyst layer, and a separator.例文帳に追加

燃料電池は、触媒層と、ガス拡散層と、電解質膜のうち触媒層が積層されていない領域を覆うと共に触媒層と重なる重なり部を有する電解質膜用の保護フィルムと、セパレータと、を備えている。 - 特許庁

A charge accumulation film and a gate electrode 105 are formed on a semiconductor layer, and two first conductivity diffusion regions A and B are formed in semiconductor layers on both sides of a channel region formed below the gate electrode 105.例文帳に追加

半導体層上に電荷蓄積膜とゲート電極１０５を形成し、ゲート電極１０５の下部に形成されたチャネル領域の両側の半導体層に２つの第１導電型の拡散領域Ａ及びＢを形成する。 - 特許庁

A manufacturing method for a vertical bipolar transistor has the following steps of: implanting impurities over a plurality of times while changing an implantation energy when forming an impurity diffusion region in a semiconductor substrate 4; and subsequently subjecting the semiconductor substrate 4 to heat treatment.例文帳に追加

半導体基板４に不純物拡散領域を形成する際に、注入エネルギーを変えながら複数回に亘って不純物を注入する工程と、その後に半導体基板４を熱処理する工程を備えている。 - 特許庁

In a second generalized embodiment, a thin film transistor and a metal-insulator-metal capacitor are used in place of the floating diffusion region, and are arranged, shielded in a dielectric-isolated metallization stack over a carrier substrate.例文帳に追加

第２の一般化された実施形態において、薄膜トランジスタ及び金属−絶縁体−金属キャパシタが浮遊拡散部の代わりに用いられ、キャリア基板の上の誘電体分離金属スタック内に遮蔽された状態で配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of being manufactured by a simple manufacturing method, capable of preventing a contact plug from becoming a high resistance, and causing no diffusion of constituting materials of the contact plug into a source-drain region.例文帳に追加

本発明は、コンタクトプラグの高抵抗化を抑制することができ、また当該コンタクトプラグの構成材料のソース・ドレイン領域への拡散が起こらず、かつ簡略な製造プロセスにより作製可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To include an impurity diffusion region having a low impurity concentration and a deep junction depth immediately below a contact in an ESD protection element, and to prevent contact penetration in an MOS transistor due to static electricity without increasing a formation area in an MOS transistor.例文帳に追加

静電保護素子においてはコンタクト直下に不純物濃度が低く接合が深い不純物拡散領域を備え、ＭＯＳトランジスタにおいては形成面積を増大させずに静電気によるコンタクト突抜けを防止する。 - 特許庁

The transistors have source/drain diffusion regions 26, 27, 28, 29 on a silicon substrate, first channel regions 16 among the spread regions, and conductor layers 24 via first insulation layers 22 on the first channel region.例文帳に追加

駆動トランジスタは、シリコン基板上に、ソース／ドレイン拡散領域２６，２７，２８，２９と、それら拡散領域の間の第１チャネル領域１６とを有し、更に第１チャネル領域上に第１絶縁層２２を介して導電層２４を有する。 - 特許庁

After a source/drain diffusion layer 8, a first side wall oxide film 9 and a third polycrystalline silicon film 10 which becomes a contact pad are formed; a silicon oxide film is removed by dry etching by using photoresist where an opening is formed in a memory peripheral region alone.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層８、第１の側壁酸化膜９、コンタクトパッドとなる第３の多結晶シリコン膜１０を形成後、メモリ周辺領域のみを開口したフォトレジストをマスクにしてドライエッチによりシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a recess structure with a gate electrode made of Ti, Pt and Au, and suppresses diffusion of Pt or Au on Ti into an AlGaAs layer on a surface of an element region.例文帳に追加

Ｔｉ、ＰｔおよびＡｕからなるゲート電極を有するリセス構造を有し、Ｔｉ上のＰｔ若しくはＡｕが、素子領域表面のＡｌＧａＡｓ層に拡散することを抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The generated gas analyzig apparatus 10 can transfer a sample gas existing between both of the orifices opposed to each other by decompressing the decompression chamber 30, in a molecular flow region, and can suppress unnecessary diffusion of the sample gas.例文帳に追加

この発生気体分析装置１０はで、減圧室３０を減圧することにより対向した両オリフィスの間の試料ガスの移動を分子流領域で行うことが可能であり、試料ガスの不要な拡散を抑制可能である。 - 特許庁

Etching is carried out, then the photoresist is removed, as shown in Figure (a), a polysilicon plug 11 is left only between the gate electrodes 6 each provided with the gate electrode cover nitride film 5 in the region 12 with the n-type diffusion layer.例文帳に追加

エッチングを行いフォトレジストを除去すると、（ａ）に示すように、ｎ型拡散層を有する領域１２内にゲート電極カバー窒化膜５を有するゲート電極６の間にのみポリシリコンプラグ１１を形成するポリシリコンが残る。 - 特許庁

To prevent variation in a gate electrode that becomes a mask of slanting ion implantation when forming a pocket for a semiconductor device having a pocket region formed at the end of an impurity diffusion layer that becomes a source and a drain.例文帳に追加

ソース／ドレインとなる不純物拡散層の端部に形成されるポケット領域を有する半導体装置に関し、ポケット形成の際に斜めイオン注入のマスクとなるゲート電極のバラツキを防止することを目的とする。 - 特許庁

An insulated gate type semiconductor device having a trench gate forms a dummy trench by nearing to a trench gate, diffuses boron or the like from the bottom part, and forms a P+ diffusion region 112 so as to include the deepest part of the trench gate.例文帳に追加

トレンチゲートを有する絶縁ゲート型半導体装置において、トレンチゲートに近接してダミートレンチを形成し、その底部よりボロン等を拡散し、トレンチゲートの最深部を含むようにＰ＋拡散領域１１２ を形成した。 - 特許庁

With such constitution, the layout of the isolation region is properly designed by a designer without visually measuring the distances, even if the characteristics of the transistors change according to the distances from the gate electrodes of the transistors to the ends of the diffusion layers.例文帳に追加

従って、トランジスタのゲート電極から拡散層の端までの距離に応じてトランジスタ特性が変化する場合であっても、設計者が目視にて前記距離を測ることなく、分離領域を適切にレイアウト設計できる。 - 特許庁

A plurality of grooves 105 for element separation are formed in the region between mutually adjacent bit lines 103, and the plurality of grooves 105 for element separation separate drain diffusion regions 106 of at least mutually adjacent memory cells.例文帳に追加

互いに隣接するビット線１０３間の領域に複数の素子分離用溝１０５を夫々形成し、その複数の素子分離用溝１０５により少なくとも互いに隣接するメモリセルのドレイン拡散領域１０６間を分離する。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

P^+ impurity diffusion embedded layers 15 are formed in the semiconductor substrate under the lower parts of drain electrodes 12 and each of the layers 15 turns into one part of the breaking current paths to reach from the electrodes 12 to a source electrode 10 via the region 6.例文帳に追加

ドレイン電極１２の下方における半導体基板にｐ^+不純物拡散埋込層１５が形成され、ドレイン電極１２からｐ^+ボディ領域６を介してソース電極１０に至るブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion region 7 is formed on the surface of the epitaxial layer 2 within the bottom surface of the opening 6, and then a surface electrode 10 made of a metal film in contact with the epitaxial layer 2 at the bottom of the opening 6 is formed.例文帳に追加

次いで、開口部６の底面内でエピタキシャル層２の表面にｎ型拡散領域７を形成した後、開口部６の底部でエピタキシャル層２と接触する金属膜からなる表面電極１０を形成する。 - 特許庁

A signal detected by the light sensor 60 is fed into an image processing unit 7, and the image processing unit 7 converts an illuminance distribution on the diffusion means 55 to an illuminance distribution in the light irradiation region, and displays it on a display section or the like.例文帳に追加

光センサ６０で検出された信号は画像処理ユニット７に送られ、画像処理ユニット７は拡散手段５５上の照度分布を、光照射領域における照度分布に変換して表示部等に表示する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer.例文帳に追加

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第１および第２の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するＳＯＩ基板の、第１の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするＭＯＳトランジスタと、第１の配線層とを有する。 - 特許庁

A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のｎウエル領域に形成され、それぞれＰ^−のオフセット領域を有する２つのＰ^＋のソース／ドレイン拡散領域とを有する、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

To provide a structure of a membrane-electrode assembly suppressing deterioration and breakage of an electrolyte membrane in the outer peripheral region of an electrode by suppressing the generation of hydrogen peroxide at an electrode end part in a fuel cell and the diffusion of hydrogen peroxide to the outer peripheral region of the electrode, to provide its constituent material, its manufacturing method, and to provide a fuel cell using the membrane-electrode assembly.例文帳に追加

本発明は、燃料電池における電極端部での過酸化水素発生、および、電極外周域への過酸化水素の拡散を抑制し、電極外周域の電解質膜の劣化，破損を抑制するための膜電極接合体の構造、その構成材料、その製造方法、およびこれを用いた燃料電池を提供するものである。 - 特許庁

The NAND flash memory 100 has a columnar floating gate formed on an element region via a gate insulating film, a diffusion layer formed on regions located on both sides of the floating gate out of the element region, and a control gate formed so as to surround the periphery of the floating gate via an IPD film formed on the side surfaces of the floating gate.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００のメモリセルは、素子領域上にゲート絶縁膜を介して形成された柱状の浮遊ゲートと、素子領域のうち浮遊ゲートの両側に位置する領域に形成された拡散層と、浮遊ゲートの側面に形成されたＩＰＤ膜を介して前記浮遊ゲートの周囲を囲むように形成された制御ゲートと、を有する。 - 特許庁

Columnar fine regions having different refractive indexes along the thickness direction of the resin layer are formed and an optical diffusion film in which scattering is changed by an incident angle of light beams, is made by repeatedly incorporating in unit patterns which have a fine transmissive region passing light beams and a fine light shutting region that shuts off the light beams, at two or more places.例文帳に追加

樹脂層の厚み方向に屈折率が異なる柱状の微小領域を形成し、光の入射角度によって散乱性が変化する光拡散フィルムを、光を透過する微小な透過領域と、光を遮断する微小な遮断領域からなる単位パターンを、２箇所以上繰り返し組み込むことによりことにより解決した。 - 特許庁

Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層１８からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層１８の上部と下部に形成されたｎ型拡散領域１４、２３からなるソース・ドレイン領域と、ワード線２１からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３が形成される。 - 特許庁

Consequently, the on-resistance can be reduced such that the contact resistance can be reduced by contacting with all the side walls of each contact trench Tc and besides the rise of the channel impurity concentration of a p-type well region 4 caused by the lateral direction diffusion of impurities effectively in forming an additional p^+-type region 8 of the bottom may be suppressed.例文帳に追加

これにより、各コンタクトトレンチＴｃの側壁すべてでコンタクトがとれるようになるためコンタクト抵抗を低減することができ、さらにその底面の追加ｐ^+型領域８形成時の不純物の横方向拡散によるｐ型ウェル領域４のチャネル不純物濃度の上昇を効果的に抑え、オン抵抗の低減を図ることができる。 - 特許庁