「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A dielectric film is disposed on the first impurity diffusion region.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域の上に誘電体膜が配置される。 - 特許庁

The second LDD diffusion region 319 is located under a second spacer and extends over the first distance to the second diffusion region.例文帳に追加

第２のＬＤＤ拡散領域３１９は、第２のスペーサの下にあり且つ第２の拡散領域まで第１の距離にわたって延在する。 - 特許庁

Moreover, an output signal is obtained from the diffusion region 12.例文帳に追加

また、拡散領域１２から出力信号を得るようになっている。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive layer reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further it is made to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電層である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともにソース２６とドレイン２８とも隣接させる。 - 特許庁

The first LDD diffusion region 318 is located under a first spacer.例文帳に追加

第１のＬＤＤ拡散領域３１８は第１のスペーサの下にある。 - 特許庁

Then, a bit line diffusion layer 9 is formed in the bit line formation region.例文帳に追加

次に、ビット線形成領域にビット線拡散層９を形成する。 - 特許庁

A p^- diffusion region 5 is formed on the surface of the n^- layer 2.例文帳に追加

このｎ^-層２の表面にはｐ^-拡散領域５が形成される。 - 特許庁

The bypass includes a select gate 3a, a first diffusion region 7a, a second diffusion region 7b, and a second control gate 11b.例文帳に追加

バイパス部は、セレクトゲート３ａ、第１の拡散領域７ａ、第２の拡散領域７ｂを有するとともに、第２のコントロールゲート１１ｂを有する。 - 特許庁

The diffusion layer 3 for the fuel cell is equipped with a metallic gas diffusion region 12, and a substrate region 11 adjacently arranged in an electrode containing carbon of the fuel cell, and a conducting region 13 made of a different material from the materials of the gas diffusion region 12 and the substrate region 11 is installed between the gas diffusion region 12 and the substrate region 13.例文帳に追加

金属製のガス拡散領域１２と、カーボンを含んでなり燃料電池の電極に隣接配置され得る下地領域１１と、を備えた燃料電池用拡散層３において、ガス拡散領域１２と下地領域１１との間に、ガス拡散領域１２および下地領域１１とは異なる材料により形成された導電領域１３を設けた。 - 特許庁

The cathode region of the diode 22 comprises an n^+ diffusion layer 8c, an n^- epitaxial layer 4, an n-type diffusion layer 5 and an n^+ diffusion layer 8b.例文帳に追加

ダイオード２２のカソード領域は、ｎ^+拡散層８ｃと、ｎ^-エピタキシャル層４と、ｎ型拡散層５と、ｎ^+拡散層８ｂとで構成されている。 - 特許庁

Finally, a wiring layer 60 electrically connected to each diffusion layer region is formed via an insulating layer 40 so that each diffusion layer region can be turned to be a diffusion layer resistor.例文帳に追加

最後に、各拡散層領域と電気的に接続された配線層６０を絶縁層４０を介して形成することによって、各拡散層領域を拡散層抵抗とする。 - 特許庁

In this semiconductor device, a P-type diffusion layer 14 and an N-type diffusion layer 10 as a drain lead region are formed on an N-type diffusion layer 9 as a drain region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、ドレイン領域としてのＮ型の拡散層９にＰ型の拡散層１４及びドレイン導出領域としてのＮ型の拡散層１０が形成される。 - 特許庁

A metallic silicide film is arranged on the surface of the impurity diffusion region, which does not constitute the common diffusion region, in a pair of the impurity diffusion regions in the first transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタの一対の不純物拡散領域のうち、共通拡散領域を構成していない方の不純物拡散領域の表面上に金属シリサイド膜が配置されている。 - 特許庁

A high-density N-type diffusion region 104 is formed in the high-density P-type diffusion region 106, and the N-type diffusion region 104 is connected to a source or a drain region 113 or 114 above a contact 107 with the contact 107 interposed.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６の内方には、高濃度Ｎ型拡散領域１０４が形成され、このＮ型拡散領域１０４は、コンタクト１０７を介してその上層のソース又はドレイン領域１１３、１１４に接続される。 - 特許庁

A p-type impurity diffusion region 12 of high concentration which becomes an anode and an n-type impurity diffusion region 13 of high concentration which becomes a cathode enclosing the p-type impurity diffusion region 12 are formed on the surface of an n-type silicon well region 11.例文帳に追加

Ｎ型シリコンウエル領域１１の表面に、アノードとなる高濃度のＰ型不純物拡散領域１２と、このＰ型不純物拡散領域１２を囲んでカソードとなる高濃度のＮ型不純物拡散領域１３を形成する。 - 特許庁

An N-type first impurity diffusion region that includes a drain region 12 and a drain-side drift region 7 and an N-type second impurity diffusion region that includes a source region 13 and a source-side drift region 8 are formed on a P-type well 10, with a channel region ch interposed therebetween.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０上に、チャネル領域ｃｈを隔てて、ドレイン領域１２及びドレイン側ドリフト領域７を含むＮ型の第一不純物拡散領域と、ソース領域１２及びそース側ドリフト領域８を含むＮ型の第二不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

A well contact that is a region for applying a reference voltage to the well region is formed in a region adjacent to the diffusion region 12.例文帳に追加

また、拡散領域１２に隣接する領域には、ウェル領域に基準電圧を印加するための領域であるウェルコンタクトが形成されている。 - 特許庁

To prevent external diffusion in drive-in diffusion of impurities added for isolation region formation of a P-N junction.例文帳に追加

ＰＮ接合の分離領域形成用に添加された不純物のドライブイン拡散での外方拡散を防止する。 - 特許庁

The p-type embedded diffusion layer forms n-type embedded diffusion layers 7, 30, and a pn junction region.例文帳に追加

そして、Ｐ型の埋込拡散層は、Ｎ型の埋込拡散層７、３０とＰＮ接合領域を形成している。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 is as deep as the low-concentration diffusion regions 7 and 11.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９の深さは、低濃度拡散領域７，１１の深さと同じである。 - 特許庁

A P type diffusion layer 9 is formed to the cathode region side and coupled with the P type diffusion layer 7.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層７と連結し、カソード領域側へとＰ型の拡散層９が形成されている。 - 特許庁

The obtained mouthpiece (1) for shaping has a nickel-containing diffusion bonded region (7) on the solid phase diffusion bonded surface.例文帳に追加

得られた賦形用口金(1) は固相拡散接合面にニッケルを含む拡散接合領域(7) が介在している。 - 特許庁

The detected region is subjected to diffusion processing (real gradation number limit processing) by dither or error diffusion.例文帳に追加

この検出領域に対して、ディザまたは誤差拡散による拡散処理（実階調数制限処理）を行う。 - 特許庁

The diaphragm 10 is constituted of a boron diffusion layer, and a supersaturation region S is formed to part of the boron diffusion layer.例文帳に追加

振動板１０がボロン拡散層からなり、このボロン拡散層の一部に過飽和領域Ｓを形成した。 - 特許庁

A first metal silicide film is formed in a region of a part of the first diffusion region surface.例文帳に追加

第１の拡散領域の表面の一部の領域に第１の金属シリサイド膜が形成されている。 - 特許庁

An N+ semiconductor region 12 is formed at a lower part 3a of a p-type diffusion region 3 where a channel is generated.例文帳に追加

チャネルが生じるｐ型拡散領域３の下部３ａにｎ^+半導体領域１２を形成する。 - 特許庁

The P-type diffusion layer 14 is disposed between a source region and the drain region of an MOS transistor 1.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層１４は、ＭＯＳトランジスタ１のソース−ドレイン領域間に配置される。 - 特許庁

Afterwards, a heat diffusion processing is carried out to form an n type pillar region 5 and a p type pillar region 6.例文帳に追加

その後、熱拡散処理を行って、ｎ型ピラー領域５及びｐ型ピラー領域６を形成する。 - 特許庁

An N-type semiconductor region 101 and a floating diffusion 105 are disposed in an active region 115.例文帳に追加

活性領域１１５にＮ型半導体領域１０１及びフローティングディフュージョン１０５が配される。 - 特許庁

Underneath this P+ diffusion region, an N region 85 having the same lateral extent is provided.例文帳に追加

このＰ＋拡散領域の下に同じ横方向の大きさを有するＮ領域（８５）が設けられる。 - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE FOR REDUCING LEAK CURRENT OF ACTIVE REGION DIODE AND SOURCE/DRAIN DIFFUSION REGION例文帳に追加

活性領域ダイオード及びソース／ドレイン拡散領域のリーク電流を低減するための方法及び構造 - 特許庁

When diffusion is formed from the rectangular region, a diffusion distance d1 in the direction of the long side of the rectangle is smaller than a diffusion distance d2 of a short side and an insulation wall is closed within limited diffusion time.例文帳に追加

くぼみはほぼ長方形の断面を有し、その大きい方の寸法はくぼみの配列線に垂直で、くぼみの深さは基板の半分の厚さより小さいあるいは等しい。 - 特許庁

The diffusion region 6b of a first source-drain 6 comprises an n^+ type layer and the diffusion region 7b of a second source-drain 7 comprises an n^- type layer.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン６の拡張領域６ｂはｎ^+型層により、第２のソース／ドレイン７の拡張領域７ｂはｎ^-型層により構成される。 - 特許庁

The first light diffusion layer 31 is arranged in the transmission region T and the second light diffusion layer 32 is arranged in the reflection region R.例文帳に追加

第１の光拡散層３１は、透過領域Ｔ内に配置されており、第２の光拡散層３２は、反射領域Ｒ内に配置されている。 - 特許庁

Furthermore, the source/drain diffusion layer 20, containing a low concentration doping region 16 and a heavily-doped region, and a silicide layer 30 on the source/drain diffusion layer 20 are provided.例文帳に追加

さらに、低濃度ドーピング領域１６、高濃度ドーピング領域からなるソース／ドレイン拡散層２０、ソース／ドレイン拡散層２０上のシリサイド層３０を備える。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 104, 124 are formed on a first body region 100, and a second body region 106 is formed on the first impurity diffusion layer 104.例文帳に追加

第１ボディ領域１００上に不純物拡散層１０４，１２４を、第１不純物拡散層１０４上に第２ボディ領域１０６を形成する。 - 特許庁

A first lower electrode 21 is provided on the second impurity diffusion region.例文帳に追加

第１下部電極２１は第２不純物拡散領域上に配設される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same which prevents the salicidation of a diffusion region simply, by increasing the contact area between a strap unit and the diffusion region.例文帳に追加

ストラップ部と拡散領域との接触面積を増やし、拡散領域のサリサイド化を簡易に防ぐ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

REACTOR CORE ANALYZING DEVICE AND METHOD FOR CALCULATING DIFFUSION CONSTANT IN REFLECTOR REGION例文帳に追加

炉心解析装置，及び反射体領域の拡散定数算出方法 - 特許庁

Thus, a p-n junction in the protective diode 1 is constituted of the side face of the p+ type diffusion region 16 and the n+ type diffusion region 4a.例文帳に追加

このため、保護ダイオード１におけるｐｎ接合は、上記ｐ＋型拡散領域１６の側面と、上記ｎ＋型拡散領域４ａとで構成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, P-type diffusion layers 22, 23 as a collector region are formed around an N-type diffusion layer 24 as a base region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、コレクタ領域としてのＰ型の拡散層２２、２３が、ベース領域としてのＮ型の拡散層２４の周囲に形成される。 - 特許庁

The first MOS transistor 100 and the diffusion region 5 of the semiconductor element S lie alongside in a y direction and electrically isolated from each other by the diffusion region 2b.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ１００と半導体素子Ｓの拡散領域５とは、ｙ方向に並んで、拡散領域２ｂで電気的に分離されている。 - 特許庁

The punch through preventing region effectively reduces the extension of diffusion in the lateral direction in a drain region for high withstand voltage as compared with the extension of the diffusion in the depthwise direction.例文帳に追加

パンチスルー防止領域により、高耐圧用のドレイン領域の横方向の拡散の伸びを深さ方向に比べ効果的に小さくした。 - 特許庁

The second impurity diffusion region 5 reaches the surface of the underlying substrate.例文帳に追加

第２の不純物拡散領域５は、下地基板の表面まで達する。 - 特許庁

The floating diffusion region 14 is connected to a source follower circuit 6.例文帳に追加

そして、フローティングディフュージョン領域１４は、ソースホロア回路６と接続される。 - 特許庁