「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The bit line is a region doped with a first doping substance, and the second diffusion region is a region doped with a second doping substance.例文帳に追加

ビットラインは、第１ドーピング物質でドーピングされた領域であり、第２拡散領域は、第２ドーピング物質でドーピングされた領域である。 - 特許庁

The charge storage region 250 is disposed straddling a part of a channel region 273 and a part of diffusion regions 212 and 213 arranged at both sides of the channel region.例文帳に追加

電荷蓄積領域250はチャネル領域273の一部とチャネル領域の両側に配置された拡散領域212,213の一部とに跨って存する。 - 特許庁

An impurity concentration of the reverse portion diffusion region 62 increases in a lateral direction from the side of a body region 88 to the side of a collector region 72.例文帳に追加

裏面部拡散領域６２の不純物濃度は、横方向に沿って、ボディ領域８８側からコレクタ領域７２側に向けて増加する。 - 特許庁

Here, since the groove part 34 is arranged at a position surrounding an outer edge of the diffusion region 30, the outer edge of the diffusion region 30 can be made clear as compared with the case where only bending dots 32 are provided in the diffusion region 30.例文帳に追加

このとき、溝部３４は拡散領域３０の外縁を囲う位置に設けられているため、拡散領域３０に屈曲ドット３２のみが設けられている場合と比較して、拡散領域３０の外縁を明確にすることができる。 - 特許庁

In this case, the groove part 34 is installed in a position surrounding the outer periphery of the diffusion region 30, the outer periphery of the diffusion region 30 can be made clearer compared with the case wherein only the bending dots 32 are installed in the diffusion region 30.例文帳に追加

このとき、溝部３４は拡散領域３０の外縁を囲う位置に設けられているため、拡散領域３０に屈曲ドット３２のみが設けられている場合と比較して、拡散領域３０の外縁を明確にすることができる。 - 特許庁

The semiconductor layer is configured such that a P+ diffusion region 8 and an N+ diffusion region 9 are respectively formed at each of both ends respectively connected to the anode electrode and the cathode electrode while the center is made as an intrinsic region 3.例文帳に追加

この半導体層はアノード電極及びカソード電極に接続している両端部にＰ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９を形成し、中央部を真性領域３とする。 - 特許庁

An n+diffusion region 14 to which a high potential is to be applied is formed in the n-type semiconductor region 3 and is electrically connected with the n-diffusion region 5 by wiring 20 having a resistor R.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３の領域には、高電位が印加されるｎ+拡散領域１４が形成され、抵抗Ｒを有する配線２０によってｎ-拡散領域５と電気的に接続されている。 - 特許庁

A P-type first well region 300 lower in concentration than the push-in diffusion region 440 is formed in the semiconductor layer 200 partly overlapping the push-in diffusion region 440 in a plan view.例文帳に追加

押込拡散領域４４０よりも低濃度のＰ型の第１ウェル領域３００は、半導体層２００に、平面視で一部が押込拡散領域４４０と重なるように設けられている。 - 特許庁

A second diffusion region 110 of a second conductivity type for electrically connecting a body region 106 of the second conductivity type to a first diffusion region 107 of the second conductivity type is provided between gate trenches 112.例文帳に追加

ゲートトレンチ１１２の間に、第２導電型のボディ領域１０６と第２導電型の第１拡散領域１０７とを導通する第２導電型の第２拡散領域１１０を設ける。 - 特許庁

The gas diffusion electrode of the present invention comprises a gas diffusion region and a catalyst presence region, and contains carbon fiber having an aspect ratio of 200 or more in the catalyst presence region.例文帳に追加

本発明のガス拡散電極は、ガス拡散領域と触媒存在領域とを備えるガス拡散電極であって、前記触媒存在領域にアスペクト比が２００以上の炭素繊維を含有している。 - 特許庁

At this time, the p-type diffusion layers 31, 32 are formed in double diffusion construction, and impurity concentrations of front surface of the base region and its neighboring region become high.例文帳に追加

このとき、Ｐ型の拡散層３１、３２は二重拡散構造となり、ベース領域の表面及びその近傍領域の不純物濃度が高濃度となっている。 - 特許庁

The LDD diffusion region 34 of the second MIS transistor Tr2 is formed under the same condition as the LDD diffusion region 44 of a third MIS transistor Tr3.例文帳に追加

第２のＭＩＳトランジスタＴｒ２のＬＤＤ拡散領域３４を第３のＭＩＳトランジスタＴｒ３のＬＤＤ拡散領域４４と同条件で形成する。 - 特許庁

A solid-state image pickup device has a first impurity diffusion region and a second impurity diffusion region of a first conductivity type.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板上に設けられた第１の第１導電型不純物拡散領域と第２の第１導電型不純物拡散領域とを有する。 - 特許庁

LIQUID FORM IMPURITY SOURCE MATERIAL AND METHOD OF FORMING DIFFUSION REGION USING THE MATERIAL例文帳に追加

液状不純物源材料及びこれを使用した拡散領域形成方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a diffusion layer which serves as a bit line by thermal diffusion only immediately below a region which serves as a channel region.例文帳に追加

チャネル領域となる領域の直下だけに熱拡散によってビット線となる拡散層を形成することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the activation heat treatment of impurities is made to form a diffusion layer region.例文帳に追加

そして、不純物の活性化熱処理を行い、拡散層領域を形成する。 - 特許庁

Then, the high concentration P type diffusion region 9 for the body contact is formed at the part where the source diffusion region 3 is removed inside the hollow part of the gate electrode 3.例文帳に追加

そして、ゲート電極３の中抜き部分内のソース拡散領域３を除外した箇所に、高濃度Ｐ型のボディーコンタクト用拡散領域９を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N-type diffusion layer 6 is formed as a source region so that it is convoluted with a P-type diffusion layer 5 as a backgate region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５と重畳するように、ソース領域としてのＮ型の拡散層６が形成されている。 - 特許庁

Consequently, a crystal defect due to re-crystallization can be prevented at a border part between a lightly-doped impurity diffusion region and a heavily-doped diffusion region.例文帳に追加

これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

The contact 107 is not formed in the high-density P-type diffusion region 106.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６には、コンタクト１０７は形成されない。 - 特許庁

With the gate electrode 6 as a mask, a pair of high-concentration diffusion region 8 of a second conductive type which is higher in concentration than the second low-concentration diffusion region 3 is formed.例文帳に追加

そして、ゲート電極６をマスクとして、第２低濃度拡散領域３よりも高濃度の第２導電型の一対の高濃度拡散領域８を形成する。 - 特許庁

Consequently, a the occurrence of crystal defect resulting from re-crystallization is prevented at a boundary portion between a low-concentration impurity diffusion region and a high-concentration impurity diffusion region.例文帳に追加

これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

A first diffusion region 128 which forms a P+/N diode and a second diffusion region 130 which forms an N+/P diode are insulated by an STI 112a at a semiconductor substrate 100a.例文帳に追加

P+/Nダイオードを構成する第１拡散領域128とN+/Pダイオードを構成する第２拡散領域130が半導体基板100a部分でSTI112aにより絶縁された構造とする。 - 特許庁

In this case, the diffusion depth of the p-type diffusion layer region 7 may be shallower than the light receiver A at least in part of the region below the anode electrode 9.例文帳に追加

この場合、ｐ型拡散層領域７の拡散深さは、アノード電極９の下部領域の少なくとも一部で受光部Ａより浅くなるものとすることができる。 - 特許庁

The low-concentration anode diffusion region 20c covers at least either one of a first corner 20B and a second corner 20D of the intermediate-concentration anode diffusion region 20b.例文帳に追加

低濃度アノード拡散領域２０ｃは、中濃度アノード拡散領域２０ｂの第１コーナー部２０Ｂと第２コーナー部２０Ｄの少なくともいずれか一方を覆っている。 - 特許庁

Then, a noise signal is outputted, and then the potential held in the N-type floating diffusion region FD is transferred to an N-type floating diffusion region FD1 so that an image signal is outputted.例文帳に追加

そして、ノイズ信号を出力した後、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤに保持したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送し、画像信号を出力する。 - 特許庁

After implanting impurity ions for forming the N type diffusion region 25, the N type diffusion region 25 is diffused in a γ-shape under a gate electrode 22 by heat treatment.例文帳に追加

そして、Ｎ型の拡散層２５を形成する不純物をイオン注入した後、熱処理により、Ｎ型の拡散層２５をゲート電極２２下方で、γ形状に拡散する。 - 特許庁

A gate electrode 9 is formed on the surface of the n^- layer 2 positioned between the p diffusion region 3 and the p^- diffusion region 5 through an oxide film 10.例文帳に追加

このｐ拡散領域３とｐ^-拡散領域５の間に位置するｎ^-層２の表面上に酸化膜１０を介在してゲート電極９が形成される。 - 特許庁

A photoresist (unillustrated) is formed on a region 12 provided with an n-type diffusion layer.例文帳に追加

ｎ型拡散層を有する領域１２上にフォトレジスト（図示せず）を形成する。 - 特許庁

Plasma of a treatment gas containing oxygen and Ar oxidizes the p-type diffusion region 103 and the n-type diffusion region 105 at different oxidation rates.例文帳に追加

酸素およびＡｒを含有する処理ガスのプラズマにより、ｐ型拡散領域１０３とｎ型拡散領域１０５とを、それぞれ異なる酸化レートで酸化処理する。 - 特許庁

Its fine emitter region is formed by an emitter diffusion performed from the bottom portion of the groove.例文帳に追加

溝の底部からエミッタ拡散によりより微小なエミッタ領域を形成する。 - 特許庁

A main electrode is provided on the impurity diffusion region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

主電極は、半導体基板の不純物拡散領域上に設けられている。 - 特許庁

LIQUID FORM IMPURITY SOURCE MATERIAL AND METHOD OF FORMING DIFFUSION REGION USING THE SAME例文帳に追加

液状不純物源材料及びこれを使用した拡散領域形成方法 - 特許庁

A second diffusion region 104 for supplying a substrate or well potential is provided separately from a first diffusion region 102 for forming a source of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースを形成する第１の拡散領域１０２と分離して、基板またはウェル電位を給電するための第２の拡散領域１０４を設けている。 - 特許庁

The light diffusion part 61 is provided in the range of light diffusion part formation 60 on the backside 23 so as to generate a correction region 71 and a peripheral region 72.例文帳に追加

光拡散部６１は、裏面２３上の光拡散部形成範囲６０内に、補正領域７１および周辺領域７２が生じるように設けられる。 - 特許庁

External diffusion of the boron 6, which is additive impurity from an isolation region, is restrained.例文帳に追加

分離領域からの添加不純物であるボロン６の外方拡散を抑制する。 - 特許庁

In the light guard plate, a first region in which a diffusion part is formed in the third direction and a second region in which a diffusion part is not formed are alternately arranged in the first direction.例文帳に追加

導光板は、第３方向に拡散部が形成される第１領域と、拡散部が形成されていない第２領域とが、第１方向に交互に配置される。 - 特許庁

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND METHOD FOR FORMING IMPURITY DIFFUSION REGION例文帳に追加

高耐圧デバイスおよびその製造方法、不純物拡散領域の形成方法 - 特許庁

A matrix, and a diffusion agent which is mixed into the matrix and diffuses the incident light are included in the diffusion region of the light.例文帳に追加

前記光の拡散領域はマトリックス、及びマトリックスに混入されて、入射された光を拡散する拡散剤を含む。 - 特許庁

A diffusion region 25 in which a diffusion pattern of a V-groove shape is arranged is formed at a central part of the lens incident surface 24.例文帳に追加

レンズ入光面２４の中央部にはＶ溝状の拡散パターンを配列した拡散領域２５が形成されている。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 17 is formed deeper than an LDD diffusion layer 15a in a formation region of an ESD protection element, for example.例文帳に追加

たとえば、ＥＳＤ保護素子の形成領域に、ＬＤＤ拡散層１５ａよりも深く、Ｎ型拡散層１７を形成する。 - 特許庁

An N type diffusion layer 8 used as a drain region is formed to surround the P type diffusion layer 5.例文帳に追加

ドレイン領域として用いられるＮ型の拡散層８が、Ｐ型の拡散層５の周囲を囲むように形成されている。 - 特許庁

Diffusion coefficient of main impurities of the surface region 18 is less than diffusion coefficient of main impurities of the embedded layer 10.例文帳に追加

表面領域１８の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層１０の主要不純物の拡散係数より小さい。 - 特許庁

The n-type impurity region has an impurity concentration higher than that of the channel region and back gate region and receives little influence of diffusion of a p-type impurity from the gate region and back gate region.例文帳に追加

ｎ型不純物領域はチャネル領域およびバックゲート領域より不純物濃度が高く、ゲート領域およびバックゲート領域からのｐ型不純物の拡散の影響をほとんど受けない。 - 特許庁

The pixel includes an impurity diffusion region FD of a floating diffusion configuration part and a gate electrode 34 of the pixel transistor having a recess 45 where part of the impurity diffusion region FD enters when viewed from the upper surface.例文帳に追加

画素において、フローティングディフージョン構成部の不純物拡散領域ＦＤと、上面から見て不純物拡散領域ＦＤの一部が入り込む凹み部４５を有する画素トランジスタのゲート電極３４とを有する。 - 特許庁