「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

In an element formation region RP, as heat treatment is performed under a temperature of about 700 to 900°C, aluminum (Al) in an aluminum (Al) film 7a diffuses into a hafnium oxide nitride (HfON) film 6, thereby aluminum (Al), as an element, is added to the hafnium oxide nitride (HfON) film 6.例文帳に追加

温度約７００〜９００℃のもとで施す熱処理に伴い、素子形成領域ＲＰでは、アルミニウム（Ａｌ）膜７ａ中のアルミニウム（Ａｌ）がハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６へ拡散することによって、ハフニウム酸窒化（ＨｆＯＮ）膜６に元素としてアルミニウム（Ａｌ）が添加される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device which forms a window structure after keeping a basic characteristic of a laser without degrading contact resistance between an electrode and a semiconductor layer by preventing deterioration of an epitaxial growth film due to a heat treatment in window region formation.例文帳に追加

窓領域形成の際の熱処理によりエピタキシャル成長膜が劣化するのを抑制し、電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を劣化させること無く、レーザの基本特性を維持した上で窓構造を形成する窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device having the thin film transistor in which a semiconductor layer including a channel formation region is an oxide semiconductor film, heat treatment for improving the purity of the oxide semiconductor film and reducing moisture and the like which are impurities (heat treatment for dehydration or dehydrogenation) is performed.例文帳に追加

チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。 - 特許庁

To prevent deterioration due to hydrogen of a capacitance insulating film forming a capacitor with a lower hydrogen barrier film and an upper hydrogen barrier film covering the circumference of the capacitor, and to prevent increase of an area of a capacitor formation region with a connection part between the lower hydrogen barrier film and the upper hydrogen barrier film.例文帳に追加

キャパシタの周囲を覆う下部水素バリア膜と上部水素バリア膜とによって、キャパシタを構成する容量絶縁膜の水素による劣化を防止すると共に、下部水素バリア膜と上部水素バリア膜との接続部によるキャパシタ形成領域の面積の増大を防止できるようにする。 - 特許庁

An LED wafer 10A having a semiconductor crystal layer 30 formed on a single-crystal substrate 22 by crystal growth includes a rough surface portion 50 formed by making a part of an element formation region on the surface of the semiconductor crystal layer 30 rougher than the crystal growth surface.例文帳に追加

単結晶基板２２上に結晶成長により形成された半導体結晶層３０が形成されたＬＥＤウエハ１０Ａは、半導体結晶層３０の表面の素子形成領域の一部が結晶成長面に比べて粗面化された粗面部５０を備えている。 - 特許庁

The linearly photopolymerizable polymer layer is irradiated with at least one dose of linearly polarized ultra-violet light that is sufficient to induce formation of a plurality of discrete regions within the liquid crystal layer having a larger in-plane birefringence than an adjacent or surrounding region.例文帳に追加

線状光重合可能なポリマー層は、隣接または周囲領域より大きな面内複屈折率を有する液晶層内に複数の離散領域の形成を誘発するのに十分である直線偏光した紫外線光の少なくとも１つの投与量で照射される。 - 特許庁

To attain long lifetime for an UV-ray exposure device, by enhancing the efficiency of removing impurities contained in gas being supplied to the UV-ray exposure device and preventing deposition of impurities in the UV-ray irradiated region or on the periphery thereof, thereby preventing deterioration in the image formation performance of the exposure device.例文帳に追加

本発明は、紫外線露光装置において供給するガスに含まれる不純物の除去効率を高め、紫外線照射領域及びその近傍への堆積物を防ぐことで、露光装置の結像性能低下を防ぎ、露光装置の長寿命化を達成することを目的とする。 - 特許庁

A spiral pattern is considered to be a localized amorphous region generated upon spin doping of the catalytic element solution due to insufficient formation of an extremely thin silicon oxide film during the ozone water treatment step.例文帳に追加

上記渦状の模様は、オゾン水処理工程の極薄シリコン酸化膜の成膜不足により、触媒元素溶液のスピン添加処理の際に、局部的に撥水現象が生じ、触媒元素が均一に添加されない為、局部的非晶質領域が発生したものと考えられる。 - 特許庁

A print controller generates dot data being supplied to a print section for forming a print image by mutually combining, in a common print region, each dot group formed for every plurality of pixel groups for which physical difference is assumed in dot formation.例文帳に追加

本発明は、ドットの形成において物理的な相違が想定された複数の画素グループ毎に形成されるドット群の各々を共通の印刷領域で相互に組み合わせることによって印刷画像を形成する印刷部に供給するためのドットデータを生成する印刷制御装置を提供する。 - 特許庁

Then, a second metal film 104 containing silicon or germanium is formed on the gate insulating film 102 and the first metal film 103 at the nMIS formation region, and the first and second metal films 103, 104 are machined to form gate electrodes Gn, Gp each.例文帳に追加

次に、ｎＭＩＳ形成領域のゲート絶縁膜１０２および第一の金属膜１０３上にシリコンまたはゲルマニウムを含む第二の金属膜１０４を形成し、第一および第二の金属膜１０３、１０４を加工してゲート電極Ｇｎ、Ｇｐをそれぞれ形成する。 - 特許庁

Gate electrodes 22 are formed on an upper surface, both right and left side surfaces and bottom surface of a semiconductor layer 11a for channel formation formed by processing a semiconductor substrate 11 into a Fin shape and a channel region is included which is surrounded on four sides by the gate electrodes 22.例文帳に追加

半導体基板１１をＦｉｎ状に加工して形成されたチャネル形成用半導体層１１ａの上面、左右両側面及び底面にゲート電極２２が形成され、ゲート電極２２により４面を囲まれるチャネル領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

Further, an electrode formation region of the potential reduction layer 14 deposited is selectively implanted with phosphorus ion, and the potential reduction layer 14 doped with phosphorus is subjected to a heat treatment at a temperature of about 1,000 °C to activate an n-type dopant doped.例文帳に追加

続いて、堆積したポテンシャル低減層１４の電極形成領域に対して燐イオンを選択的にイオン注入し、燐が注入されたポテンシャル低減層１４に対して約１０００℃の温度で熱処理を施して、注入されたｎ型のドーパントを活性化する。 - 特許庁

To provide an electroless plating method for forming an electroless plating layer on the surface of a conductive layer formed on the surface of a base material, where the formation of the electroless plating layer on a region other than the conductive layer can be more effectively prevented.例文帳に追加

基材の表面上に形成された導電層の表面上に無電解めっき層を形成するための無電解めっき方法において、導電層以外の領域への無電解めっき層の形成をより効果的に防止することが可能な無電解めっき方法を提供する。 - 特許庁

The electric wire with the terminal 1 is superior in corrosion resistance, since at least a portion of the contactless region of the terminal member 20 is insulation coated, resulting in reduction of formation of an electric cell between the aluminum alloy constituting the conductor 11 and the copper or the copper alloy constituting the terminal member 20.例文帳に追加

端子付き電線1は、端子部材20の非接触領域の少なくとも一部が絶縁被覆に覆われることで、導体11を構成するアルミニウム合金と端子部材20を構成する銅や銅合金との間で電池が形成されることを低減することができ、耐食性に優れる。 - 特許庁

To provide a gland packing capable of decreasing formation of a leak passage owing to its structure such that reinforcing fibers ranging out of the ends in width direction of adjoining knitting yarns overlap one another and the overlapping reinforcing fibers exist over the whole region between the expansion graphite tapes of adjoining knitting yarns.例文帳に追加

隣接する編み糸の幅方向の端からはみ出ている補強繊維同士が互いに重なって、その重なった補強繊維同士が、隣接する編み糸の膨張黒鉛テープ同士間の全域に介在され、漏れ流路が形成されるのを減少できるグランドパッキンを提供することにある。 - 特許庁

After a first mask 26 having a first opening 28 for exposing an NMOS formation region 7 selectively is formed on a semiconductor layer 4, a tensile stress film 23 is formed thereon, and then the first mask 26 is removed along with the tensile stress film 23 formed on the first mask 26.例文帳に追加

半導体層４上に、ＮＭＯＳ形成領域７を選択的に露出させる第１開口２８を有する第１マスク２６が形成され、引張り応力膜２３が形成された後、第１マスク２６が、第１マスク２６上に形成された引張り応力膜２３とともに除去される。 - 特許庁

To provide a three-dimensional molding device and a three-dimensional molding method that inhibit the formation of a region in which a mold is easily broken out of regions composing the mold, to prevent the mold from being damaged in the easily-breakable direction, and to provide the mold formed by the method.例文帳に追加

造形物を構成する領域のうち、造形物を割れやすくさせる領域が形成されることを抑制し、その割れやすい方向での造形物の損壊を防止することができる３次元造形装置、３次元造形方法及びその造形物を提供すること。 - 特許庁

The strike piece has a lower corner part where an opposite surface faces the front and a lower surface which faces down during the striking cross each other at an angle θ of 60-100°, and the lower corner part is stuck on the front and the cut formation region in and right after perpendicular passage of the arm.例文帳に追加

打撃片は、衝突時に前記前面に向く対向面と下方に向く下方面とが６０〜１００°の角度θで交わる下コーナ部を有し、しかもアームの鉛直線通過時又は鉛直線通過直後に、前記下コーナ部を前記前面かつ前記切れ込み形成領域に衝突させる。 - 特許庁

In a semiconductor device 1A, which comprises an MIS transistor, a highly-doped impurity region 20, whose impurity concentration is higher than that at the center of the channel-forming section 4 is formed in an end part 4a on the field edge side of the channel formation section 4, which is immediately below a gate electrode 6.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタからなる半導体装置１Ａにおいて、ゲート電極６の直下のチャネル形成部４のフィールドエッジ側端部４ａに、不純物濃度がチャネル形成部４の中央部の不純物濃度よりも高い高濃度不純物領域２０を形成する。 - 特許庁

This human body detection device is attached to the ceiling face of the bathroom to detect a region inside a bathroom, an image formation lens for photographing is covered with a cover body, and a a flow-down guide part for making dew condensation water or water droplet down flow is provided in the cover body.例文帳に追加

浴室の天井面に取付けられ浴室内を検知領域とする人体検出装置であって、撮像用の結像レンズをカバー体で覆うと共に結露した結露水あるいは水滴を流下させる流下案内部をカバー体に設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a scan operation display device and its method, and an image formation device with the scan operation display device for improving scan and copy quality, by preventing the external light projected to the display unit and/or passing through a light display unit, from being received on a scanning region.例文帳に追加

表示部に投射された光及び／又は表示部を通った外部の光がスキャン領域に差し込まないようにすることでスキャン及びコピーの品質向上に寄与する、スキャン動作表示装置及び方法、並びにこれを備える画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a powder compaction method comprising compacting a raw material powder into a compacted body, wherein even when the compacted body has the shape of a simple cylinder or of a pipe with uniform inside and outside diameters, the formation of a neutral zone can be effectively prevented and consequently a compacted body with a uniform density throughout the entire region can be obtained.例文帳に追加

原料粉末を圧縮して圧粉体を得る粉末成形方法において、単純円筒形や、内径および外径が均一のパイプ状の圧粉体であっても、中立層の発生を効果的に防止することができ、結果として全域に亘って均一な密度の圧粉体を得る。 - 特許庁

In the semiconductor wafer 100, scribed line trenches 112 are formed along the outer edge of a device forming region on the principal surface of a semiconductor substrate where a plurality of the device formation regions are provided, and stoppers 118 for closing the scribed line trenches 112 are formed at intersecting points of the scribed line trenches 112.例文帳に追加

半導体ウェハ１００は、複数の素子形成領域が設けられた半導体基板の主面に、素子形成領域の外縁に沿ってスクライブライン溝１１２が形成され、スクライブライン溝１１２の交差部分に、スクライブライン溝１１２を閉塞するストッパ１１８が形成されている。 - 特許庁

To restrain the formation of a recess in a device separation region and to restrain the deterioration of the accuracy of dimension due to undercut of an oxide film mask, by enabling to remove a part of an oxide film existing on side walls of stepped parts by only anisotropic etching, with respect to a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、段差部側壁に在る酸化膜を異方性エッチングのみで除去することを可能にして、素子分離領域に沈み込みが発生することを抑止し、また、酸化膜マスクのアンダーカットに依る寸法制度の劣化を抑止できるようにする。 - 特許庁

In a fuel cell unit 21 supplying power to the personal computer body 22, a steam exhaust opening 31 for exhausting a gas including water produced in power generation therefrom is formed under the air suction part non-formation region 28 when the personal computer body is brought into the attitude in a normal use state.例文帳に追加

パソコン本体２２に電力を供給する燃料電池ユニット２１には、発電時に生成した水を含んだ気体を排出する蒸気排出口３１が通常の使用状態の姿勢としたときの空気吸入部非形成領域２８の下方に形成されている。 - 特許庁

To avoid a deficiency in bonding force during mounting with respect to a semiconductor device such that the top surface of an upper-layer insulator film on a high-frequency integrated circuit provided at a top-surface center of a silicon substrate is defined as a wiring formation inhibition region for avoiding crosstalk with the high-frequency integrated circuit.例文帳に追加

シリコン基板の上面中央部に設けられた高周波集積回路上の上層絶縁膜の上面を高周波集積回路とのクロストークを避けるための配線形成禁止領域とした半導体装置において、実装時の接合力が不足しないようにする。 - 特許庁

To improve combustion efficiency, to reduce exhaust gas and to improve engine torque in a specific region by inducing tumble formation by continuously changing a flow rate of air-fuel mixture flowing into a combustion chamber through an air intake manifold and delaying spark time in accordance with an inflow degree of the air-fuel mixture.例文帳に追加

吸気マニホルドを通して燃焼室に流入する混合気の流量を連続的に変化させてタンブル形成を誘導し、混合気の流入程度に応じてスパ−クタイムを遅延させ、燃焼効率の向上、排気ガス低減、特定領域におけるエンジントルク向上を可能とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display for connecting a wire to an electrode terminal of a display and covering the connection part, and performing surface modification treatment on a resin layer formation target region in a short time without using any special mixture gas.例文帳に追加

表示デバイスの電極端子に配線を接続し、接続箇所を樹脂層で覆う表示装置の製造方法において、特殊な混合ガスを使うことなく、短時間で樹脂層形成予定領域の表面改質処理を行うことが可能な表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate a reduction in discharge amount of a vane fluid machine having a plurality of independent discharge ports in one discharge region, improve the precision of a divided flow, offer simple machining of parts to be used and enable displacement easily variable, and facilitate formation of the divided flow of stable and selective frequency and quantity.例文帳に追加

一つの吐出領域内で複数の独立した吐出口を有するベーン型流体機械の吐出量の減少をなくし、分流精度を向上させ、使用部品の加工も簡単で可変容量が容易であり、安定した任意の分流数、分流量を容易に得られるようにする。 - 特許庁

In the width direction of the belt 51, the permanently deformed part 51c of the belt 51 is made free at the transfer part T1 and the deformed part 51c abuts against the photoreceptor 21 to be corrected, thereby suppressing unevenness of abutting pressure in an image formation region A.例文帳に追加

ベルト５１の幅方向において、ベルト５１における永久変形部分５１ｃを転写部Ｔ１において自由状態とし、変形部分５１ｃが感光体２１と当接して矯正されることによる画像形成領域Ａにおける当接圧の不均一性を抑制する。 - 特許庁

The structure eliminates the ease of damaging of the surface, and the formation of the high-density plastic-worked area HPA in the region from the face to the inside of both sides of the plastic-worked IPW1 for the inner layer improves the dimensional stability without the occurrence of distortion on changing of surrounding conditions owing to balanced characteristics of the front and back surfaces.例文帳に追加

また、内層用塑性加工材ＩＰＷ１の両面の表面から内側には共に高密度な塑性加工領域ＨＰＡが形成されていることで、表裏面のバランスがよく周囲環境条件が変化したときの歪みの発生がなく寸法安定性が向上される。 - 特許庁

A memory cell has an insulating film 13 formed over the entire surface on an interlayer insulating film 4 including a bit line portion BL1, and also has, on the insulating film 13, a high-magnetic-permeability film 14 formed in a region corresponding to a formation position of the bit line portion BL1 and a high-magnetic-permeability film 12.例文帳に追加

メモリセルにおいて、ビット線部ＢＬ１を含む層間絶縁膜４上の全面に絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３上に、平面視してビット線部ＢＬ１及び高透磁率膜１２の形成位置に対応する領域に高透磁率膜１４が形成される。 - 特許庁

Thus, the magnetic layer can be plated in a very wide region, so that even in a plating forming part of the regulated magnetic layer, entering and leaving of plating liquid can be performed good equally as in the other regions and stirring effect or the like of the plating liquid in formation of plating of the magnetic layer can be improved.例文帳に追加

このため非常に広範な領域にまず磁性層をメッキ形成できるので、規制が働く磁性層のメッキ形成部分でもメッキ液の出入りは他の領域と等しく良好にでき、磁性層のメッキ形成時におけるメッキ液の攪拌効果等を向上できる。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that a control of a matching accuracy during mask formation used when forming an LDD region in such a structure though adoption of an LDD structure is discussed because a thin film transistor using a polycrystalline silicon has very high mobility but there is the problem of a large leakage current.例文帳に追加

多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタは移動度は非常に高いが、リーク電流が大きいという課題があり、ＬＤＤ構造の採用が検討されているが、このような構造においては、ＬＤＤ領域を形成する際に用いるマスク形成時の合わせ精度の制御が難しい。 - 特許庁

A white luminescent layer (G+B+R) is formed in a region of a white pixel concurrently with the formation of the chromatic luminescent layers by stacking and forming luminescent layers of three colors such as a green luminescent (G luminescent layer), a blue luminescent layer (B luminescent layer), and a red luminescent layer (R luminescent layer).例文帳に追加

これらの有彩色の発光層の形成と同時に白色画素の領域に緑色発光層（Ｇ発光層）、青色発光層（Ｂ発光層）、赤色発光層（Ｒ発光層）の３色の発光層が積層形成されて白色発光層（Ｇ+Ｂ+Ｒ）が形成される。 - 特許庁

By forming the matching element 7 into the shape of a rectangular frame which surrounds a non-formation region 7h and has a shape asymmetrical with respect to a direction in parallel to the long side 2L of the opening 21, consequently the frequency characteristics of a wide bandwidth are achieved by two different resonance frequencies.例文帳に追加

上記整合素子７を非形成領域７ｈを取り囲む矩形枠の形状であって、開口部２１の長辺２Ｌに平行な方向について非対称な形状とすることにより、異なる２つの共振周波数によって帯域幅の広い周波数特性を実現する。 - 特許庁

To solve the following problem that the formation of a film that discontinuously generates stress on the surface of a substrate causes the exfoliation of the film from a part in a semiconductor device with the film for generating stress in the channel forming region of a field effect transistor formed on the surface of the semiconductor substrate provided.例文帳に追加

半導体基板上の表面に形成された電界効果トランジスタのチャネル形成領域に応力を発生させる膜を備えた半導体装置において、応力を発生させる膜が不連続的に基板表面に形成されると、その部分から膜剥がれが発生する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing system which can make with LOCOS the element isolation films, that is, the size of an active region to be fixed for each semiconductor substrate to be manufactured in formation of an element isolation film on a semiconductor substrate, whereon a flash memory is formed.例文帳に追加

フラッシュメモリが形成される半導体基板上に素子分離膜をロコスで形成する場合において、素子分離膜間の距離、すなわち活性領域の寸法を製造される半導体基板ごとに一定にさせることが可能な半導体装置製造システムを得ること。 - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ＤＤＤ不純物層形成にリンを用い、ＤＤＤ不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御とＤＤＤ不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

When the occurrence of a predetermined error is detected during the formation of the printing image 11c by an inkjet head 13 to the actual printing region E1 on a label 11a, the printer 1 reprints the label 11a which is formed with the printing image 11c at the time of the occurrence of the error.例文帳に追加

プリンタ１は、ラベル１１ａ上の実印刷領域Ｅ１へのインクジェットヘッド１３による印刷イメージ１１ｃの形成中に所定のエラーの発生が検出された場合には、当該エラーの発生時に印刷イメージ１１ｃを形成中であったラベル１１ａの再印刷を行う。 - 特許庁

Owing to this decree, Yoritomo was granted the official authority (the administrative authority of the Togoku region and the right to command the local officials of kokuga) by the Imperial Court, which was the then existing national authority, and this contact between Yoritomo and the public authority caused the formation of other national organizations, namely the Togoku state and the Kamakura bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun), according to SATO. 例文帳に追加

佐藤は、本宣旨により頼朝は既存の国家権力である朝廷から公権（東国行政権国衙在庁指揮権）を付与され、この公的権力との接触により一つの国家的存在、すなわち東国国家鎌倉幕府が成立したとする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A conductive film formed as a pixel electrode 119 is formed and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 119, source wiring 117, a drain region 116, and an amorphous semiconductor film 114 for channel formation.例文帳に追加

画素電極１１９となる導電膜を形成し、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１１９、ソース配線１１７及びドレイン電極１１８、ソース領域１１５及びドレイン領域１１６、及びチャネルが形成される非晶質半導体膜１１４を形成する。 - 特許庁

A low-transmittance layer 11 formed into a discontinuous pattern, and a high-transmittance multi-layer film 12 formed on the low-transmittance layer and a non-formation region of the low-transmittance layer are arranged on the outside surface of a front panel 1 having a phosphor screen 3 formed on its inside surface.例文帳に追加

内面に蛍光体スクリーン３が形成された前面パネル１の外面に、不連続な配置パターンに形成された低透過率層１１と、低透過率層上及び低透過率層の未形成領域に形成された高透過率多層膜１２とが設けられている。 - 特許庁

The distribution formation member is structured such that a light ray group entering by forming a specific angle with an optical axis AX forms a light intensity distribution having a central region low in light intensity relative to that of the circumference at a position in accordance with the specific angle in the effective diffractive optical plane.例文帳に追加

分布形成部材は、光軸（ＡＸ）と特定の角度をなして入射する光線群が、有効回折光学面において特定の角度に応じた位置に、周囲よりも光強度の低い中央領域を有する光強度分布を形成するように構成されている。 - 特許庁

A pressure adjustment space 32 as an internal space of the pressure adjustment pipe 22 has the alternate formation of a plurality of low liquid-repellent regions 41 and a plurality of high liquid-repellent films 40 of a higher liquid repellency than that of the low liquid-repellent region 41 along a direction in which the pressure adjustment space 32 extends.例文帳に追加

圧力調整管２２の内部空間である圧力調整空間３２には、複数の低撥液領域４１と、低撥液領域４１よりも撥液性が高い複数の高撥液膜４０とが、圧力調整空間３２の延在方向に沿って交互に形成されている。 - 特許庁