「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the operating efficiency for an ion implantation apparatus for conducing ion implantation, in order to form an impurity dispersed layer on a semiconductor wafer, for example, the producing process of a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、例えば、半導体装置の製造過程における、半導体ウェーハに不純物拡散層を形成するためにイオン注入を行うイオン注入装置に関し、稼働効率を向上させることが課題である。 - 特許庁

After that, a well region 41 is formed by performing first ion implantation on one surface side of the semiconductor substrate 1, and after that, second ion implantation for controlling threshold voltage of the MOS transistor 4 is performed.例文帳に追加

その後、半導体基板１の一表面側に第１のイオン注入を行ってウェル領域４１を形成してから、ＭＯＳトランジスタ４のしきい値電圧を制御するための第２のイオン注入を行う。 - 特許庁

An ion implantation layer 2 having impurity atoms which have peaks of impurity atom concentrations at a depth of 5-10 nm from the surface of a substrate 1 is formed, and the ion implantation layer 2 is recrystallized by recrystallization annealing.例文帳に追加

基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。 - 特許庁

To provide a highly accurate ion implantation simulation device considering to realize an amorphous of a crystal structure of a Si substrate by an implantation condition or the like of a high dose amount.例文帳に追加

高ドーズ量の注入条件などによるＳｉ基板の結晶構造のアモルファス化を考慮した、精度の高いイオン注入シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

The implantation layers 2, 3, 4 are formed through ion implantation with high energy of a metallic element of 1 MeV or higher and with a high dose of 1016 cm-2 or higher.例文帳に追加

この注入層２、３、４は、金属元素１ＭｅＶ以上の高エネルギで、かつ１０^16ｃｍ^-2以上の高ドーズ量でイオン注入することで形成される。 - 特許庁

The fluorine ion implantation is performed at a pulse frequency of 1 to 2 kHz, at room temperature, and at an implantation time of 150 to 400 min, preferably of 300 to 400 min.例文帳に追加

ふっ素イオン注入は、パルス周波数１〜２ｋＨｚ、室温にて、注入時間１５０〜４００分、好ましくは３００〜４００分の条件で行われる。 - 特許庁

A manufacturing process in which the ion implantation for the implantation separation area of the high-withstand voltage transistor and the ion implantation for the retrograde well formation are performed at the same time is provided to decrease the number of masks, reduce manufacturing processes accompanying them, and further provide a low-cost semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧トランジスタの注入分離領域とレトログレードウェルの作成の為のイオン注入を同時に行う製造プロセスを提供することによってマスク枚数の削減とそれに伴う製造工程の縮減さらには低コストの半導体装置を提供する。 - 特許庁

In order to add oxygen, it is preferable to use a method in which oxygen having high-energy is added by an ion implantation method, an ion doping method or the like.例文帳に追加

特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。 - 特許庁

In the dies for a rheometer, the surface in contact with a sample is treated with at least either of ion deposition treatment or ion implantation treatment.例文帳に追加

レオメータ用ダイスは、その、少なくともサンプルに接触する表面に、イオン成膜処理、およびイオン注入処理のうち少なくとも一方の処理を施した。 - 特許庁

With a photoresist layer 7 as a mask, the ion injection of boron (11B+) (first implantation) and the ion injection of phosphorus (31P+) are continuously performed.例文帳に追加

このホトレジスト層７をマスクとして、ボロン（^11Ｂ^+）のイオン注入（第１のイオン注入）、リン(^31Ｐ^+)のイオン注入（第２のイオン注入）を連続して行う。 - 特許庁

As a result, even when the hydrogen is ion-implanted by a low dosage, exfoliation is executed from the hydrogen ion implantation peak area 10d of a laminated wafer 30.例文帳に追加

その結果、水素を低ドーズ量でイオン注入しても、貼り合わせウェーハ３０の水素イオン注入ピーク領域１０ｄから剥離することができる。 - 特許庁

To significantly improve the productivity of a Faraday cup by efficiently performing ion implantation without lowering the current value of an ion beam even when the Faraday cup is used immediately after cleaning.例文帳に追加

洗浄直後のファラデーカップであってもイオンビーム電流値を下げることなくイオン注入を効率よく行い、生産性を大幅に向上する。 - 特許庁

When the amount of noise is within a specified range, the ion implantation process is started (S4), and normal measurement of an ion beam current using the Faraday cage is carried out (S5).例文帳に追加

ノイズ量が規格範囲内であればイオン注入処理が開始され（Ｓ４）、ファラデーを利用した通常のイオンビーム電流の測定が行われる（Ｓ５）。 - 特許庁

In a process of forming a second ion implanting layer, ion implantation is carried out so that temperatures of the plurality of wafers reach within a target temperature ±5°C.例文帳に追加

第２イオン注入層を形成する工程において、前記複数のウェーハの温度が目標温度±５℃以内に到達するようにイオン注入を行う。 - 特許庁

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5.例文帳に追加

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。 - 特許庁

An ion implanter carries out two-dimensional scanning of a substrate relative to a beam for ion implantation so that the beam draws a raster of scan line on the substrate.例文帳に追加

イオン注入装置は、イオン注入用ビームに対して基板の二次元走査を行って、ビームが基板上に走査線のラスタを描くようにする。 - 特許庁

A channel ion implantation region is formed by ion-implanting a dopant of a first conductivity type in the active region of the semiconductor substrate using the mask pattern.例文帳に追加

前記マスクパターンを前記半導体基板の活性領域に第１導電型のドープ剤をイオン注入してチャンネルイオン注入領域を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus capable of improving uniformity of a beam current density distribution in the Y-direction of an ion beam in a ribbon shape at an injection position.例文帳に追加

注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Focused ion beam used as the pattern defect correcting means allows ion implantation into the buffer layer 3 of the portion having the corrected pattern defect.例文帳に追加

パターン欠陥修正手段として用いる集束イオンビームにより、パターン欠陥が修正された部分の緩衝膜３にはイオンが注入されている。 - 特許庁

In a process of forming a first ion implanting layer, ion implantation is carried out so that temperatures of the plurality of wafers reach within a target temperature ±5°C.例文帳に追加

第１イオン注入層を形成する工程において、複数のウェーハの温度が目標温度±５℃以内に到達するようにイオン注入を行う。 - 特許庁

To detect lifting of a semiconductor wafer from a wafer holding part in real time at ion implanting in an ion implantation apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

イオン注入装置及び半導体装置の製造方法において、ウエハ保持部からの半導体ウエハの浮きをイオン注入時にリアルタイムに検出すること。 - 特許庁

The rotation of a work piece during the fixed ion beam scanning makes temporary temperature dissipation sufficient for promoting more uniform ion implantation treatment possible.例文帳に追加

固定されたイオンビームスキャンの間でのワークピースの回転は、より一様なイオン注入処理を進めるのに十分な、一時的な温度の放散を可能にする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device in which an ion implantation region which an ion-implanted region is not removed.例文帳に追加

イオン注入された領域であるイオン注入領域が除去されない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An ion implantation layer 6 is formed by driving aluminum ion 5 into a part of an SiC layer with a smoothed surface or an n-type drift layer 2.例文帳に追加

表面が平滑化されているＳｉＣ層であるｎ型ドリフト層２の一部にアルミニウムイオン５を打ち込んで、イオン注入層６を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a non-volatile memory element using ion implantation, and to provide the non-volatile memory element.例文帳に追加

イオン注入を利用した不揮発性メモリ素子の製造方法及び不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor of such a structure that can be manufactured at low cost without ion implantation.例文帳に追加

イオン注入を行わずに低コストで製造できる構造形態を備えた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Then, an anti-punch through layer 13A is formed in the P-type well 11A by a second ion implantation process.例文帳に追加

そして、第２のイオン注入工程により、Ｐ型ウエル１１Ａの中に、パンチスルー防止層１３Ａを形成する。 - 特許庁

Then, ion implantation is performed using the silicon oxide films 21, 24 as masks to form n+ type source regions 4.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜２１、２４をマスクとしたイオン注入を行ってｎ+型ソース領域４を形成する。 - 特許庁

After that, each gate electrode is patterned, and source and drain regions are formed in the well region 13 by ion implantation of impurities in the well region 13.例文帳に追加

その後、各ゲート電極をパターニングし、不純物のイオン注入によりソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

An ion implantation to the second metallic layer 3 in the case of the over-etching of the second metallic layer 3 can be inhibited.例文帳に追加

第２の金属層３のオーバーエッチングの際における第２の金属層３へのイオン入射を抑制できる。 - 特許庁

To adjust a threshold voltage of a transistor independently even if ion implantation is carried out commonly for a plurality of transistors.例文帳に追加

複数のトランジスタにおいて、イオン注入を共通化しても、トランジスタの閾値電圧を個別に調整する。 - 特許庁

To uniformly treat the surface of an object for ion implantation and to realize constant-temperature heat treatment control.例文帳に追加

被処理物のイオン注入の表面処理を均一になし得るとともに、定温加熱制御を実現する。 - 特許庁

To form an impurity region having an LDD structure, only through a one-time ion implantation step, without forming a gate spacer film.例文帳に追加

ゲートスペーサ膜を形成せずに１回のイオン注入工程のみでLDD構造の不純物領域を形成する。 - 特許庁

METHOD/AND APPARATUS FOR ION IMPLANTATION, METHOD/AND APPARATUS FOR OPERATION CONTROL, METHOD/AND APPARATUS FOR MANUFACTURING CIRCUIT, INFORMATION STORAGE MEDIUM, AND SILICON WAFER例文帳に追加

イオン注入方法／装置、動作制御方法／装置、回路製造方法／装置、情報記憶媒体、シリコンウェハ - 特許庁

To provide a mask ROM in such a structure that the degradation of OFF cells due to the implantation ion of ON cells is prevented.例文帳に追加

オンセルの注入イオンによるオフセルの劣化が防止されている構造のマスクＲＯＭを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the effect of reducing stress due to ion implantation is prevented from decreasing due to heat treatment.例文帳に追加

イオン注入による応力低減効果の熱処理による減退を抑えた半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a high breakdown voltage without using a combination of ion implantation and high temperature heat treatment.例文帳に追加

イオン注入と高温熱処理の組み合わせを用いずに、高耐圧な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress occurrence of crystal defects due to recoiled oxygen by reducing the recoiled oxygen due to ion implantation.例文帳に追加

イオン注入によるリコイル酸素を低減し、リコイル酸素による結晶欠陥の発生を抑制することにある。 - 特許庁

Therefore, the arrangement of the shielding plate avoids direct ion implantation onto the shaded periphery section of the substrate.例文帳に追加

従って、遮蔽板を配置することによって、その陰になる基板外周部にはイオンが直接入射しない。 - 特許庁

Thereby, an ion implantation region 3 having a prescribed pattern and prescribed depths is formed in the substrate 1 (process (a)).例文帳に追加

これにより、基板１中に所定パターンで所定深さを有するイオン注入領域３が形成される（ａ）。 - 特許庁

The doped glass layer 30 formed by ion implantation can reduce dislocation density of the silicon layer 32.例文帳に追加

イオン注入により形成されたドープ・ガラス層３０は、シリコン層３２の転位密度を減少させることができる。 - 特許庁

The doped glass layer 30 contains boron silicate glass and it can be formed by ion implantation of oxygen and boron.例文帳に追加

ドープ・ガラス層３０は、硼珪酸塩ガラス（boron silicate glass）含み、酸素と硼素のイオン注入により形成することができる。 - 特許庁

External impact is then applied to the laminate interface thus exfoliating silicon along the hydrogen ion implantation interface 12.例文帳に追加

そして、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面１２に沿ってシリコンの剥離を行う。 - 特許庁

To provide an ion implantation device and its control method wherein electrostatic charge of a wafer can be prevented surely.例文帳に追加

ウエーハの帯電を確実に防止することが可能なイオン注入装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a variable opening assembly and a beam line assembly for an ion implantation device and a control device therefor.例文帳に追加

イオン注入装置用の可変開口アセンブリ、ビームラインアセンブリ及びそのための制御装置を提供すること。 - 特許庁