「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A photoresist 103, the gate structures 10 and 14 and element separating insulation films 5b and 5c are used for an implantation mask and the ion implantation of N-type impurities 104 is performed.例文帳に追加

フォトレジスト１０３、ゲート構造１０，１４、及び素子分離絶縁膜５ｂ，５ｃを注入マスクに用いて、Ｎ型不純物１０４をイオン注入する。 - 特許庁

When oxygen is ion-implanted to a wafer 10 for an active layer, the hydrogen is ion-implanted inside an oxygen ion implantation peak area 10a thereafter and the oxygen ion implantation peak area 10a and a hydrogen ion implantation peak area 10d are matched, the hydrogen and the oxygen react inside the wafer 10 for the active layer at the time of the exfoliation heat treatment at 1,100°C and steam bubbles are generated.例文帳に追加

活性層用ウェーハ１０に酸素をイオン注入し、その後、酸素イオン注入ピーク領域１０ａ内に水素をイオン注入し、酸素イオン注入ピーク領域１０ａと水素イオン注入ピーク領域１０ｄとを合致させれば、１１００℃での剥離熱処理時、活性層用ウェーハ１０内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生する。 - 特許庁

To provide a method of generating an ion implantation distribution and a simulation thereof which can accurately reproduce actual ion implantation distribution, over a range extending from an energy level of as low as 1 keV, to an energy level of as high as several MeVs.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、１ｋｅＶ程度の低エネルギー領域から数ＭｅＶの高エネルギー領域に渡って、実際のイオン注入分布を精度良く再現する。 - 特許庁

A standard specimen is prepared by ion implantation of an element C into a basal plate composed of the same base material as a specimen containing an element C to be measured under the ion implantation conditions set.例文帳に追加

測定対象の元素Ｃが含まれている試料と同一の母材より構成された基板に、元素Ｃを設定されたイオン注入条件でイオン注入して標準試料を作製する。 - 特許庁

Then, a high-concentration p-type diffusion layer 108 is formed by ion implantation, and a high-concentration n-type diffusion layer 109 is formed at the upper portion of the high-concentration p-type diffusion layer 108 by ion implantation.例文帳に追加

その後、高濃度Ｐ型拡散層１０８をイオン注入により形成した後、高濃度Ｐ型拡散層１０８の上方に高濃度Ｎ型拡散層１０９をイオン注入により形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for an ion implantation process which ensures a good profile, a small change in line width at the time of variation in film thickness, and large exposure latitude, and an ion implantation method using the same.例文帳に追加

プロファイル良好で、膜厚変動時の線幅変化が小さく、露光ラチチュードが広い、イオン注入工程用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

This surface treatment method is characterized in that ion implantation is applied to the surface of the implant member for the organism by a plasma ion implantation method to thereby form a surface modified layer with excellent wear resistance and corrosion resistance.例文帳に追加

プラズマイオン注入法を用いて、生体用インプラント部材表面にイオン注入を施し、耐摩耗性及び耐食性に優れる表面改質層を形成する、表面処理方法である。 - 特許庁

The ion implantation at a high acceleration and a high dose may not be done, and if under conditions that two kinds or more of dopants are subjected to the ion implantation at an equal ratio and with the dose quantity adjusted, the given temperature characteristics can be obtained.例文帳に追加

高加速、高ドーズのイオン注入をしなくても、２種類以上のドーパントが同等の比でかつドーズ量が調整されてイオン注入されていれば、所定の温度特性が得られる。 - 特許庁

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method capable of suppressing the reduction of the well isolation breakdown voltage when the well is formed using a batch type ion implantation apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation distribution generating method and a simulation device which give a physical significance to a proportionality coefficient ξ_L of a parameter L representing the extent of the tail of an ion implantation distribution on a tail function.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレーション装置に関し、テール関数におけるイオン注入分布のテールの拡がりを表すパラメータＬの比例係数ξ_Ｌに物理的意味を持たせる。 - 特許庁

Subsequently, the resist 2 is dissolved and eliminated, a new resist 2 is applied, an opening part is formed on another place and the ion implantation is performed with another acceleration voltage different from the acceleration voltage in the ion implantation performed previously.例文帳に追加

続いて、レジスト２を溶解除去し、新しいレジスト２を塗布して、別の場所に開口部を設け、先に行ったイオン注入における加速電圧とは別の加速電圧でイオン注入を行う。 - 特許庁

By conduction ion implantation, layers 20 having disturbed state oxide film structures are formed on the tops of the sidewalls 15 due to the ion implantation, but the layers 20 are removed through anisotropic etching, which is performed on the oxide film.例文帳に追加

このとき、酸化膜サイドウォール１５の上部にはこのイオン注入により酸化膜構造の乱れた状態の層２０が形成されるが、その層２０を酸化膜の異方性エッチングにより除去する。 - 特許庁

Additionally, in a gate implantation, although not only the channel of the transistor, but also a region where the diffusion layer is formed in the periphery of the channel is ion-implanted, the effect of its ion implantation is not considered at all.例文帳に追加

また、ゲート注入では、トランジスタのチャネルだけでなく、その周囲の拡散層が形成される予定の領域にもイオンが注入されるが、そのイオン注入の影響が全く考慮されていない。 - 特許庁

To provide an ion implantation method in which a carbon ion implantation current higher than 10 mA is achieved stably with high efficiency, and to provide a method of manufacturing silicon carbide utilizing the same method.例文帳に追加

安定的に高効率で、１０ｍＡ以上の炭素イオン注入電流を実現することができるイオン注入方法、及びそれを利用した炭化シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

Arsenic ion implantation 13 is conducted to a source-drain contact aperture of an N-channel MOS transistor, and ion implantation layers 14 are formed in an N^+ source layer 9 and an N^+ drain layer 10.例文帳に追加

本発明では、ＮｃｈＭＯＳトランジスタのソース・ドレインコンタクト開口部に砒素イオン注入１３を行い、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内にイオン注入層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a simulation method of ion implantation distribution capable of performing calculations with high accuracy and at high speed even when ion implantation for large cluster-type molecule, such as octadecaborane B_18H_22 or the like, is carried out.例文帳に追加

オクタデカボランＢ_１８Ｈ_２２のような大きなサイズのクラスター型分子イオン注入であっても、高精度かつ高速に計算ができるイオン注入分布のシミュレーション方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which enables ion implantation of dopant to a deep region to result in activation without increasing a heat load and without using a high-energy ion implantation device.例文帳に追加

半導体の製造に際し、熱負荷を増大させることなく、また、高エネルギーのイオン注入機を必要とすることなく深い領域までドーパントを注入して活性化することを可能にする。 - 特許庁

The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation.例文帳に追加

再結合領域７は、ベース領域４の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。 - 特許庁

The method for manufacturing the SIMOX wafer having a process of oxygen ion implantation has a process in which hydrogen ions are implanted by doses of 10^15-10^17/cm^2 either before or after the oxygen ion implantation process.例文帳に追加

酸素イオンを注入する工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、前記酸素イオン注入工程の前後いずれかで、水素イオンを、10^15〜10^17／cm^２のドーズ量で注入する工程を有する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

When implantation of the impurity ions is performed for the second time, ion implantation is performed under the condition where ion concentration is comparatively low and acceleration voltage is high, and the resistance value of a first polycrystalline silicon film 6 is adjusted.例文帳に追加

２回目に不純物イオンを注入するときには、イオン濃度を比較的低く高加速電圧の条件でイオン注入し、第１の多結晶シリコン膜６の抵抗値を調整する。 - 特許庁

An imperfect embedded oxide film 12 is formed in the surface layer by decreasing an ion implantation amount of oxygen in the surface layer of a silicon wafer 11 and heat-treating an ion implantation layer 15 during low temperature epitaxial growth.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１の表層への酸素のイオン注入量を低減し、イオン注入層１５を低温のエピタキシャル成長時に熱処理し、表層に不完全埋め込み酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

To make ion implantation possible even when a raw material of ions intended to be implanted into a substrate is a solid such as chromium, iron or carbon, and to achieve a sufficient effect by ion implantation.例文帳に追加

基体に注入したいイオンの原料がクロム、鉄、炭素のような固体状のものであってもイオン注入を可能にし、且つ十分なイオン注入効果が得られるようにすることにある。 - 特許庁

An ion implantation process 110 of impurity ions, an ion implantation process 120 of Si+ ions and a heat treatment process 130 are performed in this order in a wafer treatment process 100 for an Si substrate.例文帳に追加

ウェハ処理工程１００では，Ｓｉ基板に対して，不純物イオンのイオン注入工程１１０とＳｉ＋イオンのイオン注入工程１２０と熱処理工程１３０とが順次行われる。 - 特許庁

A first impurity ion implantation for doping impurities to a silicon film 8 and a second impurity ion implantation for bringing the upper part of the film 8 into an amorphous state are performed separately from each other at room temperature.例文帳に追加

シリコン膜８へ不純物ドーピングするための第１不純物のイオン打ち込みと、シリコン膜８の上部をアモルファス化するための第２不純物のイオン打ち込みとを室温で別々に行う。 - 特許庁

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration.例文帳に追加

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。 - 特許庁

The stencil mask for ion implantation has a through hole pattern for ion implantation formed at a thin film part supported on a support wherein an ion absorbing layer is formed at least on the side (surface side) of the thin film part being irradiated with an ion beam.例文帳に追加

支持体に支持された薄膜部にイオン注入用の貫通孔パターンを形成してなるイオン注入用ステンシルマスクであって、前記薄膜部の少なくともイオンビームが照射される側（表面側）に、イオン吸収層を形成したことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

In this case, the opening for exposing a part of the substrate is provided at the insulating layer, before being subjected to ion-implantation.例文帳に追加

この場合、基板の一部を露出する開口を絶縁層に設けた後イオン注入を実施する。 - 特許庁

As for the high-voltage transistor, because the ion implantation is performed through the gate insulating film 11a, the high concentration impurity diffusion region is formed shallower.例文帳に追加

高電圧トランジスタについてはゲート絶縁膜１１ａを介して行うので、浅く形成される。 - 特許庁

The part having a high content of nonmagnetic atoms is formed by performing ion implantation of nonmagnetic atoms 22.例文帳に追加

非磁性原子の含有率の高い部分は、非磁性原子２２をイオン注入することによって形成する。 - 特許庁

To improve film thickness uniformity of an SOI layer by paying attention to temperature unevenness of a wafer during oxygen ion implantation.例文帳に追加

酸素イオン注入時のウェーハ温度むらに着目し、ＳＯＩ層の膜厚均一性を向上させる。 - 特許庁

When the ion implantation is performed, the interlayer dielectric 11 is withdrawn and the source electrode 10 is formed.例文帳に追加

また、このイオン注入の後、層間絶縁膜１１を後退させ、ソース電極１０を形成する。 - 特許庁

A support is then bonded to the insulating film, and the piezoelectric substrate with the ion implantation layer formed thereon is heated.例文帳に追加

そして、この絶縁膜に支持体を接合し、イオン注入層が形成された圧電基板を加熱する。 - 特許庁

Then an n-type source region 9 is formed in the substrate 1 by injecting arsenic (As^-) into the substrate 1 through ion implantation and thermal diffusion.例文帳に追加

次に、ヒ素（Ａｓ^−）をイオン注入、熱拡散して、ｎ＋型のソース領域９を形成する。 - 特許庁

The substrate 1 is heated to form the voids 15 while an ion implantation surface is pressurized by the aqueous solution.例文帳に追加

融液で、基板１のイオン注入面を加圧しながら、基板１を加熱して、ボイド１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming an ion implantation mask, having steep side faces whose patterns, are less likely to be tapered.例文帳に追加

急峻な側面を有し、パターンが細り難い、イオン注入マスクの形成方法を提供する。 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE, AND METHOD FOR UNIFORMIZING TEMPERATURE DISTRIBUTION OF WAFER IN THE DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置、イオン注入装置におけるウエハの温度分布を所定温度に均一化する方法 - 特許庁

To provide an ion implantation device which controls the verticality on the same reference for every substrate to be treated.例文帳に追加

処理基板ごとに同じ基準によって垂直度を制御できるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

All resists are removed to provide a registration mark M2 for an ion implantation region.例文帳に追加

次に、レジストをすべて除去し、これによって、イオン注入領域に対する重ね合わせマークＭ２を得る。 - 特許庁

After being stripped bordering on the ion implantation layer, the SOI wafer is oxidized in oxidizing atmosphere.例文帳に追加

このイオン注入層を境界として剥離した後、ＳＯＩウェーハを酸化性雰囲気で酸化処理する。 - 特許庁

Consequently, the amorphous silicon film 21 is formed in a hydrogen ion implantation layer 41.例文帳に追加

水素イオン４０のイオン注入により、水素イオン注入層４１がアモルファスシリコン膜２１内に形成される。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING ION IMPLANTATION DISTRIBUTION, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR DESIGNING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入分布の評価方法、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置の設計方法 - 特許庁

Ion implantation 108 of n-type impurities is performed, and an n-type extension region 109 is formed.例文帳に追加

そして、ｎ型不純物のイオン注入１０８を行い、ｎ型エクステンション領域１０９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where ion implantation of arsenic into a gate electrode can be suppressed.例文帳に追加

ゲート電極中への砒素のイオン注入を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁