「ion implantation」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

ION IMPLANTATION DEVICE AND METHOD FOR SPECIFYING PART WHEREIN CAUSE OF PARTICLE INCREASE OCCURS例文帳に追加

イオン注入装置、イオン注入装置におけるパーティクルの増加原因発生箇所を特定する方法 - 特許庁

The N^+-diffusion area 3 and the P^+-diffusion area 4 are separately made by using an ion implantation mask.例文帳に追加

Ｎ^＋拡散領域３とＰ^＋拡散領域４とはイオン注入マスクを用いて作り分ける。 - 特許庁

To provide a low-loss semiconductor device in which loss caused by ion implantation damage is suppressed.例文帳に追加

イオン注入ダメージにより生ずる損失が抑制された低損失な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Information is written by using not channel dope but implantation ion seed into an impurity region of an active region.例文帳に追加

チャネルドープではなく、活性層の不純物領域への注入イオン種によって情報を書き込む。 - 特許庁

To keep oxide contamination on a substrate surface prior to ion implantation at a low level, after a polymetal gate has been processed.例文帳に追加

ポリメタルゲート加工後、イオン注入に先立って、基板表面の酸化物汚染を低レベルに保つ。 - 特許庁

Ion implantation for regulating the threshold voltage is limited to a part of a channel region 15.例文帳に追加

また、しきい値電圧調節用のイオン注入をチャネル領域１５の一部に限定して行っている。 - 特許庁

The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method.例文帳に追加

Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁

METHOD AND PROGRAM FOR EXTRACTING PARAMETER EXPRESSING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION PRODUCED BY ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入による不純物濃度分布を表現するパラメータの抽出方法及び抽出プログラム - 特許庁

SELECTIVE ION IMPLANTATION INTO FLUOROPOLYMER FILM FOR CORRECTING SENSITIVITY OF UNDERLYING DETECTION-CAPACITOR例文帳に追加

下側に存在する検知用コンデンサの感度を修正するためのフルオロポリマー膜の選択的イオン注入 - 特許庁

A first impurity region 22 constituting the floating diffusion layer 60 is formed by ion implantation.例文帳に追加

浮遊拡散層６０を構成する第１の不純物領域２２をイオン注入により形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate after ion implantation is exposed to high-density plasma and then subjected to heat treatment for activation.例文帳に追加

イオン注入後の半導体基板を、高密度プラズマにさらしてから、活性化のための熱処理を行う。 - 特許庁

The ion implantation device provided with a disk 2 and a plurality of wafer retaining parts 3 retaining wafers 1 is provided.例文帳に追加

ディスク２と、ウェハ１を保持する複数のウェハ保持部３とを備えたイオン注入装置を用いる。 - 特許庁

Then, the film thickness of the polysilicon film 42 is a film thickness for enabling impurities to pass in ion implantation.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜４２の膜厚は、イオン注入の際に、不純物が通過できる膜厚である。 - 特許庁

Then, the film thickness of the polysilicon film 43 is a film thickness for enabling impurities to pass in ion implantation.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜４３の膜厚は、イオン注入の際に、不純物が通過できる膜厚である。 - 特許庁

To suppress plane channeling at the time of ion implantation without changing a crystal plane direction of a wafer itself.例文帳に追加

ウェハ自体の結晶面方位を変更することなく、イオン注入時の面チャネリングを抑制する。 - 特許庁

The ion implantation step implants ions into the thin film processed into the prescribed shape.例文帳に追加

イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。 - 特許庁

Phosphorus(P) is doped from the upper part of the protective film 2 to the polysilicon film 1 by an ion implantation method.例文帳に追加

この保護膜２の上から、多結晶シリコン膜１に対してリン（Ｐ）をイオン注入法で添加する。 - 特許庁

The source/drain extension region 10 is formed by a cluster injection in place of an ordinary ion implantation.例文帳に追加

ソース／ドレイン・エクステンション領域１０を、通常のイオン注入ではなく、クラスタ注入によって形成する。 - 特許庁

In another embodiment, while modulating an electromagnetic field added to a mass spectrometer 3, the ion implantation is carried out.例文帳に追加

別の態様では、質量分析装置３に加える電磁界を変調しながらイオン注入を行う。 - 特許庁

To suppress dispersion of quantity of ion implantation caused by variability of the thickness of remaining film on a substrate (gate electrode).例文帳に追加

基板（ゲート電極）上の残膜厚ばらつきに起因するイオン注入量ばらつきを抑止する。 - 特許庁

A p-side electrode 18 is used as a mask for ion implantation to further simplify the process.例文帳に追加

また、イオン注入のマスクとしてｐ側電極１８を用いて、工程を更に簡略化することができる。 - 特許庁

Thus a width of a diffusion source wire formed by subsequent ion implantation and thermal diffusion is secured.例文帳に追加

このため、この後のイオン注入、熱拡散によって形成される拡散ソース配線の幅が確保される。 - 特許庁

The lower layer portion 3a of a p-type base region 3 is formed not by ion implantation but by epitaxial growth.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の下層部３ａをイオン注入ではなくエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

Subsequently, an RTA treatment is performed to recover the crystal defect generated by ion implantation.例文帳に追加

その後に、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のためのＲＴＡ処理を行う。 - 特許庁

Ion implantation process for implanting heavily impurities which are low in diffusion coefficient within a substrate is carried out.例文帳に追加

重くて基板内の拡散係数が低い不純物を注入するイオン注入工程が実施される。 - 特許庁

A formation depth d1+tx from a first main surface J of an ion implantation layer 4 for peeling in a process for forming the ion implantation layer for peeling is adjusted by the energy of ion implantation, to adjust the thickness of a coupling silicon single crystal thin film 15 according to the thickness of the SOI layer 5 to be obtained.例文帳に追加

得るべきＳＯＩ層５の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜１５の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さｄ１＋ｔｘを、イオン注入のエネルギーにより調整する。 - 特許庁

To provide a method for confirming an ion implantation status in which ununiformity of ion implantation caused by malfunctions of equipment during the ion implantation, or the like is detected in a early stage and without any difficulty to permit the quality stabilization of a product and the reduction of the failure period thereof; and a method for manufacturing a semiconductor wafer utilizing the same.例文帳に追加

イオン注入時の装置上の不具合などによるイオン注入の不均一性を早期に、かつ、容易に発見し、製品の品質安定化、故障期間の短縮化を図ることができるイオン注入状況の確認方法とそれを利用した半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The pattern inspecting method includes: a film forming process of forming a film on a substrate; an ion implantation pattern forming process S12 of forming an ion implantation pattern on the film through an opening pattern formed on a stencil mask; and an optical inspecting process S13 of optically inspecting the ion implantation pattern based upon the opening pattern.例文帳に追加

基板上に膜を形成する膜形成工程と、ステンシルマスクに形成された開口パターンを通じて前記膜にイオン注入パターンを形成するイオン注入パターン形成工程Ｓ１２と、イオン注入パターンを開口パターンに基づいて光学的に検査する光学的検査工程Ｓ１３とを備える。 - 特許庁

In an ion implantation process, ion implantation is performed from an orientation where ions passing the upper end of the resist pattern enter the side of the resist pattern from the active region while the tilt angle from the normal direction of the substrate is larger than θ_0, and no ion implantation is performed from an orientation where the ions enter the active region.例文帳に追加

イオン注入工程において、基板法線方向からのチルト角がθ_０よりも大きく、かつレジストパターンの上端を通過したイオンが、活性領域よりもレジストパターン側に入射する方位からイオン注入を行い、かつ活性領域内に入射する方位からはイオン注入を行わない。 - 特許庁

A memory cell is formed of a single MOS transistor, wherein an ion implantation stop film 7 is formed outside the channel region of the MOS transistor, and code ions are implanted into the channel region of a prescribed MOS transistor by the use of an ion implantation mask that includes the ion implantation stop film 7 to set the MOS transistor at a prescribed threshold value.例文帳に追加

１個のＭＯＳトランジスタで構成されるメモリセルにおいて、ＭＯＳトランジスタのチャネル領域外にイオン注入阻止膜が形成され、このイオン注入阻止膜を含むイオン注入マスクでもって所定のＭＯＳトランジスタのチャネル領域にコードイオン注入がなされ所定のトランジスタしきい値に設定される。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes an ion implantation step, a carbon layer formation step, an ion activation step, and a carbon layer removal step.例文帳に追加

半導体素子の製造方法は、イオン注入工程と、カーボン層形成工程と、イオン活性化工程と、カーボン層除去工程と、を含む。 - 特許庁

An element ion implantation layer is formed in a position of a prescribed depth from the surface by implanting prescribed element ion from the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面から所定の元素イオンを注入して、この表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成する。 - 特許庁

Fluorine ions are implanted into a base material consisting of a Ti-Al based alloy in a fluorine ion-containing plasma by a plasma base ion implantation method.例文帳に追加

Ｔｉ−Ａｌ系合金からなる基材をフッ素イオン含有プラズマ中においてプラズマベースイオン注入法でフッ素イオンを注入する。 - 特許庁

This manufacturing method for semiconductor element includes a step for scanning a plurality of regions of a semiconductor substrate with ion beams with ion implantation conditions different from one another for each region.例文帳に追加

半導体基板の複数の領域に各領域ごとに相異なるイオン注入条件でイオンビームを走査するステップを有する。 - 特許庁

Then, the ion beam is optimized along the optimized predetermined scanning path to form an ion-implantation area in the predetermined area of the substrate.例文帳に追加

次に、イオンビームは、最適化された所定のスキャンパスに沿って最適化されて、基板の所定の領域内にイオン注入領域を形成する。 - 特許庁

This ion implantation device 100 is composed by structuring a mechanism from an ion source part 101 through a beam line part 102 to an end station part 103.例文帳に追加

イオン注入装置１００は、イオンソース部１０１からビームライン部１０２を介してエンドステーション部１０３に至る機構が構成されている。 - 特許庁

Since the ion absorbing layer is formed, lifetime and durability can be enhanced at the thin film part of the stencil mask for ion implantation.例文帳に追加

このように、イオン吸収層を形成することにより、イオン注入用ステンシルマスクにおける薄膜部の寿命及び耐久性を向上できる。 - 特許庁

To provide a composite surface processing device that serves as an ion implantation device using an ion beam and also as a plasma doping device at the same time, and carries out a low-energy ion doping process using an ion beam with high accuracy and high efficiency.例文帳に追加

イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。 - 特許庁

A turbo molecular pump 13a provided on the ion source 12 evacuates an arc-chamber 12a of an ion source 12 arranged for an exchange in a predetermined position of an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源１２のアークチャンバ１２ａ内の排気を、イオン源１２に設けられたターボ分子ポンプ１３ａを用いて行う。 - 特許庁

An HVN(high voltage n)-ion implantation is conducted to only the floating diffusion region, the bit line diffusion region and is not applied to the common source region, and an LVN(low voltage n)-ion implantation also is not applied to the common source region.例文帳に追加

ＨＶＮ−イオン注入をフローティング接合領域およびビットライン接合領域にのみ実施して共通ソース領域には実施せず、ＬＶＮ−イオン注入も共通ソース領域には適用しない。 - 特許庁

To improve the reliability of a product, by providing an ion implantation angle monitoring wafer where change of ion implantation angle can be recognized in a short time by visual monitoring, and to provide a monitoring method which uses the product.例文帳に追加

短時間で視覚的なモニタリングによってイオン注入角度の変化を認識することができるイオン注入角度モニタリングウェハとそれを用いたモニタリング方法を提供し、製品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

In order to decrease the number of sheets of mask, an ion implantation mask (photoresist layer 8) for regulating the threshold voltage of an N-channel MOS transistor is also used in ion implantation for forming a P-type well region.例文帳に追加

マスク枚数を削減するために、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧調節用イオン注入とＰ型ウエル領域形成用イオン注入を同一のマスク（ホトレジスト層８）を用いて行うことに着目した。 - 特許庁

Subsequently, a hydrogen ion implantation layer is formed in the first amorphous silicon thin film in the vicinity of the boundary region to the glass substrate which is then separated from a strained part formed by heating the hydrogen ion implantation layer.例文帳に追加

その後、ガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜内に水素イオン注入層を形成し、この水素イオン注入層を加熱して形成した歪み部から絶縁基板を分離する。 - 特許庁

To provide an ion implantation system capable of implanting ions selectively in a specified area so as to implant ions of a variety of conditions into one semiconductor substrate, and an ion implantation method using the same.例文帳に追加

一つの半導体基板にいろいろな条件のイオンを注入できるように特定領域に選択的にイオン注入が可能なイオン注入システム及びこれを用いたイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。 - 特許庁