「PN junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A mask to which a metal thin film not transmitting electron beams is attached is used, and a defective region is locally formed only at a guard ring region and a pn junction formed by a substrate, thus reducing the reverse recovery time Trr without increasing the leakage current in the opposite direction.例文帳に追加

電子線を透さない金属薄膜を付けたマスクを用い、ガードリング領域と基板が形成するＰＮ接合部のみに局部的に欠陥領域を形成する事により、逆方向のリーク電流が増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suppress a current from flowing through a pn junction location when a forward voltage is applied thereto, can keep a breakdown voltage upon the application of the forward voltage, and also can suppress an inverse saturation current; and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

順方向電圧を印加した場合にＰＮ接合箇所において電流が流れるのを抑制することができ、逆方向電圧を印加した場合の耐圧を保持し、さらに、逆方向飽和電流を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A current is supplied to the nanotube 1 between the second electrode 4 and the electrode 6 to heat the nanotube, so that adsorbed oxygens are desorpted from the nanotube to convert that heated region of the nanotube to an n type and to form a pn junction between the n type region and the not-conducted p type region 1 (Figure (c)).例文帳に追加

第２の電極４と通電加熱用電極６との間のｐ型カーボンナノチューブ１に通電して加熱し、吸着されていた酸素を脱着させ、この領域のカーボンナノチューブをｎ型化し、通電されずｐ型のままの領域１との間にｐｎ接合を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

To provide an epitaxial crystal excellent in crystallinity of a p-type conduction layer and steepness of pn junction and useful as a substrate for electronic device such as HBT in which the p-type conduction layer is composed of a compound semiconductor layer principally comprising C added InGaAs.例文帳に追加

ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。 - 特許庁

To improve avalanche resistance in a super junction semiconductor device having such a parallel pn structure that a drift layer is formed by bonding alternately and repeatedly a drift area formed of an n-type semiconductor area with higher impurity concentration and a partitioning area formed of a p-type semiconductor area.例文帳に追加

ドリフト層を、不純物濃度を高めたｎ型半導体領域よりなるドリフト領域とｐ型半導体領域よりなる仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列ｐｎ構造とした超接合半導体素子において、アバランシェ耐量を向上させること。 - 特許庁

A method includes: providing a semiconductor including a front side, a back side, and a PN junction, the front side including a pattern of conductive tracks including an underlayer and the back side including metal contacts; contacting the semiconductor with a monovalent copper plating composition; and plating a copper layer on the underlayer of the conductive tracks.例文帳に追加

前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging device includes inorganic photoelectric conversion units PD1, PD2 having a pn junction and an organic photoelectric conversion unit 39 including an organic photoelectric conversion layer 36, which are laminated in the same pixel 20 in a depth direction from the light incident side and on which light is incident without passing through a color filter.例文帳に追加

さらに、同一の画素２０内で受光面側から深さ方向に積層されてカラーフルタを介さずに光が入射される、ｐｎ接合を有する無機光電変換部ＰＤ１、ＰＤ２及び有機光電変換膜３６を有する有機光電変換部３９を有する。 - 特許庁

The solar battery is manufactured by dipping a polycrystalline silicon substrate into a solution 24 containing silicon and forming a pn-junction in a silicon film by growing the silicon film on a substrate 28 while decreasing the temperature lowering rate of the solution with time during dipping of the substrate in the solution.例文帳に追加

シリコンを含む溶液２４に多結晶シリコン基板２８を浸漬し、基板が溶液に浸漬している間の該溶液の降温速度を時間とともに小さくしてシリコン膜を基板２８上に成長させ、このシリコン膜にｐｎ接合を形成して太陽電池を製造する。 - 特許庁

Although, a parasitic diode is formed in the IGBT by PN junction of a p^+ collector region 1 and the n^+ type buffer layer 2, the n^+ type buffer layers 2 floating in an actual device are connected through the resistor 13.例文帳に追加

すなわち、ＩＧＢＴにはｐ^+型コレクタ領域１とｎ^+型バッファ層２とによるＰＮ接合によって寄生ダイオードが形成されることになるが、この寄生ダイオードのうち実際のデバイスではフローティング状態となる各ｎ^+型バッファ層２が抵抗１３を介して接続された構成とする。 - 特許庁

The hybrid photoelectric conversion part 14 has a semiconductor layer 12 with a pn junction, a plurality of columnar organic material layer 13 arranged in the semiconductor layer, and a pair of electrodes 22 and 23 arranged vertically to sandwich the semiconductor layer 12 and the organic material layer 13.例文帳に追加

混成型の光電変換部１４は、ｐｎ接合を有する半導体層１２と、半導体層内に配置された複数の柱状の有機物質層１３と、半導体層１２及び有機物質層１３を挟んで上下に配置された一対の電極２２、２３とを有する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is almost spherical, a pn junction is constituted by coating a p-type amorphous SiC (abbreviated name a-SiC) plies or layers 8 with large optical band gap rather than a-Si on the periphery of an n-type amorphous silicon (abbreviated name a-Si) plies or layers 7 by the side of centrum.例文帳に追加

光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のｎ形アモルファスＳｉ（略称ａ−Ｓｉ）層７の外周面上に、ａ−Ｓｉよりも光学的バンドギャップが広いｐ形アモルファスＳｉＣ（略称ａ−ＳｉＣ）層８を被覆し、ｐｎ接合を構成する。 - 特許庁

The reflection of infrared rays is controlled by forming a pn structure, pin structure, MIS structure, MIM structure or Schottky junction by stacking a translucent semiconductor film, a translucent electroconductive film, a translucent insulating film or the like on a glass substrate and electrically controlling the carrier concentration in these films.例文帳に追加

ガラス基板上に、透光性半導体膜、透光性導電膜、透光性絶縁膜等を積層して、ｐｎ構造、ｐｉｎ構造、ＭＩＳ構造、ＭＩＭ構造又はショットキー接合を形成し、それらの膜中のキャリア濃度を電気的に制御して赤外線の反射をコントロールする。 - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

The electronic element has a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, wherein the first semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a copper oxide, and the second semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a rare earth iron oxide.例文帳に追加

第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子において、第１の半導体層を、酸化銅で形成した酸化物半導体層とし、第２の半導体層を、希土類鉄酸化物で形成した酸化物半導体層とする。 - 特許庁

A second p-type drift layer 64 is formed, that is diffused into an epitaxial semiconductor layer 51 deeper than a first drift layer 65, is extended from the lower portion of the first drift layer 65 to that of the gate electrode 54, and forms a pn junction with the body layer 63 at the lower portion of the gate electrode 54.例文帳に追加

第１のドリフト層６５より深くエピタキシャル半導体層５１の中に拡散され、第１のドリフト層６５の下方からゲート電極５４の下方へ延びて、このゲート電極５４の下方でボディ層６３とＰＮ接合を形成するＰ型の第２のドリフト層６４が形成されている。 - 特許庁

To provide a mesa type semiconductor device of high withstand voltage and high reliability by solving problems with a mesa type semiconductor device, which are deterioration in a withstand voltage and occurrence of a leakage current caused by reduced thickness of a second insulation film 10 on an inner wall 11 of a mesa groove corresponding to a PN junction PNJC, and to provide its method for manufacturing.例文帳に追加

ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという問題を解決し高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。 - 特許庁

The p^+-layers 15 project to inside of an n^--layer 5, and an electric field around the p^+-layers 15 can be intensified, so that breakdown voltage at a Zener diode structure of pn junction composed of the p^+-layers 15 and the n^--layer 5 can be dropped to be lower than the breakdown voltage in the cell region.例文帳に追加

Ｐ＋層１５は、Ｎ−層５の内部に突き出ており、Ｐ＋層１５の周囲の電界を強くすることができるので、Ｐ＋層１５およびＮ−層５からなるＰＮ接合のツェナーダイオード構造部分の降伏電圧をセル領域の降伏電圧よりも下げることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high quality in which an IGBT type formation region and a formation region for a control circuit thereof etc., are separated by a PN junction separating method, a leakage current from an IGBT is not generated, and a CMOS transistor such as the control circuit never latches up and so on.例文帳に追加

ＩＧＢＴ形成領域とその制御回路等形成領域とをＰＮ接合分離法で分離し、且つＩＧＢＴからの漏れ電流が発生せず、制御回路等のＣＭＯＳトランジスタがラッチアップ等することのない高品質の半導体装置を実現する。 - 特許庁

Thus, the distance from the isolated layer pn junction 7 to the active end 6 in the corner (arcuate portion) is made larger than that in a straight part, and the punch through of a depletion layer is prevented from being performed at the corner earlier than the straight part, thereby obtaining the sufficient reverse breakdown strength.例文帳に追加

このようにすることで、コーナー部（円弧を描く部分）における分離層ｐｎ接合７から活性部端６までの距離は、直線部におけるそれに比べて大きくして、空乏層がコーナー部で直線部より先にパンチスルーするのを防止して十分な逆耐圧を得るようにする。 - 特許庁

The solar battery is manufactured by shallowly boring a substrate for maintaining mechanical strength beforehand, injecting melt pulverized silicon having P-type and N-type conductivity through a mask on the substrate, after forming a PN-junction, and combining an activating process and an electrode forming process.例文帳に追加

機械的強度を維持する為の基盤に予め浅く穿孔し、当該基板上に、溶融微粉化シリコンにＰ型及びＮ型伝導性を付与してマスクを介して噴射し、ＰＮ接合を形成した後、活性工程、電極形成工程を組み合わせて作成された、太陽電池。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has an approximately spherical shape, where a p-type amorphous SiC (abbreviated as a-SiC) layer 8 having a wider optical bandgap than that of an amorphous Si (abbreviated as a-Si) is coated on the outer surface of an n-type a-Si layer 7 at a center side, and thereby a PN-junction is formed.例文帳に追加

光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のｎ形アモルファスＳｉ（略称ａ−Ｓｉ）層７の外周面上に、ａ−Ｓｉよりも光学的バンドギャップが広いｐ形アモルファスＳｉＣ（略称ａ−ＳｉＣ）層８を被覆し、ｐｎ接合を構成する。 - 特許庁

The nano particles NP of silicon are used as the nano particles NP, a p-type polysilicon film and an n-type polysilicon film are deposited to form a solar battery having a polysilicon pn-junction serving as a photoelectric conversion part, whereby not only quality can be improved but also a manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

ナノ粒子ＮＰとしてシリコンのナノ粒子ＮＰを用い、ｐ型ポリシリコン膜とｎ型ポリシリコン膜とを堆積して、ポリシリコンｐｎ接合部を光電変換部とする太陽電池を製造することにより、品質の向上だけでなく、製造コストの低減を図ることができる。 - 特許庁

A DC supply circuit 30 is considered, for example, as a "low side switch type step-down chopper system", and a bipolar transistor 31 as a pn-junction device is connected to a wiring circuit 34 on the positive side in series in the forward direction (arrangement for allowing current to flow in the current direction of the operating current Id).例文帳に追加

直流供給回路３０は、例えば「ローサイドスイッチ型降圧チョッパー方式」としてあり、プラス側の配線経路３４には、ｐｎ接合素子としてのバイポーラトランジスタ３１が直列で順方向（動作電流Ｉｄの電流方向に電流を流す配置）に接続してある。 - 特許庁

This photodiode 10 is provided with a semiconductor substrate 11 having a light-receiving surface 26 having unevenness formed thereon and including a pn-junction 28, wherein the sum of areas of top surfaces 40 of convex portions 24 constituting the unevenness is smaller than the sum of areas of openings 44 of a concave portion 42 constituting the unevenness.例文帳に追加

このフォトダイオード１０は、凹凸が形成された受光面２６を有し、ｐｎ接合２８を含む半導体基板１１を備え、凹凸を構成する凸部２４の頂面４０の面積の総和が、凹凸を構成する凹部４２の開口４４の面積の総和よりも小さい。 - 特許庁

He ions are directed onto the entire surface of a chip, and a life time killer is introduced from a shallower position d2 than the position d1 of a pn junction surface 31 formed of the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion area 23, to a deeper position d3, thus forming a low life time area 32 on the entire surface of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

A DMOS (double diffused metal oxide semiconductor) transistor 23 and the pn junction diode 22a are formed on one SOI layer 13b surrounded by trench separation 15 in a shape that they are insulated electrically by a p-type diffusion layer 20 formed in a state of being levitated electrically on the SOI layer 13b surrounded by the trench separation 15.例文帳に追加

トレンチ分離１５で囲まれた１つのＳＯＩ層１３ｂには、ＤＭＯＳトランジスタ２３と温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａとが、電気的に浮いた状態で形成されるＰ型拡散層２０によって電気的に絶縁される形で形成されている。 - 特許庁

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction.例文帳に追加

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

An emitter side field plate 15 is embedded into the insulating film 17 to shield a lateral electric field generated in the emitter side of the insulating film 17, thereby releasing an electric field to be generated in a pn junction between an n^- drift region 3a and a p base region 4a.例文帳に追加

トレンチ埋め込み絶縁膜１７内に、エミッタ側フィールドプレート１５を埋め込み、トレンチ埋め込み絶縁膜１７のエミッタ側に生じる横電界を遮蔽することによって、ｎ^-ドリフト領域３ａとｐベース領域４ａとのＰＮ接合で発生する電界を緩和する。 - 特許庁

That is, since the pn junction interface of a p-type semiconductor crystal layer 103 and the first non p-type layer 104 is raised higher than the other part under a gate electrode G, the thickness of the first non p-type layer 104 is thinner than the other part under the gate electrode G.例文帳に追加

即ち、ｐ型半導体結晶層１０３と第１非ｐ型層１０４とのｐｎ接合界面がゲート電極Ｇの下において他の部位よりも高く盛り上がっているために、第１非ｐ型層１０４の膜厚はゲート電極Ｇの下では他の部位よりも薄くなっている。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 30 added a prescribed impurity is provided in a prescribed region of the surface 20a side opposite to the Si substrate 10 of the N^--type Si substrate 20, and a photodiode 1 having a PN junction by the N^--type Si substrate 20 and the P-type semiconductor layer 30 is constituted.例文帳に追加

また、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０のＳｉ基板１０とは反対側の面２０ａ側の所定領域に、所定の不純物が添加されたＰ型半導体層３０を設けて、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０とＰ型半導体層３０とによるＰＮ接合を有するフォトダイオード１を構成する。 - 特許庁

In the diode, a semiconductor substrate and one surface are set to (111) crystal surface, an angle being formed by the horizontal surface of one surface of the semiconductor substrate and a surface where the pn junction between p- and n+-type semiconductor regions is exposed is set to 75 degrees or more and less than 90 degrees.例文帳に追加

半導体基体と一方表面は（１１１）結晶面であって、その半導体基体の一方表面の水平面と、ｐ型半導体領域とｎ^+ 型半導体領域とのｐｎ接合が露出する面とのなす角が、７５度以上，９０度未満であるダイオード。 - 特許庁

In the composite solar cell constituted by arranging an anode of the dye-sensitized solar cell on a cathode of a PN junction silicon solar cell formed by a semiconductor substrate to laminate, a silicide layer is formed between the cathode of the silicon solar cell and the anode of the dye-sensitized solar cell.例文帳に追加

半導体基板で形成したＰＮ接合型のシリコン太陽電池の陰極上に、色素増感太陽電池の陽極を配置して積層した複合型太陽電池の、シリコン太陽電池の陰極と、色素増感太陽電池の陽極との間にシリサイド層を形成する。 - 特許庁

The N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 are placed in parallel with a substrate face of a semiconductor substrate 11 as two layers, and a PN junction comprising the N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 forms a diode structure.例文帳に追加

Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４は半導体基板１１の基板面に対して平行となるように２層に設けられ、該Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４とのＰＮ接合によるダイオード構造が形成される。 - 特許庁

Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode.例文帳に追加

具体的には、ｎ型導電性ＳｉＣ基板４０２の表面上にｎ^＋型ＡｌＧａＮバッファ層４０４と、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層４０６と、ｎ型ＡｌＧａＮ層４０８と、ｐ型ＩｎＧａＮ層４１０とを順次成長してｐｎ接合ダイオードを作製する。 - 特許庁

The semiconductor film, which is formed through the manufacturing method of the semiconductor film, is utilized, thus forming the p-type thin-film transistor having excellent characteristics on metal foil, such as glass, Si, and SUS, and a plastic substrate, and embodying a photoelectric element, such as an LED utilizing a pn junction.例文帳に追加

半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Ｓｉ、ＳＵＳなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なｐ型の薄膜トランジスタを形成することができ、ＰＮ接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用したＬＥＤなどの光電素子を具現することができる。 - 特許庁

While slurry is supplied to the conductor which is electrically connected through the pn junction, CMP is carried out (S101, 102), slurry and metal chips are removed (S103), an electrolyte is supplied (S104), and while the electrolyte sticks on the surface of a wafer, the wafer is detached from a wafer carrier (S105).例文帳に追加

ｐｎ接合を介して電気的に接続する導電体に対してスラリーを供給しつつＣＭＰ処理を行う（Ｓ１０１，１０２）、スラリー及び研磨屑を除去する（Ｓ１０３）、電解水を供給する（Ｓ１０４）、ウェハの表面に電解水が付着した状態で、ウェハをウェハキャリアから取り外す（Ｓ１０５）。 - 特許庁

The boron phosphide semiconductor light emitting element having the high light emitting intensity of a wide light emitting region is obtained by avoiding the short circuiting flow of the element drive current to a light emitting layer by selectively disposing the boron phosphide semiconductor noncrystal layer which can constitute a pn junction with a high resistance or substrate layer of a pedestal electrode under the pedestal electrode.例文帳に追加

台座電極を高抵抗または下地層とｐｎ接合を構成できるリン化硼素系半導体非晶層を台座電極の下に選択的に配置して、素子駆動電流の発光層への短絡的な流通を回避して、発光領域の広い高発光強度のリン化硼素系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

In addition, when the gate potential of the MOSFETs 6 and 7 is not fixed at a source potential and unstable condition occurs while the voltage is applied between them, the voltage can be kept within a range of voltage of VF due to PN junction by one piece of the four-terminal thyristor 11.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ６、７がオフした状態において、出力端子８ａ、８ｂ間に電圧が印加されているとき、ＭＯＳＦＥＴ６、７のゲート電位がソース電位に対して固定されず不安定な状態となるのを、４端子サイリスタ１１の１個分のＰＮ接合によるＶＦの電圧の範囲に抑えることができる。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode element 10, a plurality of stripe-shaped trenches T10 are arranged in parallel to each other and formed on a crystal growing face of a sapphire substrate 11, a nitride semiconductor layer N is formed thereon so as to bury the trenches T10, and the nitride semiconductor layer N contains a pn junction which emits a light.例文帳に追加

窒化物半導体発光ダイオード素子１０において、サファイア基板１１の結晶成長面には平行に並んだストライプ状の溝Ｔ１０が複数形成され、その上には溝Ｔ１０を埋めるように窒化物半導体層Ｎが形成され、窒化物半導体層Ｎは発光するｐｎ接合部を含んでいる。 - 特許庁

To enable a barrier layer to be formed from a boron phosphide semiconductor layer whose front surface is flat enough for realizing a flat pn junction interface in a boron phosphide semiconductor light emitting device equipped with a barrier layer formed of the boron phosphide semiconductor layer and a light emitting layer formed of a I-II nitride semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層からなる障壁層とＩＩＩ族窒化物半導体層からなる発光層とを具備したリン化硼素系半導体発光素子において、平坦なｐｎ接合界面を顕現するに充分な表面の平坦性に優れるリン化硼素系半導体層から障壁層を形成する。 - 特許庁

An altered region 20 is formed by irradiation with laser light La focused on a condensing point F on a predetermined position between the reverse surface 3b and the p-type semiconductor regions 7 to be inside a depletion layer 19 spreading from the pn junction 11 between the semiconductor substrate 3 and p-type semiconductor region 7.例文帳に追加

改質領域２０は、裏面３ｂとｐ型半導体領域７との間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって形成されており、半導体基板３とｐ型半導体領域７とのｐｎ接合１１から広がる空乏層１９の内部に形成されている。 - 特許庁

In a SiC pn diode, a lower inclined plane 14 of a side surface of a mesa portion 13 extends from an upper end 14B above a diffusion position at a diffusion distance D above a junction surface 3A between an n-type drift layer 2 and a p-type layer 3 to a lower end 14A connected with an upper surface 2A of the n-type drift layer 2.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｎダイオードでは、メサ部１３の側面の下部傾斜面１４は、ｎ型ドリフト層２とｐ型層３との接合面３Ａから拡散距離Ｄだけ上方の拡散位置よりも上方の上端１４Ｂからｎ型ドリフト層２の上面２Ａに接続する下端１４Ａまで延在している。 - 特許庁

The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid.例文帳に追加

ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上に、少なくともＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 - 特許庁

This invention relates to the electronic element having a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, and the method of manufacturing the electronic element, wherein the first semiconductor layer is a polycrystalline semiconductor layer formed of the rare earth iron oxide, and the second semiconductor layer is an organic semiconductor layer formed of an organic material.例文帳に追加

第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子及びその製造方法において、第１の半導体層を希土類鉄酸化物で形成した多結晶半導体層とし、第２の半導体層を有機材料で形成した有機半導体層とする。 - 特許庁

By bending the surface of the lead frame 18 mounting a laser diode chip 19, the main part of a frame type laser diode is built with the PN junction surface 19A of the laser diode chip 19 and is tilted to the main surface which is parallel with the surface configuring the base 17 of the optical pickup system.例文帳に追加

レーザーダイオードチップ１９が搭載されるリードフレーム１８の平面部を折曲させることによってレーザーダイオードチップ１９のＰＮ接合面１９Ａをフレーム型レーザーダイオードの本体を構成するとともに光ピックアップ装置の基台１７を構成する平面に対して平行に配置される主平面に対して傾斜させる。 - 特許庁