「Thermal oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a shallow groove element separation structure for restraining bending generated by thermal oxidation by a simple and short process without applying large stress to a silicon film, when forming the shallow groove element separation structure (STI structure) using an SOI substrate, and to provide the shallow groove element separation structure.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いて浅溝素子分離構造（ＳＴＩ構造）を形成する時、熱酸化により生じるベンディングを単純かつ短い工程で、珪素膜に大きな応力を掛けることなく抑える浅溝素子分離構造の製造方法及び浅溝素子分離構造を提供する。 - 特許庁

The thin film resistor 5 is formed on a thermal oxidation film 3 formed on a semiconductor substrate 1 and a BPSG/NSG multiplayer film 7, a plasma CVD film 9, an organic SOG film 11, a plasma CDV film 13 and a resist pattern 19 are formed on the entire surface of the semiconductor substrate (A).例文帳に追加

半導体基板１上に形成した熱酸化膜３上に薄膜抵抗体５を形成し、半導体基板１上全面にＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７、プラズマＣＶＤ膜９、有機ＳＯＧ膜１１、プラズマＣＶＤ膜１３、レジストパターン１９を形成する（Ａ）。 - 特許庁

After the external electrodes 8, 9 are formed by baking the conductive paste, the multilayer 2 where the external electrodes 8, 9 are formed are subjected to thermal treatment under the atmosphere of pressure that is equal to the oxidation-reduction equilibrium partial oxygen pressure of nickel contained in the internal electrodes or to partial oxygen pressure biased to a reduction side.例文帳に追加

外部電極８，９を導電性ペーストの焼付けによって形成した後、外部電極８，９が形成された積層体２を、内部電極４，５に含まれるニッケルの酸化−還元平衡酸素分圧と同等かこれよりも還元側の酸素分圧の雰囲気下で熱処理する。 - 特許庁

The thermal oxidation of the substrate 1 allows a first gate insulating film 7 having a different composition and a thinner thickness to be formed in the region where the film 5 is formed, and at the same time, a second gate insulating film 8 which is thick to be formed on the surface of the substrate 1 where the film 5 is not formed.例文帳に追加

このシリコン基板の熱酸化により、シリコン窒化膜の形成されている領域に組成が異なり薄い膜厚のゲート絶縁膜を形成し、同時に、上記シリコン窒化膜の形成されないシリコン基板表面に膜厚の厚いゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a metallic material for an interconnector of a solid oxide type fuel cell which has superior oxidation resistance even in a high-temperature operating environment, adequate electroconductivity, a small difference in thermal expansion between itself and an electrolyte, and is inexpensively manufactured, and to provide the fuel cell using the metallic material.例文帳に追加

高温使用環境下においても耐酸化性に優れると共に良好な電気伝導性を有し、かつ電解質との熱膨張差が小さく、安価に製造できる固体酸化物型燃料電池のインターコネクタ用金属材料およびその金属材料を用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

The single-crystal silicon germanium layer 324 is removed while the single-crystal silicon layer 326 is supported by a support 352 connected to the substrate 202 by the support hole 332 for forming a cavity 372, and the embedded insulating layer 382 is formed at the cavity by thermal oxidation for obtaining the SOI structure.例文帳に追加

そして支持体穴３３２で基板２０２と連接する支持体３５２で単結晶シリコン層３２６を支持しつつ単結晶シリコンゲルマニウム層３２４を除去して空洞部３７２を形成し、当該空洞部に埋め込み絶縁層３８２を熱酸化により形成してＳＯＩ構造を得る。 - 特許庁

In addition, if used as a SOI substrate formed by SIMOX, high temperature oxidation thermal treatment is performed in the gas atmosphere containing oxygen of 20% or more at 1,300-1,380°C for 4-48 hours to perform the oxygen deposit formation aging treatment after oxygen ion is implanted in the SIMOX.例文帳に追加

また、ＳＩＭＯＸにより形成されるＳＯＩ基板として用いる場合には、前記ＳＩＭＯＸでの酸素イオン注入後、酸素を２０％以上含むガス雰囲気中で１３００〜１３８０℃×４〜４８時間の高温酸化熱処理を行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。 - 特許庁

After forming a side wall 9 with a CVD oxide film (TEOS film 8) on the side of a gate electrode 7 on a silicon substrate 1, this substrate 1 is cleaned with the side wall 9 exposed, until the etching selectivity of the CVD film to a thermal oxidation film is 5 or less.例文帳に追加

シリコン基板１上のゲート電極７の側面にＣＶＤ酸化膜（ＴＥＯＳ膜８）からなるサイドウォール９を形成した後に、サイドウォール９が露出した状態で、ＣＶＤ酸化膜の熱酸化膜に対するエッチング選択比が５以下になるようにシリコン基板１に対して洗浄を行なう。 - 特許庁

To provide conductive paste which can restrain an electronic part from decreasing in capacitance due to the oxidation of electrodes when it is used for forming the outer electrodes of the electronic part, be degreased enough, and be improved in reliability in a thermal shock test and a wet loading test.例文帳に追加

電子部品の外部電極を形成するために用いた場合に、電極の酸化により容量が低下することなく、脱脂を十分に行うことができ、熱衝撃試験や湿中負荷試験における信頼性を向上させることが可能な導電性ペーストを提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device for forming two electrodes on a semiconductor substrate and a source region at a region being sandwiched by the gate electrodes in self-aligned manner, a thermal oxidation process for thermally oxidizing the sidewall of the gate electrodes is made before the process for forming a TEOS film.例文帳に追加

半導体基板上に２つのゲート電極を形成し、該ゲート電極に挟まれた領域に自己整合的にソース領域を形成する半導体装置の製造方法において、ＴＥＯＳ膜形成工程前に、該ゲート電極の側壁を熱酸化する熱酸化工程を行なう。 - 特許庁

To provide a flux cored wire for welding a ferritic stainless steel capable of commanding excellent weldability, not generating hot cracks in weld metals, and affording weld joints excellent in high-temperature oxidation resistance and thermal fatigue characteristic in the welding of a high purity ferritic stainless steel containing Si.例文帳に追加

Ｓｉを含有する高純度フェライト系ステンレス鋼の溶接において、溶接作業性が良好で、溶接金属の高温割れを発生し難く、かつ耐高温酸化性および熱疲労特性に優れた溶接継手が得られるフェライト系ステンレス鋼溶接用フラックス入りワイヤを提供する。 - 特許庁

The polyester film is characterized in that at least one polyester layer of the layers constituting the polyester film contains a regenerated raw material of the polyester film having a coating layer and a phosphorous type oxidation inhibitor with a thermal weight reduction start temperature of 290°C or above is contained in the polyester layer.例文帳に追加

フィルムを構成する層の少なくとも一つのポリエステル層が、塗布層を有するポリエステルフィルムの再生原料を含有し、当該ポリエステル層中に熱減量開始温度が２９０℃以上の燐系酸化防止剤を含有することを特徴とするポリエステルフィルム。 - 特許庁

To provide a method for treating the surface of a substrate, useful in the case of manufacturing a semiconductor element for imparting a clean substrate surface, by selectively removing a spontaneous oxidation film, without impairing a needing thermal oxide film by exceeding an allowing range and without bringing about a microscopic roughness on the surface of the substrate after treatment.例文帳に追加

必要とする熱酸化膜を許容範囲を超えて損なうことなく、処理後の基板表面にマイクロラフネスを生じることなく自然酸化膜を選択的に除去し、清浄な基板面を与える半導体素子の製造の際に有用な基板表面の処理方法の提供。 - 特許庁

Also, at the formation of a trench 5, trenches 14 and 15 are also formed, and at carrying out thermal oxidation for forming a gate oxide film 6, a gate oxide film 16 and a gate oxide film 18 are formed, and at the formation of a gate electrode 7, a gate electrode 17 is formed at the same time.例文帳に追加

また、トレンチ５の形成時にトレンチ１４、１５も形成しておき、ゲート酸化膜６の形成のための熱酸化時にゲート酸化膜１６及び酸化膜１８が形成されるようにし、ゲート電極７の形成時にゲート電極１７が同時に形成されるようにする。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor device, a gate insulating film 9 and an insulating film 10 are formed on the main surface of a semiconductor substrate 1 as oxide films by subjecting a channel layer 7 containing nitrogen to thermal oxidation, after the layer 7 is formed in a channel region 5 in the main surface of the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面の中のチャネル領域５に、窒素を含有するチャネル層７が形成された後に、熱酸化処理が施されることにより、半導体基板１の主面の上に、ゲート絶縁膜９および絶縁膜１０が、酸化膜として形成される。 - 特許庁

This NOx removing device has an exhaust gas flow passage 21 provided with an intake flow passage and an exhaust flow passage, a heat transfer body 1 for exchanging heat between the intake flow passage and the exhaust flow passage, oxidation-reduction catalyst 3 containing NOx reduction catalyst, and a thermal insulating member covering an outer peripheral surface of an exhaust gas flow passage 21.例文帳に追加

吸気流路と排気流路とを備える排ガス流路２１と、吸気流路及び排気流路の間で熱交換を行う伝熱体１と、ＮＯｘ還元触媒を含む酸化還元触媒３と、排ガス流路２１の外周表面を覆う断熱部材とを有する。 - 特許庁

The raw material for chemical vapor deposition consists of the tantalum compound expressed by formula (I), a titanium compound expressed by formula (II) and an organic solvent used at need, and in which the difference in thermal oxidation decomposition temperature between the tantalum compound and the titanium compound is <50°C in terms of an absolute value.例文帳に追加

下記一般式（I）で表されるタンタル化合物、下記一般式（II）で表されるチタニウム化合物及び必要に応じて用いられる有機溶媒からなり、上記タンタル化合物と上記チタニウム化合物との熱酸化分解温度の差が絶対値で５０℃未満である化学気相成長用原料。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing an excellent semiconductor device having an SOI structure by surely preventing a peeling resulting from an opening formed when forming a buried insulating layer by a thermal oxidation to a cavity section and by forming a superior SOI structure.例文帳に追加

空洞部に対して熱酸化を行い、埋め込み絶縁層を形成した際に生じる隙間に起因する剥がれを確実に防止し、良好なＳＯＩ構造を形成することによってＳＯＩ構造を有する優れた半導体装置を製造することのできる、方法を提供する。 - 特許庁

The surface layer of the semiconductor substrate 1 exposed from the gate electrode 3a and the TEOS sidewall 5 is subjected to preprocessing based on a surface gas etching reaction in which processing of supplying a hydrofluoric acid gas and an ammonia gas and thermal processing are executed, thereby removing a natural oxidation film 6.例文帳に追加

ゲート電極３ａおよびＴＥＯＳサイドウォール５から露出された半導体基板１の表面層に対して、フッ酸ガスとアンモニアガスとを供給する処理とその後の熱処理とを行う表面ガスエッチング反応による前処理を行い、自然酸化膜６を除去する。 - 特許庁

To provide a cylindrical solid oxide fuel cell suppressing/preventing thermal stress to the cylindrical solid oxide fuel cell cell or oxidation to equalize power generation performance, enhancing durability of the cylindrical solid oxide fuel cell cell, and enhancing reliability and safety.例文帳に追加

筒状固体酸化物形燃料電池セルへの熱応力や酸化等を抑制・防止して発電性能を平均化し、筒状固体酸化物形燃料電池セルの耐久性能を向上した信頼性を高めた安全な筒状固体酸化物形燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide nickel powder capable of suppressing thermal shrinkage while suppressing rapid oxidation and therefore capable of forming a thin and homogeneous internal electrode of a laminated ceramic capacitor without generating cracks and delamination and to provide electrically conductive paste for a laminated ceramic capacitor containing the nickel powder.例文帳に追加

急激な酸化を抑えつつ熱収縮を抑制でき、その結果として、クラックやデラミネーションの発生なしで積層セラミックコンデンサの薄くて均質な内部電極を形成できるニッケル粉及び該ニッケル粉を含有する積層セラミックコンデンサ用導電ペーストを提供すること。 - 特許庁

The heat developable photosensitive material containing a photosensitive silver halide, a non-photosensitive organic silver salt, and a binder on the same surface of a support contains a compound capable of developing a color upon oxidation and also contains a dark thermal fading preventing agent.例文帳に追加

支持体の同一面上に感光性ハロゲン化銀、非感光性有機銀塩、及びバインダーを含有する熱現像感光材料であって、酸化されることにより発色しうる化合物を含有し、かつ暗熱退色防止剤を含有することを特徴とする黒白熱現像感光材料。 - 特許庁

A thermal oxidation process is carried out in a dry atmosphere, whereby a silicon oxide film 161 of thickness 3 nm is formed on the surface of the first region 11a of the silicon board 11, and a silicon oxide film 171 of thickness 6 nm is formed on the surface of a second region 11b of the silicon board 11 where no nitrogen ions are implanted.例文帳に追加

乾燥雰囲気中で熱酸化を行い、第１の領域１１ａのシリコン基板１１の表面には厚さ３ｎｍのシリコン酸化膜１６_1 が形成され、窒素イオンが注入されていない第２の領域１１ｂには厚さ６ｎｍのシリコン酸化膜１７_1 が形成される。 - 特許庁

The element separation structure which separates the photodiodes from each other, e.g. an STI structure 7b is formed by a method other than the thermal oxidation of a substrate and a channel stopper layer 6 of a 2nd conductivity type is formed in a semiconductor substrate 1 of a 1st conductivity type surrounding the element separation structure 7b in contact therewith.例文帳に追加

フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造、例えばＳＴＩ構造７ｂを基板の熱酸化によらない方法で形成し、素子分離構造７ｂに接してこれを取り囲む第１導電型の半導体基板１中に第２導電型のチャネルストッパ層６を形成する。 - 特許庁

The amorphous silicon film 12a is patterned to a width size of 45 nm three times as large as Wa in a photolithography processing, but slimming technique is employed to form the film to 30 nm and then the technique changes a surface layer into a silicon oxide film 15 through thermal oxidation, thereby forming the film to the size Wa of 15 nm.例文帳に追加

非晶質シリコン膜１２ａは、フォトリソグラフィ処理でＷａの３倍の幅寸法４５ｎｍでパターニングされるが、スリミング技術で３０ｎｍに形成した上で、熱酸化により表層をシリコン酸化膜１５に変質させ、これによって寸法がＷａである１５ｎｍに形成される。 - 特許庁

To provide a material coated with a ceramic thin film having a gradient composition which material has excellent functionality, such as a photocatalyst function, electrical function, thermal catalyst function, and catalyst carrier function or environment resistances, such as oxidation resistance, alkaline resistance, and wear resistance and has excellent dynamic characteristics in combination.例文帳に追加

光触媒機能、電気的機能、熱的触媒機能、触媒担持機能等の優れた機能性、又は耐酸化性、耐アルカリ性、耐磨耗性等の耐環境性を有すると共に、優れた力学的特性を併せ持つ傾斜組成を有するセラミックス薄膜被覆材料及びその製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a furnace bottom electrode fire brick capable of preventing oxidation even when a clearance is formed between a furnace bottom electrode and a fire brick disposed around the furnace bottom electrode by repeated thermal expansion and contraction of the furnace bottom electrode and the fire brick caused by increase and decrease of a temperature in the furnace.例文帳に追加

炉内の温度上昇下降により炉底電極や耐火煉瓦の熱膨張収縮が繰り返され、該炉底電極と該炉底電極の周囲に配置された耐火煉瓦間に間隙が形成されても酸化防止を図ることができる炉底電極耐火煉瓦を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst for the polymerization of a polyester, which comprises mainly a component other than an antimony compound or a germanium compound, is excellent in catalytic activity and gives a polyester producing a melt molded article excellent in thermal stability, a color tone, excellent in oxidation and hydrolysis resistance and containing less foreign substance.例文帳に追加

アンチモン化合物又はゲルマニウム化合物以外の成分を主成分とし、触媒活性に優れ、溶融成形品の熱安定性や色調に優れ、熱酸化安定性、耐加水分解性に優れ、異物発生の少ないポリエステルを与えるポリエステル重合触媒を提供する。 - 特許庁

To provide inexpensive steel for a solid oxide type fuel battery separator on which an oxide film having a satisfactory electric conductivity at about 700 to 950°C is formed, and which has satisfactory oxidation resistance, in particular, peeling resistance even on use for a long time, and has a reduced difference in thermal expansion with an electrolyte.例文帳に追加

700〜950℃程度において良好な電気伝導性を有する酸化被膜を形成するとともに、長時間の使用においても良好な耐酸化性、特に耐剥離性を有し、かつ電解質との熱膨張差が小さい安価な固体酸化物型燃料電池セパレータ用鋼を提供する。 - 特許庁

To provide a separator for a battery which maintains sufficient gas permeability, while offering the characteristics excellent in denseness, liquid retaining performance during pressurization, alkali resistance property, anti-oxidation property, thermal resistance property, high capacity, output and lifetime properties, as well as the shutdown capability in the event of power failure due to external short circuiting or others.例文帳に追加

十分なガス透過性を維持しながら、緻密性、加圧時の保液性、耐アルカリ性、耐酸化劣化性、耐熱性に優れ、高容量で出力特性と寿命特性に優れ、外部短絡等による電池異常時におけるシャットダウン機能を備えた電池用セパレータを提供すること。 - 特許庁

The element isolating structure for isolating the photodiodes from each other, such as an STI structure 7b, is formed by a method not using the thermal oxidation of a substrate, and a second conductive type channel stopper layer 6 is formed so as to have contact with and surround the element isolating structure 7b in the first conductive type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造、例えばＳＴＩ構造７ｂを基板の熱酸化によらない方法で形成し、素子分離構造７ｂに接してこれを取り囲む第１導電型の半導体基板１中に第２導電型のチャネルストッパ層６を形成する。 - 特許庁

To provide a device structure, together with a manufacturing method, for defining an element forming region and its dimensions capable of preventing dislocation generated when an element separation region is formed on a silicon substrate in a thermal oxidation method in a semiconductor device having the element separation region.例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体装置において該素子分離領域をシリコン基板の熱酸化で作製する場合の転位発生を防止する半導体装置内部の素子形成領域及び素子分離領域の寸法を規定した装置構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a first process in which a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 are laminated on a silicon substrate 1, a second process in which an oxide nitride film 4 is formed on the silicon nitride film 3 by thermal oxidation, and a third process in which a resist pattern 5 is formed on the oxide nitride film through lithography.例文帳に追加

シリコン基板１上に酸化シリコン膜２およびシリコン窒化膜３を積層する工程と、シリコン窒化膜３上に熱酸化して表面に酸化窒化膜４を形成する工程と、酸化窒化膜４上にリソグラフィーによりレジストパターン５を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The catalyst for producing methacrylic acid is used for producing methacrylic acid by subjecting methacrolein to vapor-phase catalytic oxidation using molecular oxygen and contains at least molybdenum and phosphorus, wherein a fibrous material having thermal conductivity of ≥300 W/(m×K) is contained.例文帳に追加

メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を製造する際に用いられる、少なくともモリブデンおよびリンを含むメタクリル酸製造用触媒において、熱伝導率が３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の繊維状物を含有することを特徴とするメタクリル酸製造用触媒。 - 特許庁

An adhesive film consisting of titanium nitride (TiN) is formed in a contact hole where an upper electrode of the ferroelectric capacitor is exposed after thermal treatment is performed on it in an oxidation atmosphere, and the contact hole is filled by depositing a W layer with the CVD process while using the TiN film as a hydrogen barrier.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上部電極を露出するコンタクトホールに、酸化雰囲気での熱処理の後、ＴｉＮよりなる密着膜を形成し、かかるＴｉＮ密着膜を水素バリアとして使いながら、Ｗ層をＣＶＤ法により堆積し、コンタクトホールを充填する。 - 特許庁

To provide an R-T-B based magnet, which has excellent corrosion resistance and oxidation resistance without containing chromium and coated with a formation film, in which the thermal demagnetization of a magnet raw material is reduced remarkably, and a manufacturing method having the superior economical efficiency of such a formation film-coated R-T-B based magnet.例文帳に追加

クロムを含有せずに良好な耐食性及び耐酸化性を有し、かつ磁石素材の熱減磁が著しく少ない化成皮膜が形成されたＲ−Ｔ−Ｂ系磁石、及びかかる化成皮膜被覆Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石の経済性に優れた製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a lubricant of heptyl stearate and the like in or/and on a magnetic layer, with ≤50% high temperature oxidation stability by thermal analysis of magnetic powder which is a constituent component of the magnetic layer 3, containing 20-100 mg/m^2 lubricant that can be extracted by n-hexane.例文帳に追加

磁性層３内又は／及び上にステアリン酸ヘプチル等の潤滑剤を保有し、磁性層３の構成成分である磁性粉の熱分析による高温酸化安定率が５０％以下であり、かつｎ−ヘキサンにより抽出される前記潤滑剤の量が２０〜１００ｍｇ／ｍ^２である、磁気記録媒体。 - 特許庁

To provide a lubricant for a refrigerant compressor for use in a refrigerating plant using an HFC based refrigerant and an ether or ester based composite oil, which contains less oligomer solving out of an insulating film of an electric motor and which is superior in thermal stability and oxidation stability as a refrigerating machine oil and less in hydrolysis and wear at a sliding portion.例文帳に追加

ＨＦＣ系の冷媒とエーテル系あるいはエステル系の合成油を使用した冷凍装置に使用する冷媒圧縮機で、電動機の絶縁フィルムからオリゴマーの溶出が少なく、かつ、冷凍機油として熱安定性、酸化安定性に優れ、加水分解、摺動部の磨耗が少ない潤滑油を提供すること。 - 特許庁

To inhibit the temperature rise of an asphalt waterproof sheet extensively over the whole surface, to reduce a deterioration due to a thermal oxidation as the factor of the deterioration of the sheet, to lengthen a lifetime and to inhibit the temperature rise of the roof floor section, the roof or the like of a building and realize an improvement in habitability and energy conservation.例文帳に追加

アスファルト系防水シートの温度上昇を全面にわたって抑制し、アスファルト系防水シートの劣化要因である熱酸化による劣化を低減させ、長寿命化をはかり、さらに建造物の屋上や屋根などの温度の上昇を抑制し居住性の向上と省エネを実現させることを目的とする。 - 特許庁

The substrate 10 is thermally oxidized to form a first gate insulating film 110 and a second gate insulating film 210 in a first element region 101 and a second element region 201, respectively, and to form a thermal oxidation film on the substrate 10 positioned in a third element region 301 and a fourth element region 401.例文帳に追加

基板１０を熱酸化することにより、第１素子領域１０１及び第２素子領域２０１に、第１ゲート絶縁膜１１０及び第２ゲート絶縁膜２１０を形成し、かつ第３素子領域３０１及び第４素子領域４０１それぞれに位置する基板１０に熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

An element isolation oxide film 3 and a first gate oxide film 5 are formed on a semiconductor substrate 1, the gate oxide film 5 in device forming regions 3b and 3c is removed using the mask of a silicon nitride film 7 formed on the first gate oxide film 5 of a device forming region 3a, and a second oxide film 11 is formed by thermal oxidation (D).例文帳に追加

半導体基板１に素子分離酸化膜３及び第１ゲート酸化膜５を形成し、素子形成領域３ａの第１ゲート酸化膜５上に形成したシリコン窒化膜７をマクスにして素子形成領域３ｂ，３ｃのゲート酸化膜５を除去し、熱酸化処理により第２ゲート酸化膜１１を形成する（Ｄ）。 - 特許庁

To provide an exhaust emission control system having a selective contact reduction type catalyst device and an oxidation catalyst device arranged in an exhaust gas passage of an internal combustion engine in an order from an upstream side capable of preventing thermal deterioration of a selective contact reduction type catalyst while inhibiting discharge of ammonia to atmosphere, and a method for controlling the same.例文帳に追加

大気中へのアンモニア放出を抑制しつつ、選択的接触還元型触媒の熱劣化を防止できる、内燃機関の排気通路に上流側から順に選択的接触還元型触媒装置と酸化触媒装置を配置した排気ガス浄化システムの制御方法及び排気ガス浄化システムを提供する。 - 特許庁

HF (hydrogen fluoride) gas is supplied to a wafer W having a thermal oxidation film 72, a BPSG (boron phosphorous silicate glass) film 75 and a deposit film 76 to etch the BPSG film 75 and the deposit film 76 selectively by hydrofluoric acid while residue 41 consisting of H_2SiF_6 generated upon the etching is decomposed into HF and SiF_4 through heating.例文帳に追加

熱酸化膜７２、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６をフッ酸により選択的にエッチングし、該エッチングの際に発生するＨ_２ＳｉＦ_６からなる残留物４１を加熱によってＨＦとＳｉＦ_４に分解する。 - 特許庁

In addition, the thermal processor has the tube consisting of the glassy carbon with the anti-oxidation layer 1a on the outer surface or the variant tube having two parallel faces as the process tube, an electromagnetic induction heating coil 3 is disposed outwardly of the tube, and the object is thermally processed by heating an interior of the hermetically sealed process tube 1.例文帳に追加

また、ガラス状炭素からなり、外表面に耐酸化層１ａを有する管体又は対向する平行な二面を有する異形管をプロセスチューブとし、且つ管体の外側に電磁誘導加熱コイル３が配置され、気密にしたプロセスチューブ１内を加熱して内部の被処理物を熱処理する熱処理装置とする。 - 特許庁

The effective refractive index of the probe can be controlled, by adjusting the treatment time of thermal oxidation, while making the shape of the probe made of Si prepared at first or the film thickness of the silver coating on the probe constant to change the ratio of the Si layer to the SiO_2 layer, and ultimately the plasmon resonance wavelength of the probe can be adjusted continuously.例文帳に追加

最初に用意するＳｉ製のプローブの形や銀コートの膜厚を一定としつつ、熱酸化の処理時間を調整してＳｉ層とＳｉＯ_２層の比を変化させることで、プローブの実効的屈折率が制御可能となり、最終的にプローブのプラズモン共鳴波長を連続的に調整可能となる。 - 特許庁