「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent oxidation in air while a BeTe layer wherein P-type doping property is high and lattice mismatching to a GaAs substrate is low is used as a contact layer, regarding a p-type contact electrode device in ZnSe based II-VI compound semiconductors.例文帳に追加

ＺｎＳｅ系ＩＩ−ＶＩ化合物半導体におけるｐ型コンタクト電極装置であって、ｐ型ドープ性が高く、ＧａＡｓ基板に対する格子不整合が低いＢｅＴｅ層をコンタクト層として使用しつつ、大気中での酸化を防止すること。 - 特許庁

A conductive paste for forming an electrode on a semiconductor substrate for photoelectric conversion elements comprises a metal powder, having A1 as the main constituent and has oxidation starting temperature in the air, in a temperature range of 600°C or higher and 660°C or lower.例文帳に追加

光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストであって、Ａｌを主体とする金属粉末を含有し、かつ６００℃以上６６０℃以下の値域範囲内に空気中における酸化開始温度を有する無機粉末を備える。 - 特許庁

A solar cell of the present invention comprises: a silicon-oxide thin film 20 which is an electrochemical oxidation film formed on a surface of a monocrystalline or polycrystalline silicon substrate 10; and an amorphous silicon layer 30 formed on the silicon-oxide thin film 20.例文帳に追加

本発明の１つの太陽電池は、単結晶又は多結晶のシリコン基板１０の表面上に形成される化学的酸化膜である酸化シリコン薄膜２０と、その酸化シリコン薄膜２０上に形成されるアモルファスシリコン層３０とを備えている。 - 特許庁

To perform an ultra-high sensitivity analysis, when analyzing chemically the kinds and quantities of metallic impurities existent on the surface of a semiconductor substrate, by substituting for a conventional acid for decomposing a surface oxidation film an analysis suited acid accompanied by no entrapped contaminant.例文帳に追加

半導体基板表面上に存在する金属不純物の種類および量を化学分析する際に、表面酸化膜を分解するための酸を汚染の混入無く分析に適した酸に置換し、超高感度分析を行なうことを目的とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which is equipped with a wire, an electrode, or a terminal electrode, having an oxide coating film with high adhesiveness to a substrate formed thereon so as to prevent oxidation of a wiring material and so on, and having high conductivity, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、基板との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高い配線、電極又は端子電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

For example, a semiconductor substrate 3 on which an aluminum thin film 5 is formed is used as an anode and subjected to an anodic oxidation treatment in an electrolytic solution 9 that fills a vessel 1 of an electrolytic equipment 10 while using an electrode made of platinum or the like as a cathode 7 so as to oxidize the thin film 5.例文帳に追加

たとえばアルミニウムの薄膜５が形成された半導体基板３を陽極とし、白金などからなる電極を陰極７として電解設備１０の容器１を満たす電解液９中で陽極酸化処理を行ない、薄膜５を酸化する。 - 特許庁

The method for reprocessing the semiconductor substrate includes selectively removing an embrittlement layer and a semiconductor layer left at a peripheral part of the semiconductor substrate after separation using a mixed solution containing a substance functioning as an oxidizing agent oxidizing a semiconductor, a substance dissolving an oxide of the semiconductor, and a substance functioning as a decelerator for the oxidation of the semiconductor and the dissolution of the oxide of the semiconductor.例文帳に追加

半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液を用いて、分離後の半導体基板の周辺部に残存した脆化層及び半導体層を選択的に除去する半導体基板の再生処理方法である。 - 特許庁

As one embodiment, the method for removing the masking material from the substrate comprises the steps of: providing the substrate having the exposed low-dielectric-constant material and the masking material; exposing the masking material to a first plasma formed from the reduction chemical reaction material, during the first period; and exposing the masking material to a second plasma formed from the oxidation chemical reaction, during the second period.例文帳に追加

一実施形態において、基板からマスキング材料を取り除くための方法は、露出した低誘電率の材料及びマスキング材料を有する基板を提供し、第１の期間、還元化学反応物質から形成された第１のプラズマに前記マスキング材料を曝し、第２の期間、酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマにマスキング材料を曝すことを含む。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 20 comprises a semiconductor substrate 1, a tunnel insulating film 3 provided on the semiconductor substrate 1, fine particles 4 of an oxide semiconductor having nonincreasing oxidation number arranged at an interval on the tunnel insulating film 3, an insulating film 5 of SiO_2 provided on the tunnel insulating film 3 to bury the fine particles 4, and a control gate 6 provided on the insulating film 5.例文帳に追加

半導体装置２０は、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられたトンネル絶縁膜３と、トンネル絶縁膜３上に間隔を空けて配置された酸化数が増加しない酸化物半導体からなる微粒子４と、トンネル絶縁膜３上に設けられ、微粒子４を埋め込むＳｉＯ_2からなる絶縁膜５と、絶縁膜５上に設けられたコントロールゲート６とを備えている。 - 特許庁

The impurity diffusion method comprises an oxidation step of forming an oxide film on a surface of a semiconductor of a substrate; a diffusion step of setting a gas partial pressure of a compound gas containing an impurity element to 0.1 torr to 800 torr, setting a temperature of the substrate to 750°C to 950°C, and diffusing the impurity element to the semiconductor through the oxide film.例文帳に追加

基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を０．１トール以上８００トール以下とし、前記基板の温度を７５０℃以上９５０℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、を備えたことを特徴とする不純物拡散方法を提供する。 - 特許庁

The film which consists of a multidimensional Cr-base alloy essentially consisting of Cr and containing at least a kind of metal elements exclusive of Al or Cr-Al two-dimensional alloy containing 1 to 72 wt.% Al and has excellent high-temperature oxidation resistance is deposited on the surface of a metallic substrate.例文帳に追加

金属基体表面に、Ｃｒを主体とし、Ａｌ以外の金属元素の少なくとも１種を含む多元系Ｃｒ基合金、またはＡｌを１〜７２重量％含有するＣｒ−Ａｌ二元系合金からなる耐高温酸化性に優れた皮膜を被着してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shallow groove element separation structure for restraining bending generated by thermal oxidation by a simple and short process without applying large stress to a silicon film, when forming the shallow groove element separation structure (STI structure) using an SOI substrate, and to provide the shallow groove element separation structure.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いて浅溝素子分離構造（ＳＴＩ構造）を形成する時、熱酸化により生じるベンディングを単純かつ短い工程で、珪素膜に大きな応力を掛けることなく抑える浅溝素子分離構造の製造方法及び浅溝素子分離構造を提供する。 - 特許庁

In the surface-emitting semiconductor laser element formed on the normal substrate such as the facial azimuth (100) surface, anisotropic stress is impressed to the center of an active layer, and the polarization controllability of the element is improved by forming asymmetrical selective oxidation structure on an Al high concentration layer in a mesa.例文帳に追加

面方位（１００）面等の通常基板上に作製した面発光型半導体レーザ素子において、メサ内部のＡｌ高濃度層部分に非対称の選択酸化構造を形成することにより、活性層中心部に異方的な応力を印加し、素子の偏波制御性を高める。 - 特許庁

The single-crystal silicon germanium layer 324 is removed while the single-crystal silicon layer 326 is supported by a support 352 connected to the substrate 202 by the support hole 332 for forming a cavity 372, and the embedded insulating layer 382 is formed at the cavity by thermal oxidation for obtaining the SOI structure.例文帳に追加

そして支持体穴３３２で基板２０２と連接する支持体３５２で単結晶シリコン層３２６を支持しつつ単結晶シリコンゲルマニウム層３２４を除去して空洞部３７２を形成し、当該空洞部に埋め込み絶縁層３８２を熱酸化により形成してＳＯＩ構造を得る。 - 特許庁

In addition, if used as a SOI substrate formed by SIMOX, high temperature oxidation thermal treatment is performed in the gas atmosphere containing oxygen of 20% or more at 1,300-1,380°C for 4-48 hours to perform the oxygen deposit formation aging treatment after oxygen ion is implanted in the SIMOX.例文帳に追加

また、ＳＩＭＯＸにより形成されるＳＯＩ基板として用いる場合には、前記ＳＩＭＯＸでの酸素イオン注入後、酸素を２０％以上含むガス雰囲気中で１３００〜１３８０℃×４〜４８時間の高温酸化熱処理を行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。 - 特許庁

The thin film consisting essentially of Fe_3O_4 is formed on a substrate 1 made of a polymeric film, and next, heat-oxidation treatment is carried out under an oxygen-excessive gaseous atmosphere of a 25% or more oxygen pressure ratio at 150°C to 250°C to form a magnetic layer 2 consisting essentially of γ-Fe_2O_3.例文帳に追加

高分子フィルムよりなる基体１上に、Ｆｅ_３Ｏ_４主成分とする薄膜を形成し、次に１５０℃〜２５０℃で、酸素圧比率が２５％以上の、酸素過剰ガス雰囲気下において加熱酸化処理を行い、γ−Ｆｅ_２Ｏ_３を主成分とする磁性層２を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with use of a carbon silicate substrate having a (000-1) face which is high-quality as compared to (0001) and (11-20) faces, and particularly to provide an SiC semiconductor device having a high-breakdown voltage and a high channel mobility provided by optimizing a heat-treatment process after gate-oxidation.例文帳に追加

（０００１）面や（１１−２０）面よりも優れた（０００−１）面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高耐圧で高チャネル移動度を有するＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device for forming two electrodes on a semiconductor substrate and a source region at a region being sandwiched by the gate electrodes in self-aligned manner, a thermal oxidation process for thermally oxidizing the sidewall of the gate electrodes is made before the process for forming a TEOS film.例文帳に追加

半導体基板上に２つのゲート電極を形成し、該ゲート電極に挟まれた領域に自己整合的にソース領域を形成する半導体装置の製造方法において、ＴＥＯＳ膜形成工程前に、該ゲート電極の側壁を熱酸化する熱酸化工程を行なう。 - 特許庁

The photoelectric conversion device 1 is provided with a conductive substrate 11 with an oxide semiconductor electrode (an electron transport body) 12, dyes 13 adhered to the oxidation insulation semiconductor electrode 12, electrolyte 14, and a counter electrode (a transparent conductive layer) with platinum group metal (a catalyst layer) 20 containing oxygen adhered.例文帳に追加

酸化物半導体電極（電子輸送体）12を形成した導電性基板11と、酸化絶縁半導体電極12に付着した色素13と、電解質14と、酸素を含んだ白金族金属（触媒層）20が被着された対極（透明導電層）17とを具備する光電変換装置１である。 - 特許庁

The weatherable clear resin film contains a specific amount of colloidal silica with a specific particle size to preferably have antistaining properties and at least one kind of substrate treatment selected from chemical forming treatment, anodic oxidation treatment and primer treatment is preferably applied.例文帳に追加

耐候性クリヤー樹脂皮膜は特定粒径のコロイダルシリカを特定量含有するなどして防汚性を有するのが好ましく、塗装下地処理として化成処理、陽極酸化処理、プライマーの中から選ばれた少なくとも１種又は２種以上の下地処理を施すのが好ましい。 - 特許庁

A metal oxide layer 18 is formed on a deposited underlying metal layer 16 using an anode oxidation procedure, a second metal 20 is deposited thereon and planarized by chemical mechanical polishing or other procedure to fabricate a metal/insulator/metal capacitor structure in a semiconductor substrate.例文帳に追加

堆積した下地金属層１６上で陽極酸化手順を使用し、金属酸化物層１８を形成し、引き続いて第２金属２０を堆積し、化学的機械的研磨または他の手順によって平坦化することによって金属・絶縁物・金属キャパシタ構造を半導体基板内に形成する。 - 特許庁

To enhance light resistance by using a light shielding film, to reduce the reduction of light shielding performance due to oxidation of the light shielding film and to reduce contamination of a semiconductor and the like with this light shielding film, in an electrooptical device wherein a transistor element for switching pixels is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に画素スイッチング用のトランジスタ素子が形成されてなる電気光学装置において、遮光膜を用いることで耐光性を高めると共に、この遮光膜の酸化による遮光性能低下を低減し、更に、この遮光膜による半導体層等へのコンタミネーションを低減する。 - 特許庁

The method of manufacturing the elastic wave element includes a step of depositing an element with standard free energy of formation of larger diffusion coefficient than an Al and oxidation reaction while the element is mixed with the Al on a piezoelectric substrate 1, a step of manufacturing an electrode for the elastic wave element by using the metal film, and a step of heat treating the electrode in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

圧電基板１上に、Ａｌよりも大きい拡散係数と酸化反応の標準生成自由エネルギーを持つ元素を、Ａｌと混合した状態で成膜し、前記金属膜を用いて弾性波素子用電極を作製し、前記電極を酸素雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁

To provide tacky paper having oxidation inhibiting/odor removal/deodorization/anti-static effects which are the effects of carbon powder, and weak body (low rigidity) capable of following even with fine grooves and further by selecting a paper substrate, capable of obtaining a displaying and decorating effect by printing.例文帳に追加

炭粉の効果である、酸化抑制・脱臭・消臭・静電気除去効果を有し、且つ細かな溝にも追随できる腰の弱い（剛性の低い）タック紙であり、さらに紙基材を選択することにより、印刷による表示、装飾効果を得ることが可能であるタック紙を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing pad especially useful when an insulation film of an oxidation film or the like formed on a semiconductor substrate and a metal film or the like are chemically and mechanically polished, capable of obtaining a high polishing speed and being also excellent in polishing uniformity and flattening performance.例文帳に追加

半導体基板上に形成された酸化膜等の絶縁膜や金属膜等を化学的機械的研磨する際などにおいて特に有用な研磨パッドであって、高い研磨速度が得られ、研磨均一性および平坦化性能にも優れる研磨パッドを提供すること。 - 特許庁

The electronic device has at least one electrode which is formed on a wide band gap compound semiconductor layer formed on a substrate, and at least contains an adhesion layer, an ohmic layer, and an oxidation preventive layer in this order from the side of the wide band gap compound semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に形成されたワイドバンドギャップ化合物半導体からなる層の上に形成され、該ワイドバンドギャップ化合物半導体からなる層の側から、少なくとも密着層とオーミック層と酸化防止層とをこの順序で含む電極を少なくとも１つ有する電子デバイス。 - 特許庁

A polishing agent for chemically mechanically polishing a non-oxide single crystal substrate contains: an oxidant including transition metal having an oxidation reduction potential of 0.5 V or greater; a cerium oxide particle having an average secondary particle size of 0.5 μm or less; and a dispersion medium.例文帳に追加

非酸化物単結晶基板を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と、平均２次粒子径が０．５μｍ以下の酸化セリウム粒子と、分散媒とを含有することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes an anodic oxidation step of the interdigital electrodes 2, wherein the density of current flowing between a cathode member 5 and the interdigital electrodes 2 in an electrolytic solution 4 is controlled to thereby adjust the frequency of the surface acoustic wave excited in a piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

インターディジタル電極２の陽極酸化処理工程において、電解液４中で陰極部材５とインターディジタル電極２の間を流れる電流の密度を制御することにより、圧電基板１に励起されることとなる弾性表面波の周波数を調整する。 - 特許庁

The surface layer of the semiconductor substrate 1 exposed from the gate electrode 3a and the TEOS sidewall 5 is subjected to preprocessing based on a surface gas etching reaction in which processing of supplying a hydrofluoric acid gas and an ammonia gas and thermal processing are executed, thereby removing a natural oxidation film 6.例文帳に追加

ゲート電極３ａおよびＴＥＯＳサイドウォール５から露出された半導体基板１の表面層に対して、フッ酸ガスとアンモニアガスとを供給する処理とその後の熱処理とを行う表面ガスエッチング反応による前処理を行い、自然酸化膜６を除去する。 - 特許庁

A top face and a side face of a light semitransmitting film 2 comprising a material containing at least silicon atoms and nitrogen atoms deposited on a transparent substrate 3 is subjected to a contact process with silylation agent and a subsequent oxidation process to form a modified layer 5 in the manufacturing process of a photomask.例文帳に追加

フォトマスクの製造過程において、透明基板３上に設けられた珪素原子と窒素原子を少なくとも含む材料からなる光半透過膜２の上面や側断面に対し、シリル化剤による接触処理およびそれに続く酸化処理を施して変質層５を形成する。 - 特許庁

When wet etching to remove a natural oxide film on a silicon substrate 1, a gate oxide film 2 is prevented from being etched since there is a first polysilicon layer 3 (the so-called pad polysilicon layer for buffering stresses at oxidation of a LOCOS oxide film) on the film 2.例文帳に追加

シリコン基板（１）上の自然酸化膜を除去するためにウエットエッチングする際には、ゲート酸化膜（２）上に第１のポリシリコン層（３）（ＬＯＣＯＳ酸化時のストレスを緩衝する、いわゆるパッド・ポリシリコン層）があるために、ゲート酸化膜（２）がエッチングされることが防止される。 - 特許庁

As the semiconductor layer 3, a porous layer in which particulates of titanium oxide TiO_2 are sintered is used, and as the electrolyte layer 5, an organic electrolytic solution containing oxidation reduction species (redox pair) such as I^-/I_3^- is used, and the counter electrode 6 made of a platinum layer 6b or the like is formed on the counter substrate 7.例文帳に追加

半導体層３としては、酸化チタンＴiＯ_2の微粒子を焼結させた多孔質層を用い、電解質層５としては、Ｉ^-／Ｉ_3^-などの酸化還元種（レドックス対）を含む有機電解液を用い、白金層６ｂなどからなる対向電極６を対向基板７の上に形成する。 - 特許庁

In the method for producing a planographic printing plate, a planographic printing plate obtained by disposing a photosensitive layer or a heat sensitive layer on an aluminum substrate treated with an aqueous solution containing nitrous acid or a nitrite after anodic oxidation is developed with a developing solution not containing a silicate.例文帳に追加

陽極酸化した後、亜硝酸または亜硝酸塩を含む水溶液で処理したアルミニウム支持体に型感光層または感熱層を設けた平版印刷版を、珪酸塩を含まない現像液で現像処理することを特徴とする平版印刷版の製造方法。 - 特許庁

The film-covered member is produced by forming a high-temperature-oxidation-resistant alloy film comprising MCrAlX containing 3-24 mass% Al on the surface of a substrate made of a heat-resistant alloy and forming a Cr_2O_3 film alone or together with a Cr film on the above alloy film via an Al_2O_3 layer.例文帳に追加

耐熱合金製基材の表面に、Ａｌの含有量が３〜２４ｍａｓｓ％である下記ＭＣｒＡｌＸからなる耐高温酸化性合金皮膜が設け、その合金皮膜の上には、Ａｌ_２Ｏ_３層を介し、Ｃｒ_２Ｏ_３皮膜またはＣｒ_２Ｏ_３皮膜とＣｒ皮膜が積層形成させる。 - 特許庁

A porous layer obtained by sintering fine particles of titanium oxide TiO_2 is used as the semiconductor layer 3, an organic electrolyte containing an oxidation reduction species such as I^-/I_3^- is used as the electrolyte layer 4, and the counter electrode 5 laminated with a platinum layer or the like is installed on the counter substrate 6.例文帳に追加

半導体層３としては、酸化チタンＴiＯ_2の微粒子を焼結させた多孔質層を用い、電解質層４としては、Ｉ^-／Ｉ_3^-などの酸化還元種（レドックス対）を含む有機電解液を用い、対向基板６の上には白金層などが積層された対向電極５を設ける。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming a thermal oxide film on a substrate having a trench separation region, and characterized by covering a trench isolation region 2 with an anti-oxidation film 17 at the time of forming the thermal oxide film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ分離領域を有する基板上に熱酸化膜を形成する工程を備える半導体装置の製造方法であって、熱酸化膜の形成時に、トレンチ分離領域２を酸化防止膜１７で覆うことを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the melanin precursor includes supplying oxygen to a reaction solution containing at least one substrate compound selected from the group consisting of 3-(3,4-dihydroxyphenyl)alanine (DOPA) and analogues thereof, and an oxidizing enzyme or a microorganism containing the enzyme and simultaneously performing an oxidation reaction in a closed system.例文帳に追加

3-(3,4-ジヒドロキシフェニル)アラニン（DOPA）及びこれらの類縁体からなる群から選択される少なくとも１種の基質化合物、及び酸化酵素またはこの酵素を含む微生物を含有する反応液に酸素を供給しながら閉鎖系で酸化反応を行うことで、メラニン前駆体を製造する。 - 特許庁

In the processes shown in (f) to (g) in selected figures, the Ga_2O_3 thin film 4 and part of the GaAs substrate 1 are closely fixed by the electronic beams irradiated onto the surface of the three-layer inorganic resist oxidation film 10 in vacuum, thus to form a heat-resistant modified mask portion 17.例文帳に追加

選択図の（ｆ）から（ｇ）に示す工程では、真空中で３層無機レジスト酸化膜１０の表面に照射した電子ビームによって、Ｇａ_2Ｏ_3薄膜４とＧａＡｓ基板１の表面の一部が密着し、熱耐性を有する改質マスク部１７が形成される。 - 特許庁

A third thin film 14 of semiconductor or insulator formed on a semiconductor substrate 11 through the intermediary of a first insulating thin film 12 and, a second oxidation-resistant insulating film 13 where oxidizing seeds are hardly diffused is patterned for the formation of a stepped part 14a.例文帳に追加

半導体基板１１上に、絶縁体からなる第１薄膜１２と酸化種の拡散性が低い耐酸化性絶縁体からなる第２薄膜１３を介して形成された半導体または絶縁体からなる第３薄膜１４をパターニングし、段差部１４aを形成する。 - 特許庁

To provide a device structure, together with a manufacturing method, for defining an element forming region and its dimensions capable of preventing dislocation generated when an element separation region is formed on a silicon substrate in a thermal oxidation method in a semiconductor device having the element separation region.例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体装置において該素子分離領域をシリコン基板の熱酸化で作製する場合の転位発生を防止する半導体装置内部の素子形成領域及び素子分離領域の寸法を規定した装置構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a first process in which a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 are laminated on a silicon substrate 1, a second process in which an oxide nitride film 4 is formed on the silicon nitride film 3 by thermal oxidation, and a third process in which a resist pattern 5 is formed on the oxide nitride film through lithography.例文帳に追加

シリコン基板１上に酸化シリコン膜２およびシリコン窒化膜３を積層する工程と、シリコン窒化膜３上に熱酸化して表面に酸化窒化膜４を形成する工程と、酸化窒化膜４上にリソグラフィーによりレジストパターン５を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The electroless nickel substituted gold plating treatment method comprises forming the nickel plating layer of -560 mV or more in the oxidation reduction potential of its surface in the aqueous alkaline solution on a substrate to be plated, then subjecting the surface of the nickel plating layer to gold plating treatment.例文帳に追加

被めっき基板上に、表面の酸化還元電位がアルカリ水溶液中で−５６０ｍＶ以上であるニッケルめっき層を形成させ、次いでこのニッケルめっき層の表面に金めっき処理を施すことを特徴とする、無電解ニッケル置換金めっき処理方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical integrated element which is composed of a semiconductor laser and semiconductor optical modulator integrated on one substrate using an Al-based semiconductor material, wherein the effects of oxidation and side etch of the Al-based semiconductor material are suppressed, and reflection and dispersion in the BJ (butt-joint) surface are suppressed.例文帳に追加

Ａｌ系半導体材料を用いて同一の基板上に集積した半導体レーザ及び半導体光変調器であって、Ａｌ系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響を抑制し、ＢＪ結合面の反射や散乱を抑えた半導体光集積素子を提供する。 - 特許庁

When As is injected into a silicon substrate 10 having a natural oxidation film 11, an amorphous region 10a is formed, and the amorphous region 10a is divided into a high concentration oxygen region 10aa where the oxygen concentration is more than a critical value and a low concentration oxygen region 10ab where the oxygen concentration is lower than the critical value.例文帳に追加

自然酸化膜１１を有するシリコン基板１０にＡｓを注入すると、アモルファス領域１０ａが形成され、アモルファス領域１０ａは、酸素濃度が臨界値以上の高濃度酸素領域１０aaと、酸素濃度が臨界値よりも低い低濃度酸素領域１０abとに分かれる。 - 特許庁

After a gate insulating film 12a, a gate electrode layer 14a and a silicon oxide film 16a are laminated on a surface of a semiconductor substrate 10; the silicon oxide film is formed in a sidewall of the electrode layer 14a by an oxidation treatment, and also silicon oxide films 16a, 20 are increased in thickness.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａ、ゲート電極層１４ａ及びシリコン酸化膜１６ａの積層を形成した後、酸化処理により電極層１４ａの側壁にシリコン酸化膜を形成すると共にシリコン酸化膜１６ａ，２０を厚くする。 - 特許庁