「wiring region」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The wiring pattern 111 for test is formed in a test region (the blank part) 102 on the substrate 100, and a real wiring pattern 2 is formed in a product region 101.例文帳に追加

基板１００上のテスト領域（余白部分）１０２にテスト用配線パターン１１１が形成され、製品領域１０１に実配線パターン２が形成される。 - 特許庁

A first wiring contact 410C is arranged in the emitter region 41 and a first wiring contact 421C is arranged in the emitter region 42, respectively.例文帳に追加

エミッタ領域４１には第１の配線コンタクト部４１０Ｃ及び４１１Ｃが、エミッタ領域４２には第１の配線コンタクト部４２０Ｃ及び４２１Ｃがそれぞれ配置される。 - 特許庁

The wiring structure 40 is formed in the peripheral region of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１の外周領域には、配線構造４０が形成されている。 - 特許庁

A detection part 403 detects the power source wiring of a specific wiring layer above the lowest layer, in a projection region above the specified ROW region.例文帳に追加

特定されたＲＯＷ領域から上方の投影領域内において、最下層よりも上の特定の配線層の電源配線を検出部４０３により検出する。 - 特許庁

This prevents the ohmic resistance between a contact region and metal wiring from increasing, even if a metal wiring is formed on the contact region without deteriorating a ferroelectric body.例文帳に追加

これにより、強誘電体が劣化することなく、かつ、コンタクト領域上に金属配線を形成したとしても、両者間のオーミック抵抗が大きくなることを防止できる。 - 特許庁

A wiring groove 22 is formed in the insulating film, and its bottom is connected with the connection region.例文帳に追加

配線溝２２は、絶縁膜内に形成され、底部が接続孔と接続される。 - 特許庁

The area of the conductive region made up of the contact pad 11b and the wiring 11a in the flexible wiring board 11 is larger than that of the region, in which there are no conductor.例文帳に追加

フレキシブル配線基板１１の、コンタクトパッド１１ｂと配線１１ａとからなる導体領域の面積は、導体が設けられていない領域の面積よりも大きい。 - 特許庁

To provide a multipiece wiring board in which cracking between a wiring board region and a dummy region is prevented effectively even in case of miniaturization or high density mounting.例文帳に追加

小型化や高密度実装の場合でも、配線基板領域とダミー領域の間のクラックが効果的に防止された複数個取り配線基板を提供すること。 - 特許庁

A wiring allowance region decision section 14 refers to a wiring information storage section 11 and an element information storage section 12, and decides an allowance region allowing the arrangement of the wiring based on the location of the element having a terminal connected to the wiring.例文帳に追加

配線許容領域決定部１４は、配線情報記憶部１１および素子情報記憶部１２を参照して、配線に接続される端子を有する素子の位置に基づいて、配線の配置が許容される許容領域を決定する。 - 特許庁

A clock synchronization cell group 14 of the region 10 is connected to the clock trunk wiring 11 or the clock branch wiring group 12, and a clock synchronization cell group 24 of the region 20 is connected to the clock trunk wiring 21 or the clock branch wiring group 22.例文帳に追加

領域１０のクロック同期セル群１４は、クロック基幹配線１１またはクロック支線配線群１２と接続されている一方、領域２０のクロック同期セル群２４は、クロック基幹配線２１またはクロック支線配線群２２と接続されている。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: a semiconductor substrate; an active region formed in a tap region 40 of the semiconductor substrate; a transistor region 36; and a silicide wiring region 38; a gate electrode 21 formed on the silicide wiring region 38 down to the transistor region 36; and a metal silicide layer 44a provided on the active region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板のタップ領域４０、トランジスタ領域３６、及びシリサイド配線領域３８に形成された活性領域と、シリサイド配線領域３８上からトランジスタ領域３６上に亘って形成されたゲート電極２１と、活性領域上に設けられた金属シリサイド層４４ａとを備えている。 - 特許庁

A memory macro 100 is provided with a fuse circuit region 200 having a width 30 larger than the total value of the power supply wiring width, the power supply wiring interval and the fuse region width so that the fuse region can be provided between the power supply wirings thus releasing restriction on the layout of memory macro in the phase region arrangement.例文帳に追加

メモリマクロ１００に電源配線幅と電源配線間隔およびフューズ領域幅の合計値より大きい幅３０のフューズ回路領域２００を設け、電源配線間にフューズ領域を設けることができるようにした。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first wiring layer includes a first wiring 11a located in the upper part of a first element region 1a, a second wiring 11d located in the upper part of a second element region 1b, and a third wiring 11b located in the upper part of the second element region 1b to have a potential different from that of the second wiring 11d.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置において、第１配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第１配線１１ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置する第２配線１１ｄと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて第２配線１１ｄとは異なる電位になる第３配線１１ｂを具備する。 - 特許庁

In the first wiring layer, reinforcing wiring 106 for preventing a potential drop in the second diffusion region 104 is provided in the overlaps of the second diffusion region 104 and the VSS wiring 108.例文帳に追加

第１の配線層において、第２の拡散領域１０４およびＶＳＳ配線１０８と重なる部分に、第２の拡散領域１０４における電位降下を防ぐための補強用配線１０６が設けられている。 - 特許庁

The reinforcement structure under the probing region is formed by utilizing the wiring layers except at least one wiring layer out of plural wiring layers utilized for forming the reinforcement structure under the bonding region.例文帳に追加

プロービング領域の下の補強構造は、ボンディング領域の下の補強構造を形成するために利用されている複数の配線層の内、少なくとも１つの配線層を除いた配線層を利用して形成されている。 - 特許庁

Further, since the layout is performed from a subregion that most requires a wiring region width, there is reduced the possibility that wiring in other subregion is wider than the above wiring region and hence the number of times of relocation of wirings is reduced.例文帳に追加

また、最も配線領域幅が必要とされるサブ領域からレイアウトするから、他のサブ領域での配線がこの配線領域より広くなることが少なく、配線の再配置の回数が減少する。 - 特許庁

The wiring group has a structure where connection is switched so that wiring on the starting end side of J-th (J is the integer satisfying K<J≤N) wiring position is routed to wiring of the terminating end side of (J-K)th wiring position in a wiring layer above an arrangement region of the buffer circuit.例文帳に追加

配線群は、バッファ回路の配置領域の上層の配線層において、第Ｊ（Ｊは、Ｋ＜Ｊ≦Ｎを満たす整数）の配線位置の始端側の配線が第Ｊ−Ｋの配線位置の終端側の配線に接続替えされて配線される構造を有する。 - 特許庁

In a wiring enabled region 40, first signal wiring is laid out with a pitch of twice the normal wiring pitch, and second signal wiring is interposed between pieces of the adjacent first signal wiring, by laying out the second signal wiring with the normal pitch.例文帳に追加

配線可能領域４０において、第１信号配線を通常の配線ピッチの２倍のピッチでレイアウトし、第２信号配線を通常ピッチでレイアウトすることにより、互いに隣接する上記第１信号配線間に上記第２信号配線を介在させる。 - 特許庁

Moreover, in the same layer as wiring (uppermost wiring) formed in the uppermost wiring layer (uppermost wiring layer) 5c disposed at the uppermost layer among the plurality of wiring layers 5 formed for a device region 1a, a metal pattern 10 is formed.例文帳に追加

また、デバイス領域１ａに形成される複数の配線層５のうち最上層に配置される配線層（最上層配線層）５ｃに形成された配線（最上層配線）と同層に金属パターン１０を形成する。 - 特許庁

A wiring protecting material set at the flexible film wiring board is formed so that a region between the wiring protecting material and an end face of the flexible film wiring board becomes gradually narrow towards the center of the flexible film wiring board.例文帳に追加

更に封止樹脂が吐出口面側に突起状に盛り上がる事により被記録媒体に接触し印字品位を劣化させる事の無い液体噴射記録ヘッドおよびその生産効率の高い製造方法を提供する。 - 特許庁

The first board is equipped with the first wiring patterns 103 connectible to external wiring and wiring patterns within the secondary wiring region 105 isolated from the first wiring patterns for a specified creeping distance.例文帳に追加

第１の回路基板は、第１の回路基板の外部の配線に接続可能な第１の配線パターン１０３と第１の配線パターンから所定の沿面距離だけ離隔された二次配線領域１０５内の配線パターンとを含む。 - 特許庁

To provide a technique for preventing enlargement of a wiring region while preventing variations in wiring resistance value to each segment.例文帳に追加

各セグメントまでの配線抵抗値のばらつきを抑制しつつ、配線領域の拡大を抑制するための技術を提供する。 - 特許庁

To inspect for the presence or absence of errors in connections of wiring described for connector/wiring information for each region by an electronic computer.例文帳に追加

電子計算機によって、部位毎コネクタ・配線情報に記述されている電線の接続の誤りの有無を検査すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a region of a wiring track for master slice wiring can be used more effectively.例文帳に追加

マスタースライス配線用の配線トラックの領域をより有効に活用することを可能にした半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a planar view, the via 506 is formed in a region between the adjoining metal wiring (upper wiring) 505 without causing stick-out.例文帳に追加

平面的に見て、ビア５０６は、隣接する金属配線（上層配線）５０５間の領域に、はみ出す事無く形成されている。 - 特許庁

In order to bond the wiring board to a wiring region via the anisotropic conductive adhesive, alignment marks are formed.例文帳に追加

異方性導電性接着剤を介して配線領域に配線基板を接着するため、位置合わせ用の目印を形成する。 - 特許庁

An opening 50c is bored in a region of the third insulating layer 43 between the wiring pattern W2 and wiring pattern R2.例文帳に追加

第３の絶縁層４３の配線パターンＷ２と配線パターンＲ２との間の領域に開口部５０ｃが設けられる。 - 特許庁

An opening 50b is bored in a region of the second insulating layer 42 between the wiring pattern W1 and wiring pattern R1.例文帳に追加

第２の絶縁層４２の配線パターンＷ１と配線パターンＲ１との間の領域に開口部５０ｂが設けられる。 - 特許庁

In a region on the second insulating layer 42 on the side of the wiring pattern W2a, a wiring pattern W1b is formed.例文帳に追加

配線パターンＷ２ａ側における第２の絶縁層４２上の領域に配線パターンＷ１ｂが形成されている。 - 特許庁

In a region on the second insulating layer 42 on the side of the wiring pattern W1a, a wiring pattern W2b is formed.例文帳に追加

配線パターンＷ１ａ側における第２の絶縁層４２上の領域に配線パターンＷ２ｂが形成されている。 - 特許庁

The wiring cable connection region 120 is folded back in a housing state, and each of the wiring cable 13 is laminated in multilayer.例文帳に追加

配線ケーブル接続領域１２０は、収納状態において折り曲げられ、各配線ケーブル１３が多層に積層される。 - 特許庁

The one side of the wiring of the wiring substrate of connecting end (electrically connecting device side) is arranged in the arrangement region (S1) of the reinforcing plate.例文帳に追加

配線基板の配線路の一方の接続端部（電気接続器側）は、補強板の配置領域（Ｓ１）内に配置される。 - 特許庁

To provide a wiring formation method inhibiting generation of erosion at a region where the dishing of wide wiring and concentration of wiring in the formation of copper-family groove wiring by the chemical mechanical polishing method (CMP polishing method).例文帳に追加

化学機械研磨法（ＣＭＰ研磨法）による銅系溝配線形成における広幅配線のディッシングや配線の密集する領域のエロージョン発生を抑制した配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit design device which efficiently performs wiring path search in reaction to a group of wiring requests on a wiring region, in wiring design of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の配線設計において、配線領域上の配線要求群に対して配線経路探索を効率的に行う半導体集積回路設計装置を提供する。 - 特許庁

After the wiring layout, minimum values of the wiring density and edge length of each partial region are limited by inserting dummy wiring in one of the partial regions having a small wiring density.例文帳に追加

さらに、配線のレイアウト後において、配線の配線密度が小さい部分領域にダミー配線を挿入することにより、各部分領域の配線の配線密度およびエッジ長の最小値を制限する。 - 特許庁

To provide wiring structure and its making method having wiring passable region corresponding to the maximum numbers of pass wiring by calculating the maximum numbers of wiring passing the upper part of a memory-macro.例文帳に追加

メモリマクロの上方通過配線の最大本数を算出し、その通過配線の最大本数に見合った配線通過可能領域を有する配線構造とその作成方法を提供する。 - 特許庁

A wiring-inhibited region 10 is arranged in the active side of an IC chip 1, and a transparent see-through region 3 is arranged so as to cope with the wiring-inhibited region, in the transparent substrate 9 of a display element mounted with the IC chip 1.例文帳に追加

ＩＣチップ１の能動面に配線禁止領域１０を設け、ＩＣチップ１が実装される表示素子の透明基板９に配線禁止領域に対応するように透明な透視領域３を設ける。 - 特許庁

This socket main body 28 has a member connecting part 32 and a wiring region part 44.例文帳に追加

このソケット本体２８は、部材接続部３２と配線領域部４４とを有する。 - 特許庁

The wiring 44 is formed inside and outside of a formation region of the organic film 46.例文帳に追加

配線４４は、有機膜４６の形成領域の内側及び外側に形成する。 - 特許庁

The average value of the wiring width of the activation analysis region is calculated as AEI_A(x).例文帳に追加

活性上解析領域の配線幅の平均値をＡＥＩ＿Ａ（ｘ）として計算する。 - 特許庁

A first metal or metallized wiring 403 is positioned below the via hole region.例文帳に追加

第１の金属または金属化された配線４０３は、ビアホール領域の下方に位置する。 - 特許庁

A second metal or metallized wiring 404 is positioned below the via line region.例文帳に追加

第２の金属または金属化された配線４０４は、ビアライン領域の下方に位置する。 - 特許庁

A wiring pattern electrode 13 is formed on an upper face of the mounting region 1B.例文帳に追加

搭載領域１Ｂはその上面に配線パターン電極１３が形成されている。 - 特許庁

A second emitter wiring 16 is formed so that the entire surface on a transistor region is covered.例文帳に追加

トランジスタ領域上を全面覆うように第２のエミッタ配線１６を形成する。 - 特許庁

A second layer wiring is not formed in a region under the bonding pad BP.例文帳に追加

また、ボンディングパッドＢＰの下部領域には第２層目の配線が形成されていない。 - 特許庁