例文 (999件) |
wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
In the method of manufacturing the solar cell module, a difference in thermal expansion between a substrate 11 and a wiring member 18 of the solar cell 10 is suppressed by setting a connection temperature of the wiring member 18 in a wiring connection process to equal to or higher than 20°C and lower than a plastic deformation temperature T_0 at which a back electrode 15 plastically deforms, thereby suppressing warpage of the solar cell 10 after connection.例文帳に追加
この太陽電池モジュールの製造方法では、配線接続工程における配線部材18の接続温度を20℃以上かつ裏面電極15に塑性変形が生じる塑性変形温度T_0未満とすることで、太陽電池セル10の基板11と配線部材18との間の熱膨張差が抑えられ、接続後の太陽電池セル10における反りの発生を抑制できる。 - 特許庁
A wiring pattern forming method for forming a wiring pattern on a liquid-repellent substrate P includes a step of forming a lyophilic region H1 by discharging and locating a lyophilic material X2 by means of a drip discharging method, and a step of providing a functional liquid containing conductive particles on the lyophilic region to form the wiring pattern by drying and baking.例文帳に追加
撥液性を有する基板P上に配線パターンを形成する配線パターン形成方法であって、液滴吐出法によって親液性材料X2を上記基板上に吐出配置することによって親液領域H1を形成する工程と、上記親液領域上に導電性微粒子を含む機能液を配置し乾燥、焼成させることによって上記配線パターンを形成する工程とを有する。 - 特許庁
In the wiring etching method, including a step of etching a wiring film formed on a semiconductor substrate by plasma etching, etching is carried out under CW conditions (condition for causing continuous plasma discharge), until a prescribed film thickness prior to etching of the wiring film extending throughout the entire film thickness, and subsequently etching is carried out under TM conditions (condition for causing intermittent plasma discharge).例文帳に追加
半導体基板上に形成された配線膜をプラズマエッチング法によりエッチングする工程を含む配線エッチング方法において、前記配線膜が全膜厚にわたってエッチングされるよりも前の所定の膜厚まではCW条件(プラズマ放電を連続的に放電させる条件)でのエッチングを行い、それ以降はTM条件(プラズマ放電を断続的に放電させる条件)でのエッチングを行う。 - 特許庁
The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1, gate electrodes 3, an impurity diffusion region 4, at least a wiring layer 6 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 5, containing relay pins connected electrically to the gate electrodes 3, and an uppermost wiring layer 8 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 7, containing wiring patterns which are electrically connected to the relay pins respectively.例文帳に追加
半導体基板1と、複数のゲート電極3と、不純物拡散領域4と、層間絶縁膜5を介して形成され、複数のゲート電極にそれぞれ電気的に接続された複数の中継ピンを含む少なくとも1層の配線層6と、層間絶縁膜7を介して形成され、複数の中継ピンにそれぞれ電気的に接続された複数の配線パターンを含む最上層の配線層8とを具備する。 - 特許庁
The method for manufacturing a printed wiring board with a via hole for interlayer connection includes a process of making a barrier metal layer at least on the front side of the wiring circuit and/or the metal foil formed on the outer layer of an insulator substrate to prevent the wiring circuit and/or the metal foil from being etched by etching treatment during a following circuit formation process in the via hole.例文帳に追加
層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、当該ビアホール形成のためのめっき処理工程前に、少なくとも絶縁基板の外層に形成された配線回路及び/又は金属箔の表側面に、後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理により当該外層配線回路及び/又は金属箔がエッチングされることを防止するバリア金属層を設ける。 - 特許庁
A ceramic-based multi-piece substrate 1 appearing rectangular in a planar view comprises a wiring board region 9 in which a plurality of wiring boards 13 are arranged in a matrix in a plane direction, a frame part 11 arranged to surround whole periphery of the wiring board region 9 in the plane direction and a periphery metallized layer 43 formed along a periphery of the frame part 11 in the plane direction.例文帳に追加
セラミックを主体とし、平面視が矩形を呈する多数個取り基板1であって、複数の配線基板13が平面方向において縦横に配置された配線基板領域9と、配線基板領域9の平面方向における全周を囲む様に配置された枠部11と、枠部11の平面方向における外周に沿って形成された外周メタライズ層43とを備えている。 - 特許庁
The method includes a step for forming a wiring layer 13 and a conductor film 14 on a semiconductor substrate 11 in which an orientation flat portion 111 is formed, a step for forming an insulating layer 15 which covers the wiring layer 13 and the conductor film 14 on the wiring layer 13 and the conductor film 14, and a step for polishing the insulating layer 15.例文帳に追加
本実施形態の半導体装置の製造方法は、オリエンテーションフラット部111が形成された半導体基板11上に、配線層13および導体膜14を形成する工程と、前記配線層13および前記導体膜14上に、前記配線層13および前記導体膜14を被覆する絶縁層15を形成する工程と、前記絶縁層15を研磨する工程とを備える。 - 特許庁
The liquid crystal display is provided with gate electrode wiring 2 formed on a transparent insulating substrate 1, a gate insulating film 3 covering the gate electrode wiring 2, a semiconductor layer 10 formed on the gate insulating film 3, a source electrode 6b, source wiring 6a and a drain electrode 7 which are formed on the semiconductor layer 10 and a pixel electrode 9 connected to the drain electrode 7.例文帳に追加
本発明に係る液晶表示装置は、透明絶縁基板1上に形成されたゲート電極・配線2と、ゲート電極・配線2を覆うゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3上に形成された半導体層10と、半導体層10上に形成されたソース電極6b、ソース配線6a及びドレイン電極7と、ドレイン電極7に接続された画素電極9とを備えたものである。 - 特許庁
The semiconductor device 100b includes: a substrate 101; an imaging region A formed on the substrate 101 and arranged with an array of photoelectric conversion cells each having a photoelectric converting section 103; a control circuit region B formed on the substrate 101 and performing the control of the imaging region and the delivery of a signal therefrom; and copper-containing wiring layers 132, 134 formed on the substrate 101 and formed of a material containing copper.例文帳に追加
半導体装置100bは、基板101と、基板101上に形成され、光電変換部103を有する光電変換セルがアレイ状に配置された撮像領域Aと、基板101上に形成され、撮像領域の制御及び撮像領域からの信号の出力を行なう制御回路領域Bと、基板101上に形成され且つ銅を含む材料よりなる銅含有配線層132、134とを備える。 - 特許庁
A second semiconductor substrate 100, having the semiconductor device, is disposed as opposed to a first semiconductor substrate 60 having an active element via an adhesive insulating film, and wiring contributing to an electrical operation of the semiconductor device provided on the second semiconductor substrate is extended and formed between the first semiconductor substrate and adhesive insulating film, thereby dispensing with a metal-made lead terminal that connects with an external electrode.例文帳に追加
半導体素子を有する第2の半導体基板100を、接着性絶縁膜を介して、能動素子を有する第1の半導体基板60に対向配置し、前記第2の半導体基板に設けられた前記半導体素子の電気的動作に寄与する配線を、前記第1の半導体基板と前記接着性絶縁膜の間に延在して形成することにより、外部電極と接続する金属製のリード端子を不要とする。 - 特許庁
The control board module 20 consists of a multilayer wiring board arranged opposite to the driver substrate 11 immediately above the power semiconductor module 10 and having at least one GND layer, i.e. a control board 21 provided with a circuit for generating a control signal on the surface not facing the driver substrate 11, and a shield plate 23 covering the space on the side not facing the driver substrate.例文帳に追加
制御基板モジュール20は、パワー半導体モジュール10の直上にドライバ基板11と対向して配置される、少なくとも1つのGND層を有する多層配線基板であって、ドライバ基板11に対向しない非対向面に制御信号を生成する信号生成回路が備えられた制御基板21と、非対向面側の空間を覆うシールドプレート23とからなる。 - 特許庁
This multilayer wiring board includes: a substrate; a land including a first conductor arranged on the substrate, a second conductor laminated on a surface of the first conductor, which is distant from the substrate, and a stress-relieving layer arranged between the first conductor and the second conductor; and a connection portion that contacts the land and is electrically connected to the land.例文帳に追加
多層配線板であって、基板と、基板上に配置された第1導電体、第1導電体の基板から離れた面に積層された第2導電体、及び第1導電体と第2導電体との間に配置された応力緩和層を備えるランドと、ランドと接し、前記ランドと電気的に接続されている接続部と、を有することで上記課題を解決する。 - 特許庁
In the method of manufacturing a semiconductor device, a substrate 20 carrying a wiring pattern 22 is mounted on a bonding stage 30, equipped with a heater 50 and a cooler 60 and the semiconductor chip 10 is mounted on the substrate 20 while the expansion or contraction of the substrate 20 is controlled by controlling the temperature of the stage 30 by means of the heater 50 and the cooler 60.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、加熱器50及び冷却器60を備えるボンディングステージ30に配線パターン22が形成された基板20を載置し、前記加熱器50及び前記冷却器60によって前記ボンディングステージ30の温度をコントロールすることで前記基板20の膨張又は収縮をコントロールし、前記基板20に半導体チップ10を搭載する。 - 特許庁
In this crystal oscillator constituted of semiconductor components and crystal resonators in a container body having cavity parts to be arranged in a matrix shape by using a sheet-shaped substrate 10, voltage controlled terminals 14 and ground terminals 12 in an externally connected electrode terminals forming the crystal oscillator of the sheet-shaped substrate 10 are subjected to common wiring in a state of the sheet-shaped substrate 10.例文帳に追加
シート状基板10を用いてマトリックス状に配置するキャビティ部を有する容器体に半導体部品と水晶振動子とで構成する水晶発振器において、シート状基板10の水晶発振器を形成する外部接続電極端子の中の、電圧制御端子14とグランド端子12をシート状基板10状態で共通配線とした。 - 特許庁
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board includes: a base material step of holding a base material 60 including a planar member 62 having a plurality of planar convex portions 62a and a lower substrate sheet 61 having substrate convex portions 61a; a step of transferring conductive paste 70 between the substrate convex portions 61a; and a step of curing the conductive paste 70 to form conductive bumps 71.例文帳に追加
多層プリント配線板製造方法は、複数の平板凸部62aを有する平板状部材62と、基板凸部61aを有する下方基板シート61とを含む基材60を保持する基材工程と、基板凸部61aの間に、導電性ペースト70を転写させる工程と、導電性ペースト70を硬化させて導電性バンプ71を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁
The semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 11, an insulator 12 formed on the semiconductor substrate 11, and a spiral winding 13 formed on the insulator 12 wherein at least a partial region of the semiconductor substrate 11 in the thickness direction corresponding at least to a central part surrounded by the wiring 13 is removed (removed region 11c).例文帳に追加
半導体装置1が、半導体基板11と、該半導体基板11上に形成された絶縁層12と、該絶縁層12上に形成されたスパイラル状の配線13とを備え、少なくとも配線13に囲まれた中央部分に対応する半導体基板11の厚み方向の少なくとも一部の領域が除去(除去領域11c)されていることを特徴とする。 - 特許庁
The semiconductor device manufacturing method has a mount step of mounting a plurality of electronic parts at predetermined spots of a substrate previously formed with a wiring pattern, a bulkhead formed step of forming a bulkhead on the substrate between the plurality of electronic parts, and a resin sealing step of injecting a resin on the substrate formed with the bulkhead and sealing.例文帳に追加
予め配線パターンの形成された基板の所定の位置に複数の電子部品を載置するマウントステップと、前記複数の電子部品の間の前記基板上に隔壁を形成する隔壁形成ステップと、前記隔壁が形成された前記基板上に樹脂を注入して封止を行う樹脂封止ステップとを有する半導体装置製造方法を提供する。 - 特許庁
The image sensor includes a substrate on which a CMOS circuitry containing a lower wiring is formed, a plurality of first wirings separately formed on the substrate, an insulating layer formed between the first wirings while planarized, an intrinsic layer formed on the substrate including the insulating layer, and a second conductive type conducting layer formed on the intrinsic layer.例文帳に追加
本発明によるイメージセンサは、下部配線を含むCMOS回路(circuitry)が形成された基板と、上記基板の上に複数で分離されて形成された第1配線と、上記第1配線の間に平坦化されて形成された絶縁層と、上記絶縁層を含む基板の上に形成された真性層(intrinsic layer)と、上記真性層の上に形成された第2導電型伝導層とを含む。 - 特許庁
Due to the plurality of TFTs on the substrate, in a semiconductor device having the TFT substrate on which the plurality of pixels are formed, the drive wires of the TFTs are connected respectively via wiring resistance Rs and one pixel on the TFT substrate consists of a TFT and a photoelectric transfer element and the bias wire of the photoelectric transfer element and the drive wire of the TFT are connected.例文帳に追加
基板上に複数のTFTにより、複数の画素が構成されているTFT基板を有する半導体装置において、TFTの駆動配線が配線抵抗Rsを介してそれぞれ接続され、TFT基板の1画素は、TFTと光電変換素子とから構成され、光電変換素子のバイアス配線とTFTの駆動配線が接続されている。 - 特許庁
The device for optical communication comprises an IC chip mounting substrate and a multi-layered printed wiring board, and the optical path for optical signal transmission penetrating the IC chip mounting substrate is arranged in the IC chip mounting substrate, and the optical path for optical signal transmission has a glossy metallic layer formed on a part or the whole of the wall surface.例文帳に追加
ICチップ実装用基板と多層プリント配線板とからなる光通信用デバイスであって、前記ICチップ実装用基板には、該ICチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が配設されており、前記光信号伝送用光路は、その壁面の一部または全部に光沢を有する金属層が形成されていることを特徴とする光通信用デバイス。 - 特許庁
In the manufacture of the inkjet recording head equipped with a recording element substrate, which includes a discharge means for discharging an ink, and an electric wiring substrate having an inner lead connection part connected to an electric connection part of the recording element substrate, the inner lead connection part is sealed by coating a sealing agent on the inner lead connection part while imparting shearing force to the sealing agent having thixotropy.例文帳に追加
インクを吐出する吐出手段を有する記録素子基板と、前記記録素子基板の電気接続部に接続されるインナーリード接続部を有する電気配線基板とを有するインクジェット記録ヘッドを製造するにあたり、チクソトロピー性を有する封止剤に剪断力を付与しながら該封止剤を前記インナーリード接続部に塗布して、前記インナーリード接続部を封止する。 - 特許庁
Moreover, the substrate 11 making the above impedance matching is formed into a film substrate having a freedom to connect the substrate with a package side connector 12 and a back wiring board side connector 13, whereby the number of joints on a transmission line is lessened, impedance matching of a high-speed transmission line can be easily made and deterioration of a transmission signal waveform due to an impedance mismatching of relay jacks is prevented.例文帳に追加
また、上記のインピーダンス整合のとれている中継ジャック基板11をフイルム状の自由度のある基板にして、その基板をパッケージ側コネクタ12とバックワイヤリングボード側コネクタ13に接続することで、伝送路上の継ぎ目の数を少なくし高速伝送路のインピーダンスの整合を容易にとることができ、インピーダンス不整合による伝送信号波形の劣化を防ぐ。 - 特許庁
In the drawing method of a wiring pattern on the substrate by dropping a solution including an electric conductive component; an oxygen element is included in the substrate on the front surface, the substrate with a critical surface tension smaller than 25 dyn/cm in 25°C of the front surface is used, and the solution with the larger surface tension force than the above critical surface tension is used for the solution.例文帳に追加
導電成分を含む溶液を滴下することによって基板上に配線パターンを描画形成する方法において、基板に酸素元素を表面に含み、その表面の25℃における臨界表面張力が25dyn/cmより小さい基板を用い、溶液にその表面張力が上記臨界表面張力より大きい溶液を用いる。 - 特許庁
In the manufacturing method of the packaged semiconductor device including a semiconductor; an insulating layer consisting of insulating resin layers (16, 20) laminated on a substrate 10 and re-wiring layers (17, 18, 21, 23) buried in the insulating layer are formed on a semiconductor device forming region SD of the substrate segmented with scribe lines SL, and the substrate 10 is cut on the scribe lines SL.例文帳に追加
半導体を含んでパッケージ化された半導体装置の製造方法であって、スクライブラインSLで区分された基板の半導体装置形成領域SDにおいて、基板10上に積層された絶縁樹脂層(16,20)からなる絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた再配線層(17,18,21,23)を形成し、さらに、スクライブラインSLにおいて基板10を切断する。 - 特許庁
The wiring circuit board 1 is obtained by preparing a support substrate 2 and a base insulating layer 3 respectively, bonding the reverse surface of the base insulating layer 3 having been subjected to activation processing to the support substrate 2 using laser light 9 after previously performing activation processing on the top surface of the base insulating layer 3, forming a conductor pattern 4 on the base insulating layer 3, and then removing the support substrate 2.例文帳に追加
支持基板2とベース絶縁層3とをそれぞれ用意し、ベース絶縁層3の表面を、予め活性化処理した後、活性化処理されたベース絶縁層3の下面を、レーザー光9を用いて支持基板2と接合し、ベース絶縁層3の上に導体パターン4を形成し、その後、支持基板2を除去することにより、配線回路基板1を得る。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which improves a manufacturing margin in an wiring process and eliminates a large area pad exclusively used for connecting wires between a substrate and a semiconductor chip, by easily realizing a complete flatness of the surface of a substrate and semiconductor chip when arranging the semiconductor chip in a groove provided in a substrate such as a wafer.例文帳に追加
ウェハ等の基板に設けられている溝に半導体チップを配置する際、基板と半導体チップ表面の完全平坦性を容易に実現することにより、配線工程の製造マージンを向上させ、基板と半導体チップ間の配線接続時に使用していた配線接続専用の大面積パッドを不要とした、半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
The light emitting device 10 comprises an LED element 13, an insulating ceramic substrate 11a which mounts the LED element 13 and has a wiring for supplying electricity to the LED element 13, a ceramic substrate 11a which is integrally formed with the ceramic substrate 11a and has a reflection face which reflects a light emitted from the LED element 13, and a reflector 12 composed of insulating ceramics of the same kind.例文帳に追加
LED素子13と、 LED素子13を搭載し、LED素子13に電気を供給する配線を有した絶縁性のセラミックス基板11aと、セラミックス基板11aに一体的に形成され、LED素子13から発せられる光を反射する反射面を有したセラミックス基板11aと同種の絶縁性のセラミックスからなるリフレクタ部12からなる発光装置10。 - 特許庁
A connector 303 connected to downstream side of the power factor improving circuit 310 and a connector 203 connected to upstream side of a low voltage power source circuit for engine 222 in a second circuit substrate 220 are connected by wiring 402.例文帳に追加
力率改善回路310の下流側に接続されたコネクタ303と、第2回路基板220のエンジン用低圧電源回路222の上流側に接続されたコネクタ203とを配線402により接続する。 - 特許庁
A wiring board 100 has a capacitor 20 built in a recessed section 11 formed in the main body 10 of a core substrate and has resin insulating layers 41-43, 51-53 and interconnection layers 45 and 46, 55 and 56 formed on an upper and a lower face respectively.例文帳に追加
配線基板100は、コア基板本体10に形成された凹部11にコンデンサ20を内蔵し、さらに、その上下に樹脂絶縁層41〜43,51〜53及び配線層45,46,55,56を備える。 - 特許庁
A substrate for suspension 1 according to the present invention comprises: an insulating layer 10; a metal support layer 20 that is provided on one surface of the insulating layer 10; and a wiring layer 30 that is provided on the other surface of the insulating layer 10.例文帳に追加
本発明によるサスペンション用基板1は、絶縁層10と、絶縁層10の一方の面に設けられた金属支持層20と、絶縁層10の他方の面に設けられた配線層30と、を備えている。 - 特許庁
A mobile phone 10 comprises: a connector 20 having an opening 24; and a main substrate 40 which is electrically connected to the connector 20 when the connector 20 is placed on a principal face provided with wiring on its surface.例文帳に追加
携帯電話機10は、開口部24を有するコネクタ20と、表面に配線が形成された主面上にコネクタ20を載置されてコネクタ20と電気的に接続されるメイン基板40とを備えるものである。 - 特許庁
To provide a wiring substrate in which high-frequency signal reflection loss caused by discontinuity of a transmission line in a connection portion between a differential line and a differential through-conductor can be made very small.例文帳に追加
差動線路と差動貫通導体との接続部における伝送線路の不連続性から生じる高周波信号の反射損失を非常に小さなものに抑制することができる配線基板を提供すること。 - 特許庁
A pattern 13 being cut is formed on a first layer 1a of the substrate 1 having a layer structure, and an address is written directly by cutting the wiring 11 between lands of the pattern 13 being cut by high voltage power 15.例文帳に追加
層構造の基板1の第1層1aに切断対象パターン13を形成し、前記切断対象パターン13のランド間の配線11を高圧電源15で切断することで直接アドレスを書込む。 - 特許庁
To provide a receptacle to test a display panel with which an adjustment of a contact position of an electrode terminal of a display panel with a contact unit of a wiring substrate can be properly performed and which can be used for an accurate test.例文帳に追加
表示パネルの電極端子と配線基板の接触子との接触位置の調整を適正に行うことができ、正確な検査に供することができる表示パネル検査用ソケットを提供すること。 - 特許庁
To obtain a wiring board incorporating a capacitor in which capacitors are formed on the opposite major surfaces of a supporting substrate in order to double the capacitance as compared with a case where the capacitor is formed only on one major surface.例文帳に追加
コンデンサを内蔵する配線基板において、支持基体の表裏両側の主表面にコンデンサを形成することにより、一方の主表面にのみコンデンサを形成した場合と比較して形成容量を倍増させる。 - 特許庁
To provide a wiring board whose thermal expansion is reduced by enlarging the surface area of a core material for absorbing heat released from parts and a circuit that are mounted on a substrate and increasing heat absorbing and heat dissipating.例文帳に追加
基板上に搭載した部品および回路から発せられた熱を吸収する芯材の表面積を大きくし、熱の吸収量と放熱量を多くし、熱膨張の小さい配線基板を提供する。 - 特許庁
A heat radiation plate 12 is constituted which has heat conduction property higher than that of the insulating substrate 13, and which has a heat radiation project 19 formed integrally opposing the opening 18 on its main surface 12a for combining wiring board 11.例文帳に追加
絶縁基板13よりも高熱伝導特性で配線基板11を組み合わす主面12aに開口部18と対向して放熱凸部19が一体に形成された放熱プレート12とから構成される。 - 特許庁
The wiring substrate 2 has two or more concave portions and a conductive layer 24 formed on an internal surface of each concave portion, and the surface-mounted component 3 has a conductive convex part 30 inserted into the concave part at a position corresponding to the concave part.例文帳に追加
配線基板2は、複数の凹部と、各凹部の内表面に形成された導電層24と、を有しており、実装部品3は、凹部と対応する位置に、凹部に挿入される導電性の凸部30を有している。 - 特許庁
Also, a bending direction is made such that the center of curvature of the flexible thermal conduction member is arranged at a near side to the center of curvature of curve of a flexible substrate for signal wiring, thereby canceling force to act on the arm to be rotated.例文帳に追加
また、信号配線用フレキシブル基板の曲げの曲率中心に近い側に可撓性熱伝導部材の曲率中心を配置する曲げ方向としアームに作用し回転させようとする力を相殺させる。 - 特許庁
A wiring length can be made longer in the same winding line number by making the pattern A-A' of a primary winding line formed on a substrate and the pattern B-B' of a secondary winding line not a simple circle but zigzag shapes.例文帳に追加
基板上に構成したトランスの1次巻線のパターンA−A’、および2次巻線のパターンB−B’を単純な円弧ではなくジグザグにすることで、同じ巻線数でも配線長を長くすることができる。 - 特許庁
Since the insulation base 1 is formed by binding inorganic insulation powder by organic material which is excellent in tenacity, cracks or the like are not generated in the insulation base 1 even if the wiring substrate 4 collide hard against each other.例文帳に追加
絶縁基体1が無機絶縁粉末を靭性に優れる有機材料で結合されていることから、配線基板4同士が激しく衝突しても絶縁基体1に欠けや割れ・クラック等が発生することはない。 - 特許庁
Therefore, it is possible to reduce the width (projecting length) of the projecting part 2b compared with the case that the input wiring is arranged outside of the lower part of the semiconductor device connection area 11 of the lower glass substrate 2 as much as possible.例文帳に追加
したがって、下ガラス基板2の半導体装置接合領域11の下辺部の外側に入力配線を設ける場合と比較して、突出部2bの幅(突出長)を可及的に小さくすることができる。 - 特許庁
To provide a method for forming a via-hole which can form directly a wiring pattern on an end face of the via-hole formed by filling a metal in a through hole formed on a substrate made of an insulating material by plating.例文帳に追加
絶縁性材料から成る基板に形成したスルーホール内にめっきによって金属を充填して形成したヴィアの端面上に直接配線パターンを形成し得るヴィアの形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide an easily manufactured wiring substrate for mounting a light-emitting element in which a sealing resin firmly adheres in a cavity having a light-emitting element mounted thereon, and a light from the light-emitting element is efficiently reflected.例文帳に追加
発光素子が実装されるキャビティ内に封止用樹脂が強固に密着し、上記発光素子からの光を効率良く反射できると共に、製造容易な発光素子実装用配線基板を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a rigid-flexible substrate in which flexibility and elasticity of a flexible part is not impaired even if wiring density is increased, which comprises a simple process, and which provides a high material yield and a high product yield.例文帳に追加
簡易な工程で、材料歩留まりよく、かつ良品率が高く、かつ、配線密度を高くしてもフレキシブル部分の可撓性や耐屈曲性を損なわないリジッド−フレキシブル基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
A annular section 3 is formed by a part of the wiring 2, a through-hole 14 is formed in the substrate, adjacent to the external edge of the annular section 3, and the area covered with the sealing resin 12 is surrounded by the annular section 3.例文帳に追加
配線2の一部は環状部3を形成し、基板1に環状部3の外縁に隣接したスルーホール14が形成され、環状部3により封止樹脂12の被覆領域が包囲されている。 - 特許庁
To provide a wiring board including pads on the rear surface of a main body made of ceramic so as to attain sufficient conduction with a printed substrate to be mounted via the pad, even when the temperature of a usage environment is changed.例文帳に追加
セラミックからなる基板本体の裏面にパッドを有し、使用環境の温度変化に遭遇しても、前記パッドを介して実装すべきプリント基板などとの間で十分な導通が取れる配線基板を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method includes a step, wherein a resin material is arranged on a substrate P with electrode terminals 24 by using an ink-jet method, and a step of forming a metal wiring 20 connecting the electrode terminals 24 with the top of the resin material.例文帳に追加
電極端子24が形成された基板P上にインクジェット法により樹脂材を配置する工程と、電極端子24と樹脂材の頂部とを結ぶ金属配線20を形成する工程とを有する。 - 特許庁
In this apparatus, a buffer amplifier 107 applies potential, whereby a potential is applied on column wirings of a surface conducting type emitting element substrate 101 and a potential is applied on one row wiring selected by a line selecting circuit 102.例文帳に追加
バッファアンプ107によって電位が印加されて表面伝導型放出素子基板101の列配線に電位が印加され、ライン選択回路102により選択されたの1行の行配線に電位が印加される。 - 特許庁
In the flexible substrate 3, a wiring pattern 5 electrically connected to the respective LED chips 2 is enlarged so as to have an area larger than a projected area of the LED chips 2, and functions as a light shielding pattern.例文帳に追加
フレキシブル基板3においては、各LEDチップ2に電気的に接続される配線パターン5がLEDチップ2の投影面積以上の面積を有するように拡大されており、遮光パターンとして機能する。 - 特許庁
例文 (999件) |
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