「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(176ページ目) - Weblio英語例文検索

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

To provide a display device which is capable of reducing the capacity and the cost of a storage means while enhancing the utilization factor of stored data and also which is capable of reducing the size of the storage means, the wiring area and the substrate area of the outside of the storage means.例文帳に追加

格納されたデータの利用効率を向上させて格納手段の容量およびコストを低減するとともに、格納手段のサイズや格納手段外部の配線面積および基板面積を縮小することのできる信号生成回路およびそれを用いた表示装置を提供する。 - 特許庁

A pixel electrode (9a), a TFT (30) for pixel switching connected to the pixel electrode, a scan line (3a), a data line (6a), etc, are provided on a TFT array substrate (10), and a TFT (801) having one end connected to GND wiring (810) is connected to the data line.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板（１０）上には、画素電極（９ａ）、これに接続された画素スイッチング用のＴＦＴ（３０）並びに走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）等が備えられており、データ線には更に、その一端がＧＮＤ配線（８１０）に接続されたＴＦＴ（８０１）が接続されている。 - 特許庁

A multilayer wiring structure is formed on a substrate 2, which comprises an interlayer insulating film where fluorinated arylene films 6, 16, and 26 which do not contain vacancy as an organic film and SiC films 8, 14, 18, 24, and 28 as an inorganic film are laminated, and wirings 12 and 32 formed in the interlayer insulating film.例文帳に追加

基板２上に、空孔を含まない有機膜としてのフッ素化アリレン膜６，１６，２６と無機膜としてのＳｉＣ膜８，１４，１８，２４，２８とを積層してなる層間絶縁膜と、この層間絶縁膜内に形成された配線１２，３２とを有する多層配線構造を形成する。 - 特許庁

A second groove which is formed in accordance with the formation of a first groove provided so as to surround a light-receiving region and used for element isolation is provided in the light-receiving region, and a conduction wiring for extracting electric charges accumulated in the semiconductor substrate in the light-receiving region is provided in the second groove.例文帳に追加

受光領域内には、受光領域を囲繞して設けた素子分離に用いる第１の溝の形成にともなって形成した第２の溝を設け、この第２の溝内に、受光領域内の半導体基板に蓄積された電荷を取出す導通配線を設ける。 - 特許庁

The wiring substrate having a conductive layer within which inorganic particles having an average diameter of 2 μm or less are scattered is obtained by the application of the copper paste, containing copper powder, an organic vehicle and ceramic particles having a diameter of 100 nm or less and which are not made to be vitrified by sintering, to a ceramic green sheet and by the baking thereof.例文帳に追加

銅粉末と、有機ビヒクルと、平均粒径１００ｎｍ以下であって焼結によってガラス化しないセラミック粒子とを含有する銅ペーストをセラミックグリーンシートに塗布して焼成し、平均粒径２μｍ以下の無機物が厚み内に分散された導体層を有する配線基板を得る。 - 特許庁

To provide an optical module having a simple structure and a small cross-sectional area, in an optical module, such as an optoelectric hybrid substrate in which an optical transmission line is combined with an electric wiring board, used for a short distance signal transmission between or inside boards inside a router and a server system.例文帳に追加

ルータやサーバ装置内のボード間あるいはボード内の短距離信号伝送に用いる電気配線板に光伝送路を複合した光電気混成基板等の光モジュールにおいて、構造が簡便となり、かつ小断面積となる光モジュールを提供すること。 - 特許庁

The wiring material can be prevented from oozing onto a substrate owing to the influence of annealing of alloy regardless of the situation of the sidewall of a contact hole or the lamination of a barrier metal layer by forming a protective layer of an insulating film, or the like, on the sidewall after the barrier metal layer is deposited.例文帳に追加

本発明において、上述バリアメタル層堆積後に、絶縁膜等で側壁に保護層を形成することにより、コンタクトホールの側壁やバリアメタル層の積層の状況によらず、Alloy後の熱処理の影響における配線材の基板への染み出しを防止することができる。 - 特許庁

This method of forming metal wiring contains a step of cleaning the surface of a silicon substrate 10 that is exposed by a contact hole 12h, a step of forming a Ti-Si film on the structure obtained in the preceding step, and a step of forming a Ti-Si-N film 16 on the Ti-Si film 14.例文帳に追加

本発明は、コンタクトホール12hにより露出されたシリコン基板10の表面を洗浄する段階と、前段階で得られた構造物上にTi-Si膜を形成する段階と、前記Ti-Si膜14上にTi-Si-N膜16を形成する段階とを含んでなる金属配線形成方法である。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of giving a high quality-polished surface where a metal layer is efficiently removed and the generation of defects in polishing such as a metal residue, dishing, and erosion are suppressed in manufacturing a semiconductor device formed of wiring materials such as metals of copper, copper alloy and the like.例文帳に追加

銅または銅合金等の金属を配線材料とする半導体装置の製造において、金属層が効率的に除去され、かつ金属残り、ディッシング、エロージョン等の研磨不良の発生が抑制された高品位の被研磨面を与えることができる、基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Separately from the connection of the electronic component 14 for power to the circuit pattern 3 for the lead frame 1, the electronic component 21 for control can be connected to the wiring pattern 24 of the control substrate 22, thus independently and separately assembling the power system block section 11 and the control system block section 21.例文帳に追加

リードフレーム１の回路パターン３に電力用電子部品14を接続するのとは別に、制御基板22の配線パターン24に制御用電子部品21を接続することができるので、電力系ブロック部11と制御系ブロック部21を独立して別々に組立てることが可能になる。 - 特許庁

An image processing device part 3 is equipped with a color extraction processing part 31e aiming as a reference color at the surface 7a color of the wiring substrate 7 from an image of a lead 11 of a QFP element 10 photographed by a color CCD camera 1, and extracting the reference color.例文帳に追加

画像処理装置部３に、カラーＣＣＤカメラ１によって撮影されたＱＦＰ素子１０のリード１１の画像から配線基板７の表面７ａの色を基準色として照準をあて、その基準色を抽出する色抽出処理部３１ｅを備える。 - 特許庁

The remote controller is provided with the upper case 1 made of resin, a plate-shaped member 2 made of rubber, a wiring substrate 3, and a lower case 4 made of resin, wherein guide ribs 13 projecting from side edge parts 111 of through holes 11 inward are formed on the rear side of the upper case 1.例文帳に追加

樹脂製の上側ケース１と、ゴム製の板状部材２と、配線基板３と、樹脂製の下側ケース４とを備えており、上側ケース１の背面側には、貫通孔１１の辺縁部１１１から内側に向けていった突設されているガイドリブ１３が形成されている。 - 特許庁

A contact hole 103 and a recessed groove 104 for wiring are formed on an interlayer insulation film 102 being deposited on a semiconductor substrate 101, and a TiN/Ti film 105 being used as a diffusion prevention film is formed on the wall surfaces of the contact hole 103 and the recessed groove 104.例文帳に追加

半導体基板１０１の上に堆積された層間絶縁膜１０２にコンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４を形成した後、コンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４の壁面に拡散防止膜となるＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５を形成する。 - 特許庁

A method for producing a conductive wiring pattern comprises the steps of: applying a photosensitive conductive paste composed of both an inorganic powder containing a conductive filler and an organic component containing a photosensitive conductive component onto a substrate; exposing the applied photosensitive conductive paste via a photomask; and thereafter performing press processing and development in this order.例文帳に追加

基板上に、導電性フィラーを含む無機粉末および感光性有機成分を含む有機成分からなる感光性導電ペーストを塗布し、フォトマスクを介して露光した後に、プレス加工を施し、その後現像することを特徴とする導電配線パターンの製造方法。 - 特許庁

The EL light source body 20 is provided with a translucent protective substrate 10, having a frame part 10f in a shape housing (burying) a mask part 11, an EL light-emitting element 1, a wiring board for elements 2, heat-conductive elastic body 13, and a heat sink 14 arranged in overlapped lamination.例文帳に追加

ＥＬ光源体２０は、積層重畳して配置されるマスク部１１、ＥＬ発光素子１、素子用配線基板２、熱伝導性弾性体１３、およびヒートシンク１４を収納（埋設）する形状とされた枠部１０ｆを有する透光性保護基板１０を備えている。 - 特許庁

In the discarding margin 7, a dummy conductor 11 for reducing a shrinkage rate difference with the product 5 at the baking time at least at 0.1 mm or more apart from the peripheral edge of the coupling ceramic wiring substrate 1 is provided in the form of a surface conductor pattern along the outer periphery of the product 5.例文帳に追加

捨て代部７には、当該連結セラミック配線基板１の外周縁から少なくとも０．１ｍｍ以上隔たって、焼成時における製品部５との収縮率差を減じるためのダミー導体１１が、製品部５の外周に沿う面導体パターンの形で設けられている。 - 特許庁

A terminal 3 on a wiring substrate 1 is brought into a four-layer structure comprising an bottom electrode layer 4 made of Cu, etc., an Ni layer 5 formed on the surface of the bottom electrode layer 4, a Cu layer 6 formed on the surface of the Ni layer 5, and an Sn layer 7 formed on the surface of the Cu layer 6.例文帳に追加

配線基板１上の端子部３が、Ｃｕ等の下地電極層４と、該下地電極層の表面に形成されたＮｉ層５と、該Ｎｉ層５の表面に形成されたＣｕ層６と、該Ｃｕ層６の表面に形成されたＳｎ層７とからなる４層構造とされている。 - 特許庁

To provide a recording head substrate which can drive all of recording elements by a uniform driving condition regardless of voltage variation and irregularities of a power supply wiring system, and to provide a recording head, a head cartridge, and a recorder which carries out recording by using the recording head and head cartridge.例文帳に追加

電源配線系の電圧変動やバラツキに関わらず、全ての記録素子を均一な駆動条件で駆動することが可能な記録ヘッド基板、記録ヘッド、ヘッドカートリッジ、及びその記録ヘッドやヘッドカートリッジを用いて記録を行う記録装置を提供することである。 - 特許庁

A thin-film head section 1b formed on an alumina-titanium carbide substrate 1a of a magnetic head slider 1 comprises a recording element 2, a reproducing element 3, a heater 4, an alumina insulator layer 50 separating them, electrical wiring film to each element, and protective alumina insulator layers 52 protecting the whole film, and so forth.例文帳に追加

磁気ヘッドスライダ１のアルチック基板１ａ上に形成された薄膜ヘッド部分１ｂは、記録素子２、再生素子３、ヒータ４、それらを隔てるアルミナ絶縁膜５０、それぞれの素子への電気配線膜、成膜全体を保護するアルミナ保護絶縁膜５２などから構成される。 - 特許庁

On one surface of a rectangular substrate 1 formed by using a TCP film, a source driving circuit part 3, a gate driving circuit part 4, and an RF communication control circuit 5 are mounted, and the RF communication control circuit part 5 is connected to the source driving circuit part 3 and gate driving circuit part 4 through wiring patterns 2 and 2.例文帳に追加

ＴＣＰフィルムを用いてなる矩形の基板１の一面上に、ソース駆動回路部３、ゲート駆動回路部４と、及びＲＦ通信制御回路部５とを装着し、ＲＦ通信制御回路部５を配線パターン２，２を介してソース駆動回路部３及びゲート駆動回路部４に接続する。 - 特許庁

The optical element 7, mounted on the silicon substrate 1 with the insulation layer 5 therebetween, and the periphery of a part or all of electric wiring for driving the optical element are covered with the transparent (in the wavelength of the optical element) resin 8, and further it is covered with the resin 9 of a higher coefficient of heat conductivity by applying, etc.例文帳に追加

また、絶縁層５を介してシリコン基板１上に搭載された光素子７、および光素子を駆動するための電気配線の一部若しくは全部の周囲を透明（光素子の波長で）樹脂８で覆い、さらにその上に熱伝導率の高い樹脂９で塗布等により覆う。 - 特許庁

The lighting device 1 includes a light source part 2 having a case 20 for housing a light-emitting panel 5 and a wiring substrate 6 mounted on a non-light-emitting face side and a mounting part 3 which has a housing 30 for housing a circuit board 8 and is constructed in free detachment on the light source part 2.例文帳に追加

照明装置１は、発光パネル５及びその非発光面側に載置された配線基板６を収容するケース２０を有する光源部２と、回路基板８を収容するハウジング３０を有し、光源部２に着脱自在に構成された装着部３と、を備える。 - 特許庁

To prevent the warpage of a heat sink using resin burr generated by a pressure upon molding as a fulcrum as much as possible, in a mold package made by a method wherein a wiring substrate is mounted on one surface of the plate type heat sink to seal them by mold resin and the other surface of the heat sink is exposed from the mold resin.例文帳に追加

板状をなすヒートシンクの一面上に配線基板を搭載し、これらをモールド樹脂にて封止するとともにヒートシンクの他面をモールド樹脂から露出させてなるモールドパッケージにおいて、モールド時の圧力による樹脂バリを支点としたヒートシンクの反りを極力防止する。 - 特許庁

The method comprises a process for forming the barrier metal layer 5 in a prescribed position on a Cu wiring layer 3 formed on a semiconductor substrate by a CVD method or an ALD method, and a process for forming an Al layer 6 on the barrier metal layer without air-exposing the barrier metal layer 5.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＣｕ配線層３上の所定位置に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりバリアメタル層５を形成する工程と、前記バリアメタル層５を大気暴露することなく、前記バリアメタル層上にＡｌ層６を形成する工程を備える。 - 特許庁

To facilitate check on erroneous wiring in the case of connecting an output cable to an encoder substrate connected to the output signal line of an encoder in a manufacture plant, and in the case of shipping an encoder with a connected output cable to a customer and connecting the output cable of the encoder to a controller by the customer.例文帳に追加

製造工場でエンコーダの出力信号線が接続されたエンコーダ基板に出力ケーブルが接続された場合や、出力ケーブルが接続されたエンコーダが客先に出荷され、客先でエンコーダの出力ケーブルをコントローラに接続する場合に、誤配線のチェックが容易にできること。 - 特許庁

Since a hinge section rotatably supporting the substrate housing surface of the potting case 160a so as be directed upwards or in the oblique upward direction is fitted as a part of a means fixing the control unit to the device body, the workability of wiring works is improved, while the length of a control card is also shortened.例文帳に追加

また、制御ユニットを装置本体に固定する手段の一部として、ポッティングケース１６０ａの基板収納面が上向きまたは斜め上向きとなるように回転自在に支持するヒンジ部を備えたので、配線作業の作業性が改善されるとともに、制御コードの長さも短くなる。 - 特許庁

The thick-film multilayer wiring board is comprised of Ag-based conductors 3 and 6, a thick-film resistor 9 and an insulation layer 7 that are stacked on a ceramic insulation substrate, and a conductor film in a joint with a chip electronic component 12 is made large in thickness, thus suppressing the reduction of connection strength due to a thermal influence.例文帳に追加

セラミック絶縁基板上にＡｇ系導体３，６，厚膜抵抗体９，絶縁層７から成る厚膜多層配線基板において、チップ電子部品１２との接続部の導体膜厚を厚くする構造にて熱影響による接続強度低下を抑制可能とする。 - 特許庁

To provide a wiring board in which impedance matching in the entire signal transmission path between pads extending over the surface and rear surface of a substrate through a line conductor or a signal through hole conductor or a via formed in a planar core can be realized easily at a desired signal frequency.例文帳に追加

線路導体および板状コアに形成された信号用スルーホール導体や、ビアを介して、基板の表裏にまたがるパッド−パッド間の信号伝送経路全体のインピーダンス整合を、所望の信号周波数において容易に実現できる配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide equipment for mounting a bare chip which realizes uniform setting state of adhesive by preventing generation of dispersion in temperature inside of adhesive in mounting equipment of a bare chip for flip-chip mounting of a bare chip on a printed wiring substrate by using thermosetting adhesive.例文帳に追加

熱硬化性の接着剤を用いてベアチップ部品をプリント配線板にフリップチップ実装するベアチップ部品の実装装置において、接着剤内部に温度のばらつきを発生させないようにして接着剤の硬化状態を均一にすることを実現するベアチップ部品の実装装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device having a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure in which each deuterium concentration near interfaces between a semiconductor substrate and a film or a layer formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation film, a wiring layer and a protective insulation film is 1x1019 cm-3 and over.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

On a semiconductor substrate whose recesses, such as wiring grooves, via-holes and contact holes are filled with metals such as Al, Cu, Ag, etc., which are used for wirings and which are unevenness on its surface, a metal thin film 3 made of metal which is more difficult to be CPM-polished than the metal for wirings is formed as a sacrificial layer 4.例文帳に追加

配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部に配線に利用する金属であるＡｌ、Ｃｕ、またはＡｇ等を埋め込んだ後の凹凸を有する半導体基板上に、犠牲層として該配線金属よりもＣＭＰ研磨されにくい金属からなる金属薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a technology for forming a fine circuit wiring having a superior embedding property of copper and a high electrical reliability on a substrate provided with a fine circuit pattern for an electronic circuit such as a silicon wafer, without producing defects such as a seam void in a channel, by electroless copper plating.例文帳に追加

微細な回路パターンが設けられたシリコンウェハ等の電子回路用基板に対し、無電解銅めっきにより溝内部にシームボイド等の欠陥が生じることがなく、優れた銅の埋め込み性と高い電気信頼性を有する微細回路配線を形成する技術を提供すること。 - 特許庁

Afterwards, the resin sheet 10 for sealing is heated and melted, and the resin in the melted state is packed and cured in a void between the semiconductor element 3 and the wiring circuit substrate 1 so that the void can be resin-sealed and a sealing resin layer can be formed.例文帳に追加

その後、上記封止用樹脂シート１０を加熱溶融して溶融状態とし、上記半導体素子３と上記配線回路基板１との間の空隙内に上記溶融状態の樹脂を充填し、硬化させることにより上記空隙を樹脂封止して封止樹脂層を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which can supply an input signal to a liquid crystal driving IC without using a wiring board other than a flexible board on which the liquid crystal driving IC is mounted by using internal wires formed on a glass substrate.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板に形成した内部配線を利用することにより、液晶駆動用ＩＣが搭載されたフレキシブル基板以外の配線基板を用いずに、液晶駆動用ＩＣに入力信号を供給することのできる液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a first interlayer dielectric 11 having a plurality of first nanocolumn type holes 11b as space portions each having a cylindrical shape extending vertically to a principal surface of the semiconductor substrate; and low-layer wiring 12 selectively formed in the first interlayer dielectric 11.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の主面に垂直な方向に筒状に延びる複数の空間部である第１のナノコラム型ホール１１ｂを有する第１の層間絶縁膜１１と、該第１の層間絶縁膜１１に選択的に形成された下層配線１２とを有している。 - 特許庁

To provide a cleaning composition capable of sufficiently removing a plasma etching residue and/or an ashing residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and an interlaminar insulation structure; and to provide a cleaning process and a process for producing a semiconductor device using the cleaning composition.例文帳に追加

配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

There is provided a bypass capacitor 17 formed by successively stacking dielectrics 15 and conductors 16 over a terminal electrode 10 positioned near the mounting position of a driving IC chip 11 in a terminal part 2a of an electrode substrate 2 and between the driving IC chip 11 and external wiring 9.例文帳に追加

電極基板２の端子部２ａにおける駆動用ＩＣチップ１１の実装位置の近傍であり、かつ駆動用ＩＣチップ１１と外部配線９との間における端子電極１０に、誘電体１５および導電体１６が順次積層されてなるバイパスコンデンサ１７を設ける。 - 特許庁

In a method for forming the wiring structure of the semiconductor device, a first insulator film is formed on a substrate having a cell region and a peripheral circuit region, and a first contact plug having a first conductive material, which extends through the first insulator film, is formed in the cell region.例文帳に追加

半導体装置の配線構造物の形成方法において、セル領域及び周辺回路領域を有する基板上に第１絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜を貫通して延長する第１導電物質を含む第１コンタクトプラグを前記セル領域に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a structure in which a multilayer wiring layer is further formed on a peripheral circuit formed on a semiconductor substrate, such that a defect of the peripheral circuit is analyzed without changing characteristics of elements constituting the peripheral circuit.例文帳に追加

半導体基板上に形成された周辺回路上にさらに多層配線層が形成された構造の半導体装置において、周辺回路を構成する素子の特性を変化させずに周辺回路の不良解析を行うことができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The curable resin composition for adhering a metal wiring layer onto a substrate includes a curable resin and one or more compounds selected from the group consisting of an acrylic polymer having a carboxy group and a silane coupling agent having an isocyanate group, a sulfide group, a mercapto group, or an imine group.例文帳に追加

硬化性樹脂と、カルボキシル基を有するアクリルポリマー及びイソシアネート基、スルフィド基、メルカプト基又はイミン基を有するシランカップリング剤からなる群から選択した１以上の化合物とを含む、基板上に金属配線層を接着するための硬化性樹脂組成物 - 特許庁

The display device includes, as main components, a thin film transistor arranged on a glass substrate, a pixel electrode formed of a transparent electrode, and a connection wiring portion formed of an aluminum alloy film electrically connecting the thin film transistor and the pixel electrode.例文帳に追加

ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 - 特許庁

In a relay substrate 250 relaying the connection between a vibration piece 100 and a package base 202 in a vibration gyro 201, equipotential fourth and sixth relay electrodes 244 and 249 are electrically connected to two-electrode connection wiring 252 not shown in the figure in the hidden state below the figure.例文帳に追加

振動ジャイロ２０１において、振動片１００とパッケージベース２０２との接続を中継する中継基板２５０は、同電位の第４中継電極２４４と第６中継電極２４９とが、図中下方に隠れて図示されない二電極接続配線２５２により電気的に接続されている。 - 特許庁

To secure wiring design parameters which are completely compatible with a semiconductor integrated circuit device consisting of only a logic circuit portion, and to secure cell capacity adaptively to advanced microfabrication of a semiconductor integrated circuit device having a memory circuit portion with a capacitive element and a logic circuit portion on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

同一の半導体基板上に容量素子を備えたメモリ回路部と論理回路部を有する半導体集積回路装置において、論理回路部のみからなる半導体集積回路装置と完全互換の配線設計パラメーターを確保し、かつ微細化が進んでもセル容量を確保する。 - 特許庁

At a position corresponding to the electrode pad on the semiconductor element side of the substrate, a slit 25 is drilled so that at least one electrode pad is exposed and the wiring conductor and the electrode pad on the chip side are connected by the bonding wire 26 through the slit.例文帳に追加

ベース基板の前記半導体素子側の各電極パッドに対応する位置に、少なくとも電極パッドの一つが露出するような大きさを有するスリット２５を穿設し、スリットを通して配線導体とチップ側の電極パッドとをボンディングワイヤ２６によりワイヤボンディング接続する。 - 特許庁