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「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索
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connection layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3007



例文

A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.例文帳に追加

素子分離膜202とTrが形成された半導体基板201上に第1層間絶縁膜205を形成後、ビット線用接続孔206と接続導通パッド用接続孔207を形成し、全体の上に第1伝導層を形成しパターニングしてビット線208及び接続導通パッド209を形成する。 - 特許庁

For all of the procedure management function 5 and communication procedure functions 2-4 of a communication program 11 for which the plural communication procedure functions 2-4 are turned to a layer structure, a connection mode 9 that determines behavior for each connection is defined and the connection of the communication procedure function of respective layers is decided corresponding to the defined connection mode.例文帳に追加

複数の通信手順機能2〜4を層構造とした通信プログラム11の手順管理機能5、通信手順機能2〜4の全てについて、個々の接続時の振る舞いを決める接続モード9を定義し、その定義された接続モードに従って各層の通信手順機能のコネクション接続を決定する。 - 特許庁

A connection opening 25A and a wiring groove 28 are formed, a barrier conductive film 31A is formed on side walls and bottoms of the connection opening 25A and the wiring groove 28, the barrier conductive film 31A on the bottom of the connection opening 25A is removed, and then a buried wiring layer 15 under the connection opening 25A is partly removed as a cave.例文帳に追加

接続孔25Aおよび配線溝28を形成し、接続孔25Aおよび配線溝28の側壁および底部にバリア導電性膜31Aを成膜した後、接続孔25Aの底部のバリア導電性膜31Aを除去し、さらに接続孔25A下の埋め込み配線15の一部を掘り込む。 - 特許庁

To improve the flexibility of design when designing a wiring layer by reducing the planar size of an interlayer connection which penetrates through an insulating layer and makes the wiring layers conducted to each other.例文帳に追加

絶縁層を貫通して配線層同士を導通させる層間接続部の平面的大きさを小さくして、配線層を設計する際の設計の自由度を向上させる。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device in which a contact plug has a bottom in anchor structure without reference to the width of upper-layer wiring to reduce the connection resistance with lower-layer wiring, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

上層配線の幅によらずにコンタクトプラグの底面がアンカー構造となり、下層配線との接続抵抗を低減できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

After forming the outmost conductor layer, an inter layer connection portion electrically connecting the outmost conductor layers of surface/back are formed in a non-productive area before the process of conducting the electrolytic metal plating.例文帳に追加

最外導体層形成後、電解金属めっきを施す工程の前に、表裏の最外導体層同士を電気的に接続する層間接続部を非製品領域に形成する。 - 特許庁

The connection section 1 is composed of a core section 2 made of a resin material, a metal layer 3 for covering the surface of the core section 2, and a solder section 4 for covering the surface of the metal layer 3.例文帳に追加

接続部1は、樹脂材からなるコア部2と、そのコア部2の表面を覆う金属層3と、その金属層3の表面を覆う半田部4とから構成されている。 - 特許庁

A laminated dielectric filter has at least strip line resonators L1, L2 in first and second stages, an interresonator connection capacity conductor layer 33, and an input/output conductor layer 28.例文帳に追加

積層型誘電体フィルタは、少なくとも第1及び第2の段のストリップライン共振器L1、L2)と共振器間結合容量導体層33と入出導力体層28とを有する。 - 特許庁

The stencil mask 10 is further formed on the outer surface of the layer 22 or the layer 26, and comprises connection parts 32, 34 connected to power supplies 42, 44.例文帳に追加

ステンシルマスク10はさらに、第1導電層22又は第2導電層26の外表面に形成されており、電源42、44に接続するための接続部32、34を備えている。 - 特許庁

例文

Then, a size in the track width direction is set larger than a size in the height direction in each layer of the main magnetic pole layer, a plurality of rear part magnetic connection layers, and a plurality of divided auxiliary yoke layers.例文帳に追加

そして、主磁極層、複数の後方磁気接続層及び複数の分断補助ヨーク層の各層において、トラック幅方向の寸法をハイト方向の寸法より大きく規定する。 - 特許庁

例文

On the flexible printed circuit 20 on the upper layer, throughholes 2 are formed in locations corresponding to the locations where the terminal section 11 of connection terminals 10 on the flexible printed circuit in the lower layer can penetrate.例文帳に追加

上層のFPC20には、下層のFPC20の接続端子10の端子部11が貫通するための貫通孔2が対応する箇所にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A conductive connection part 20 for wiring penetrates through the second insulating layer 12 and connects the first conductor portion 15a and the second conductor portion 15b of the second wiring layer 15.例文帳に追加

第2絶縁層12を貫通し、第2配線層15の第1導体部分15aと第2導体部分15bとを接続する配線用導電接続部20が設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multi-layered wiring board which is superior in the formation precision of a conductor pattern and superior in control over the insulating layer thickness of a built-up layer without decreasing connection reliability.例文帳に追加

接続信頼性を低下させることなく導体パターンの形成精度に優れ、またビルドアップ層の絶縁層厚の制御に優れた多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Conductor patterns 66, 67 of the rotary base board 60 are connected electrically to the signal layer 75 and the power source layer 77 at the first connection part 81 of the rotary shaft 73, respectively.例文帳に追加

回転基板60の導体パターン66,67は、回転軸73の第1接続部81において信号層75及び電源層77とそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁

Next, the bonded solder connection section 1, which has the solder layer in a molten state, is evacuated in a vacuum-soldering furnace to achieve the solder layer that doesn't contain gaps.例文帳に追加

次に、空隙を含まない半田層を達成するために、溶融状態にある上記半田層を有する、ボンディングされた半田接続部1が、真空半田付け炉内において真空引きされる。 - 特許庁

A connection device 5 is interposed between a ground support layer and a foundation 4 with the foundation 4 raised by a pushup means 9 installed on the piles supported on the support layer of the ground.例文帳に追加

地盤の支持層2に支持された杭3に設置した押し上げ手段9により基礎4を持ち上げた状態で地盤支持層と基礎4との間に連結装置5を介在する。 - 特許庁

The conveying belt 1 has the connection fixtures 5, 5 mounted at both ends of a flat belt 1a wherein a base material part 2, a surface fiber layer 3, and a rear surface layer 4 are integrally intertwined.例文帳に追加

搬送用ベルト1は、基材部2と表面繊維層3、及び裏面繊維層4を絡合一体化した平ベルト1aの両端部に、連結用治具5,5が取付けられてなる。 - 特許庁

The short-circuit film 1 is formed by laminating an upper layer 14b composed of noble metal excellent in anticorrosion on a connection layer 14a composed of metal excellent in adhesion to the film 12.例文帳に追加

短絡膜14は、磁気抵抗効果膜12に対する密着性の良い金属でなる接続層14aに耐腐食性の良い貴金属でなる上層14bを積層してなる。 - 特許庁

A connection 207 concretely generates connecting-signal conductor data 901 and 902 using the difference of the height information of the fifth wiring-layer data 305 and the third wiring-layer data 303 as a length.例文帳に追加

具体的には、接続部207は、第5配線層データ305と第3配線層データ303の高さ情報の差分を長さとする接続信号線分データ901、902を生成する。 - 特許庁

A conductor layer 4 is formed between the semiconductor element 1 and the second insulation substrate 3b, and an external connection terminal of the semiconductor element 1 and the conductor layer 4 are so connected that conduction may be permitted between them.例文帳に追加

半導体素子1と第2の絶縁基板3bとの間には導体層4が設けられ、半導体素子1の外部接続端子と導体層4とは導通可能に接続されている。 - 特許庁

Therefore, the wiring resistance of the lower layer wiring can be kept lower, and connection with the upper layer wiring is made appropriate, and furthermore a copper as wiring material can be prevented from being dispersed upward or downward.例文帳に追加

従って、下層配線の配線抵抗を小さく保持し、上層配線との接続も良好にし、かつ配線材料である銅の上方又は下方への拡散を防ぐことができる。 - 特許庁

A wall surface structure having a net layer formed by a net 2 and a facing material layer formed by connecting the connection type facing materials 1 to each other is formed on a wall 10.例文帳に追加

そして、壁10上に、ネット2から成るネット層と、前記連結式連結式表装材1を相互に連結させて成る表装材層とを有する壁面構造を形成した。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a connection portion 14 for connecting the first upper layer wire 121 of the first electrical fuse 12 to the second lower layer wire 132 of the second electrical fuse 13.例文帳に追加

半導体装置1は、第一の電気ヒューズ12の前記第一の上層配線121と、第二の電気ヒューズ13の第二の下層配線132とを接続する接続部14を有する。 - 特許庁

The data communication sheet 100 forms magnetic field connection between a sheet side communication coil layer 101 and a medium side communication coil layer 201 based on a detection result of a detection section 103.例文帳に追加

データ通信シート100は、検出部103の検出結果に基づいてシート側通信コイル層101と媒体側通信コイル層201との間に磁界結合を形成する。 - 特許庁

Drain-to-drain connection layers 121a, 121b, which are used to connect the drain of the drive transistor and the drain of the load transistor and which contain tungsten are situated in the second-layer conductive layer.例文帳に追加

第2層導電層には、駆動トランジスタのドレインと負荷トランジスタのドレインとの接続に用いられ、かつ、タングステンを含有する、ドレイン-ドレイン接続層121a、121bが位置している。 - 特許庁

The 2nd connection part 22 is formed of a 2nd power supply pad 22a connected to the power supply layer and a 2nd ground pad 22b connected to the ground layer in series through an inductance element 24.例文帳に追加

第2接続部22は、電源層に接続された第2電源パッド22aと、グランド層にインダクタンス素子24を介して直列接続された第2グランドパッド22bとによって形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a multiwire wiring board exhibiting excellent conductor pattern forming accuracy without lowering the connection accuracy and excellent controllability of the thickness of an insula tion layer in a build-up layer.例文帳に追加

接続信頼性を低下させることなく導体パターンの形成精度に優れ、またビルドアップ層の絶縁層厚の制御に優れたマルチワイヤ配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence (EL) display device and its manufacturing method for stabilizing mutual electrical connection of a contact electrode layer and a second electrode layer.例文帳に追加

本発明は、コンタクト電極層と第2電極層との電気的接続を安定にすることが可能な有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A hole for connection hole is formed by etching through a second wiring correspondent inter-layer insulating film 11, a second wiring stopper film 10 and a wiring inter-layer insulating film 9.例文帳に追加

第2配線対応層間絶縁膜11,第2配線ストッパー膜10および配線層間絶縁膜9を貫通するようにエッチングを行い、接続孔用の穴13を形成する。 - 特許庁

After a connection hole exposing the shoulder of the electrode layer 14a is formed, doped polysilicon is deposited on an upper face of the substrate, and the deposited layer is patterned to form gate electrode layers 28A, 28B.例文帳に追加

電極層14aの肩部を露呈する接続孔を形成した後、基板上面にドープトポリシリコンを堆積し、その堆積層をパターニングしてゲート電極層28A,28Bを形成する。 - 特許庁

To provide manufacturing method of a laminated wiring board, capable of materializing secure via-hole connection excellent in reliability, even if an outer layer is laminated by the bonding layer of different materials.例文帳に追加

本発明は、異種材質による接着層によって外層を積層しても、確実なビア接続を実現し、信頼性に優れた積層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board wherein, being excellent in connection reliability of a via hole metal layer, a void is prevented from occurring with a via hole filling material even if a coating layer is laminated.例文帳に追加

ビアホール金属層の接続信頼性に優れ,被覆層を積層してもビアホール充填材との間にボイドが生じることを防止できる,プリント配線基板を提供すること。 - 特許庁

The wiring layer is patterned to a metal layer that can be manufactured to uniform thickness regardless of the interlayer connection, and a finer pattern can be also formed with a high yield.例文帳に追加

配線層のパターニングが、この層間接続とは関係なく均一厚に製造可能である金属層に対して行われ、より微細なパターンも高歩留まりで形成可能となる。 - 特許庁

An insulating layer 80 covers a part including the connection 38 of the lead 32, and a heat shrink tube 90 covers a portion exposed from the insulating layer 80 of the lead 32.例文帳に追加

絶縁層80はリード部32のうち接続部38を含む一部分を覆い、熱収縮チューブ90はリード部32のうち絶縁層80から露出する部分を覆っている。 - 特許庁

The anode conductor layer 21 and the anode terminal 23, and the cathode conductor layer 22 and the cathode terminal 24 are connected electrically via through- connection holes 16, 16.例文帳に追加

これら陽極用導体層21と陽極端子23および陰極用導体層22と陰極端子24とは、貫通接続穴16,16を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

In this wiring circuit board 1, a connection point of the first conductor layer 10 and the second conductor layer 11 can be unnecessitated at a boundary of the suspension board part 2 and the control board part 3.例文帳に追加

この配線回路基板1では、サスペンション基板部2と制御基板部3との境界で、第1導体層10と第2導体層11との接続点を不要とすることができる。 - 特許庁

In a manufacturing method, a first plating layer is formed on the connection surface of the base substrate and heat-treated at a temperature of >600°C, and a second plating layer is then formed thereon and heat-treated at a temperature of600°C.例文帳に追加

製造方法は、基体の接続面に第1めっき層を形成して600℃を超える温度で熱処理後、第2めっき層を積層して600℃以下で熱処理する。 - 特許庁

A laminated dielectric filter has at least strip line resonators L1, L2 in first and second stages, an interresonator connection capacity conductor layer 33, and a conductor layer 30 for wavelength reduction.例文帳に追加

積層型誘電体フィルタは少なくとも第1及び第2の段のストリップライン共振器L1、L2と共振器間結合容量導体層33と波長短縮用導体層30とを有する。 - 特許庁

In the wafer connection pin, a base material 21 constituted with a copper alloy is provided and a nickel layer 22 constituted with phosphorus-added nickel and a gold layer 23 are formed on the entire surface of the base material 21.例文帳に追加

ウェーハ接続ピンにおいては、銅合金からなる基材21を設け、基材21の表面上の全面に、リン添加ニッケルからなるニッケル層22及び金層23を形成する。 - 特許庁

To provide an electrostatic attraction electrode wherein electric connection to an electrode layer is sufficiently ensured while a heat resistance synthetic resin film such as a polyimide film or the like is employed in a part of an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層の一部にポリイミドフィルムなどの耐熱性合成樹脂フィルムを使用しながら、電極層への電気的接続が十分に確保された静電吸着電極を提供する。 - 特許庁

During the handoff processing, the multi-service terminal 100 holds the connection of a data link layer and a network layer with both a system having communicated before handoff and another system communicating after handoff.例文帳に追加

ハンドオフ処理の間、マルチサービス端末100が、ハンドオフ前に通信しているシステム側とハンドオフ後に通信するシステムの両方にデータリンク層及びネットワーク層の接続を維持する。 - 特許庁

This results in an ohmic connection extremely low in resistance between the barrier layer and the metal layer for the achievement of a great reduction in parasitic resistance.例文帳に追加

金属層上に絶縁層を形成した後で、基板を熱処理することで、バリア層と金属層との極めて低抵抗なオーミック接続を形成でき、寄生抵抗を大幅に下げることができる。 - 特許庁

A conduction path 20 comprising a belt-like metallic foil and on the rear side of which a first conduction connection part 22 comprising an adhesive layer 22 is provided is provided on the surface of the electrode layer 16.例文帳に追加

前記電極層16の表面には、裏面に導電性粘着材層からなる第1の導電接続部22を備えた帯状の金属箔からなる導電路20が設けられる。 - 特許庁

The inter-resonator connection conductor layer 33 is arranged in the dielectric layer that is different from those where first and second input/output capacity conductor layers are arranged.例文帳に追加

前記共振器間結合導体層33は前記第1及び第2の入出力容量導体層が配置されている誘電体層とは別の誘電体層に配置されている。 - 特許庁

In this case, connection 24 between the nodes of the SRAM is lower than a layer with the capacitance lower electrode 32 of the DRAM formed thereon and is formed on the same layer as for a capacitance contact 23, for example, which is higher than a layer with the bit line 22 formed thereon.例文帳に追加

そして、SRAMのノード間接続24は、DRAMの容量下部電極32が形成される層以下であって、ビットライン22が形成される層以上の層の、例えば容量コンタクト23と同じ層に形成されている。 - 特許庁

This multilayered printed wiring board 1 is provided with a conductive connecting terminal 15 for regeneration which is used when the electrical connection between the outer conductor layer 5a and inner conductor layer 3a is cut by the peeling of the plated layer 9 in a blind via hole 8.例文帳に追加

多層プリント配線板1は、ブラインドビア8内のめっき層9の剥離によって外部導体層5aと内部導体層3aとの電気的な接続が断たれた時に用いられる導電性の再生用接続端子15を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device S has an upper surface 12A provided with a connection terminal 3, a first insulating material layer 13 provided on the upper surface 12A, and a second insulating material layer 14 provided on the first insulating material layer 13.例文帳に追加

半導体装置Sは、接続端子3が設けられた上面12Aと、上面12Aに設けられた第1絶縁材料層13と、第1絶縁材料層13上に設けられた第2絶縁材料層14とを有している。 - 特許庁

To provide a multilayered printed wiring board in which the electrical connection between an inner conductor layer and an outer conductor layer can be regenerated easily even when a plated layer is broken and, at the same time, the regenerating cost can be reduced.例文帳に追加

本発明は、めっき層が破損した場合でも、内部導体層と外部導体層との間の電気的な接続を簡単に再生できるとともに、この再生に要するコストを低減できる多層プリント配線板を得ることにある。 - 特許庁

The wiring 35 for external connection is structured by laminating a 1st conductive layer 32a made of chromium, a 2nd conductive layer 32b made of ITO etc., and a 3rd conductive layer 32c made of ITO as well in this order.例文帳に追加

外部接続用配線35は、クロムからなる第1導電層32aと、ITO等からなる第2導電層32bと、同じくITOからなる第3導電層32cとをこの順に積層した構造を有している。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser wherein an n-n connection is prevented from being made between an n-type InP clad layer or an n-type InP contact layer and an n-type InP block layer so as to reduce a leakage current.例文帳に追加

n型InPクラッド層またはn型InPコンタクト層と、n型InPブロック層との間でn−n接続が起こるのを防いで、リーク電流を低減することのできる半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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