「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A connection hole to reach the layer 13 is provided in the film 102, and the layers 114 and 113 are connected with each other via this connection hole.例文帳に追加

酸化珪素膜１０２には第一の電極層１１３に達する接続孔が設けられており、この接続孔を介して第二の電極層１１４と第一の電極層１１３とを接続する。 - 特許庁

The connection terminals 21 include the tip parts of the core wire 11 and conductive layers 22 which cover the tip parts, and an insulation adhesive layer 24 is provided between each of the connection terminals 21.例文帳に追加

接続端子２１は、芯線１１の先端部とこの先端部を被覆する導電層２２とを含み、各接続端子２１の間には絶縁接着層２４が設けられている。 - 特許庁

A heat insulating material layer 50 is provided to intervene between the housing connection part 12 and a tip side housing 2 and between the housing connection part 12 and a rear-end side housing 3.例文帳に追加

このハウジング接続部１２と先端側ハウジング２との間、及びハウジング接続部１２と後端側ハウジング３との間には、断熱材層５０が介在するように設けられている。 - 特許庁

A PCS of the 100BASE-TX and a long distance port of the IEEE1394 serial bus connect to the connection section via a physical medium connection PMA and a twisted pair cable physical layer medium dependence TP-PMD in common use.例文帳に追加

１００ＢＡＳＥ−ＴＸのＰＣＳとＩＥＥＥ１３９４シリアルバスの長距離用ポートとは、共通のＰＭＡおよびＴＰ−ＰＭＤを介して接続部に接続される。 - 特許庁

Accordingly, at least a part of an exposed connection opening is not oxidized, thus preventing an increase in resistance between a conductive pattern and the conductive layer that closes the connection opening.例文帳に追加

したがって、露出した接続用開口部の少なくとも一部分は酸化されず、導電パターンおよび接続用開口部をふさぐ導電層の間の抵抗の増加を防ぐ。 - 特許庁

A shielding electrode 18 separated from the terminal connection electrode is formed on the front side of the mount board, and an insulation layer 19 for disconnecting the terminal connection electrode is formed on the shield electrode.例文帳に追加

実装基盤表面に端子接続電極と離したシールド電極１８を形成し、シールド電極上に端子接続電極との接続を遮断する絶縁層１９を形成する。 - 特許庁

To provide a connecting structure for two pipes made of different metals capable of ensuring the fluid sealed connection of two pipes, the connecting structure being simplified by the use of a bonding agent layer laid in the connection part.例文帳に追加

異なった金属からなる２つの管の流体封止接続を確実にする接続構造を接続部の間に配置される接着剤層を用いてより簡単化する。 - 特許庁

By this constitution, the connection ring 88 of the soft part 40 and the connection ring 66 of the curved part 42 are adhered through the thermoplastic resin layer 94 to ensure the liquid tightness of a fitted part 90.例文帳に追加

これにより、軟性部４０の連結リング８８と湾曲部４２の連結リング６６とが熱可塑性樹脂層９４を介して接着され、嵌合部９０の液密性が確保される。 - 特許庁

A surface mount part comprising an external connection terminal such as land/grid/array is provided, where a pre-coat solder layer is provided on the surface of the external connection terminal.例文帳に追加

ランド・グリッド・アレイのような外部接続端子を有する表面実装部品であって、外部接続端子の表面上にプリコート半田層を有することを特徴とするものである。 - 特許庁

Then, a second resist film 13, in which a connection hole pattern 14 is formed, is formed, and the connection hole pattern 14 is transferred to the surface layer of the first resist film 9 and the insulating film 6.例文帳に追加

次に、接続孔パターン１４を形成した第２のレジスト膜１３を形成し、第１のレジスト膜９および絶縁膜６の表層に接続孔パターン１４を転写する。 - 特許庁

The valve metal seat 1 wherein a through-hole electrode 7 is provided at its specified position or the connection terminal 11 formed on the through-hole electrode 7 is formed of more than two layers of a base layer 9 and a barrier layer 10, and a connection bump 12 is formed on the connection terminal 11.例文帳に追加

弁金属シート体１の所定の位置にスルホール電極７を設けた固体電解コンデンサの弁金属シート体１またはスルホール電極７の上の接続端子１１を下地層９とバリア層１０の２層以上の構成とし、この接続端子１１の上に接続バンプ１２を設ける構成とする。 - 特許庁

A copper foil layer of 2 μm or greater in thickness is interposed between a tin diffusion layer 3a formed on a face of the connection pad 3 connected to a through-conductor 4 and the wiring conductor film 6 connected to the connection pad 3 and made by copper plating.例文帳に追加

接続パッド３の貫通導体４と接続する面に形成された錫拡散層３ａと接続パッド３に接続する銅めっきから成る配線導体膜６との間に厚みが２μｍ以上の銅箔の層が介在している。 - 特許庁

To provide a conductive uneven layer that is formed on an electrical connection surface of various kinds of members and can reduce contact resistance between the members even with a low contact surface pressure, and to provide a conductive connection structure with the conductive uneven layer.例文帳に追加

各種部材の電気的な接続面に形成されて、接触面圧が低い場合にも部材間の接触抵抗を低減することができる導電性凹凸層と、このような導電性凹凸層を備えた導電性接続構造を提供する。 - 特許庁

An electric current flowing through the connection conductor 4 partly flows through the metal layer 20 and partly flows through the metal oxide film of the outermost layer 21, thereby enabling the connection conductor 4 having the metal oxide film on its outer surface to function as a resistive component.例文帳に追加

接続導体４を流れる電流は、一部が金属層２０を流れ、一部が最外層２１における金属酸化膜を流れるため、外表面側に金属酸化膜を有している接続導体４は、抵抗成分として機能することができる。 - 特許庁

Based on a surface of the resin insulation layer 24 as an outermost layer exposed from the upper surface 31 of the wiring lamination portion 30, the capacitor connection terminal 42 is higher than a reference surface and the IC chip connection terminal 41 is lower than the reference surface.例文帳に追加

配線積層部３０の上面３１にて露出する最外層の樹脂絶縁層２４の表面を基準としたとき、コンデンサ接続端子４２は基準面よりも高く、ＩＣチップ接続端子４１は基準面よりも低くなっている。 - 特許庁

At this time, a part of a connection part 35b of the separate electrode 35 and a terminal forming part 35c are superposed on the metallic layer 36, and a main electrode part 35a and a residual part of the connection part 35b are formed on the surface of the piezoelectric layer 41.例文帳に追加

このとき、個別電極３５の接続部３５ｂの一部及び端子形成部３５ｃは金属層３６上に重畳され、主電極部３５ａ及び接続部３５ｂの残りの部分は圧電層４１の表面上に形成される。 - 特許庁

After that, a laser beam is applied to collectively removing the semiconductor layer 3 and the conductor layer 4a so that a connection opening 6 where the first electrode 2 is exposed partially can be formed, and then at least the inside of the connection opening 6 is etched.例文帳に追加

この後、第１の電極層２の一部が露出する接続開口部６を形成するように、レーザービームを照射して半導体層３と導体層４ａを一括除去した後、少なくとも前記接続開口部６内にエッチング加工を施す。 - 特許庁

The connection between the semiconductor element and the conductive metal layer pattern is wire bonding connection between predetermined positions between the semiconductor element and the conductive metal layer pattern, and they are sealed with a sealing material and the lower surface of the semiconductor element is exposed.例文帳に追加

半導体素子と導電性金属層パターンの接続が、半導体素子と導電性金属層パターンの所定位置の間のワイヤボンディング接続であり、これらが封止材により封止されておる、半導体素子の下面は露出している。 - 特許庁

At the gate-terminal side, after the adjacent gate wirings 2a with each other are connected by the connection layer 2c made of the same material as that of the gate wiring 2a, the adjacent gate wirings 2a are separated by making the connection layer 2c to be cut with a laser beam after the TFT array substrate is completed.例文帳に追加

ゲート終端側では、隣接するゲート配線２ａ同士が、ゲート配線２ａと同一材料からなる接続層２ｃによって接続された後、ＴＦＴアレイ基板完成後に該接続層２ｃをレーザーでカットすることにより分離される。 - 特許庁

A gold plating layer on the surface of an electrode is removed at a connection part between an inner electrode 3, connected with an outer electrode 2a formed on the end face of a base substrate 1 and an upper connection electrode 4, so as to form an exposed part 9 which exposes a nickel layer.例文帳に追加

ベース基板１の端面に形成した外部電極２ａと接続される内部電極３、上部接続電極４の接続部で、電極表面の金メッキ層を除去してニッケル層を露出させる露出部９を形成してなる。 - 特許庁

After connection electrodes 11 connected to the second electrode 4 and straddling two pixels are formed at four sides of a partition 5, the resistance layer covering all of contact holes 10, the surface of a color layer 3, the connection electrodes 11 and the surface of the partition 5 is formed.例文帳に追加

第二電極４に接続して２つの画素をまたがる接続電極１１を隔壁５の４辺に形成した後に、コンタクトホール１０、着色層３の表面、接続電極１１、隔壁５の表面を一体に覆う抵抗層を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for loading a crystal oscillator in which an electrode of the crystal oscillator is firmly stuck to a connection pad via conductive adhesives, even if the connection pad is formed by a metallized layer coated with a gold-plated layer.例文帳に追加

金めっき層で被覆されたメタライズ層により接続パッドが形成されていたとしても、導電性接着剤を介して水晶振動子の電極を接続パッドに強固に接着することが可能な水晶振動子搭載用基板を提供する。 - 特許庁

A barrier metal 12 building a Schottky junction 26 is formed on the n^--layer 21 between the p guard rings 22 and a reverse connection diode 20 made of a p poly-silicon layer 27 and an n poly-silicon layer 28 is formed between the p guard ring 22 and the p^+-layer 24 via an oxide film 13.例文帳に追加

ｐガードリング２２で挟まれたｎ^- 層２１上にショットキー接合２６を形成するバリアメタル１２を形成し、ｐガードリング２２とｐ^+ 層２４の間に酸化膜１３を介してｐポリシリコン層２７とｎポリシリコン層２８からなる逆接ダイオード２０を形成する。 - 特許庁

Through-holes 15 are passed through the lamination direction of the low- and high-permittivity layers 5, 6 and the resin layer 7 for electric connection between the wiring pattern 8 of the low-permittivity layer 5 and the capacitors 12 of the high-permittivity layer 6, and are formed in the resin layer 7.例文帳に追加

樹脂層７には、低誘電率層５、高誘電率層６および樹脂層７の積層方向に貫通して、低誘電率層５の配線８と高誘電率層６のコンデンサ１２とを電気的に接続するためのスルーホール１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a structure which can prevent a contact error with an external connection terminal, in a so called a resin wiring substrate constituted by at least one layer of each of conductor layer and resin insulating layer being laminated at least in one principal plane of a core layer.例文帳に追加

コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されてなる、いわゆる樹脂製配線基板において、外部接続端子とのコンタクトエラーを防止する構造体を提供する。 - 特許庁

Additionally, a tin layer is made to interpose relative to a connecting electrode of the bump electrode and to heated, so that a gold-tin alloy layer is formed between the bump electrode and the tin layer and between the connecting electrode and the tin layer, thereby forming a firm connection.例文帳に追加

また、バンプ電極の接続用電極との間に錫層を介在させて加熱することによって、バンプ電極と錫層との間に、及び接続用電極と錫層との間に、金−錫合金層が形成され、強固な接続を形成することができる。 - 特許庁

An external connection electrode 2 of the interposer 1 has a stack having a first metal layer 2a made of copper, a second metal layer 2b made of nickel, and a third metal layer 2c made of gold laminated in this order, the third metal layer 2c forming a top surface.例文帳に追加

インターポーザ１の外部接続電極２は、銅からなる第１金属層２ａとニッケルからなる第２金属層２ｂと金からなる第３金属層２ｃがこの順に積層された積層体を有して、表面が第３金属層２ｃとなるように形成されている。 - 特許庁

To provide, in stacking semiconductor devices on top of another, a lower-layer semiconductor device and a stacked semiconductor device, in which the lower-layer semiconductor device is easily producible and has high reliability of jointing with the upper layer, even if a semiconductor mounted on the upper layer has a connection terminal that is small in height.例文帳に追加

半導体装置同士を積層するにあたり、上段に搭載する半導体装置の接続端子高さが低くても上段との接合信頼性が高く、かつ容易に製造可能な下段の半導体装置および積層型半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first conductive layer 3, which is connected to a connection terminal 8, and an insulating layer 4 provided with an opening 4a penetrating through the first conductive layer 3 are formed on the inner bottom of the casing 1b, and the opening 4a is filled up with a second conductive layer 5.例文帳に追加

収容部１ｂの内部底面には、接続端子８と接続される第１導電層３と、第１導電層３まで貫通する開口部４ａを有する絶縁層４が形成されて、開口部４ａ内には第２導電層５が充填されている。 - 特許庁

The bump structure 70 includes: an insulating projection 10; a first conductive layer 30 which covers the projection 10; and a second conductive layer 32 which is integrally provided with the first conductive layer 30 and provided from the first conductive layer 30 to the top of the electrode connection part 42.例文帳に追加

バンプ構造体７０は、絶縁性の凸状部１０と、凸状部１０を覆う第１導電層３０と、第１導電層３０と一体化して設けられ、第１導電層３０から電極接続部４２上まで設けられた第２導電層３２と、を含む。 - 特許庁

The bump structure 70 contains an insulating protrusion 10, a first conductive layer 30 which covers the protrusion 10, and a second conductive layer 32 which is collectively arranged with the first conductive layer 30 and arranged from the first conductive layer 30 onto an electrode connection part 42.例文帳に追加

バンプ構造体７０は、絶縁性の凸状部１０と、凸状部１０を覆う第１導電層３０と、第１導電層３０と一体化して設けられ、第１導電層３０から電極接続部４２上まで設けられた第２導電層３２と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a connection electrode 7 formed on a semiconductor element substrate 5 provided on a semiconductor element 4 at a position facing the bump 3; a surface protection layer 8 formed around the connection electrode 7 and on the semiconductor element substrate 5; and a barrier metal layer 10 that is formed on the connection electrode 7 and the surface protection layer 8 and is electrically connected to the bump 3.例文帳に追加

半導体素子４に設けられた半導体素子基板５におけるバンプ３と対向する位置に形成された接続電極７と、接続電極７の周縁部及び半導体素子基板５の上に形成された表面保護層８と、接続電極７及び表面保護層８の上に設けられ、バンプ３と電気的に接続するバリア金属層１０とを備えている。 - 特許庁

The external connection electrode 20 is formed on the wiring layer 14, which has an increased area in contact with a protective film 18 covering the wiring layer 14 since the thickness of a part of the wiring layer 14 between the projection electrode 16 and external connection electrode 20, where the external connection electrode 20 is formed, is thin, thereby preventing the protective film 18 from peeling.例文帳に追加

その配線層１４には外部接続電極２０が形成されており、配線層１４は、その外部接続電極２０を形成した箇所の厚みが、突起電極１６と外部接続電極２０との間の配線層１４の厚みが薄いことにより、配線層１４を覆う保護膜１８との接触面積が増大するため、保護膜１８の剥離を防止できる。 - 特許庁

This magnetoresistance effect element comprises three or more metal magnetic layers, two or more connection layers provided between the three or more metal magnetic layers wherein the connection layer includes an insulating layer and current narrowing portions formed of a metal magnetic material penetrating this insulating layer, and electrodes for passing a current through the metal magnetic layers and the connection layers in the direction perpendicular to their surfaces.例文帳に追加

３層以上の金属磁性層と、前記３層以上の金属磁性層の間に設けられた、絶縁層とこの絶縁層を貫通する金属磁性材料で形成された電流狭窄部とを含む２層以上の接続層と、前記金属磁性層および接続層の膜面垂直方向に電流を通電させる電極とを有する磁気抵抗効果素子。 - 特許庁

Even in the case where the second conductive layer including the conductive particle and the resin is formed on the first conductive layer, the step of irradiation with the laser beam can increase the portion where the first conductive layer and the second conductive layer are in contact with each other and suppress the poor electrical connection between the first conductive layer and the second conductive layer.例文帳に追加

レーザービームを照射する工程を含むことにより、第１の導電層上に、導電性粒子と樹脂からなる第２の導電層を形成した場合でも、第１の導電層と第２の導電層が接する部分を増加させ、第１の導電層と第２の導電層の間の電気的な接続不良を改善することができる。 - 特許庁

The solid-state image sensor has a shunt wiring layer 7d comprising a refractory metal layer 13 to the transfer electrode of a charge transfer portion and has a connection between the transfer electrode or a buffer layer 11d and a shunt wiring layer 7d through an adhesion layer 14 comprising a silicon nitride film at the contact part of this shunt wiring layer 7d.例文帳に追加

電荷転送部の転送電極に対して高融点金属層１３から成るシャント配線層７ｄを有し、このシャント配線層７ｄのコンタクト部において転送電極又は緩衝層１１ｄとシャント配線層７ｄとの間が窒化珪素膜から成る密着層１４を介して接続されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The through holes connecting the scanning line layer and ITO layers and the through holes connecting the signal line layer and ITO layer are disposed each in a comb shape such that combs of the both mesh with each other, and then a length of the ITO layer needed to connect the scanning line layer and ITO layer is made short to reduce the connection resistance value.例文帳に追加

走査線層とＩＴＯ層を接続するスルーホールと、信号線層とＩＴＯ層を接続するスルーホールと、を夫々のスルーホールの配置が櫛の形状をなし、かつ、双方の櫛が噛み合うように配置することにより、走査線層とＩＴＯ層を接続するために必要なＩＴＯ層の長さを短くして、接続抵抗値を小さくする。 - 特許庁

The avalanche photodiode has such a structure as at least one crystal layer (referred to interface layer) having a forbidden band width larger than that of a light absorbing layer is formed with a composition or a material different from that of the light absorbing layer on the connection interface of a compound semiconductor (referred to light absorbing layer) absorbing a signal light and an Si multiplication layer.例文帳に追加

信号光を吸収する化合物半導体（光吸収層と称する）とＳｉ増倍層との接続界面に，少なくとも一層の，光吸収層とは異なる組成もしくは材料で形成され光吸収層よりも大きな禁制帯幅をもつ結晶層（界面層と称する）が形成されている構造をもつ。 - 特許庁

In a stacked semiconductor device 1 having a plurality of terminals for external connection, connection terminals among the plurality of connection terminals requiring interconnection are connected through a solder layer 4 formed on a substrate chip 5.例文帳に追加

外部接続用の複数の接続端子が設けられた段積半導体装置１であって、前記複数の接続端子２のうちの相互に接続が必要な接続端子同士を基板チップ５上に設けられたはんだ層４によって接続した - 特許庁

The connection path 50 includes an extension portion 43 extending in a plane direction, a first connection end 52 linking between the extension portion 43 and a wiring layer 10 in a height direction, and a second connection end 46 linking the extension portion 43 and the continuity portion 18 in a height direction.例文帳に追加

接続経路５０は平面方向に延びる延出部４３と、延出部４３と配線層１０間を高さ方向に繋ぐ第１接続端部５２と、延出部４３と導通部１８間を高さ方向に繋ぐ第２接続端部４６とを有する。 - 特許庁

To provide conductive particles which can minimize oxidation of a nickel conductive layer at high temperatures and thereby can reduce the connection resistance between electrodes when the conductive particles are used for connection between electrodes, and to provide a connection structure using the conductive particles.例文帳に追加

ニッケル導電層の高温での酸化を抑制でき、従って電極間の接続に用いた場合に、電極間の接続抵抗を低くすることができる導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた接続構造体を提供する。 - 特許庁

Thereby, a second via hole for another interlayer connection can be directly connected on the conducive layer with high reliability.例文帳に追加

その結果、その導体層の上に直接、別の層間接続のための第２のビアホールを信頼性良く接続できるようになる。 - 特許庁

To provide a circuit board with built-in electronic component having higher heat resistance property and assuring excellent connection strength of an electronic component and an inner layer board.例文帳に追加

電子部品と内層基板の接続強度に優れる高耐熱性を有する電子部品内蔵基板を提供すること。 - 特許庁

The connection terminals of the earphone jack 130 are connected to another component, for instance, a CPU or the like through an inner layer of the board 123.例文帳に追加

そして、イヤホンジャック１３０の接続端子は基板１２３の内層を通して、他の部品、例えばＣＰＵ等と接続される。 - 特許庁

Then a second insulating layer 78 is laminated on at least the surface of the recessed part 76 and the pad 60 for connection is laminated thereon.例文帳に追加

この後、少なくとも凹部７６の表面に第２絶縁層７８を積層し、その上に接合用パッド６０を積層する。 - 特許庁