「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

It has an elastic body layer 1, a connection member 8 connecting an end part of the elastic body layer 1 with the bridge body or the road on the land, and a load support member 11 inserted and stretched in the expansible play section part 5 to support the elastic body layer 1.例文帳に追加

弾性体層１と、該弾性体層１の端部を橋体または陸上道路に連結する連結部材８と、前記伸縮遊間部５にさし渡されて該弾性体層１を支持する荷重支持部材１１とを有する。 - 特許庁

Therefore, in comparison with a case where the three-layer film 82 is directly connected with the high-concentration source area 1d without forming the second low-resistance layer 111, the connection resistance of the three-layer film 82 and the high-concentration source area 1d can be reduced.例文帳に追加

したがって、第２低抵抗層１１１を形成することなく、直接高濃度ソース領域１ｄに三層膜８２を接続する場合に比べて、三層膜８２及び高濃度ソース領域１ｄの接続抵抗を低減できる。 - 特許庁

Resistance measurement for detecting a partial defect and a joining abnormity or the like of connection holes 8 formed to each layer and an inter-layer insulation layer 6 is carried out twice, with a measurement current of several mA and a measurement current from several tens of times to several hundreds of times of the several mA.例文帳に追加

各層および層間絶縁層６に形成された接続孔８の部分欠損や接合異常などを検出するための抵抗測定の測定電流を数ｍＡとその数十倍から数百倍の２回行う。 - 特許庁

A wiring-side flexible wiring board 24 comprises a wiring-side base layer 21, a wiring-side conductor layer 22, and a wiring-side cover layer 23, with a through-hole 25 formed at the connection part of the wiring-side flexible wiring board 24.例文帳に追加

配線側フレキシブル配線板２４を、配線側ベース層２１、配線側導体層２２および配線側カバー層２３により構成するとともに、この配線側フレキシブル配線板２４の接続部分に貫通孔２５を形成する。 - 特許庁

Recesses 4b whose bottoms are extended toward the conductive layer 3 but not arriving at the same layer 3, and connection holes 4a whose bottoms are arrived at the conductive layer 3, are formed as via holes in a region positioned below the LSI chip 9.例文帳に追加

ＬＳＩチップ９の下方に位置する領域におけるビアホールとして、その底部が導電層３に向かって延び、且つ、導電層３に達しない凹部４ｂと、その底部が導電層３に達する接続孔４ａを形成する。 - 特許庁

Additionally, the light-emitting device comprises an electrode layer 105 arranged on the p-type semiconductor layer 104; an ohmic electrode 106 formed by ohmic connection to the n-type region 102; and an electrode layer 107 arranged at the back side of the substrate 101.例文帳に追加

また、ｐ型半導体層１０４の上に配置された電極層１０５と、ｎ型領域１０２にオーミック接続して形成されたオーミック電極１０６と、基板１０１の裏面側に配置された電極層１０７とを備える。 - 特許庁

The interlayer conductive part comprises a core hole 1 formed in the coating layer; surface layer holes 21, 22 formed in an offset position with respect to the core hole in the core substrate; and connection patterns 31, 32 for electrically connecting the core hole and the surface layer hole.例文帳に追加

層間導電部は，被覆層に設けたコア孔１と，コア基板におけるコア孔に対してオフセットの位置に設けた表層孔２１，２２と，コア孔と表層孔の間を電気的に接続する接続パターン３１，３２とからなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multi-layer substrate where a plurality of connection substrates are laminated together and a solid-type multi-layer substrate where the multi-layer substrate is formed into solid efficiently and accurately in position.例文帳に追加

本発明の主たる目的は、複数枚の接続基板を一括積層してなる多層基板およびこれを立体成型加工してなる立体型多層基板を効率的にかつ位置精度良く製造する方法を提供することである。 - 特許庁

The EL display includes a gate electrode and the source wire on an insulating surface, the first insulating layer on the gate electrode and the source wire, a semiconductor layer on the first insulating layer, the second insulating layer on the semiconductor layer, the gate wire connected to the gate electrode on the second insulating layer, a connection electrode for connecting the source wire to the semiconductor layer, and the pixel electrode connected to the semiconductor layer.例文帳に追加

絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 - 特許庁

The insulation layer 19 has a difference in level structure, thereby, the remaining of a conductive layer on the electrode 5 for connection is prevented in a process of forming a pixel electrode on a picture display region 1 and the short circuit of the electrode 5 for connection is suppressed.例文帳に追加

絶縁層１９が段差構造を有することによって、画像表示領域１上に画素電極を形成する工程において接続用電極５上に導電層が残存することを防止し、接続用電極５が短絡することを抑制する。 - 特許庁

A conductive pattern 3 is formed on one face of a flexible insulating film 2 used as its surface, a noncontributing part for connection of the conductive pattern 3 is covered by an insulating coat layer 4, and a connection contributing part of the conductive pattern 3 is covered by an anisotropic conductive adhesive layer 5.例文帳に追加

可撓性絶縁フィルム２の表面である片面に導電パターン３を形成し、この導電パターン３の非接続寄与部を絶縁性皮膜層４で被覆するとともに、導電パターン３の接続寄与部を異方導電性接着剤層５で被覆する。 - 特許庁

At this time, steps based on the difference in height between components 52 and 53 are absorbed by deformation of the resin layers 41 and 61, and an inter-layer conductor 62 of a via structure of the connection layer 6 is compressed and deformed, whereby a substrate 1A incorporating components of direct via connection is manufactured and provided.例文帳に追加

このとき、部品５２、５３の高さの違いに基づく段差を樹脂層４１、６１の変形で吸収し、また、接続層６ビア構造の層間導体６２が圧縮変形することにより、ダイレクトビア接続の部品内蔵基板１Ａを製造して提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which, after a flip-chip connection is completed, an underfill resin layer is formed between a semiconductor chip and a wiring board, and even after this layer is cured, the wiring board and the semiconductor chip are warked less or a connection is broken less.例文帳に追加

フリップチップ接続が終了した後において半導体チップと配線基板間にアンダーフィル樹脂層を形成し、これを硬化させた後でも配線基板や半導体チップの反り上がり、接続部の破断が少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For a hybrid integrated circuit, the connection of fixed potential of the earth or the like of each integrated circuit chip 106 is performed through a through connection 110 made in a through hole piercing a lower insulating layer 102, an interlayer insulating layer 104, and a through hole 110.例文帳に追加

各集積回路チップ１０６の接地などの固定電位の接続を、下部絶縁層１０２および層間絶縁層１０４を貫通するスルーホール内に形成された貫通接続部１１０を介し、そしてアイランド１０１ａを介して行うようにした。 - 特許庁

Connection terminals 4 of the image display panel 2 are arranged in rectangular frame shape or in parallel, and the thickness of the binder layer 8 of an ACF 6 at four corners of the connection terminals 4 is made thicker than the thickness of the binder layer 8 at a part other than the four corners (Fig.1C).例文帳に追加

画像表示パネル２の接続端子４は矩形枠状もしくは並列に配置されており、その接続端子４群の四隅におけるＡＣＦ６のバインダ層８の厚さを、その四隅以外の部分のバインダ層８の厚さよりも厚くする（図１Ｃ）。 - 特許庁

Then the plate portions 12 of the connection fittings 1a, 1b are fitted into slits formed in end faces of the columns 3, 4, respectively, and the pipe portions 13 are fitted into respective mortises 51 formed in the beam 5, whereby the upper-layer column 3 and the lower-layer column 4 are connected together via the two connection fittings 1a, 1b.例文帳に追加

柱３，４の端部のスリットに接合金物１ａ，１ｂのプレート部１２が嵌入され、梁５のほぞ孔５１にパイプ部１３が嵌入されて上層部の柱３と下層部の柱４とを２個の接合金物１ａ，１ｂを介して接合する。 - 特許庁

A bonding pad electrode 20, that is connected to the wiring layer 14 via the connection hole 16a by patterning while depositing a conductive material such as Al alloy, is deposited on the upper surface of the substrate, and a connection layer 20A for connecting the electrode 20 to the electrode 18 are formed.例文帳に追加

基板上面にＡｌ合金等の導電材を堆積してパターニングすることにより接続孔１６ａを介して配線層１４につながるボンディングパッド電極２０と、この電極２０を電極１８に接続する接続層２０Ａとを形成する。 - 特許庁

Accordingly, in a connection part in which the base leading-out electrode 13 and an intrinsic base layer are contacted with each other, the p-type polycrystalline silicon film 13a in which boron is doped in a high concentration and the intrinsic base layer are contacted with each other, so that the resistance in the connection part will be reduced.例文帳に追加

従って、ベース引出し電極１３と真性ベース層とが接触する繋ぎ部では、高濃度のホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン膜１３ａと真性ベース層とが接触した状態となるので、繋ぎ部の抵抗が低減される。 - 特許庁

This printed circuit board is provided with a first surface layer comprising an analog circuit, an analog ground, a digital circuit and an external connection connected with the outside, a second surface layer, an intermediate layer including a digital ground plane layer, and a first capacitor connected between the analog ground and the digital ground.例文帳に追加

アナログ回路と、アナロググランドと、デジタル回路と、外部に接続される外部接続部とを有する第１の表面層と、第２の表面層と、デジタルグランドプレーン層を含む中間層と、アナロググランドとデジタルグランドとの間に接続された第１のコンデンサとを備えるプリント基板が提供される。 - 特許庁

The surface structure layer 31 has an orthogonal grid structure that is formed by adding a connection member 32 formed of the same material as a rod 11 to a stripe layer 12 which is originally formed on the crystal surface, into the same layer, in the direction orthogonal to the rod 11 composing the stripe layer.例文帳に追加

この表面構造層３１は、本来、結晶表面に形成されるストライプ層１２に対して、同じ層内に、ストライプ層を構成するロッド１１と直交する方向に該ロッド１１と同じ材料で構成される連結部材３２を付加した、直交格子構造の層である。 - 特許庁

A conductive member 2 that is connected to a predetermined position on a conductive layer 1 in contact is provided at the predetermined position, and an insulation region layer 3 for burying the conductive member 2 to an area to the conductive layer 1 is provided on the conductive layer 1, thus forming a circuit part connection material 4.例文帳に追加

導電層１上の所定位置にこの導電層１に当接して接続する導電部材２を設け、この導電層１上に、導電層１との間に導電部材２を埋め込む絶縁性樹脂層３を設けることで回路部品接続材４を形成する。 - 特許庁

A metal bump layer including a solder layer 100 used for metal joining and electric connection and a Cu layer 30 due to interdiffusion with the solder layer 100 is deposited on an electrode 2 and a Cu bump 4 provided on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

金属接合による接合および電気的接続に使用される半田層１００と、半田層１００との相互拡散により金属間化合物を形成するためのＣｕ層３０と、を備えるメタルバンプ層が、半導体基板１に設けられた、電極２およびＣｕバンプ４に堆積されている。 - 特許庁

Each of the plurality of layer portions 10 includes a plurality of common electrodes electrically connected to the plurality of common lines, and a selective connection electrode selectively electrically connected to only the layer-dependent line that the layer portion 10 uses among the plurality of layer-dependent lines.例文帳に追加

複数の階層部分１０の各々は、複数の共通ラインに電気的に接続された複数の共通電極と、複数の階層依存ラインのうち、その階層部分１０が利用する階層依存ラインにのみ選択的に、電気的に接続された選択的接続電極とを含んでいる。 - 特許庁

In the intermediate conductor layer, first conductor layers 162, 164 formed by the same process as that of the pixel electrode layer 160 and a second conductor layer 181 formed by the same process as that of the common electrode layer 180 are alternately arranged between the adjacent connection wiring.例文帳に追加

中間導電体層は、画素電極層１６０と同じ工程で形成される第１導電体層１６２，１６４と、共通電極層１８０と同じ工程で形成される第２導電体層１８１とが、隣接する接続配線の間で交互に配置される。 - 特許庁

To provide a manufacture method of a multiyear printed wiring board where the thickness of a metal layer on the surface of an insulating layer is thinned and a conductor layer is formed of a fine circuit pattern, while the thickness of a metal layer in a via hole is secured and connection reliability between the conductor layers is secured.例文帳に追加

ビアホール内の金属層の厚みを確保して導体層間の接続信頼性を確保しながら、絶縁層の表面の金属層の厚みを薄くして微細回路パターンで導体層を形成することができる多層プリント配線板の製造方法を提供する - 特許庁

The direction of magnetization of the ferromagnetic layer 23 is fixed by the switched connection with the anti-ferromagnetic layer 22 and the directions of magnetization of the first soft magnetic layer 25 and the second soft magnetic layer 26 are changed by an external magnetic field and the electric resistance of the layered product 20 is changed in accordance with their relative angle.例文帳に追加

強磁性層２３の磁化の向きは反強磁性層２２との交換結合により固定され、第１軟磁性層２４および第２軟磁性層２５の磁化の向きは外部磁場により変化し、その相対角度に応じて積層体２０の電気抵抗が変化する。 - 特許庁

A protective film layer 19 made of a humidity resistance insulating material such as a PET resin film is bonded with an adhesive layer 20 to the wiring 17b of each wiring layer 17, so that the height of the surface of the protective film layer 19 coincides with that of the connection terminal 17a.例文帳に追加

この各配線層１７の配線部１７ｂには、ＰＥＴ樹脂フィルム等の防湿絶縁材からなる保護フィルム層１９が接着剤層２０により貼着され、保護フィルム層１９の表面と接続端子部１７ａの表面の各高さを一致させてある。 - 特許庁

The metallic layer covering the insulation layer is ground to be removed, and with the metallic layer left in the trench, a metallic pixel 44 is formed, and with the metallic layer left in the via opening part, a mutual connection body 42 is formed between the metallic pixel and the inner semiconductor device, and the upper surface of the base material is flattened.例文帳に追加

絶縁層に被せた金属層を研磨して除去し、金属層をトレンチ内に残して金属ピクセル４４を形成し、バイア開口部内に残して金属ピクセルと下側の半導体装置との間に相互連結体４２を形成し、基材の上面を平坦化する。 - 特許庁

To provide an electronic part built-in type multi-layer substrate having such highly reliable connection structure that cracks originated from a contact point of an edge of a transition layer and a passivation layer as a start point are not caused, also processing liquid does not enter an interface of a die pad and a resin layer through a wall surface of a bump.例文帳に追加

トランジション層のエッジとパッシベーション層との接点を起点にした亀裂を生じず、しかも、処理液がバンプの壁面を通じてダイパットと樹脂層の界面に侵入しない信頼性の高い接続構造を有する電子部品内蔵型多層基板を提供する。 - 特許庁

Further, wefts 14 are disposed which are interlaced with the warps 7 of the loop-having woven fabric layer 5 at places near to the connection loops in the loop-having woven fabric layer 5 and are also interlaced with the warps of the loop-free woven layer on both the sides of the weft-free region in the loop-free woven layer.例文帳に追加

さらにループ付き織物層５における接合ループの近傍においてそのループ付き織物層の経糸７に絡み合うと同時に、ループなし織物層における無緯糸領域の両側部分においてそのループなし織物層の経糸に絡み合う緯糸１４を設ける。 - 特許庁

Concretely the oscillator section 22 is formed among a first dielectric layer S1 to a 6th dielectric layer S6, the conversion section 24 is formed to an eighth dielectric layer S8 and a ninth dielectric S9, and the connection section 66 is formed to the 6th dielectric layer S6.例文帳に追加

具体的には、第１の誘電体層Ｓ１〜第６の誘電体層Ｓ６にかけて発振器部２２が形成され、第８及び第９の誘電体層Ｓ８及びＳ９に変換部２４が形成され、第６の誘電体層Ｓ６に接続部６６が形成されている。 - 特許庁

The connection substrate 11 is formed in a multilayer structure containing a carrying layer 31 for enhancing a mechanical strength, a conductive contact layer 11b electrically connected at its lower end of each photodetector 20, and a stop layer 30 which is to become an etching stopper for an etching agent of the layer 11b.例文帳に追加

接続基板１１を、機械強度を高める担持層３１と、各受光素子２０の下端を電気的に接続する導電性のコンタクト層１１ｂと、接続基板１１内に設けられ、コンタクト層１１ｂのエッチング剤に対してエッチングストッパとなる停止層３０とを含む多層構造とする。 - 特許庁

The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device, in which the semiconductor device is provided with: a nitride semiconductor layer including a channel layer; a Schottky electrode, containing indium 20, provided in contact with the nitride semiconductor layer; and ohmic electrodes 16, 18 provided in connection with the channel layer.例文帳に追加

本発明は、チャネル層を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に接して設けられたインジウムを含むショットキ電極（２０）と、チャネル層に接続して設けられたオーミック電極（１６、１８）と、を具備する半導体装置及びその製造方法である。 - 特許庁

In such a case as this, the load connection elements form a lamination, and an elastic intermediate layer is, in this case, arranged between each adjoining load connection elements in each strip cross section region.例文帳に追加

この場合には、負荷接続要素は積層を形成し、弾性の中間層は、この場合には、それぞれのストリップ状の断面の領域におけるそれぞれの隣接する負荷接続要素の間に配置される。 - 特許庁

The connection wire is provided between a lower substrate and the sealing material and frame material so that an upper surface of the connection wire is in contact with the sealing material, and is formed using the same layer as a source electrode and a drain electrode of a transistor.例文帳に追加

接続配線は、下部基板とシール材及びフレーム材との間を、上面がシール材と接するように設けられ、トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一層から形成される。 - 特許庁

In the external connection terminals positioned on the outermost periphery, center points of connection terminals forming at least facing two sides are arranged in a projecting region of the adhesive layer.例文帳に追加

そして、最外周に位置する外部接続端子において、少なくとも対向する２辺を形成する接続端子の中心点が、接着層の投影領域内に配置されていること特徴とする。 - 特許庁

The upper-layer connection pad 34 for the auxiliary capacitance electrode is connected to the other end part of the relay wiring line 31 (metal film 31c) for the auxiliary capacitance electrode through a contact hole 33 (with excellent ohmic connection).例文帳に追加

補助容量電極用上層接続パッド３４は、コンタクトホール３３を介して補助容量電極用中継配線３１（金属膜３１ｃ）の他端部に接続されている（オーミック接続良好）。 - 特許庁

A first insulating layer is formed on the surface of a semiconductor substrate on which a semiconductor memory element provided with a connection terminal and a peripheral circuit element are formed, and a hole reaching the connection terminal is formed from the surface.例文帳に追加

接続端子を有する半導体メモリ素子と周辺回路素子とを形成した半導体基板表面上に第１の絶縁層を形成し、表面から接続端子に達する孔を形成する。 - 特許庁

To provide a both-side flexible printed circuit board and a method for manufacturing the same having the interlayer connection that is suitable for fine structure of the wiring layer and is assuring higher connection reliability and productivity.例文帳に追加

配線層の微細化に好適な、接続信頼性及び生産性に優れる層間接続を有する両面フレキシブルプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide wiring structure preventing the occurrence of connection failure and application of damage to a wiring layer and achieving a connection state of high reliability in high yield, and to provide a display device.例文帳に追加

接続不良の発生や配線層へのダメージの付与を防止することができ、歩留まり良く信頼性の高い接続状態を実現することが可能な配線構造及び表示装置を提供する。 - 特許庁

Then the connection hole 16 to the protective film 10, and the wiring groove 17 which communicates with the top of the connection hole 16, are formed in the first insulating film 11 and second insulating film 12 on the lower-layer wiring 9.例文帳に追加

次に、下層配線９上の第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２に、保護膜１０に達する接続孔１６と接続孔１６の上部に連通する配線溝１７を形成する。 - 特許庁

By the surface of the superconductive layer formed by the dry etching, these impurities can be removed, and the connection electrical resistance generated during the connection of the superconductive wire rods can be reduced.例文帳に追加

超電導層の露出表面をドライエッチングすることで、これらの不純物を除去することができ、超電導線材同士を接続する際に生じる接続抵抗を低減することができる。 - 特許庁

Since the outermost layer 21 of the connection conductor 4 has low solder wettability, soldering is impossible even when the connection conductor 4 is tried to be mounted on the circuit board 100 accidentally.例文帳に追加

また、接続導体４の最外層２１は、はんだ濡れ性が低いため、誤って接続導体４を回路基板１００に実装しようとした場合であっても、はんだ付けを行うことができない。 - 特許庁

By this constitution, the connection area of the housing 3b and the outer side coil layer of the flexible shaft 27 is made larger than conventional cases and the connection strength of the housing 3b and the flexible shaft 27 is increased.例文帳に追加

この構成により、前記ハウジング３ｂとフレキシブルシャフト２７の外側コイル層との結合面積が従来よりも大きくなり、ハウジング３ｂとフレキシブルシャフト２７との結合強度を大きくする。 - 特許庁

To solve a problem that a nickel plating layer deposited on pads for electronic component connection and pads for external connection and solder peal off each other, and thus electronic components cannot be normally operated over a long term.例文帳に追加

電子部品接続用パッドおよび外部接続用パッドに被着させたニッケルめっき層と半田との間で剥離が発生し、そのため電子部品を長期間にわたり正常に作動させることができない。 - 特許庁