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「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索
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connection layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3007



例文

A hole 9 is formed in the second insulating layer 6, and electric connection is established by an Au wire up to the second insulating layer 6.例文帳に追加

第2絶縁層6に孔9を開け、金線で第2絶縁層6上までの電気的な接続を行う。 - 特許庁

A contact opening part for connection to a first layer wiring metal layer in an Si wafer is formed in step 11.例文帳に追加

ステップ11でSiウェハへの第1層目配線金属層との接続のためのコンタクト開口部を形成する。 - 特許庁

Since the lower layer side sintered body layer 2A_1 is excessively sintered, adhesion and connection of the tatalum foils 1 are firm.例文帳に追加

下層側の焼結体層2A_1が過焼結になるので、タンタル箔1との癒着、結合が強固になる。 - 特許庁

The connection layer 13 is formed in the insulating layer 11 on the interface side for the p type well region 4.例文帳に追加

接続層13は、絶縁層11におけるp形ウェル領域4との界面側に形成されている。 - 特許庁

例文

By the Ti layer 141, a silicide connection part 13 is constituted on the contact side with the diffusion layer 11.例文帳に追加

このTi層141によって拡散層11との接触側にシリサイド接続部13を構成している。 - 特許庁


例文

To keep low the contact resistance between a chromium layer and an ITO layer etc., as elements of wiring for external connection.例文帳に追加

外部接続用配線の要素であるクロム層とITO層等との間のコンタクト抵抗を低く維持する。 - 特許庁

The internal layer 12 and the external layer 13 each have a hardness at which the rubber is deformable during the connection work, and the internal layer 12 is set higher in hardness than the external layer 13.例文帳に追加

内層12も外層13も接続作業時に変形可能な硬度であるとともに、内層12の硬度が外層13の硬度よりも硬く設定される。 - 特許庁

In the terminal forming step, a gold layer 33, a nickel layer 32, and a copper layer 31 are stacked in sequence on the gold diffusion prevention layer to thereby form a surface connection terminal 30.例文帳に追加

端子形成工程では、金拡散防止層上に、金層33、ニッケル層32及び銅層31をこの順序で積層し、面接続端子30を形成する。 - 特許庁

A first to a fourth connection layers 11a-11d of the connection layer 11 are formed along the four sides of an IC chip 9.例文帳に追加

接続層11の第1〜第4接続層11a〜11dを、ICチップ9の4側面に沿って形成する。 - 特許庁

例文

To improve connection reliability between a conductor layer and an interlayer connection member without making manufacturing processes complicated.例文帳に追加

製造工程を複雑にすることなく導体層と層間接続部材との間の接続信頼性を向上させること。 - 特許庁

例文

To detect layer 2 repeating connection in order to limit a connection range of communication which requires protection of copyright in a home.例文帳に追加

著作権保護を必要とする通信の接続範囲を宅内に限定するため、レイヤ2中継接続を検出する。 - 特許庁

Inter-layer connection 19, 20 between the foil 17 and the pattern 6b are formed.例文帳に追加

金属箔17、配線パターン6bの層間接続19,20を形成する。 - 特許庁

A second connection metal layer 31 is formed on a surface of the wiring board 2.例文帳に追加

配線基板2の表面には第2の接続金属層31が形成される。 - 特許庁

SILVER OXIDE PASTE, INTER-LAYER CONNECTION METHOD, AND METAL SILVER IMAGE PRODUCTION METHOD例文帳に追加

酸化銀ペースト、及び層間接続方法、及び金属銀画像作成方法 - 特許庁

To improve the reliability of electric connection between wiring layer of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の配線層間の電気的接続の信頼性を向上する。 - 特許庁

In this connection, an n-type and a p-type of each layer and each region may be replaced.例文帳に追加

なお、各層および各領域のn型とp型とを入れ替えても良い。 - 特許庁

Connection wiring 230 for potential supply is provided at a multilayer wiring layer.例文帳に追加

多層配線層には、電位供給用接続配線230が設けられている。 - 特許庁

Each conductive layer 4 includes: a resin layer fixed on the connection surface 2a and conductive particles 6 dispersed in the resin layer.例文帳に追加

導電層4が、接続面上2aに定着されている樹脂層と、この樹脂層中に分散されている導電性粒子6とを備える。 - 特許庁

The first connection metal layer 41 is formed with a laminate structure of the Al layer 51 and an oxidation prevention layer 52 formed on a surface 51a thereof.例文帳に追加

第1の接続金属層41はAl層51と、その表面51aに形成された酸化防止層52との積層構造で形成される。 - 特許庁

On an aluminum electrode 2 which is a generally common silicon chip electrode, an aluminum layer 51 as a contact metal layer, a nickel layer 52 as a barrier metal layer and a gold layer 53 as a metal layer for connection and protection are laminated as a laminated electrode 5a of a three- layer structure.例文帳に追加

一般的なシリコンチップの電極であるアルミ電極2の上に、コンタクトメタル膜であるアルミ膜51とバリアメタル膜であるニッケル膜52と接続用兼保護用メタル膜である金膜53とを、積層して3層構造の積層電極5aとする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a first conductive layer, a second conductive layer, an insulation layer with a connection hole formed between the first conductive layer and the second conductive layer, and a third conductive layer connected to the first conductive layer and the second conductive layer and having at least a part of its end formed inside the connection hole.例文帳に追加

第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層及び第2の導電層の間に形成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第1の導電層及び第2の導電層に接続すると共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第3の導電層と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

The bump pad structure includes a substrate with an upper layer, a reinforcement pad formed on the upper layer, an intermediate layer formed above the upper layer, an intermediate connection pad formed on the intermediate layer, an outer layer formed above the intermediate layer, and a UBM connected to the intermediate connection pad through an opening formed on the outer layer.例文帳に追加

バンプパッド構造は、上層を有する基板と、上層上に形成された強化パッドと、上層の上方に形成された中間層と、中間層上に形成された中間接続パッドと、中間層の上方に形成された外層と、外層に形成された開口を介し、中間接続パッドに接続されたUBMとを備える。 - 特許庁

An interconnection line wiring device has an insulating layer 24 for electrical insulation, a connection portion 32 provided penetrating the insulating layer 24, an external connection terminal 28 formed on one surface of the insulating layer 24, and the interconnection line 26 formed on the other surface of the insulating layer 24.例文帳に追加

電気絶縁する絶縁層24、絶縁層24を貫通して設けられた接続部32、絶縁層24の一方の面に形成された外部接続端子28、絶縁層24の他方の面に形成された引出線26を設ける。 - 特許庁

After the resin layer 5 is formed, e.g. flattening treatment for the surface of a wafer W is performed, until the electric connection 4 is exposed from the resin layer 5 and a top surface of the exposed electric connection part 4 is made flush with the surface of the resin layer 5.例文帳に追加

この平坦化処理は、樹脂層5から電気接続部4が露出し、さらに、その露出した電気接続部4の頂面と樹脂層5の表面とがほぼ面一になるまで行われる。 - 特許庁

Whether or not any inter-layer connection element necessary for the layer change of a return current route exists within a check range including the detected check point is decided by an inter-layer connection element check means 120.例文帳に追加

層間接続要素チェック手段120により、検出されたチェックポイントを含むチェック範囲内にリターン電流ルートの層変更に必要な層間接続要素が存在するか否かを判定する。 - 特許庁

The degree of cure of the cured material layer 3 is made different between the cured material layer part 3a on the first connection target member 2 side and the cured material layer part 3b on the second connection target member 4 side.例文帳に追加

第1の接続対象部材2側における上記硬化物層部分3aと、第2の接続対象部材4側における硬化物層部分3bとで、硬化物層3の硬化度を異ならせる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thick film multilayer wiring board having enhanced connection reliability by eliminating cavities generated in a substrate interface at a connecting portion between a bonding pad layer consisting of a gold-base conductor and a silver-base or silver-platinum-base conductor layer which is superposed on the bonding pad layer for establishing an electrical connection.例文帳に追加

金系導体から成るボンディングパッドと銀系導体或いは銀白金系から成る導体配線との接続部分の下部にあたる基板との界面に、空洞が発生する。 - 特許庁

To provide a single-layer circuit board having conductive vias and a wiring layer and a method for manufacturing the single-layer circuit board, with which it becomes possible to improve a connection reliability of an electric connection part at the time of substrate lamination.例文帳に追加

基板積層時に電気接続部の接続信頼性を向上させることが可能な、導電ビアと配線層とを有する単層回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance reliability of the connection of wirings interposing an insulating layer between them using a conductive material in a printed wiring board of a structure, wherein the connection of the wirings interposing the insulating layer between them is made using conductive material filled in holes in the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層を介する配線間の接続を、絶縁層に開けた穴に充填した導電材料で行なうプリント配線板において、導電材料による接続の信頼性を高める。 - 特許庁

A connection terminal 4-1 connected to the first conductive layer and a connection terminal 4-2 connected to the second conductive layer are formed adjacent to each other in the vicinity of one end of the second conductive layer.例文帳に追加

第一導電層に接続される接続端子4−1及び第二導電層に接続される接続端子4−2は、第二導電層の一端部近傍に互いに近づけて形成される。 - 特許庁

A conductive connection layer 23, formed by silver paste, is provided at an upper surface of each connection terminal 22 forming the connection terminal column 21, and insulated layers 24 are provided between the connection terminals 22 so as to insulate each connection terminal 22.例文帳に追加

接続端子列21を構成する各接続端子22の上面には、銀ペーストにより形成された導電接続層23が設けられ、接続端子22の間には、接続端子22同士を絶縁する絶縁層24が設けられている。 - 特許庁

In the packaging substrate 2, a joining section with the first metal layer 19 for electric connection in the second metal layer 29 for electric connection is displaced from a joining section with the through-hole wiring 24 in the second metal layer 29 for electric connection.例文帳に追加

パッケージ用基板2は、第2の電気接続用金属層29における第1の電気接続用金属層19との接合部位を、当該第2の電気接続用金属層29における貫通孔配線24との接続部位からずらしてある。 - 特許庁

A connection structure, for example an UBM 18, is formed on the rewiring buildup layer.例文帳に追加

接続構造、例えば、UBM18が再配線ビルドアップ層上に形成される。 - 特許庁

A second magnetic tunnel junction element arranged between a second voltage line and a connection node includes: a pegged layer that is connected to the second voltage line; and a free layer that is connected to the connection node.例文帳に追加

第2磁気トンネル接合素子は、第2電圧線と接続ノードとの間に配置され、固定層が第2電圧線に接続され、フリー層が接続ノードに接続されている。 - 特許庁

With the electrical connection, the conductive layer is coated with resin (a step S4).例文帳に追加

また、当該電気的な接続と共に、導電層を樹脂で被覆する(ステップS4)。 - 特許庁

INJECTION UNIT CONNECTION DEVICE, MOLD USING THE SAME, AND MULTI-LAYER INJECTION MOLDING MACHINE例文帳に追加

射出ユニット連結装置、それを用いた金型および複数層射出成形機 - 特許庁

To improve connection reliability by making a tin plating layer of a tab portion hard to be cut.例文帳に追加

タブ部の錫めっき層を削られにくくして接続信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuitry in which a connection layer is formed without thermally affecting a wiring layer and incurring a connection defect.例文帳に追加

配線層に熱的な影響を与えず、且つ接続不良を起こさずに接続層を形成することができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the connection structure is covered with an insulating inorganic coating layer.例文帳に追加

この接続構造体の表面が絶縁性の無機コート層により被覆されている。 - 特許庁

By etching with the first resist pattern 8 as a mask, a connection hole pattern is formed in the inorganic stopper layer 7 and the first insulation film 6.例文帳に追加

第1のレジストパターン8上から有機絶縁膜5をエッチングする。 - 特許庁

To suppress drop of reliability of interlayer connection in a thermoplastic resin film layer.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルム層おける層間接続の信頼性の低下を抑制する。 - 特許庁

The first insulating material layer 13 is provided partially on the periphery of the connection terminal 3, and the second insulating material layer 14 is provided to surround the connection terminal 3.例文帳に追加

第1絶縁材料層13は接続端子3の周囲の一部に設けられ、第2絶縁材料層14は接続端子3を囲むように設けられている。 - 特許庁

Furthermore, a connection electrode 22 is provided to each end of the magnetoresistive effect layer 18.例文帳に追加

さらに、磁気抵抗効果層18の両端部に、接続電極22を形成する。 - 特許庁

The surface sheet and the noise damping layer comprise acoustically permeable connection parts.例文帳に追加

表面シートと騒音減衰層とは、音響的に透過性のある接合部を含む。 - 特許庁

The mounting of the coating layer is performed by adhesion, suturing, or button connection.例文帳に追加

被覆層の取付けは特に接着、縫合またはボタン連結によって行われる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic component capable of obtaining high inter-layer connection reliability without fine voids to be the cause of the connection defect of an inter-layer joining part and cracks.例文帳に追加

層間接合部の接続不良やクラックの原因となる微小ボイドの発生がなく高い層間接続信頼性が得られる電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The maximum length of the conductive connection layer is so decided as to prevent occurrence of electromigration of a conductive material constituting the conductive connection layer by using a Blech constant.例文帳に追加

導体接続層の最大長さは、その導体接続層を構成している導体材料のエレクトロマイグレーションの発生を防止するようにBlech定数を使用して決定される。 - 特許庁

The semiconductor element is integrally sealed with the connection member by a sealing resin layer.例文帳に追加

半導体素子は接続部材と共に封止樹脂層で一体的に封止される。 - 特許庁

At the connection terminal part 18, connection wirings 140, 141, 142 are arranged and an intermediate conductor layer is arranged on them.例文帳に追加

接続端子部18においては、接続配線140,141,142が配置され、その上に中間導電体層が配置される。 - 特許庁

例文

A region (high Al composition region 123) where the value of p is set to 1 (p=1) (AlN) is formed between the substrate connection region and active layer connection region.例文帳に追加

これらの領域間には、p=1(AlN)となっている領域(高Al組成領域123)が設けられている。 - 特許庁




  
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