「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The plating film can have a two layer structure composed of an Ni layer formed on the terminal connection part 10 and a Pd layer or an Au layer formed on the Ni layer instead of the above three layer structure.例文帳に追加

めっき膜は、上記の３層構造に代えて、端子接続部１０上に形成されたＮｉ層と、このＮｉ層上に形成されたＰｄ層もしくはＡｕ層との２層構造でもよい。 - 特許庁

In addition, the magnetic head also includes a vertical mutual connection structure that connects the lower coil layer to the upper coil layer.例文帳に追加

磁気ヘッドはまた、下部コイル層を上部コイル層へ接続する垂直相互接続構造も含む。 - 特許庁

The impurity concentration of the p-type connection layer 13B is smaller than that of the p-type embedded layer 13A.例文帳に追加

ｐ−型接続層１３Ｂの不純物濃度はｐ型埋め込み層１３Ａのそれより小さい。 - 特許庁

The socket-like structure parts 24 and 24A and a conductor layer C1 are stuck through an interlayer connection layer 54.例文帳に追加

ソケット様構造部２４，２４Ａと導体層Ｃ1とは、層間接続層５４を介して接着されている。 - 特許庁

Switched connection is obtained between an anti-ferromagnetic layer and a pinned layer by this pin-annealing processing.例文帳に追加

このピンアニール処理により、反強磁性層とピンド層との間に交換結合が付与されることとなる。 - 特許庁

The layer has a higher etching selectivity to the InP clad layer, so that it remains on the BJ connection after mesa etching.例文帳に追加

本層は、InPクラッド層に対してエッチング選択性が高いので、メサエッチング後もBJ接続上に残存する。 - 特許庁

CONNECTION SUBSTRATE, METHOD FOR FIXING IN POSITION, METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-TYPE MULTI-LAYER SUBSTRATE, PRESS APPARATUS, AND MULTI-LAYER例文帳に追加

接続基板、位置決め固着方法、立体型多層基板の製造方法、プレス装置、および多層基板 - 特許庁

Planarity on the front surface of the second vertical connection layer 15B and an insulating layer 12 is thereby assured.例文帳に追加

これにより第１縦接続層１５Ｂおよび絶縁層１２の表面の平坦性が確保される。 - 特許庁

Further, a connection outflow preventive layer 4 is provided to absorb volume expansion caused when the connection 3 is fused.例文帳に追加

また、接続部流出防止層４を設け、接続部３が溶融した際の体積膨張を吸収させる。 - 特許庁

The intermediate electrode layer 9 includes an independent dedicated connection terminal 16 for providing electrical connection.例文帳に追加

中間電極層９に、電気的接続を得るための独立した専用の接続端子１６が設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a semiconductor element is connected to an element connection surface via an element connection layer composed of solder, and another member is connected to the another member connection surface via an another member connection layer composed of solder having a melting point lower than that of the solder for forming the element forming layer.例文帳に追加

半導体装置は、素子接続面に、半田からなる素子接続層を介して半導体素子を接続し、他部材接続面に、前記素子接続層を形成する半田より融点の低い半田からなる他部材接続層を介して他部材を接続した。 - 特許庁

The through-hole wiring formation substrate 2 is configured by shifting the junction site with the first junction metal layer 19 for connection in the second junction metal layer 29 for connection from the connection site with a through-hole wiring 24 in the second junction metal layer 29 for connection.例文帳に追加

貫通孔配線形成基板２は、第２の接続用接合金属層２９における第１の接続用接合金属層１９との接合部位を、当該第２の接続用接合金属層２９における貫通孔配線２４との接続部位からずらしてある。 - 特許庁

The connecting member includes a connection wiring layer 3 where a plurality of connection wires 3a formed at prescribed pitch are arranged and an anisotropic conductive layer 4 which is laminated on the connection wiring layer 3 and made electrically conductive to the connection wires in the thickness direction.例文帳に追加

所定ピッチで形成された複数の接続配線３ａを設けた接続配線層３と、上記接続配線層３に積層されるとともに、上記接続配線と厚み方向に導通させられる異方導電層４とを備えて構成される。 - 特許庁

To improve insulating property and connection reliability of an insulating resin layer such as an inter-layer insulating resin layer and a solder resist layer by preventing a pinhole from being formed in the insulating resin layer.例文帳に追加

層間絶縁樹脂層やソルダーレジスト層等の絶縁樹脂層にピンホールが形成されるのを防止し、かかる絶縁樹脂層の絶縁性及び接続信頼性を向上させる。 - 特許庁

A connection layer 16D, a blue light-emitting layer 16E, an electron transport layer 16F, and an electron injection layer 16G are formed on an entire surface of the yellow light-emitting layer 16C by a vapor deposition method.例文帳に追加

黄色発光層１６Ｃ上の全面に接続層１６Ｄ，青色発光層１６Ｅ，電子輸送層１６Ｆおよび電子注入層１６Ｇを蒸着法により形成する。 - 特許庁

The cured material layer 3 includes a first cured material layer part 3a on the first connection target member 2 side and a second cured material layer part 3b on the second connection target member 4 side.例文帳に追加

硬化物層３は、第１の接続対象部２材側に第１の硬化物層部分３ａと、第２の接続対象部材４側に第２の硬化物層部分３ｂとを有する。 - 特許庁

An outer edge of the metal support layer 11 in a connection structure region 3 is located outside an outer edge of the insulating layer 10 and an outer edge of the wiring connection 16 in the wiring layer 12.例文帳に追加

接続構造領域３における金属支持層１１の外縁は、絶縁層１０の外縁および配線層１２の配線接続部１６の外縁より外方に位置している。 - 特許庁

A layer common to the connection conductive layer is formed on the semiconductor chip 10 and circuit component members, e.g. a resistive element R, are formed to be connected with the connection conductive layer.例文帳に追加

また、半導体チップ上１０には、接続導電層と共通の層を含み、接続導電層に接続する抵抗素子Ｒなどの回路構成部材が形成されている構成とする。 - 特許庁

The p-type contact layer 24 other than the connection layer 25 is grown using a hydrogen gas as a carrier gas, and the connection layer 25 is grown while changing only the carrier gas to a nitride gas as an inert gas.例文帳に追加

接続層２５以外のｐ型コンタクト層２４は、水素ガスをキャリアガスとして成長させ、接続層２５は、キャリアガスのみを不活性ガスである窒素ガスに切り換えて成長させている。 - 特許庁

Using the information for connection processing with the upper layer, processing for wireless connection with a data link layer is carried out in parallel with a processing for connecting a network layer with the Internet.例文帳に追加

この上位層の接続処理のための情報を用いることで、データリンク層の無線接続のための処理と、ネットワーク層のインターネットに接続するための処理とを並行して行う。 - 特許庁

A connection piece 11 for ground is extended from the insulating layer 10, and partial portions 24/26 of the cover layer 22A and the ground layer 25 are extended and laminated on the back side of the connection piece 11 for grounding.例文帳に追加

絶縁層１０からグランド用接続片１１を伸長し、グランド用接続片１１の裏面にカバー層２２Ａとグランド層２５の一部２４・２６を延長積層する。 - 特許庁

CAD SYSTEM, POWER SOURCE LAYER CONNECTION FORM SETTING METHOD AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

ＣＡＤシステム、電源層接続形状設定方法および記録媒体 - 特許庁

Then, an insulating layer and a copper foil are disposed on the connection pad in that order.例文帳に追加

その後、絶縁層及び銅箔が接続パッド上に順に配置される。 - 特許庁

To form the conductive connection member of a multi-layer wiring board by a simple procedure.例文帳に追加

多層配線基板の導電接続部材を簡易な手順で形成する。 - 特許庁

In the via connection region 121, one-wiring layer metal 13 is formed.例文帳に追加

ビア接続領域１２１には一配線層メタル１３が形成されている。 - 特許庁

The precursor 10G is sintered, the pair of joined primary faces 22P are set up to be a primary collection layer, and the pair of adjoined connection faces 24P are set up to be a collection layer for connection.例文帳に追加

その前駆体10Gを焼結し、接合された一対の主面22Pを主集電層とし、隣接する一対の接続面24Pを接続用集電層とする。 - 特許庁

At a serial connection region W2, a conductive material 13 is arranged for electrical connection of the rear-side electrode layer 9 and the transparent front-side electrode layer 5.例文帳に追加

直列接続領域Ｗ２では、裏面電極層９と透明表面電極層５を電気的に接続する導電性材料１３が配置される。 - 特許庁

A protection layer comprising an InGaAsP is provided on the butt-connection part.例文帳に追加

本発明によれば、突合せ接続部上にInGaAsPからなる保護層を設ける。 - 特許庁

To surely connect the grounding layer of a bushing to the grounding members of connection members.例文帳に追加

ブッシングの接地層と接続部材の接地部材とを確実に接続する。 - 特許庁

Gate electrode layers 21a, 21b being a first layer, drain-drain connection layers 31a, 31b being a second layer and drain-gate connection layers 41a, 41b being a third layer are a conductive layer for flip flop.例文帳に追加

第１層であるゲート電極層２１ａ、２１ｂと、第２層であるドレイン−ドレイン接続層３１ａ、３１ｂと、第３層であるドレイン−ゲート接続層４１ａ、４１ｂと、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁

The reference resistance layer 22 and a second output conductive layer 34 are extended in parallel, and parts of them are conducted by a connection layer 36.例文帳に追加

また、参照抵抗層２２と第２の出力導電層３４とが平行に延び、その一部が接続層３６で導通されている。 - 特許庁

A first output conductive layer 33 and the reference resistance layer 21 are extended in parallel, and parts of them are conducted by a connection layer 35.例文帳に追加

第１の出力導電層３３と参照抵抗層２１とが平行に延び、その一部が接続層３５で導通されている。 - 特許庁

Each of the plurality of surface connection terminals 30 has a structure in which a copper layer 31, a nickel layer 32, and a gold layer 33 are stacked in this sequence.例文帳に追加

複数の面接続端子３０は、銅層３１、ニッケル層３２及び金層３３をこの順序で積層した構造を有する。 - 特許庁

The connection pad part includes a first metal wiring layer 12 formed on an insulating layer 11 and a second metal wiring layer 14 formed on the above metal wiring layer, and is used for contact of the test probe and connection to the connection electrode.例文帳に追加

絶縁層１１上に形成された第１のメタル配線層１２と、このメタル配線層の上に形成される第２のメタル配線層１４とを備え、試験用プローブとの接触及び接続電極との接続に使用される接続パッド部を構成する。 - 特許庁

By the buffer layer interposed between the semiconductor layer and the source electrode layer, and between the semiconductor layer and the drain electrode layer using compound semiconductor material; the conductivity between the semiconductor layer and the source electrode layer, and between the semiconductor layer and the drain electrode layer is improved enabling electrically good connection.例文帳に追加

化合物半導体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良好な接続を行うことができる。 - 特許庁

The connection part has a first connection layer 51c1 and a second connection layer 51c2 where the insulating layers 103' and 104 are formed on both sides of a single conductor layer 101' respectively and which are separate from each other in a laminating direction.例文帳に追加

接続部は、それぞれ単一の導体層１０１′の両面に絶縁層１０３′，１０４が形成され、積層方向において互いに分離した第１の接続層５１ｃ１および第２の接続層５１ｃ２を有する。 - 特許庁

Then, a second layer wire 32 including copper is formed in the wiring groove 31, a connection part 34 including copper is formed in the connection hole 33, and the second layer wire 32 and the first layer wire 18 are connected by the connection part 34 the length of which has been shortened.例文帳に追加

そして配線溝３１に銅を含む第２層配線３２を、接続孔３３に銅を含む接続部３４を形成し、第２層配線３２と第１層配線１８とを長さが短縮化された接続部３４で接続する。 - 特許庁

The second intermediate power wiring of the intermediate power wiring layer includes connection wiring connecting the second intermediate connection vias to the second auxiliary connection vias.例文帳に追加

中間電源配線層の第２の中間電源配線には、第２の中間接続ビアと第２の副接続ビアとを接続する接続配線が含まれる。 - 特許庁

A third repairing electric connection layer for a first source/drain electrode isolated from the first repairing electric connection layer by an insulation is provided, and a fourth repairing electric connection layer for a second source/drain electrode isolated from the second repairing electric connection layer is provided above the second laser repairing points is provided.例文帳に追加

第１レーザ修復点上方に絶縁層により第１修復用電気接続層から隔離される第１ソース／ドレイン電極の第３修復用電気接続層を、第２レーザ修復点上方に第２修復用電気接続層から隔離される第２ソース／ドレイン電極の第４修復用電気接続層を提供する。 - 特許庁

A solar cell 100 as an embodiment of the present invention has, on one surface of a substrate 5, a connection wiring layer with lamination constitution including a first connection wiring layer 7 made of metal, an intermediate translucent layer 11, and a second connection wiring layer 10 made of metal as layers of conductors for connection or electrodes.例文帳に追加

本発明のある態様の太陽電池１００においては、基板５の一方の面に、接続のためまたは電極のための導電体の層として、金属からなる第１接続配線層７と中間透光層１１と金属からなる第２接続配線層１０とを含む積層構成の接続配線層か形成される。 - 特許庁

Then, a second electrode layer 4b is formed on the conductor layer 4a, the first electrode layer 2 is connected to the second electrode layer 4b via the connection opening 6, and at least the conductor layer 4a and the second electrode layer 4b near the connection opening 6 are removed.例文帳に追加

その後、導体層４ａ上に第２の電極層４ｂを形成し、接続開口部６を介して第１の電極層２と第２の電極層４ｂとを接続した後、接続開口部６の近傍における少なくとも前記導体層４ａと第２の電極層４ｂとを除去する。 - 特許庁

The Ag thin-film layer 15 contributes to improvement of connection strength between the Cu wiring layer 11 and the Ag connection layer 14 in forming the Cu wiring layer 11 by non-electrolytic plating, and formation of the Cu wiring layer 11 having a sufficient thickness on the ceramic layer 12.例文帳に追加

こうしたＡｇ薄膜層１５は、無電解メッキによるＣｕ配線層１１形成時において、Ｃｕ配線層１１とＡｇ接続層１４との接続強度を高め、またセラミック層１２上に十分な厚みのＣｕ配線層１１を形成することに寄与する。 - 特許庁

The connection 25 is composed of a first connection 25A protruded from the first wiring layer 18A in the thickness direction, and a second connection 25B protruded from the second wiring layer 18B in the thickness direction.例文帳に追加

接続部２５は、第1の配線層１８Ａから厚み方向に突出する第1の接続部２５Ａと、第２の配線層１８Ｂから厚み方向に突出する第２の接続部２５Ｂとから成る。 - 特許庁

MULTI-LAYER FLEXIBLE PRINTED BOARD, LAMINATE STRUCTURE OF MULTI-LAYER FLAT CABLE, AND ELECTRIC CONNECTION BOX UTILIZING THE LAMINATE STRUCTURE例文帳に追加

多層フレキシブルプリント基板及び多層フラットケーブルの積層構造並びにこの構造を利用した電気接続箱 - 特許庁

The support layer is formed of a low-k dielectric material, and a connection portion is provided to connect the inductors and capacitors in the support layer.例文帳に追加

支持層は低誘電物質で形成され、支持層にはインダクタとキャパシタとを連結する連結部が備える。 - 特許庁