「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a circuit device wherein an element is connected to a substrate using a thin solder layer, comprising such connection structure as hard to cause poor connection.例文帳に追加

薄いはんだ層により基板と素子とを接続する回路装置であって、接続不良の生じにくい接続構造を備えた回路装置を提供する。 - 特許庁

The FPC 33 has a connection portion 33E joined to the wiring layer ER through the solder portion 5 and a wiring portion 33C connecting with the connection portion 33E.例文帳に追加

ＦＰＣ３３は、ハンダ部５を介して配線層ＥＲに接合された接続部３３Ｅと接続部３３Ｅに繋がった配線部３３Ｃとを有している。 - 特許庁

In the boundary part 106, a dummy contact plug 108 is arranged in the same layer as the memory transistor connection plug 117 and a logic transistor connection plug 119.例文帳に追加

境界部１０６には、メモリ用トランジスタ接続プラグ１１７およびロジック用トランジスタ接続プラグ１１９と同層にダミーコンタクトプラグ１０８を設ける。 - 特許庁

In a driver IC 1 in which a cascade connection is mutually carried out, a first winding 8 for cascade connection is formed on an element layer 4 as a thin film.例文帳に追加

互いにカスケード接続されるドライバＩＣ１において、カスケード接続用第１配線８は、素子層４の上に薄膜として形成されている。 - 特許庁

A lower layer master station 11a imparts a line connection number to a lower slave station 12a, and transmits the line connection number imparted to an upper slave station 2a.例文帳に追加

下位親局１１ａは、下位子局１２ａに回線接続番号を付与し、付与した回線接続番号を上位子局２ａに送信する。 - 特許庁

To provide an anisotropic conductive film with a non-diffusible hardening agent layer and a connection structure which are excellent in low-temperature connectability and connection reliability in electrical connection between circuit boards.例文帳に追加

回路基板間の電気的接続において、低温接続性に優れると共に、接続信頼性に優れる非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム及び接続構造体を提供すること。 - 特許庁

In a connection region of the flexible wiring plate and the substrate, a connection terminal for connecting to the substrate is formed for the flexible wiring plate, and the circuit wiring is formed on a layer being different from this connection terminal.例文帳に追加

フレキシブル配線板と基板との接続領域において、フレキシブル配線板に基板に接続するための接続端子を形成し、この接続端子とは異なる層に回路配線を形成する。 - 特許庁

In a switched-connection element 1 that is formed by stacking an antiferromagnetic layer 4 and a ferromagnetic layer 5 in order on a substrate 2, the ferromagnetic layer 5 that is connected to the antiferromagnetic layer by switching, the antiferromagnetic layer 4 has a regular phase (Mn_3Ir) of an Mn-Ir alloy.例文帳に追加

基板１上に、反強磁性層４、及び前記反強磁性層と交換結合する強磁性層５が順次積層されてなる交換結合素子１において、前記反強磁性層４が、Mn-Ir合金の規則相（Mn_3Ir）を備えるものとする。 - 特許庁

By the buffer layers interposed between the semiconductor layer using the compound semiconductor material, and the source electrode layer and the drain electrode layer, conductivity among the semiconductor layer, the source electrode layer and the drain electrode layer is improved, and excellent electrical connection can be performed.例文帳に追加

化合物半導体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良好な接続を行うことができる。 - 特許庁

A connection structure between transmission line layers 100 is composed of a second conductor layer 5B, a second dielectric layer 1B, a second ground conductor layer 2B, a third dielectric layer 1C, a first ground conductor layer 2A, a first dielectric layer 1A, and a first conductor 3A, which are all laminated.例文帳に追加

伝送線路層間接続構造１００は、第２の導体層５Ｂ、第２の誘電体層１Ｂ、第２の地導体層２Ｂ、第３の誘電体層１Ｃ、第１の地導体層２Ａ、第１の誘電体層１Ａ、第１の導体層３Ａが積層されて構成される。 - 特許庁

The clock signal wiring layer 44 may comprise the uppermost wiring layer in a plate shape, or may comprise the wiring layer which is lower than the top layer, almost in a plate shape having an opening part 44a for achieving the connection between the lower layer side and the upper layer side.例文帳に追加

クロック信号配線層４４を、プレート形状を有し最上層の配線層から構成させてもよいし、また、下層側と上層側との接続を達成するための開口部４４ａを有する略プレート形状とし、最上層より下層の配線層から構成させてもよい。 - 特許庁

Since switched connection between magnetization of rare earth metals and magnetization of transition metals of the recording layer and the magnetism stabilization layer is performed, two layers as a magnetic layer and the magnetism stabilization layer are regarded as one magnetic material and activation volume in this case becomes for two layers as the recording layer and the magnetism stabilization layer.例文帳に追加

記録層と磁化安定化層の希土類金属の磁化同士、遷移金属の磁化同士が交換結合しているので、磁性層と磁化安定化層の２層を１つの磁性体とみなすことができ、この場合の活性化体積は記録層と磁化安定化層の２層分となる。 - 特許庁

Second layer Cu wirings 12, an interlayer connection Cu wiring 13 and second layer TaN films 14 are formed in the grooves 10 and the hole 11.例文帳に追加

溝１０および孔１１に第２層Cu配線１２、層間接続用Cu配線１３、第２層TaN膜１４を形成し、半導体装置を得る。 - 特許庁

The sealing elastic layer 452 of the gasket 45 is fitted closely to the end faces 362 and 414, and the sealing elastic layer 453 thereof is fitted closely to the connection face 193.例文帳に追加

ガスケット４５のシール用弾性層４５２は端面３６２，４１４に密接し、シール用弾性層４５３は接合面１９３に密接する。 - 特許庁

In the opening part 16a of the organic layer 16, the auxiliary wiring layer 11b and the second electrode 20 are electrically connected with the connection part 14.例文帳に追加

有機層１６の開口部１６ａにおいて、接続部１４により補助配線層１１ｂと第２電極２０とが電気的に接続される。 - 特許庁

The connection member 32 is formed at a position at which the surface structure layer 31 shifts by 1/2 cycle from the rod of the most adjacent stripe layer 125.例文帳に追加

また、この連結部材３２は、表面構造層３１と最隣接するストライプ層１２５のロッドと1/2周期ずれた位置に形成される。 - 特許庁

Then, the insulation performance of the insulation layer 13 at the connection structure forming portion 10c is higher than that of the insulation layer 13 at the cable portion 10k.例文帳に追加

そして、接続構造形成部10cにおける絶縁層13の絶縁性能を、ケーブル部10kにおける絶縁層13の絶縁性能よりも高くする。 - 特許庁

To provide an intermediate connecting structure of a solid cable which has a sound corrosion proof layer and which suppresses deoiling in a connection part insulation layer.例文帳に追加

健全な防食層を備えると共に、接続部絶縁層における脱油が抑制されたソリッドケーブルの中間接続構造を提供する。 - 特許庁

In the wiring part, vias (unconnected vias) that have no wiring as a connection destination in a second wiring layer are formed on wiring of a first wiring layer.例文帳に追加

配線部では、第１の配線層の配線上に、第２の配線層では接続先となる配線がないビア（未接続ビア）を形成する。 - 特許庁

The tube connection part 13 of a quick connector 3 is relatively inserted into a non-adhesive part between the resin barrier layer 77 and the rubber inner layer 73.例文帳に追加

クイックコネクタ３のチューブ接続部１３を、樹脂製バリア層７７とゴム製内側層７３との間の非接着個所に相対的に差し込む。 - 特許庁

The connection portion 1 has a first conductive layer 2 and a second conductive layer 4 connected through a contact hole 5 formed at their intersection.例文帳に追加

接続部１は、第１導電層２と第２導電層４とが、その交差個所に設けられたコンタクトホール５を介して接続されたものである。 - 特許庁

An alignment layer is formed on a region excluding a region for forming the external connection terminal on a lamination position to be the uppermost layer of the substrate.例文帳に追加

配向膜は、基板の最上層となる積層位置において、外部接続端子の形成領域を除いた領域に形成されている。 - 特許庁

Accordingly, there is no inter-layer connection part magnetically connecting the main magnetic pole and the upper-layer side return core at the rear end side of the main magnetic pole 41.例文帳に追加

従って、主磁極４１の後端側には、主磁極と上層側リターンコアとを磁気的に接続する層間接続部を有していない。 - 特許庁

The plating layer 9 as the light reflection layer is formed on a region other than an Au pad terminal 7 portion for chip connection on the main surface of the substrate 2.例文帳に追加

光反射層である銀鏡メッキ層９は、基板２主面のチップ接続用Ａｕパッド端子７部を除く領域に形成される。 - 特許庁

The plurality of light emitting diodes units are electrically connected to one another through the electric connection layer, and bonded to the substrate via the bonding layer.例文帳に追加

複数の発光ダイオードユニットは、電気接続層を介して互いに電気的に接続され、また、接合層を介して基板と接合される。 - 特許庁

An alloy layer 19 containing copper, nickel, and tin is formed on a nickel plating layer 17 covering the external connection pad 15 of an electronic device 1.例文帳に追加

電子装置１の外部接続用パッド15を被覆するニッケルめっき層17上に銅とニッケルと錫とを含有する合金層19が形成されている。 - 特許庁

The plurality of auxiliary electrode portions are placed opposite to a liquid crystal layer via the over layer, and the first and second connection portions are overlapping with the pixel electrodes.例文帳に追加

複数の補助電極部は、オーバーレイヤーを介して液晶層と対向し、第１及び第２接続部は、画素電極と重なっている。 - 特許庁

The disposable diaper connection type waterproof sheets is constituted by connecting a plurality of flat type disposable diapers each having a water absorbing layer 3 inside and a waterproof layer 4 outside.例文帳に追加

吸水層３を内面側に備え、防水層４を外面側に備えたフラット型使い捨ておむつ２を複数枚連結して構成する。 - 特許庁

Each wiring pattern 2 is composed of a conductor layer 2a and a tin plating layer 2b, and includes a tip portion 21, a connection portion 22 and a signal transmission portion 23.例文帳に追加

各配線パターン２は、導体層２ａおよび錫めっき層２ｂからなり、先端部２１、接続部２２および信号伝送部２３を含む。 - 特許庁

The first computing system establishes data link layer connection with the second computing system by using specific underlying data link and physical layer protocols.例文帳に追加

第１のコンピューティングシステムは、第２のコンピューティングシステムとのデータリンク層接続を、特定のデータリンク層および物理層プロトコルを使用して確立する。 - 特許庁

A multilayered connection layer for electrically connecting a counter electrode and the array substrate is simultaneously formed with the formation of a color filter and a transparent electrode layer.例文帳に追加

カラーフィルタ及び透明電極層の形成と同時に、対向電極とアレイ基板の電気的接続のための多層接続層を形成する。 - 特許庁

Also, the second wiring layer 8 and the leading-out wiring layer 10A are electrically coupled by a fourth connection part 9B in the contact region.例文帳に追加

また、第２配線層８と引出配線層１０Ａとは、コンタクト領域において、第４接続部９Ｂにより電気的に連結されている。 - 特許庁

At the connecting section, the connection terminals are exposed in the opening 68 formed on the base insulating layer and cover insulating layer, and a protection insulating layer 70 and metal sheets 72 are overlaid on the one surface of the connection terminals.例文帳に追加

接続部において、複数の接続端子は、ベース絶縁層およびカバー絶縁層に形成された開口６８内に露出し、各接続端子の一方の表面上に保護絶縁層７０および金属薄板７２が重ねて設けられている。 - 特許庁

The guard ring 118 includes a first ring 134 of a first layer 128, a second ring 136 of a second layer 130, a third ring 138 of a third layer 132, a first connection ring 142 connecting the first ring 134 and the second ring 136 with each other, and a second connection ring 144 connecting the second ring 136 and the third ring 138 with each other.例文帳に追加

ガードリング１１８は、第１層１２８の第１リング１３４、第２層１３０の第２リング１３６および第３層１３２の第３リング１３８とそれらを接続する第１接続リング１４２、第２接続リング１４４を含む。 - 特許庁

A second wiring layer 14 connected electrically to the conductive ball 30 is formed on the insulating layer 25, whereby the interlayer connection of the first wiring layer 12 and the second wiring layer 14 is established through the conductive ball 30.例文帳に追加

絶縁層２５の上には導電性ボール３０に電気的に接続された第２配線層１４が形成され、導電性ボール３０を介して第１配線層１２と第２配線層１４が層間接続されている。 - 特許庁

To provide a heat dissipating configuration for solar energy battery which uses a structure of direct connection of a circuit layer to a thin film insulating layer in replacement of a conventional buffer layer and a ceramic material layer to improve heat dissipation efficiency.例文帳に追加

従来のバファ層とセラミック材料層の代わりに、回路層が直接に薄膜絶縁層に結合されるものを利用し、放熱効率が向上される太陽エネルギー電池放熱構成を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a projecting electrode 12 connected to the upper layer wire 9 is provided on the upper layer insulating film 10 via a connection hole 11 formed in the upper layer insulating film 10 covering the upper layer wire 9.例文帳に追加

また、上層配線９を覆う上層絶縁膜１０に形成された接続孔１１を介して上層配線９に接続させた突起電極１２が、上層絶縁膜１０上に設けられている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer (n-type contact layer 20) of one PIN structure and the p-type semiconductor layer (p-type contact layer 19) of the other PIN structure both come into contact with a connection portion 30 and are electrically connected.例文帳に追加

一方のＰＩＮ構造のｎ型半導体層（ｎ型コンタクト層２０）と他方のＰＩＮ構造のｐ型半導体層（ｐ型コンタクト層１９）とは共に、連結部３０と接すると共に電気的に接続されている。 - 特許庁

As shown in the enlarged part, a connection area 111a formed in this way comprises a three-layer structure composed of a substrate layer 111b, a packed layer 111c, and an active material layer 111d from the upper part of the figure.例文帳に追加

拡大部分に示すように、このように形成された接合領域１１１ａは、図面上方から基板層１１１ｂ、充填層１１１ｃ、活物質層１１１ｄの３層構造を有することになる。 - 特許庁

The wiring board 10 includes a first conductor layer 1f as a surface layer including a plurality of external connection pads 5 and a second conductor layer 1d as an internal layer including signal wiring 1S such that the first conductor layer 1f and second conductor layer 1d face each other with a plurality of inter-layer insulating layers 2d and 2e interposed therebetween.例文帳に追加

複数の外部接続パッド５を含む表層の第１の導体層１ｆと、信号配線１Ｓを含む内層の第２の導体層１ｄとが、第１の導体層１ｆと第２の導体層１ｄとの間に複数の層間絶縁層２ｄ，２ｅを挟んで対面するように配設されている配線基板１０である。 - 特許庁

The lower conductive layer is arranged at a proper position in the insulating layer and connected to fixed potential; the composite layer structure is arranged on the insulating layer and composed by superposing at least one conductive layer and at least one conductive connection layer alternately, and the bonding pad conductive layer is arranged on the composite layer structure.例文帳に追加

下導電層は絶縁層内の適当な位置に設けられ、並びに固定電位に接続され、該複合層構造は該絶縁層の上に設けられ、該複合層構造は少なくとも一層の導電層と少なくとも一層の導電接続層が交互に重畳されて組成され、該ボンディングパッド導電層は該複合層構造の上に設けられている。 - 特許庁

These address solving servers 2 (2-1 and 2-2) are provided with a connection solving table for maintaining and managing a connection setting condition together with the correspondence relation of a connection setting identifier and the address of the high-order layer of data communication terminals 1 (1-1 to 1-3) arranged in the connection type network.例文帳に追加

アドレス解決サーバ２はコネクション型網に配置されたデータ通信端末１の上位レイヤのアドレスとコネクション設定識別子との対応関係と共にコネクション設定条件を維持管理するコネクション解決テーブル１０を備えている。 - 特許庁

By introducing a process of connecting the semiconductor element 1 and a base material 2 to each other, while applying acceleration to the base material 2, a connection layer 7, and the semiconductor element 1 in a direction along a connection surface between the semiconductor element and base material, a gas can be efficiently dissipated to the outside of the connection layer in the process of connection.例文帳に追加

半導体素子１と基材２との接続面に沿った方向に加速度を、基材２、接続層７および半導体素子１に対して加えながら接続を行なうという工程を導入することにより、接続の過程でガスを効率よく接続層の外部に放散することができる。 - 特許庁

The wiring board comprises a structure where a plurality of the connection pads 22 and leading-out wiring portions 24 each connected to the connection pads 22 are arranged on an insulating layer 30 on the surface layer side, the leading-out wiring portions 24 being bent and arranged from the connection pads 22, and projecting solder layers 42 are provided on the connection pads 22.例文帳に追加

複数の接続パッド２２と接続パッド２２にそれぞれ繋がる引き出し配線部２４とが表層側の絶縁層３０に配置された構造を含み、引き出し配線部２４は接続パッド２２から屈曲して配置されており、接続パッド２２上に突出するはんだ層４２が設けられている。 - 特許庁

The formation of the insulating layer 28 increases the interval between the monitor element 22 and lower shield layer 26 and even if a smear ring is formed on the lower shield layer, an electric connection can be prevented.例文帳に追加

前記絶縁層２８の形成により、モニター素子２２と下部シールド層２６との間隔は大きくなり、下部シールド層にスメアリングが生じても、電気的な接続を防止できる。 - 特許庁