「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A word line 13a is formed on a memory region 10a of a substrate 10, and a connection conductive layer (conductive layer) 13b is formed in a peripheral region 10b.例文帳に追加

基板１０のメモリ領域１０ａ上にワード線１３ａを形成し、周辺領域１０ｂ上に接続導電層（導電層）１３ｂを形成する。 - 特許庁

This connection for a power cable is provided with a semiconductor layer at the periphery having a margin cutting part and insulating material 5 filled in this semiconductor layer.例文帳に追加

縁切り部を有する外周の半導電層と、この半導電層の内部に充填された絶縁材５とを有する電力ケーブル用接続部である。 - 特許庁

Further, the connection wiring of the electrode leads is formed on the area in the layering direction between the upper shield layer and the magnetic layer of the recording element.例文帳に追加

さらに、一対の電極引出配線の接続配線部を、上部シールド層及び記録素子の磁性層で積層方向に挟まれる領域に設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic EL display that stabilizes an electric connection between a contact electrode layer and a second electrode layer.例文帳に追加

本発明は、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent occurrence of a malfunction of a driving IC by maintaining the contact resistance between a chromium layer and an ITO layer, which are the elements of external connection wiring, at a low level.例文帳に追加

外部接続用配線の要素であるクロム層とＩＴＯ層との間のコンタクト抵抗を低く維持し、駆動用ＩＣが誤動作するのを防止する。 - 特許庁

In a circuit layer 12 of the flexible printed circuit board 10, patterns 13 for connection are formed which are extended by a prescribed length (f1) outward from an edge of an insulation layer 11.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板１０の回路層１２に、絶縁層１１の端縁から外方へ所定長さ（ｆ１）延びた接続用パターン１３を形成する。 - 特許庁

The connection positions 2a, 2b between the portions 2A, 2C distributed in the first layer and the portion 2B distributed in the second layer are different from that of the first signal wire 1.例文帳に追加

第１の層に配された部分２Ａ，２Ｃと第２の層に配された部分２Ｂとの接続位置２ａ，２ｂが第１の信号配線１と異なる。 - 特許庁

Lower layer interconnections 3, 4 having a broad intersection 4a and a narrow connection 3a in an lower layer insulation film 2 are formed by damascene method using CMP.例文帳に追加

下層絶縁膜２に幅広の交差部４ａと幅狭の接続部３ａを有する下層配線３、４をＣＭＰを用いたダマシン法により形成する。 - 特許庁

The solder connection portion 12 joins a solar cell element 10 of a solar cell layer 2 and a metal foil 9 of another solar cell layer 2 with a solder paste.例文帳に追加

半田接合部１２は、太陽電池層２の太陽電池素子１０と他の太陽電池層２の金属箔９とを半田ペーストにより接合する。 - 特許庁

A P^+ type diffusion layer 26C and a P well layer 22 on a surface of the photodiode 16C are electrically connected to a connection part 18C of the light shielding film 18.例文帳に追加

フォトダイオード１６Ｃの表面のＰ^＋型拡散層２６Ｃ及びＰウェル層２２と、遮光膜１８の接続部１８Ｃとは電気的に接続している。 - 特許庁

To markedly improve the strength of connection between a wiring layer and an electrode, and mounting reliability, through a process of devising the shape of an opening provided above the metal wiring layer.例文帳に追加

金属配線層上の開口形状を工夫して、配線層と電極間の接続強度および実装信頼性を大きく向上させる。 - 特許庁

Therefore, the metallic layer 9 is provided to raise the adhesion between the second copper wiring 6 filled in the connection hole 12 and the second conductive barrier layer 20.例文帳に追加

よって特に、接続孔１２を充填する第２の銅配線６と第２の導電性バリア層２０との密着性を高めるべく、金属層９を設ける。 - 特許庁

The electric conductor layer 59 and a metal terminal are connected with a metal connection wire, and this electric water heater is constituted in such a manner that stresses may not be applied to the electric conductor layer 59 from outside.例文帳に追加

電気導体層５９と金属端子とを金属結線で接続して電気導体層５９に外部から応力が加わらないように構成する。 - 特許庁

The electrical connection equipment consists of a male-connector laminated layer 10 with two or more flat male connectors 14 laminated and a female-connector laminated layer with two or more flat type female connectors laminated.例文帳に追加

複数のフラット型雄コネクタ14を積層した雄コネクタ積層体10と、複数のフラット型雌コネクタを積層した雌コネクタ積層体とからなる。 - 特許庁

Also, noise occurring when the granular bodies 26 collide each other in the central layer 34 is absorbed through the connection material 28 in the combination layer 32.例文帳に追加

また、中心層３４において粒状体２６同士が衝突したときに生じる雑音が、混合層３２内の繋材２８において吸収される。 - 特許庁

A part of the wiring layer M4 constituting a ground pad 13 guided out as an external connection part and the wiring layer M5 are connected through the via hole.例文帳に追加

ここでは、外部接続部として導出されるグランドパッド１３を構成する配線層Ｍ４の一部と配線層Ｍ５とがビアを介して接続される。 - 特許庁

A coreless substrate 20 which is a kind of printed wiring board includes an insulating layer 26a having a principal surface and a connection pad 24 buried in the insulating layer 26a.例文帳に追加

プリント配線板の一種であるコアレス基板２０は、主面を有する絶縁層２６ａと、絶縁層２６ａ内に埋設される接続パッド２４とを備える。 - 特許庁

The device formation layer 18 is protected by the first resist layer 62, and flip-chip connection is allowed by forming the penetration electrodes 56 to achieve miniaturization.例文帳に追加

第１レジスト層６２によりデバイス形成層１８を保護すると共に、貫通電極５６を設けてフリップチップ接続を可能にして小型化を図る。 - 特許庁

The connection layer 5 is coupled to the fourth gate 3 and sixth gate 3, and at least its lower part is embedded in a recessed part 41 that is provided in the element isolation layer 21.例文帳に追加

接続層５は、第４ゲート３と第６ゲート３とに結合し、少なくとも下部が素子分離層２１内に設けられた凹部４１に埋め込まれている。 - 特許庁

Then, at the bottom part of the connection hole 28, a single crystal CoSi2 layer 20 and a single crystal TiN layer 26 are formed from the side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、接続孔２８の底部には、半導体基板側から、単結晶ＣｏＳｉ_2層２０及び単結晶ＴｉＮ層２６が形成されている。 - 特許庁

There are formed a source diffusion layer 22 connected to the ion implantation region 18 for connection, and a drain diffusion layer 23 on the n-type impurity region 14.例文帳に追加

接続用イオン注入領域１８につながるソース拡散層２２及びＮ型不純物領域１４上のドレイン拡散層２３を形成する。 - 特許庁

A spiral inductor 14 is formed at the Cu wiring layer 9B, and a grounding pattern 15 and a pad 16 for external connection are formed at the Cu wiring layer 9C.例文帳に追加

Ｃｕ配線層９Ｂには、スパイラルインダクタ１４が形成され、Ｃｕ配線層９Ｃには、接地パターン１５及び外部接続用のパッド１６が形成される。 - 特許庁

Also, the wiring board body can be a multilayer wiring pattern type, and inter-wiring pattern layer connection may be a conductive bump inserted through the insulator layer.例文帳に追加

なお、配線板本体は多層配線パターン型であってもよいし、配線パターン層間接続は絶縁体層を貫挿した導電性バンプでもよい。 - 特許庁

The switch element includes an active layer, an insulating film in contact with the active layer, a gate electrode in contact with the insulation film, and three connection electrodes or more.例文帳に追加

本発明のスイッチ素子は、活性層と、活性層に接する絶縁膜と、絶縁膜に接するゲート電極と、３つ以上の接続電極とを有している。 - 特許庁

To establish multihop connection between radio stations or radio terminals connected to the radio stations only by a MAC address being an identifier of a data link layer (layer 2).例文帳に追加

データリンク層（レイヤ２）の識別子であるMACアドレスのみでの無線局あるいは無線局に接続している無線端末間のマルチホップ接続が可能となる。 - 特許庁

To provide a fuel cell with connection between a catalyst layer and a gas diffusion layer realized while securing conductivity and a gas diffusion property.例文帳に追加

この発明は、導電性およびガス拡散性を確保しつつ触媒層とガス拡散層の接続が実現された燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

Signal terminals 13 in a third column are ground electrodes, and connected to a ground electrode 21 formed in a fourth wiring layer 10 through inter-layer connection vias 20.例文帳に追加

三列目の信号端子１３はグランド電極で、第四配線層１０に形成されたグランド電極２１と層間接続ビア２０で接続されている。 - 特許庁

The active area 10 has an active layer 11 constituting a laser resonator, and a complex connection diffraction grating 7 adjacent to the active layer 11.例文帳に追加

活性領域１０は、レーザ共振器を構成する活性層１１と、活性層１１に近接した複素結合回折格子７とを有している。 - 特許庁

To provide a component built-in printed wiring board which has high reliability without causing a defect of electrical connection of an inner layer even when soldering an electronic component onto an outer layer.例文帳に追加

外層に電子部品をはんだ付けする際にも内層の電気接続不良が発生しない信頼性の高い部品内蔵印刷配線板を得る。 - 特許庁

Lines for wiring the overlying wiring layer and the underlying wiring layer are formed in an arbitrary pattern in the wiring layer increased as compared with that of a conventional shadow RAM and a structure for connection with the underlying wiring layer and a structure for connection with the overlying wiring layer are set at arbitrary different positions.例文帳に追加

従来型シャドーＲＡＭの配線層よりも増した配線層において上層配線層と下層配線層とを接続するための中継配線を任意のパターン形状に形成し、下層配線層との接続を行うための接続構造と、上層配線層との接続を行うための接続構造を異なる任意の位置に設定する。 - 特許庁

A substrate 1 for suspension includes an insulating layer 10, a metal support layer 11 provided on the insulating layer 10, and a wiring layer 12 provided on the insulating layer 10 to have a plurality of wiring lines and a wiring connection part 16 provided in a connection structure area to be electrically connected to an actuator element 44 through a conductive adhesive.例文帳に追加

サスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０に設けられた金属支持層１１と、絶縁層１０に設けられ、複数の配線と、接続構造領域に設けられてアクチュエータ素子４４に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部１６と、を有する配線層１２と、を備えている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a first insulation layer formed on a semiconductor element, a second insulation layer formed on the first insulation layer, a first external connection terminal arranged at the flat part of the second insulation layer and a second external connection terminal arranged at the inclined part of the second insulation layer.例文帳に追加

本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子の上に形成した第一の絶縁層と、該第一の絶縁層の上に形成した第二の絶縁層と、該第二の絶縁層の平坦部に配置した第一の外部接続端子と、該第二の絶縁層の傾斜部に配置した第二の外部接続端子とを備えたものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the connection resistance of a connection part between an ITO layer and a lower layer side via a contact hole, an electro-optical device and an electronic apparatus, using the electro-optical device.例文帳に追加

コンタクトホールを介してのＩＴＯ層と下層側との接続部分での接続抵抗を低減することのできる半導体装置、電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。 - 特許庁

By fitting the insulation ring to the insulating member and by fitting the fixing ring to the connection body, the connection part thereof and the insulating layer surface are covered and flashover due to dust adhesion to the insulating layer surface is suppressed.例文帳に追加

絶縁リングと絶縁部材の嵌合及び固定リングと接続体の嵌合により、その接続部及び絶縁層表面が覆われて、その絶縁層表面への塵埃付着によるフラッシュオーバが抑制される。 - 特許庁

Outer peripheral portions of terminal outer surfaces 41a and 42a of the connection terminals 41 and 42 are covered with the resin insulation layer 24, and outer peripheral portions of terminal outer surfaces 45a of the connection terminals 45 are covered with the resin insulation layer 20.例文帳に追加

接続端子４１，４２の端子外面４１ａ，４２ａの外周部は樹脂絶縁層２４により被覆され、接続端子４５の端子外面４５ａの外周部は樹脂絶縁層２０により被覆される。 - 特許庁

Even if a cap layer 9a is formed on the first metal interconnection 8, in advance, part or all of the cap layer 9a inside the connection hole 10a is removed, when the connection hole 10a is formed.例文帳に追加

第１金属配線８上に予めキャップ層９ａを形成していたとしても、接続孔１０ａの形成の際に、接続孔１０ａ内のキャップ層９ａの一部あるいは全部が除去されてしまう。 - 特許庁

An interlaid layer 13 of Pt or the like is formed on the second layer 16, a connection terminal 14 formed of an Fe-Ni-Co alloy is mounted on it, and a lead terminal 7 of, for instance, Ni is fixed to the connection terminal 14.例文帳に追加

第２層１６の上にＰｔなどの介在層１３を形成し、その上にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る接続端子１４を取付け、この接続端子１４に、たとえばＮｉのリード端子７が固定される。 - 特許庁

The method for manufacturing the multilayer printed circuit board laminates an outer layer build-up layer in an inner layer core substrate, forms a laminated circuit substrate by forming an aperture at the copper foil of the outer layer build-up layer, and establishes interlayer connection by forming a hole for conduction for a step via in the substrate.例文帳に追加

内層コア基板に外層ビルドアップ層を積層し、外層ビルドアップ層の銅箔に開口を形成して積層回路基材を形成し、この基材にステップビアホール用の導通用孔を形成して層間接続を行う多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

Since the stabilization layer 304 is combined in ferromagnetic connection with the free layer 210 in such a way that it exceeds the spacer layer 302, when the sense current or external magnetic field does not exist, the free layer and the stabilization layer have a vortex magnetization pattern same in profile, or other non-longitudinal direction magnetization patterns 310, 320.例文帳に追加

安定化層304はスペーサ層302を越えて自由層210と強磁性結合されているので、センス電流も外部磁場も存在しない場合には、自由層及び安定化層は形状が同様の渦磁化パターンまたは他の非長手方向磁化パターン310,320を持つ。 - 特許庁

The interlayer connection layer 54 is formed of the surface of the conductor layer C1, the inner wall faces of holding holes 23 installed in the second substrate 4 and a plating layer 53 formed on the inner wall face of a recessed part 52 provided in accordance with the conductor layer C1 in the sticking layer 51.例文帳に追加

層間接続層５４は、導体層Ｃ1の表面、第２の基板４に透設された保持孔２３の内壁面、及び接着層５１において導体層Ｃ1 に対応して設けられた凹部５２の内壁面に形成されためっき層５３からなる。 - 特許庁

In the vicinity of the connection hole, in which the second and third conductive layers are connected, the third conductive layer is not overlapped on the second conductive layer via the first insulating layer, and an end of the third conductive layer is not formed on the first insulating layer.例文帳に追加

第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁層上に形成されない。 - 特許庁

To obtain a build-up wiring substrate provided both with such advantages in that a closely adhesive strength between an insulation layer formed by build-up and a copper plated layer formed thereon is high, and conduction between an inner layer conductive layer and the copper plated layer is superior and reliability in connection is high.例文帳に追加

ビルドアップで形成された絶縁層とその上に形成される銅メッキ層との密着強度が高く、かつ、内層導体層と銅メッキ層との導通が良好で、接続信頼性が高い、という長所を兼ね備えたビルドアッププリント配線板を得る。 - 特許庁

The through-hole 3 is provided with a second insulating layer 7 which fills the expansion portion 4 and covers the inner wall surface, and is provided with a second connection layer 8 connected to the first connection layer 6 through openings of the first and second insulating layers 5 and 7.例文帳に追加

貫通孔３には拡張部４を充填しつつ内壁面を覆う第２の絶縁層７が設けられており、さらに第１および第２の絶縁層５、７の開口を介して第１の配線層６と接続された第２の配線層８が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which circuit component members are composed of a layer common to a connection conductive layer between a pad electrode and a bump electrode, and the connection conductive layer can be employed for other uses in order to enhance cost performance, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

パッド電極と突起電極の間の接続導電層と共通の層から回路構成部材が構成されており、接続導電層が他の用途に用いられてコストパフォーマンスを向上できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a pad 20 provided on a compound semiconductor layer 12, including Al, and provided with a wiring connection part 26 provided evading a bonding region 28; a wiring layer 34 including Au, which is electrically connected to the wiring connection part 26 of the pad 20; and a barrier layer 32 provided between the wiring connection part 26 and the wiring layer 34.例文帳に追加

本発明は、化合物半導体層１２上に設けられ、Ａｌを含み、かつボンディング領域２８を避けて設けられた配線接続部２６を有するパッド２０と、パッド２０の配線接続部２６に電気的に接続されたＡｕを含む配線層３４と、配線接続部２６と配線層３４との間に設けられたバリア層３２と、を具備する半導体装置である。 - 特許庁