「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thin-film capacitor capable of improving stability of electric connection between an internal electrode layer and a connection electrode.例文帳に追加

内部電極層と接続電極との電気的接続の安定性を向上させることが可能な薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

The connection electrode at the bottom portion of the recess portion is connected to the connection electrode at the upper surface by a penetrating electrode inside the multi-layer substrate.例文帳に追加

凹部の底部の接続電極は、多層基板内部の貫通電極により上面の接続電極に接続される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal panel that suppresses variation of a gap between substrates, and a defect in connection between an upper layer and a lower layer.例文帳に追加

基板間の間隙のばらつきおよび上層と下層との接続不良を抑制できる液晶パネルを提供する。 - 特許庁

The clothing has connection parts 18A, 18B and 18C for connecting the first layer to the second layer along external form lines 10 of the clothing (= repeating pattern).例文帳に追加

衣類の外形線１０（＝繰り返しパターン）に沿って第１層及び第２層を接続する接結部18A, 18B, 18Cを有する。 - 特許庁

The method of forming the electrical connection structures includes forming a first electrically insulating layer 200 on a semiconductor substrate 100, and then forming an opening in the first electrically insulating layer.例文帳に追加

半導体基板１００上に第１絶縁層２００を形成し、第１絶縁層に開口を形成する。 - 特許庁

The lower wiring layer 303 is electrically connected to the upper wiring layer 306 with a connection wiring 308.例文帳に追加

上記下部配線層３０３と、上部配線層３０６とが、接続配線３０８によって電気的に接続されている。 - 特許庁

A layer (20) of a material should be arranged on the contact layer (162) by the pressure-sintering connection of a metallic material.例文帳に追加

接触面（１６２）上に素材の層（２０）がこの金属性素材の加圧焼結接続を用いて配置されていること。 - 特許庁

In the opening region 29, a metal layer 34 for plating and a Cu plating layer 36 are laminated on the electrode 26 for connection.例文帳に追加

開口領域２９では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３４、Ｃｕメッキ層３６が積層される。 - 特許庁

A cushion layer 11 is provided between the connection bracket 8 embedded in the rubber sheet 3 and the reinforced layer 7.例文帳に追加

そして、ゴムシート３に埋め込まれた接続金具８と補強層７との間には、クッション層１１が設けられている。 - 特許庁

The metallic mutual connection 210 or a semiconductor wafer, and the metallic layer 240 are electrically insulated by a dielectric layer 200.例文帳に追加

誘電体層（２００）が、金属相互接続（２１０）または半導体ウェハと、金属層（２４０）とを電気的に絶縁する。 - 特許庁

A first insulating layer 5 and a first connection layer 6 are provided on the first surface 2a of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２の第１の面２ａには第１の絶縁層５と第１の配線層６とが設けられている。 - 特許庁

An arbitrary material suitable for the composition material of the storage layer 16 is selected as the second vertical connection layer 15B.例文帳に追加

第２縦接続層１５Ｂとして、記憶層１６の構成材料に適した任意の材料を選択することができる。 - 特許庁

Electric connection between the free magnetic layer 55 and the upper side electrode is established only with a narrow electrode layer 45b.例文帳に追加

自由側磁性層５５と上側電極との間では狭小電極層４５ｂのみで電気的接続は確立される。 - 特許庁

To uniformly adhere a nickel plating layer and a gold plating layer on the surface of the narrow connection pad of a flat plate in uniform thickness.例文帳に追加

平面積の狭い接続パッド表面にニッケルメッキ層と金メッキ層を均一厚みに被着させることができない。 - 特許庁

To provide an electrical connection member with the width of a lead wire layer of the electrical connection member being formed narrower than a width of a thin single wire of an electrode board as a connection mate.例文帳に追加

接続相手となる電極基板の細長片配線の幅と比較して電気接続部材のリード線層の幅を狭く形成した電気接続部材を提供する。 - 特許庁

To provide a connection restriction system and a connection restriction method which can defend a computer at a connection place from excessive connections regardless of the layer or the protocol.例文帳に追加

レイヤやプロトコルにとらわれることなく、大量接続から接続先である計算機を防御することが可能な接続制限システムおよび接続制限方法を提供する。 - 特許庁

To reliably avoid characteristic deterioration that becomes a problem in the cleaning treatment of a connection section of a connection conductor, when forming the connection section to the lower-layer wiring of upper-layer wiring in a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

多層配線構造における上層配線の下層配線に対する接続部の形成にあたり、その接続導体の接続部の清浄化処理において問題となる特性劣化を確実に回避する。 - 特許庁

Because of the existence of the spacer layer 21, magnetic connection between the main magnetic pole layer 21 and the auxiliary yoke layer 22 can be disconnected except a recording time.例文帳に追加

前記スペーサ層２１が存在することで、記録時以外のとき、前記主磁極層２１と補助ヨーク層２２間の磁気的な繋がりを遮断できる。 - 特許庁

On the antiferromagnetic layer 53, a reference layer 56 that fixes magnetization in the predetermined direction is laminated based on the switched connection with the antiferromagnetic layer 53.例文帳に追加

反強磁性層５３上には、反強磁性層５３との交換結合に基づき所定の方向に磁化を固定するリファレンス層５６が積層される。 - 特許庁

To strengthen the connection of an inner layer tube to an outer layer tube and prevent the occurrence of a slippage between the inner and outer layer tubes even by the action of a bending stress thereon.例文帳に追加

内層チューブと外層チューブとが強固に結合でき、しかも曲げ応力が作用しても内外層のチューブにずれが発生することを防止する。 - 特許庁

There is a region that the conductive layer is not provided over an entire periphery of the conductive layer 4 between the conductive layer 4 and an edge 2b of the connection surface 2a.例文帳に追加

導電層４と接続面２ａのエッジ２ｂとの間に導電層４の全周にわたって、導電層が設けられていない領域がある。 - 特許庁

At the connection between a first electrode layer 11 and a second electrode layer 13, the surface roughness of the first electrode layer 11 is larger than other parts.例文帳に追加

第１電極層１１と第２電極層１３との接続部において、第１電極層１１の表面粗さを他の部分より大きくする。 - 特許庁

Further, the manufacturing method for the multilayered resin molded product includes a process for forming the skin layer, the foamed layer and the connection layer by a sandwich molding method.例文帳に追加

また、多層樹脂形成品の製造方法を、サンドイッチ成形法にて表皮層，発泡層および連結層を形成する工程を含む方法とする。 - 特許庁

On the tip part 2d of the wafer connection pin, a rhodium layer 24 is also formed on the surface of the gold layer 23, and a ruthenium layer 25 is formed thereon.例文帳に追加

ウェーハ接続ピンの先端部２ｄにおいては、金層２３の表面上に更にロジウム層２４を形成し、その上にルテニウム層２５を形成する。 - 特許庁

The generation part buries information of the monitor packet in a predetermined region of a layer-2 frame for connection confirmation with the other layer-2 switch in the layer-2 network.例文帳に追加

生成部は、レイヤ２網内の他のレイヤ２スイッチとの間で接続確認を行うレイヤ２フレームの所定領域に、監視パケットの情報を埋め込む。 - 特許庁

This wiring structure in the semiconductor device consists of a lower layer conductive region 18 formed on a semiconductor substrate 10, an upper layer wiring layer 32 formed on an insulation layer 22B for covering the lower layer conductor region 18, and a connection hole 28 that electrically connects the lower layer conductive layer to the upper layer wiring layer.例文帳に追加

半導体装置における配線構造は、半導体基板１０に形成された下層導体領域１８と、下層導体領域１８を被覆する絶縁層２２Ｂ上に形成された上層配線層３２と、下層導体層と上層配線層とを電気的に接続する接続孔２８とから成る。 - 特許庁

The printed-wiring board 1 is provided with an insulating layer 10, a conductor layer 11 laminated on the insulating layer 10 and having the connection 12 and a circuit pattern 13, and a film coating layer 15 for coating the insulating layer 10 and the conductor layer 11 via the adhesive layer 14.例文帳に追加

プリント配線基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０に積層され接続部１２および回路パターン部１３を形成された導体層１１と、接着層１４を介して絶縁層１０および導体層１１を被覆するフイルム被覆層１５とを備える。 - 特許庁

In the vicinity of the connection hole where the second conductive layer and the third conductive layer are connected to each other, the third conductive layer does not overlap with the second conductive layer via a first insulation layer, and the end of the third conductive layer is not formed on the first insulation layer.例文帳に追加

第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁層上に形成されない。 - 特許庁

A layer of solder is bonded to the layer of solderable metal and the conductor, with the connector and the conductor in electrical connection through the layer of solderable metal and the layer of solder.例文帳に追加

はんだの層が、コネクタと導体とがはんだ付け可能な金属の層及びはんだの層を通じて電気連絡した状態で、はんだ付け可能な金属の層と導体とに結合される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of embedding a contact layer formed of a plated layer in a contact hole favorably so as to perform electrical connection between an upper layer and a lower layer.例文帳に追加

コンタクトホール内にめっき層から成るコンタクト層を埋め込んで上下層の電気的接続を行うときの、コンタクト層の埋め込み性を良好にする構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

The composite spacer layer 6 is provided with a metallic connection part 14 having magnetic elements to be segregated so that the magnetization fixed layer 5 and the magnetization free layer 7 may be connected in an insulating layer 13.例文帳に追加

複合スペーサ層６は絶縁層１３内に磁化固着層５と磁化自由層７とを接続するように偏析する磁性元素を有する金属接続部１４を備える。 - 特許庁

A contact hole 19, which reaches the diffusion layer 14 and the connection conductive layer (conductive layer) 13b, is formed at the interlayer insulating film layer 15, in which a conductive material 20 is embedded.例文帳に追加

層間絶縁膜層１５に、拡散層１４と接続導電層（導電層）１３ｂに達するコンタクトホール１９を形成し、この内部に導電性材料２０を埋め込む。 - 特許庁

After a component 5 is embedded in a second layer 4, the second layer is cured, and the interlayer connection conductor 6 which is a through-hole penetrating the second layer 4 from an upper surface to a lower surface is formed in the cured second layer 4.例文帳に追加

第二層４に部品５を埋設した上でこれを硬化し、硬化した第二層４に上面から下面にかけて貫通する貫通孔の層間接続導体６を形成する。 - 特許庁

A protective layer 24 (first insulating layer) is provided on the redistribution layer 22, and includes openings so that external connection pads P of the redistribution layer 22 are exposed.例文帳に追加

再配線層２２上には保護層２４（第１絶縁層）が設けられており、再配線層２２における外部接続用パッドＰの部分が露呈するように開口が設けられている。 - 特許庁

Further, in the plasma etching step, a dual damascene trench etching step of forming a via and a trench in connection with a wiring layer on an insulating layer provided on the wiring layer mediating a liner layer is performed.例文帳に追加

また、プラズマエッチング工程では、配線層の上にライナー層を介して設けた絶縁層に配線層につながるビアおよびトレンチを形成するデュアルダマシントレンチエッチング工程が行われる。 - 特許庁

The midpoint of the longitudinal direction of the second connection metal layer 29 is constituting the rewiring part for adjusting the relative positional relation of the connection part between the first connection alloy layer 19 and the second connection metal layer 29 and the connection part between the second connection metal layer 29 and the through hole wiring 24, corresponding to the desirable layout of the pads 25 for reflow soldering in the through hole wiring substrate 2.例文帳に追加

第２の接続用接合金属層２９の長手方向の中間部が、貫通孔配線形成基板２における複数の半田リフロー用パッド２５の所望のレイアウトに応じて第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９との接合部位と第２の接続用接合金属層２９と貫通孔配線２４との接続部位との相対的な位置関係を調整する再配線部を構成している。 - 特許庁

To increase a contact area between an upper conductive layer and a connection wiring layer while making the most of the function of a space, and to reduce the resistance of the contact even at the time of using the spacer on the outer peripheral face of the connection wiring layer connecting the upper conductive layer and the lower conductive layer.例文帳に追加

上部導電層および下部導電層を接続する接続配線層の外周面にスペーサを使用したとしてもスペーサの機能を生かしながら上部導電層および接続配線層間の接触面積を増加させることができ、接触部分の抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

To improve a connection reliability between a conductor layer and a terminal electrode in a thin film device.例文帳に追加

薄膜デバイスにおける導体層と端子電極との接続信頼性を高める。 - 特許庁

The wiring 8 is covered with an upper layer insulating film 9 except the connection pad part.例文帳に追加

配線８の接続パッド部を除く部分は上層絶縁膜９で覆われている。 - 特許庁

The conductor layer 105 electrically connects the electrode 102 to the outer connection terminal 103.例文帳に追加

導体層１０５は、電極１０２と外部接続端子１０３とを電気的に接続する。 - 特許庁

A first plug 106 and a contact layer 106a are formed in a first connection hole 105.例文帳に追加

第１の接続孔１０５に第１のプラグ１０６と密着層１０６ａを形成する。 - 特許庁

Then, a part of an external connection terminal 2A of the semiconductor 2 of the insulating layer 6 is opened.例文帳に追加

次に、絶縁層６の半導体２の外部接続端子２Ａの部分を開口する。 - 特許庁

The cathode lead frame 20 has a connection part 21 connected to a cathode layer 15.例文帳に追加

陰極リードフレーム２０は、陰極層１５に接続されている接続部２１を有する。 - 特許庁

The connection 231C includes an etching part 60 formed by engraving the wiring layer 23.例文帳に追加

接続部２３１Ｃは、配線層２３を彫り込んで形成されたエッチング部６０を備える。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CONNECTION STRUCTURE OF ELECTRODE LAYER例文帳に追加

半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び電極層の接続構造 - 特許庁