「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

INTERLAYER CONNECTION STRUCTURE OF WIRING BOARD AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND APPARATUS FOR PUNCHING INTERLAYER INSULATING LAYER例文帳に追加

配線板の層間接続構造およびその製造方法および層間絶縁層の穴開け装置 - 特許庁

To provide a semiconductor device excellent in connection reliability and in reliability in retaining a metal layer.例文帳に追加

接続信頼性に優れ、また、金属層の保持信頼性に優れる半導体装置を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR PACKAGE BOARD STRUCTURE HAVING METAL PROTECTIVE LAYER FOR ELECTRICAL CONNECTION PAD, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGING BOARD STRUCTURE例文帳に追加

電気接続パッド金属保護層を備える半導体パッケージ基板構造及びその製法 - 特許庁

A silicide layer 15 is located in a connection portion between the main electrode 14 and a semiconductor substrate 7.例文帳に追加

主電極１４と半導体層７との間の接続部には、シリサイド層１５が介在している。 - 特許庁

In the semiconductor device, holes 12 each are formed for reaching an optional connection region 10 under an insulation layer 11.例文帳に追加

絶縁層１１下の任意の接続領域１０に到達するホール１２が形成されている。 - 特許庁

THICK-FILM PHOTORESIST LAYER LAMINATE, PRODUCTION METHOD OF THICK-FILM RESIST PATTERN AND PRODUCTION METHOD OF CONNECTION TERMINAL例文帳に追加

厚膜ホトレジスト層積層体、厚膜レジストパターンの製造方法、および接続端子の製造方法 - 特許庁

A metallic mutual connection 210 and a via post metal are connected electrically with each other by means of a metallic layer 240.例文帳に追加

金属層（２４０）が、金属相互接続（２１０）とビア・ポスト金属とを電気的に接続する。 - 特許庁

Burring is made on this connection faces 11a, 11b so that the plated layer 3 may appear thereat.例文帳に追加

この接続面１１ａ，１１ｂにメッキ層３が現れるようにバーリング加工が施されている。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which is excellent in electrical connection property and layer insulation property of a via hole.例文帳に追加

ビアホールの電気接続性及び層間の絶縁性に優れたプリント配線板を提供する。 - 特許庁

The LED chip 42 and the connection substrate 43 are mounted on the conductive layer of the module substrate 41.例文帳に追加

モジュール基板41の導電層上に、ＬＥＤチップ42および接続基板43をそれぞれ実装する。 - 特許庁

The reference potential pad 54 and a conductive layer 27 are electrically connected through a connection wire 55.例文帳に追加

基準電位パッド５４と導電性膜２７とは、接続ワイヤ５５で電気的に接続されている。 - 特許庁

One end of the interdigital teeth of two gate electrodes is connected with a gate connection metal layer on a nitride film.例文帳に追加

２つのゲート電極の櫛歯の一端を窒化膜上のゲート接続金属層に接続する。 - 特許庁

A mutual connection trace and a pad (22) are formed by pattern-forming and etching the conductive layer (18).例文帳に追加

導体層（１８）をパターン形成およびエッチングして相互接続トレースおよびパッド（２２）を形成する。 - 特許庁

The semiconductor element may comprises a second UBM layer beneath the external connection terminals 62.例文帳に追加

半導体素子は、各外部接続端子６２の下部に第２ＵＢＭ層をさらに含むことができる。 - 特許庁

The pixel electrode 27 is laminated directly on the topcoat layer 24 of the signal line 13 for electrical connection.例文帳に追加

画素電極27を信号線13のトップコート層24上に直接積層して電気的に接続する。 - 特許庁

On the other main surface of the substrate 2, a connection land 5 and the resist layer 4 are formed.例文帳に追加

基板２の他方の主面上には、接続ランド部５及びレジスト層４が形成されている。 - 特許庁

A contact surface between the connection plug 6 and the conductor layer 1 is formed as a flat surface.例文帳に追加

接続プラグ６と導体層１との接触面は平坦面となるように設けられている。 - 特許庁

A connection end part for a connector is formed by the insulation layer 3, the conduction lines 2, and the reinforcing plate 5.例文帳に追加

絶縁層３、導電ライン２及び補強板５でコネクタ接続端部が形成される。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board which exhibits high reliability of connection and all the layers of which area of all-layer IVH structure.例文帳に追加

接続信頼性の高い、全層ＩＶＨ構造の多層配線基板の製造方法。 - 特許庁

For the inductor of the third layer, a coil winding overstrides a connection wiring 74 with an air bridge structure.例文帳に追加

３層目のインダクタは、コイル巻線が接続配線７４上をエアーブリッジ構造で跨いでいる。 - 特許庁

An npn-type bipolar transistor Bip1 consisting of an epitaxial layer 2, a base diffusion layer 5, a base connection layer 4 and an emitter diffusion layer 6, and a pn-junction diode D1 consisting of the epitaxial layer 2 and an anode layer 3 are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、エピタキシャル層２、ベース拡散層５、ベース接続層４、エミッタ拡散層６からなるｎｐｎ型バイポーラトランジスタＢｉｐ１と、前記半導体基板１上に、前記エピタキシャル層２、アノード層３からなるｐｎ接合ダイオードＤ１とを形成する。 - 特許庁

The connection region of the shield conductor 7 in the second ground conductor layer 8 projects into the opening 11 of the second ground conductor layer 8.例文帳に追加

第２の接地導体層８におけるシールド導体７の接続領域が、第２の接地導体層８の開口１１に突出している。 - 特許庁

Connection region of the shield conductor 6 in the second ground conductor layer 8 is projecting into the aperture of the second ground conductor layer 8.例文帳に追加

第２の接地導体層８におけるシールド導体６の接続領域が、第２の接地導体層８の開口に突出している。 - 特許庁

Thus, by establishing high sticky layer in medium layer of curtain film 18, a disorder of application of connection portion 28 of web 10 is suppressed.例文帳に追加

このようにカーテン膜１８の中間層に高粘性の層を設けるとウェブ１０の接合部２８上での塗布の乱れを抑制できる。 - 特許庁

The connection material is composed of: an Mg-containing Al-based alloy layer 2; and Zn layers 3, 4 adjacent to both the sides of the Al based alloy layer 2.例文帳に追加

Ｍｇを含有するＡｌ系合金層２と、Ａｌ系合金層２の両面に隣接するＺｎ層３，４とからなるものである。 - 特許庁

The structure includes a ball limited metalization (BLM) layer and a solder ball of control collapse chip connection (C4) formed on the BLM layer.例文帳に追加

構造体は、ボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層と、ＢＬＭ層の上に形成された制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボールとを含む。 - 特許庁

The cathode layer 22 and the anode layer 31 are electrically connected by a connection wire W0, and the two fuel cells are connected in series.例文帳に追加

カソード層２２とアノード層３１とは、接続線Ｗ０で電気的に接続され、２つの燃料電池セルが直列接続される。 - 特許庁

To strengthen connection of a screw to bury in an abrasive material layer in screwing and connecting a grinding wheel chip made of the abrasive material layer in and to a base metal.例文帳に追加

砥材層からなる砥石チップを台金にネジ結合するにあたり、砥材層に埋め込むネジの結合を強固なものとする。 - 特許庁

The terminal device is connected to the first upper-layer terminal device and second upper-layer terminal device selected as the candidates for connection destinations.例文帳に追加

端末装置は、接続先候補として選択された第一の上層端末装置と第二の上層端末装置とに接続する。 - 特許庁

At the time, the network topology information is created from topology information of a high rank layer node which shows connection relation between the high rank layer nodes.例文帳に追加

このときに、上位レイヤノード間の接続関係を示す上位レイヤノードトポロジ情報からネットワークのトポロジ情報を生成する。 - 特許庁

The resistance reducing layer decreases the resistance in the electric connection between the electrode layer 3 and a medium 5 for application of voltage.例文帳に追加

抵抗低減層は、電極層３と電圧印加用媒体５との間の電気的接続に係る抵抗を低減する層である。 - 特許庁

Consequently, the contact resistance between the chromium layer 32a and ITO layer 32b, etc., as elements of the wiring for external connection is held low.例文帳に追加

よって、外部接続用配線の要素であるクロム層３２ａとＩＴＯ層３２ｂ等との間のコンタクト抵抗が低く維持される。 - 特許庁

To solve the problem that conventionally deterioration in the wettability and jointing property of solder to a wiring layer, peel-off and blister in a plating layer, or the like occurs in the case of solder connection.例文帳に追加

半田接合の際に、配線層への半田のヌレ性およびボンディング性の劣化や、めっき層のハガレ・フクレ等が発生する。 - 特許庁

Next, a first upper layer insulation film, a first upper layer re-wiring, a second upper layer insulation film, a second upper layer re-wiring 44 and a third upper layer insulation film 45 are sequentially formed in a laminate, and a connection terminal formed on a flexible wiring board 83 is connected to the connection pad of the upper layer re-wiring 44 of any one of uppermost layers.例文帳に追加

次に、第１の上層絶縁膜、第１の上層再配線、第２の上層絶縁膜、第２の上層再配線４４、第３の上層絶縁膜４５を順次、積層状に形成し、フレキシブル配線板８３に形成された接続端子をいずれかの前記最上層の上層再配線４４の前記接続パッドに接続する。 - 特許庁

The support layer having an electric insulation property has at least one contact window (7) to the connection conductor layer; at least two external electrical connection conductors (2, 3) are formed on the conductive connection conductor layer; and at least one of the connection conductors is electrically connected through the contact window (7).例文帳に追加

電気絶縁性の支持体層は接続導体層への少なくとも１つの接触窓（７）を有しており、導電性の接続導体層に、外部の電気的な少なくとも２つの接続導体（２，３）を形成してあり、該接続導体のうちの少なくとも１つの接続導体は接触窓（７）を介して電気的に接続されるようになっている。 - 特許庁

A connection layer 105 for electrically connecting the first buffer layer 107 to the p-type semiconductor crystal layer 103 is prepared in the opening 104A, to extract holes accumulated in the first buffer layer 107 through the connection layer 105.例文帳に追加

第１の緩衝層１０７をｐ伝導型半導体結晶層１０３に電気的に接続するための接続層１０５が開口部１０４Ａに配されており、第１の緩衝層１０７に滞留する正孔を接続層１０５を介してｐ伝導型半導体結晶層１０３に引き抜くことができる。 - 特許庁

A semiconductor package substrate comprises a base substrate including a circuit having a connection pad 103 in an insulation layer 101, a protection layer 106 formed on the base substrate and including polyimide with an open part for exposing the connection pad 103, and a post bump 115 including a seed layer 110 and an electrolytic plating layer 114 formed on the connection pad at the open part of the protection layer 106.例文帳に追加

絶縁層１０１に接続パッド１０３を含む回路が形成されたベース基板と、ベース基板上に形成され、接続パッド１０３を露出させるオープン部を有し、ポリイミドを含む保護層１０６と、保護層１０６のオープン部の接続パッド上に形成されたシード層１１０と電解メッキ層１１４からなるポストバンプ１１５とを含んでなる半導体パッケージ基板。 - 特許庁

In the flexible board 1, signal lines 9a/9b are formed as microstrip lines on a first wiring layer, a signal connection pad for performing electric connection with an FPC (Flexible Printed Circuit) connector 7 is formed on an end of a second wiring layer, and a ground layer 12a is formed on the second wiring layer.例文帳に追加

フレキシブル基板１は、第一配線層にマイクロストリップラインとして信号線路９ａ・９ｂが形成され、第二配線層の端部に、ＦＰＣコネクタ７と電気的接続を行うための信号接続パッドが形成され、第二配線層にはグランド層１２ａが形成される。 - 特許庁

The thin-film solar battery is equipped with: a first solar battery layer 320 consisting of a series connection of a plurality of unit cells that include a photoelectric conversion layer; and a second solar battery layer 330 consisting of a series connection of a plurality of unit cells that include a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

本発明に係る薄膜型太陽電池は、光電変換層を含む複数個の単位セルを直列接続した第１太陽電池層３２０と、光電変換層を含む複数個の単位セルを直列接続した第２太陽電池層３３０とを備えている。 - 特許庁

The thin-film semiconductor device is equipped with wiring having a pad for external connection, is formed with an amorphous transparent conductive film layer on the uppermost layer of the pad for external connection and is formed with a metallic layer composed of aluminum, copper or titanium on the lower layer thereof.例文帳に追加

外部接続用パッドを有する配線を備え、前記外部接続用パッドの最上層に非晶質透明導電膜層が形成され、その下層にアルミニウム若しくは銅、チタンからなる金属層が形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置である。 - 特許庁

Even if the Al layer 15B2 is spontaneously oxidized in the atmosphere and thus a good electric connection cannot be maintained between the Al layer 15B2 and a light drawing-side electrode (the second electrode 20), a good electric connection can be secured between the Ti layer 15B1, which is the bottom layer, and the light drawing-side electrode.例文帳に追加

Ａｌ層１５Ｂ２が大気中で自然酸化し、光取り出し側電極（第２電極２０）との間で良好な電気接続ができなくなったとしても、最下層のＴｉ層１５Ｂ１と光取り出し側電極との間において良好な電気接続を確保することができる。 - 特許庁

Then a 4th connection electrode 79 is formed on the substrate reverse surface side where the 3rd electrode layer is formed and on the current collection hole inner peripheral surface where the transparent electrode layer is formed to electrically connect the transparent electrode layer 76 and 4th connection electrode layer 79 through the current collection hole 77.例文帳に追加

その後、前記第３電極層が形成された基板裏面側および透明電極層が形成された集電孔内周面に第４接続電極79を形成することにより、集電孔77を介して透明電極層76と第４接続電極層79とを電気的に接続する。 - 特許庁

Furthermore, by the use of this connection film, a very large connection magnetic field can be ensured without increasing the antiferromagnetic layer in thickness or decreasing the ferromagnetic layer in thickness.例文帳に追加

しかも、こうした交換結合膜によれば、極めて大きな交換結合磁界を確保するにあたって、反強磁性層の膜厚を増大させたり強磁性層の膜厚を減少させたりする必要はない。 - 特許庁

After finishing a function test, a solder ball 32b for grounding is formed to a connection pad of a second upper layer wiring 29b for grounding and on a connection pad part of a second upper layer wiring 29c for test.例文帳に追加

ファンクションテストを終えた後に、グランド用の第２の上層配線２９ｂの接続パッド部およびテスト用の第２の上層配線２９ｃの接続パッド部上にグランド用の半田ボール３２ｂを形成する。 - 特許庁

Through exposure and development steps, an external connection terminal part pattern 7 is formed on the first photosensitive insulation resin layer 5, while a semiconductor element connection terminal part pattern 8 is formed on the second photosensitive insulation resin layer 6.例文帳に追加

露光、現像工程を通して第一の感光性絶縁樹脂層５に外部接続端子部パターン７を、第二の感光性絶縁樹脂層６に半導体素子接続端子部パターン８を形成する。 - 特許庁