「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

The electronic component 10 being disclosed is provided, on the surface of a lead 2 serving as an external terminal, with a conductive layer 3 for connection composed of an Sn-Bi alloy where 0.5-6.0 wt% of Bi is added to Sn and having a single layer plating structure having a plating film thickness of 10-25 μm.例文帳に追加

開示される電子部品１０は、外部端子としての役割を担うリード２の表面に、Ｓｎに０．５〜６．０ｗｔ％のＢｉが添加されたＳｎ−Ｂｉ合金から成り、かつ１０〜２５μｍのめっき膜厚を有する単層めっき構造から成る接続用導電層３が形成されている。 - 特許庁

In the electric double layer capacitor C100 wherein electric double layer cells C101 to C106 are laminated being held between collector electrodes E101 to E107 so that each thereof is connected in series, each of the collector electrodes E101 to E107 has external connection terminals TM101 to TM107 which are exposed to an outside.例文帳に追加

電気二重層セルＣ１０１〜Ｃ１０６の各々が直列接続されるように集電極Ｅ１０１〜Ｅ１０７間に挟まれた状態で積層された電気二重層キャパシタＣ１００において、集電極Ｅ１０１〜Ｅ１０７の各々は外部に露出している外部接続端子ＴＭ１０１〜ＴＭ１０７を有している。 - 特許庁

Corrosion-proof close-contact type dummy patterns 511 to 531 for assuring close contact of the embedded layer dummy patterns 611 to 631 to the total range to the interlayer insulation film 43 of the upper most layer from the semiconductor substrate 2 in the connection hole dummy patterns 4101 to 4301 are formed in the interlayer insulation film isolating band 12 as the barrier with respect to moisture.例文帳に追加

層間絶縁膜分離帯１２に、半導体基板２から最上層の層間絶縁膜４３に到る全範囲に、埋め込み層ダミーパターン６１１〜６３１を接続孔ダミーパターン４１０１〜４３０１内に密着せしめる耐蝕性の密着層ダミーパターン５１１〜５３１を形成し、水分に対するバリアとする。 - 特許庁

To resolve the problem of memory cell region size increase and large increase of memory cell array region, in the case that the size of the memory cell region increases in the row direction, caused by the influence of the connection hole for connecting a first layer bit line and a second layer bit line in a semiconductor memory device constituted by the bit lines of two layers.例文帳に追加

２層のビット線で構成される半導体記憶装置において、第１層のビット線と第２層のビット線を接続する接続孔の影響により、メモリセル領域の行方向のサイズ大きくなる場合に、メモリセル領域のサイズが拡大し、さらにはメモリセルアレイ面積が大幅に拡大する。 - 特許庁

A display device 1 has a structure in which a gate electrode 14 is provided via a gate insulation film 13 in a selective region (a channel region 12A) on a semiconductor layer 12 composed of an oxide semiconductor, and a source and drain electrode layer 16 electrically connected to a region (a source and drain connection region 12B) adjacent to the channel region 12A.例文帳に追加

表示装置１は、酸化物半導体よりなる半導体層１２上の選択的な領域（チャネル領域１２Ａ）に、ゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１４が設けられ、そのチャネル領域１２Ａに隣接する領域（ソース・ドレイン接続領域１２Ｂ）にソース・ドレイン電極層１６が電気的に接続される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises contacted parts 36, 46 formed in an inter insulation layer 120, a first wiring 17 which is formed on the inter insulation layer and arranged at a spacing shorter than a predetermined interval with respect to the contacted part, and second and third wirings 15, 16 respectively having connection regions 50a, 60a with the contacted part.例文帳に追加

半導体装置は、層間絶縁層１２０に形成されたコンタクト部３６，４６と、層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して所定間隔より短い間隔で配置された第１配線１７と、コンタクト部との接続領域５０ａ，６０ａを有する第２，第３配線１５，１６と、を有する。 - 特許庁

To provide a roll coater for coating capable of forming an interlaminar resin insulating layer and a solder-resist layer with even thickness and producing a printed circuit board excellent in the connection and reliability by preventing formation failure of openings for via holes and openings for solder bumps and diameter and shape defects attributed to unevenness of the coating film thickness.例文帳に追加

均一な膜厚を有する層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層を形成することができ、膜厚の不均一に起因するバイアホール用開口や半田バンプ用開口の未形成や径、形状の不具合を防止して、接続性や信頼性を優れるプリント配線板を製造することができる塗布用ロールコーターを提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element, an insulation layer formed by mask printing an insulation material containing particles on the semiconductor element, and an external connection terminal formed on the insulation layer and connected electrically with the electrode of the semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、上記目的を達成するために、半導体素子と、粒子を含有する絶縁材料を該半導体素子の上にマスク印刷することで形成された絶縁層と、該絶縁層の上に形成され該半導体素子の有する電極と電気的に接続した外部接続端子とを有するものである。 - 特許庁

To conduct electrical connection to the embedded bare chip of a semiconductor element without through a bonding process which requires an exclusive facility such as for wire bonding and flip chip bonding, and to arrange a conductive layer and a electronic circuit on an insulating layer covering the buried bear chip to cover the bare chip.例文帳に追加

ワイヤボンディングやフリップチップボンディングのような専用設備を要するボンディング工程を経由せずに、埋設された半導体素子のベアチップへの電気的接続を行え、しかも、埋設されたベアチップを覆う絶縁層上にそのベアチップと重なるように導電層や電子回路部品を配置できるようにする。 - 特許庁

A semiconductor constitution body 2 called a CSP is provided on the top surface of a base plate 1, and a wiring plate 13 is provided in its circumference; and 1st and 2nd upper-layer wires 28 and 32 are provided on their top surfaces, and a semiconductor ball 35 is provided on a connection pad part of the 2nd upper-layer wire 32.例文帳に追加

ベース板１の上面にはＣＳＰと呼ばれる半導体構成体２が設けられ、その周囲には配線板１３が設けられ、それらの上面には第１、第２の上層配線２８、３２が設けられ、第２の上層配線３２の接続パッド部上には半田ボール３５が設けられている。 - 特許庁

By forming a first layer metal film 3a to improve close contact with a substrate, a second metal film 3b to prevent diffusion, a third layer metal film of low resistance, and a fourth metal film 3d for protection, it is possible to achieve low-resistance and low-capacitance wiring and electrodes for external connection.例文帳に追加

基板との密着性を向上させる第１層金属膜３ａ、拡散を防止する第２金属膜３ｂ、低抵抗の第３層金属膜３ｃおよび保護のための第４金属膜３ｄを形成することで、低抵抗かつ低静電容量の配線および外部接続用電極が達成できる。 - 特許庁

Target members for connection are wood for framing and foundation, and the joint fittings 1 for the frame of the wooden house is connected to wood members for framework or to framing wood member and foundation connected in a manner straddling them, and a dew-proof insulation layer (flocked layer 14) is formed at least to the contact surfaces 10b and 11b with the target members.例文帳に追加

骨組み木材や基礎を取付対象部材とし、骨組み木材同士又は骨組み木材と基礎とに跨るように取り付けられる木造家屋の骨組み接合金物１であって、少なくとも取付対象部材との接触面１０ｂ，１１ｂに結露防止用の断熱層（植毛層１４）が形成されている。 - 特許庁

In a three-layer-integrated fabric tape which includes an obverse knitted fabric, a reverse knitted fabric, and a connection layer which connects them with a monofilament with a space therebetween, the obverse knitted fabric is formed with a water-absorbing and quick-drying thread being arranged and the reverse knitted fabric is formed with a deodorizing thread being arranged opposite to the obverse knitted fabric.例文帳に追加

表編地、裏編地及びそれらを離隔してモノフィラメントにより連結する連結層から構成される三層一体編テープにおいて、前記表編地は吸水速乾糸が配されて編成され、前記裏編地は前記表編地に対向して消臭糸が配されて編成されてなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer printed wiring board having high interlayer connection reliability while high producibility is maintained, and to provide the multilayer printed wiring board with high interlayer connection reliability by collectively forming a via part and a resin layer, whose thickness variation is small and whose surfaces flatness is high by peeling and transferring.例文帳に追加

本発明は、剥離転写により厚みのバラツキが小さく表面の平坦性が高いビア部と樹脂層を一括形成することで、高い層間接続信頼性を持つ多層プリント配線板を低コストで高い生産性を維持しながら作製可能な製造方法及び層間接続信頼性の高い多層プリント配線板の提供を目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device has an island shape source wiring provided in level with a gate wiring and a connection electrode electrically connected to the island shape source wiring and a semiconductor layer, where the island source wiring is disposed for each pixel and one island shape source wiring and an island shape source wiring of an adjacent pixel are electrically connected by the connection electrode.例文帳に追加

ゲート配線と同一面上に設けられた島状のソース配線と、島状のソース配線及び半導体層に電気的に接続された接続電極とを有し、島状のソース配線は画素毎に配置されており、１つの島状のソース配線と隣の画素の島状のソース配線とは、接続電極によって電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a module substrate which includes a surface metallic layer of a blind via by field plating with a land and concurrently satisfies connection reliability between a bump provided at a terminal of a semiconductor device with a reduced diameter and the land of the module substrate and connection reliability between the land and the blind via, and a method of manufacturing the substrate.例文帳に追加

フィルドめっきによるブラインドビアの表面金属層がランドを有しているモジュール基板にあって、小径化した半導体装置の端子に設けたバンプとモジュール基板のランドとの接続信頼性と、ランドとブラインドビアとの接続信頼性とを同時に満たすモジュール基板およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the process wherein the end surfaces 20B of the plurality of SiC substrates 20 are bonded to each other, a process for heating connection parts that is a region containing a surface of the supporting layer 10 facing a region where the end surfaces 20B of the adjacent SiC substrate 20 face each other, and a process for cooling the connection parts are carried out repeatedly.例文帳に追加

そして、複数のＳｉＣ基板２０の端面２０Ｂ同士を接合する工程では、隣接するＳｉＣ基板２０の端面２０Ｂ同士が互いに対向する領域に面する支持層１０の表面を含む領域である接続部が加熱される工程と、当該接続部が冷却される工程とが繰り返して実施される。 - 特許庁

To provide a waterproof treatment structure of a power cable terminal, which absorbs deviation between a corrosion proof layer of a power cable, and a rubber insulating terminal member or insulating connection member when the power cable is bent at the vicinity of the rubber insulating terminal member and the insulating connection member and is excellent in a waterproof characteristic and a low temperature characteristic.例文帳に追加

ゴム製の絶縁用終端部材や絶縁用接続部材の近傍で電力ケーブルが曲がった際の電力ケーブルの防食層とゴム製の絶縁用終端部材や絶縁用接続部材の間のズレを吸収するとともに、防水特性及び低温特性にも優れた電力ケーブル端末の防水処理構造を提供する。 - 特許庁

An electrostatic induction-type conversion element 100 includes an electret 10 having a substrate 11 made of insulating materials, a plurality of grid connection electrodes 12, a plurality of base electrodes 13, and an insulating material layer 14; a movable part 20 disposed facing the electret 10; and a resistor 30 in connection with the electret 10 and the movable part 20.例文帳に追加

静電誘導型変換素子１００は、絶縁材料からなる基板１１と、複数のグリッド接続用電極１２と、複数のベース電極１３と、絶縁材料層１４とを有しているエレクトレット１０と、エレクトレット１０に対向して配設されている可動部２０と、エレクトレット１０と可動部２０とに接続されている抵抗３０とを備えている。 - 特許庁

In a jumper line of the mutual connection differential wiring, the prescribed part of a metal support substrate 11 is insulated from the other part, is formed as a bypass line 6 of which the thickness is smaller than the other part, before the part of the bypass line is insulated, a metal plating layer 16 or the like of a connection terminal part 3 is formed by feeding from the metal support substrate.例文帳に追加

相互接続差動配線のジャンパー線を、金属支持基板１１の所定の部位を他の部位から絶縁し、他の部位よりも厚みが小さくなるようにした迂回線路６として形成し、前記迂回線路の部位を絶縁する前に、接続端子部３の金属めっき層１６等を前記金属支持基板からの給電により形成する。 - 特許庁

The flat panel display comprises a plurality of connection terminals installed on an array substrate, at least two integrated circuit chips connected to the connection terminals respectively by conductive anisotropic films and at least one interface layer installed in the region between the at least two integrated circuit chips.例文帳に追加

フラットディスプレイパネルであって、アレイ基板上に設置される複数の連接端子と、それぞれ異方性導電膜により前記連接端子と連接される少なくとも二つの集積回路チップと、前記の少なくとも二つの集積回路チップの間の領域に設置される少なくとも一つの界面層と、からなるフラットディスプレイパネル及びその組み立て方法を採用する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a printed board 60, a semiconductor chip 10 provided on one side of the printed board 60, and a plurality of external connection terminals 21 provided on the other side of the printed board 60 and is characterized in that the external connection terminals 21 are formed of flux 30 and a solder layer 20 covering the flux 30.例文帳に追加

半導体装置１００は、プリント基板６０と、プリント基板６０の一方に設けられた半導体チップ１０と、プリント基板６０の他方に設けられた複数の外部接続端子２１と、を有する半導体装置１００であって、外部接続端子２１は、フラックス３０と、フラックス３０を被覆する半田層２０により形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electronic part excellent in connection reliability, its manufacturing method, and electronic part package by, when an electronic part is mounted on a wiring board by soldering, solving such problem that a crack occurs at a solder layer, etc., under the stress caused by difference in thermal expansion factor between an interposer substrate and wiring board for degraded connection reliability.例文帳に追加

電子部品を配線基板にはんだ付けにより実装する場合、インターポーザー基板と配線基板との熱膨張係数の差による応力によってはんだ層等にクラックが発生し、接続信頼性が低下するという課題を解決し、接続信頼性に優れた電子部品とその製造方法および電子部品実装体を提供することを目的とする。 - 特許庁

Locking bodies 62 are formed on external walls of two parallel legs 61 to connect adjacent reinforcing frames 5 to a bottom of a connection member 6 formed of an elastic material, and a weather-resistant layer 65 is formed on a surface of the connection member 6 in both fitting grooves 53 above the reinforcing frames 5 adjacent to a panel 2 having the reinforcing frame.例文帳に追加

補強枠付きパネル２の隣接する補強枠５上部の両嵌合溝５３に対し、弾力性を有する材料からなる接続部材６の底面に二つ平行な脚部６１の外壁に係止体６２を形成させて隣接する補強枠５を接続させるとともに、接続部材６の表面に耐候性層６５を形成させる。 - 特許庁

A low resistant part 21a is provided in a connection region 211 between an external connection part 26 provided on a common external electrode 21 and a common internal electrode 17 closest thereto among resistors of a circuit formed of the common internal electrode 17, a discrete internal electrode 16, a piezoelectric material layer 15, a discrete external electrode 22, and the common external electrode 21.例文帳に追加

共通内部電極１７、個別内部電極１６、圧電材料層１５、個別外部電極２２および共通外部電極２１で形成される回路の抵抗のうち、共通外部電極２１に設けられた外部接続部２６と最も近い共通内部電極１７との間の接続領域２１１に、低抵抗部２１ａを備えている。 - 特許庁

A dummy pattern, deposited in the lower layer of the integrated circuit and connected to a complementary upper skin bonding pad via metal connection and the metal connection, which has no additional or special process stage, are formed simultaneously while a process stage used for forming a circuit component included in the integrated circuit is advanced.例文帳に追加

集積回路の下層に蒸着されて複数の相補的な上皮ボンディングパッドまで金属連結を介して連結したダミーパターンを含むのであるが、かかるダミーパターンと金属連結とは、追加されたり特別の工程段階がなく、集積回路内に含まれた回路成分を形成するために使われる工程段階が進められる間に同時に形成される。 - 特許庁

The sealing resin composition is one for sealing a gap formed at the connection part between a connection electrode part formed on a wiring board and a conductor element mounted on the wiring board, wherein multilayer-structure-forming particles are contained in the sealing resin composition, and at least one layer of the multilayer-structure-forming particles has a siloxane skeleton.例文帳に追加

配線基板上に形成された接続用電極部と配線基板上に搭載された半導体素子との接続部に生じる空隙部分を封止するための封止樹脂組成物であって、封止樹脂組成物中に多層構造となる粒子を含み、多層構造となる粒子の少なくとも１層以上はシロキサン骨格を有する。 - 特許庁

On a wiring substrate 100, a wiring layer 12 and a flip-chip connection terminal 13 are formed on an insulating base material 11, and the flip-chip connection terminal 13 is formed by forming a 1 μm or more thick silver film on the copper metal and furthermore, the silver film is formed by electrolytic silver plating with a current density of 1 to 50 A/dm2.例文帳に追加

本発明の配線基板１００は、絶縁基材１１上に配線層１２及びフリップチップ接続用端子１３が形成されており、フリップチップ接続用端子１３は銅金属上に膜厚１μｍ以上の銀膜が形成されたもので、さらに、銀膜が１〜５０Ａ／ｄｍ^2の電流密度で電解銀めっきにて形成されたものである。 - 特許庁

Wire browser information and a CAN ledger (first design information) obtained by generating a harness connection model and a CAN communication model and a signal name conversion table (second design information) obtained by generating control models are used to generate a connection file defining signal transmission/reception between a plurality of control models in an interface conversion layer computer 30.例文帳に追加

ハーネス結線モデルやＣＡＮコミュニケーションモデルの作成で得られるワイヤブラウザ情報やＣＡＮ台帳（第１の設計情報）と、制御モデルの作成で得られる信号名称変換表（第２の設計情報）とを用いて、インターフェース変換層コンピュータ３０において複数の制御モデル間での信号の送受信を定義した接続ファイルを作成する。 - 特許庁

In the process for producing a flexible substrate, sheet-like substrate materials 4 are carried while coupling the edges thereof in the carrying direction into roll-shape by means of a substrate connection tape 1 produced by laminating at least a layer dissolving into etching liquid, a layer dissolving into resist removing liquid and exhibiting etching resistance, and a layer dissolving into resist removing liquid and exhibiting viscosity.例文帳に追加

少なくともエッチング液に溶解する層と、レジスト除去液に溶解し且つ耐エッチング性を有する層と、レジスト除去液に溶解し且つ粘着性を有する層が積層されてなる基板接続用テープ１でシート状基板材料４の搬送方向の縁部同士を互いに連結してロール状にし、ロール・トゥ・ロール方式で搬送することによって製造することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。 - 特許庁

The fluid ejection device includes: a circuit layer 100 having a fluid outlet on a lower surface 110; a chamber substrate 10 having a fluid inlet on an upper surface 45; an electrical contact 105 electrically connecting the chamber substrate 10 to the lower surface 110 of the circuit layer 100; and seals 80, 90 forming a fluid connection between the fluid outlet of the circuit layer 100 and the fluid inlet of the chamber substrate.例文帳に追加

流体吐出装置は、下面１１０に流体出口を有する回路層１００と、上面４５に流体入口を有する流体室基板１０と、流体室基板１０を回路層１００の下面１１０に電気的に接続する電気接点１０５と、回路層１００の流体出口と流体室基板の流体入口との間に流体接続を形成するシール８０、９０と、を有する。 - 特許庁

This method for manufacturing a multilayered wiring board includes the consecutive steps of a step of forming a curing insulation resin layer, a step of selectively forming a via hole in the curing insulation resin layer, a step of etching a metal for a wiring pattern, a step of curing the curing insulation resin layer after etching, and a step of applying a plating treatment for interlayer connection.例文帳に追加

配線パターンが形成された絶縁基材上に、硬化性絶縁樹脂層を設ける工程、該硬化性絶縁樹脂層に選択的にビアホールを形成する工程、配線パターンの金属をエッチングする工程、エッチング後に該硬化性絶縁樹脂層を硬化する工程、およびメッキ処理を行って層間接続を行う工程、をこの順に行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 特許庁

The element conduction part 71 and connection part 61 are formed of the same layer with the power line 15, and disposed on one side along the width (Y direction) of the power line 15 across the driving transistor Tdr when viewed vertically to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

The input resistive element of a differential voltage amplification circuit bearing a high potential difference is constituted through solder connection of eight chip resistors 131-138 secured to the surface of a printed board 6 in one row with conductor layer patterns 70-78.例文帳に追加

高い電位差を負担する差動電圧増幅回路の入力抵抗素子は、プリント基板６の表面に一列に固定された８本のチップ抵抗１３１〜１３８を導体層パターン７０〜７８にハンダ接続して構成される。 - 特許庁

In the stacked electronic components, the electrical length of a connection electrode (via hole 11a) for connecting the pattern electrode 5a for a capacitor element 5 made in the inner layer part of a stack 3 with its surface electrode 14a is tuned up.例文帳に追加

積層型電子部品において、積層体３の内層部分に形成されたコンデンサ素子５用のパターン電極５ａと表面電極１４ａ間を接続する接続電極（ビアホール１１ａ）の電気長を調節する。 - 特許庁

Between the movable electrode 11 and the electrode 12 for external connection, the movable member 6 formed on an interconnection layer 5 is sealed in a space 9 of a shield member 7 hermetically bonded to the conductor 13 for bonding a shield member.例文帳に追加

可動子電極１１と外部接続用電極１２との間でシールド部材接合用導体部１３にハーメチック接合されたシールド部材７の空間部９内に配線層５上に形成された可動子６を封装する。 - 特許庁

The oxide 39 of the electrode terminal 38 is removed, then the conductive adhesive paste layer 43 can be formed on the surface of the electrode terminal 38 without coming into contact with oxygen contained in the air, so that a semiconductor device of small connection resistance can be manufactured.例文帳に追加

電極端子３８の酸化物３９を除去した後、大気中の酸素に接することなく導電性接着剤ペースト４３の形成が可能となり、接続抵抗値の小さい半導体装置の製造が行われる。 - 特許庁

Sum total sectional area of the first and the second connection electrode layers 5a and 5b in the width direction of the wiring substrate 4 is equal to or smaller than the sectional area of the base end electrode layer 5c in the width direction of the wiring substrate.例文帳に追加

第１接続部電極層５ａと第２接続部電極層５ｂの配線基板４の幅方向断面積の総和が、基端部電極層５ｃの配線基板の幅方向断面積と同等またはそれ以下に構成されている。 - 特許庁

The power semiconductor element such as a transistor is installed on an upper surface of the heat sink 31 in a square shape via an insulating layer 44, and connection pieces 22a and 21a of a flat plate type conductor are superposed on and fixed to an upper surface of the power semiconductor element.例文帳に追加

正方形状のヒートシンク３１の上面に絶縁層４４を介してトランジスタ等のパワー半導体素子を設置し、パワー半導体素子の上面に平板状の導体の接続片２２ａ，２１ａを重合固定する。 - 特許庁

A driving IC 21 to be connected to the heating element 15 is mounted in the posterior portion of the subsidiary scanning direction of the glazed layer 13 (the direction of an arrow A) and a protective resin 25 is added so as to cover the connection between the heating element 15 and the driving IC 21.例文帳に追加

発熱体１５と接続される駆動用ＩＣ２１がグレーズ層１３の副走査方向後方（矢印Ａ方向）に載置され、発熱体１５と駆動用ＩＣ２１との接続部を覆うように保護樹脂２５が添設されている。 - 特許庁

Between the connection pad and the active element forming region, there is formed a reinforcement structure which is respectively provided on at least one wiring layer and consists of a dummy pattern that doesn't contribute to a logic function of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

接続パッドと活性素子形成領域との間には、少なくとも１つの配線層のそれぞれに設けられた、半導体集積回路の論理機能に寄与しないダミーパターンからなる補強構造が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated type electronic component that has a small number of cracks and chips, reliably exposes the edge of an internal electrode layer from the end face of an element body for improving connection to a terminal electrode, and has excellent productivity.例文帳に追加

割れや欠けが少なく、しかも素子本体の端面から内部電極層の端部を確実に露出させて端子電極との接続が良好で、生産性に優れた積層型電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In response to a connection request from a radio communication terminal 50, a communication device 60 allocates a private address to the radio communication terminal, and terminates the radio communication terminal and own device in a network layer, and the device 60 establishes a first transmission path.例文帳に追加

本発明の通信装置６０は、無線通信端末５０からの接続要求に応じて無線通信端末にプライベートアドレスを割り当てネットワーク層で無線通信端末と自装置とを終端し第１通信パスを確立する。 - 特許庁

The adhesive film 10 for electrical connection is one composed of a release film 1 and an adhesive layer 2 formed on one principal surface 1a of the release film 1, wherein the release film 1 is subjected to surface roughening on neither of the principal surfaces 1a and 1b.例文帳に追加

剥離性フィルム１と、当該剥離性フィルム１の一主面１ａ上に設けられた接着層２とを備え、上記剥離性フィルム１が両主面１ａ、１ｂを粗化処理されていない、電気接続用接着フィルム１０。 - 特許庁

In connecting a connector, the light transmitting elastic material 5 elastically deforms, with the connection of the connector performed free from an air layer between the connector and the opposite connecting end face, hardly causing optical loss due to reflection in the connector junction.例文帳に追加

コネクタ接続時には、光透過性弾性材５が弾性変形することにより、相手側の接続端面との間に空気層の生じないコネクタ接続が行われ、コネクタ接続部での反射による光損失は少ない。 - 特許庁