「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming a through-hole by which a through-hole can be formed without scraping away the adhesive layer, and to provide a method of manufacturing a wiring circuit board in which degradation in electrical connection reliability can be prevented.例文帳に追加

接着剤層が抉り取られることなく貫通孔を形成することが可能な貫通孔形成方法を提供するとともに、電気的な接続信頼性の低下を防止することが可能な配線回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board for reducing the connection resistance between a through hole conductor with a lid being formed on a through hole substrate and a conductor formed on an insulating layer being laminated to the through hole substrate, and the manufacturing method of the wiring board.例文帳に追加

スルーホール基板に形成された蓋付スルーホール導体と、スルーホール基板に積層された絶縁層の上に形成された導体層との間の接続抵抗を低くすることができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor mounting substrate which has improved dependability of electrical connection between a semiconductor chip and the outside without increasing the thickness of a plating layer; and also to provide a method of manufacturing a semiconductor package, the semiconductor mounting substrate, and the semiconductor package.例文帳に追加

めっき層を厚くすることなく、半導体チップと外部との電気的接続の確実性を向上させた半導体搭載用基板製造方法、半導体パッケージ製造方法、半導体搭載用基板及び半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

An erosion inhibition section 5 on which copper foil 7 is printed is formed around the window 30 so that the position of the carbon connection section 28 can be seen from the surface of he first-layer printed-circuit board 2 and erosion owing to the application of laser beams 1 is restrained.例文帳に追加

窓３０の周囲には、カーボン接続部２８の位置が第１層プリント基板２の表面からわかるようにするとともに、レーザ光１の照射による侵食を抑えるために、銅箔７が印刷された侵食抑止部５が形成されている。 - 特許庁

By determining whether the divided voltage potential is within the scope between an upper limit standard and a lower limit standard set by the determination circuit 13, it is inspected whether the resistance value between the shield layer 9 and the GND terminal is within the scope of a proper connection state.例文帳に追加

さらに、分圧電位が、判定回路１３で設定された上限規格と下限規格の範囲内か否かを判定することで、シールド層９とＧＮＤ端子の間の抵抗値が適正な接続状態の範囲にあるか否かを検査する。 - 特許庁

Thus, the aisotropic conductive film 4 for circuit connection has its hard-to-follow-up part, like a corner part C formed of the circuit electrode 3b and the end part 6a of the solder resist 6, and is reinforced by being filled with the continuous layer 5 made of the insulating paste 7.例文帳に追加

そのため、回路電極３ｂとソルダーレジスト６の端部６ａとにより形成される隅部Ｃのように、回路接続用異方導電フィルム４では追従し難い部分には、絶縁ペースト７から成る連続層５が充填されて補強される。 - 特許庁

In each of the wiring layers 14, 15 and 16, a wiring pad 17 conducted to the slider pad of a slider 52 is disposed, a through-hole 20 is made in the first insulating layer 10, and a conducting connection part 21 is provided in the through-hole 20.例文帳に追加

各配線層１４、１５、１６に、スライダ５２のスライダパッドに導通される配線パッド１７が設けられ、第一絶縁層１０に貫通孔２０が形成され、この貫通孔２０に導電性を有する導電接続部２１が設けられている。 - 特許庁

To manufacture a connection terminal for a connector in which discoloration of Ag by sulfidization is prevented by forming an Ag alloy layer only at a necessary position, a stable contact resistance and a low coefficient of dynamic friction can be maintained even under high temperatures, and insertion/extraction performance is improved at a low cost.例文帳に追加

必要な箇所にのみＡｇ合金層を形成して、Ａｇの硫化による変色を防止し、高温下でも安定した接触抵抗、低い動摩擦係数を維持でき、挿抜性を向上させたコネクタ用接続端子を低コストで製造する。 - 特許庁

In a principal surface of a wiring board 100 in which LED chips D1 to D16 are mounted, a region, except a region required for circuit connection of wiring pattern 102 for supplying power to the LED chips D1 to D16, is covered with a rutile reflection layer 300.例文帳に追加

配線基板１００のＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６を実装された主面において、ＬＥＤチップＤ１〜Ｄ１６に給電する配線パターン１０２の回路接続に必要な領域以外の領域をルチル反射層３００にて被覆する。 - 特許庁

To provide a method of producing conductive particles with insulating particles in which a conductive layer is less susceptible to rusting, and high conductivity can be maintained over a long term, and which can enhance conduction reliability when used for inter-electrode connection.例文帳に追加

導電層に錆が生じ難く、長期間にわたり高い導電性を維持でき、従って電極間の接続に用いられた場合に、導通信頼性を高めることができる絶縁性粒子付き導電性粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second wiring layer includes a fourth wiring 14a located in the upper part of the first element region 1a, and a conductive pattern 14b for connection located in the upper part of a part of the third wiring 11b and electrically connected to the third wiring 11b.例文帳に追加

第２配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第４配線１４ａと、第３配線１１ｂの一部の上方に位置していて第３配線１１ｂに電気的に接続している接続用導電パターン１４ｂを具備する。 - 特許庁

A sheet of film-carrier wiring tape 2 having a wiring layer formed in a predetermined pattern is applied on upper, bottom and one side surfaces of a semiconductor chip 1, external connection parts 36 are provided on these surfaces to form a semiconductor device 71.例文帳に追加

所定のパターンに形成された配線層を有する一枚のフィルムキャリア状配線テープ２を半導体チップ１の上面、底面及び一側面に貼付し、これらの面に外部接続部３６を配設した半導体装置７１を構成する。 - 特許庁

A layer-form packet collar is formed such that a plurality of sheets 2 are aligned at intervals in an axial direction by a spacer element 3 and further, coupled to two connection flanges through engaging and clamp elements 4 and 5 peripherally situated.例文帳に追加

層状パケットカラーは、数個の薄板（２）がスペーサー要素（３）により軸方向に間隔をおいて並べられることにより形成されていて、さらに円周方向に配置された係合およびクランプ要素（４，５）により二つの接続フランジに結合されている。 - 特許庁

The connection parts 43A, 43B have a substrate 48 made of electro-optic material, a connecting optical waveguide formed on the substrate 48, a second supporting substrate 2, and a second adhesion layer 1 for adhering the substrate 48 to the supporting substrate 2.例文帳に追加

接続用部品４３Ａ、４３Ｂが、電気光学材料からなる基板４８、基板４８に形成されている接続用光導波路、第二の支持基板２、および基板４８を支持基板２に接着する第二の接着層１を備える。 - 特許庁

To provide an adhesive material reel capable of sufficiently inhibiting the transfer of an adhesive layer to the back surface of a substrate material on drawing out a circuit-connecting tape in a wound state and useful for the production of a circuit-connected body having an excellent connection reliability.例文帳に追加

巻かれた状態の回路接続用テープを引き出す際、基材背面への接着剤層の転写を十分に抑制でき、優れた接続信頼性の回路接続体を製造するのに有用な接着材リールを提供すること。 - 特許庁

A movable electrode 11 and an electrode 12 for external connection, which face each other, are connected to each other, bypassing a frame-like conductor 13 for bonding a shield member which is formed between the two electrodes by means of a bypass wiring pattern 15 which is arranged inside an insulation layer 10.例文帳に追加

相対する可動子電極１１と外部接続用電極１２とが絶縁層１０内に引き回した迂回配線パターン１５によってそれらの間に形成された枠状のシールド部材接合用導体部１３を迂回して接続される。 - 特許庁

When a natural oxide film 5 and the like, which are undesirably formed on the surface of a lower conductive layer 4 exposed through the bottom of a connection hole 7, are cleaned by a discharge plasma treatment using inert gas, the temperature of a substrate stage is controlled to a temperature of 100°C or higher.例文帳に追加

接続孔７底部に露出する下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理により清浄化するに際し、基板ステージ温度を１００℃以上に制御する。 - 特許庁

A shielding layer, composed of a non-conductive material is provided to the outer circumference of a connection portion between the plug of a shielded cable at the both ends of which plugs are attached, and in between a cable portion where there is no shield coating and the housing of the plug.例文帳に追加

係る問題を解決するために、両端にプラグを装着したシールドケーブルの、プラグとシールドケーブルの接続部外周であって、シールド被覆のないケーブル部分とプラグのハウジングとの間に非導電性材料からなるシールド層を設けた。 - 特許庁

In the electrode 1, the conductive tape 3 is pressed against the inner surface of the can to be electrically connected with it, and a heat welded adhesive layer 5, set on the surface of the tape, is heat-welded to a open core part 4 of one electrode to make electrical connection.例文帳に追加

導電テープ３は、電極体１で外装缶２の内面に押し付けられて電気接続されると共に、表面に設けている熱溶着接着層５を一方の電極板の芯材露出部４に熱溶着して電気接続している。 - 特許庁

The element conduction part 71 and the connection part 61 are formed on the same layer as the power source line 15, and are located on one side in a direction (Y direction) of the width of the power source line 15 with the driver transistor Tdr interposed therebetween when seen from a direction perpendicular to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

After a sealing film 34 is formed, a surface-processing layer 35 for preventing oxidation is formed on the upper surface of the column type electrode 2, by conducting electrolytic plaing using the auxiliary wiring 32, connection line 33 and re-wiring 31 as the plating current path.例文帳に追加

そして、封止膜３４を形成した後に、補助配線３２、接続線３３及び再配線３１をメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、柱状電極２９の上面に酸化防止用の表面処理層３５を形成する。 - 特許庁

To provide a battery or an electric double layer capacitor facilitating connection to an outside electric circuit board, preventing deterioration in battery performance caused by leakage of an electrolyte, and also preventing damage of the outside electric circuit board caused by the leaked electrolyte.例文帳に追加

外部電気回路基板への接続が容易で、電解液が漏れ出して電池性能を劣化させたり、漏出した電解液により外部電気回路基板が損傷を受けたりすることがない電池または電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

In a state that the island part 34 is sandwiched between insulating layers 41a stacked on both surfaces of the core plate 34, the separating connection part 33 is removed so that the island 34 is electrically separated from the other part in the insulating layer 41a.例文帳に追加

このコア板３４の両面に積層される絶縁層４１ａで前記島部３４を挟んだ状態で、前記分離用接続部３３を除去して、前記島部３４が前記絶縁層４１ａ内でその他の部分から電気的に独立させる。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board having a low resistance and a high connection reliability, which eliminates the failure to bond an inner layer core substrate and a prepreg sheet, and the whitening inside the multilayer printed wiring board in appearance.例文帳に追加

内層用コア基板とプリプレグシートとの密着の不具合、あるいは多層プリント配線板としての外観上における内部の白化現象を解消することができ、低抵抗で接続信頼性の高い多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

A data transmission-side computer 1 of connection-less communication includes a virtual physical layer 5 allowing label information to be dynamically changed in accordance with presence of parallel physical links of lines L1, L2, and virtually integrating network interfaces of the respective physical links.例文帳に追加

コネクションレス型通信のデータ送信側コンピュータ１は、回線Ｌ１．Ｌ２の並列物理リンクの有無に応じてラベル情報を動的に変更可能で、各物理リンクのネットワークインタフェースを仮想的に統合する仮想物理層５を備えている。 - 特許庁

The composite semiconductor element may further include a metal wiring film (23) for electrical connection with the compound semiconductor thin film (12), and a compound semiconductor layer (17) with higher impurity concentration may be provided between the compound semiconductor thin film (12) and the metal wiring film (23).例文帳に追加

化合物半導体薄膜（１２）との電気的接続のための金属配線膜（２３）をさらに備え、化合物半導体薄膜（１２）と金属配線膜（２３）との間に、より高い不純物濃度の化合物半導体層（１７）を介在させても良い。 - 特許庁

The illuminated display is mounted on a component carrier by a lot of spatially-variable, elastic and electrically conductive materials, wherein a material layer thereof provides a required variable distance and an electrical connection from the upper surface to the undersurface as a contact.例文帳に追加

点灯表示器は、空間的に可変の、弾性のおよび導電性の多数の材料によってコンポーネントキャリアに取り付けられ、この材料層は、必要とされる可変距離、および接点としての上面から下面までの電気接続部を提供する。 - 特許庁

In this way, the sharp blade arranged substantially in parallel clearly cuts in through a certain non-conductive layer (singular or multiple), and brings about sure electric connection between the interconnection element and the terminals of the electronic parts.例文帳に追加

このようにして、実質的に平行に配向された鋭利なブレードは、端子表面上にある何らかの非導電性層（単数又は複数）を通って鮮やかに切り込み、相互接続要素と電子部品の端子の間に確実な電気接続をもたらす。 - 特許庁

To provide a photosensitive adhesive composition having a thermocompression bonding property enabling improvement of connection reliability, and to provide a film adhesive, an adhesive sheet, an adhesive pattern, a semiconductor wafer with an adhesive layer, and a semiconductor device using the composition.例文帳に追加

接続信頼性の向上を可能とする熱圧着性を有する感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

In this case, a plurality of low dielectric constant film layers and the same number of wiring layers are alternately laminated on a semiconductor wafer, and the column electrode 14 is formed on a connection pad of an upper layer wiring formed via an insulating film.例文帳に追加

この場合、半導体ウエハ上に複数層の低誘電率膜と同数層の配線とを交互に積層して形成し、その上に絶縁膜を介して形成された上層配線の接続パッド部上に柱状電極１４を形成する。 - 特許庁

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

A relay processing means of the network relaying system executes relay processing for relaying data containing the address of the data link layer of the terminal device between the first and a second networks, when the connection request from the terminal device is authenticated.例文帳に追加

ネットワーク中継システムの中継処理手段は、端末装置からの接続要求が認証されている場合に、端末装置のデータリンク層のアドレスを有するデータを、第１のネットワークと第２のネットワーク間で中継する中継処理を行う。 - 特許庁

A stress cone 14 in a terminal connection part 1 has a through hole into which a power cable 11 is inserted and includes a body part formed by an insulation part 141 and a semiconductive part 142 and a protection layer 143 coating an outer surface of the body part.例文帳に追加

終端接続部１におけるストレスコーン１４は、電力ケーブル１１が挿通される貫通孔を有しており、絶縁部１４１および半導電部１４２からなる本体と、この本体の外表面を被覆する保護層１４３とを有している。 - 特許庁

For inputted layout data 101, the number of the contact holes to be used for connection is calculated from the line segment area of the different layer wiring connected with wiring in a contact number calculation part S101, and contacts are generated in a contact generation processing part S102.例文帳に追加

入力されたレイアウトデータ１０１に対し、配線と接続される異レイヤ配線の線分面積から接続に使用するコンタクトホールの数をコンタクト数算出部Ｓ１０１にて算出し、コンタクト生成処理部Ｓ１０２にてコンタクトを生成する。 - 特許庁

The function element structure 3 is mounted on a package substrate 2 including thereon many electrodes 7 for external connection arranged in a frame shape by constituting a hollow space 11 kept in an airtight state by an insulating blade 5 and an adhesive resin frame layer 4.例文帳に追加

枠状に配列した多数個の外部接続用電極７を設けたパッケージ基板２上に絶縁プレート５と接着樹脂枠層４とにより気密状態を保持した中空空間部１１を構成して機能素子体３を実装する。 - 特許庁

To increase face plate strength (initial rigidity and maximum bearing strength) without applying any hardly realizable means such as increase of screw pitch density, a screw shank diameter, or a screw head part diameter in a connection device between a double-layer face plate and a frame material.例文帳に追加

複層面材と枠材との接合装置具に際し、ねじピッチの密度の上げることや、ねじ軸径のサイズアップや、ねじ頭部径のサイズアップなど実現が困難な手段を施すことなく、面材強度（初期剛性と最大耐力）を大きくすること。 - 特許庁

The connection layer 13a comprises an insulation portion 18 adhering to the printed circuit boards 12a and 12b connected to each other, and a conductive portion 20 connecting the electrode terminal 17 of the printed circuit board 12a and that of the printed circuit board 12b to each other.例文帳に追加

接続層１３ａは、接続されたプリント配線板１２ａ及び１２ｂに対して接着された絶縁部１８と、プリント配線板１２ａ及び１２ｂの電極端子１７を互いに接続する導電部２０を備えて構成される。 - 特許庁

In the consumable electrode 1, it is desirable that the outer peripheral parts 2c provided over the whole circumferences of the upper ends and lower ends of the external layer parts 2c of the briquettes 2 are composed of sponge titanium only and the connection of the briquettes is executed by welding them in the circumferential direction.例文帳に追加

上記の消耗電極において、ブリケットの外層部の上端および下端の全円周にわたって設けられた外縁部はスポンジチタンのみで構成し、ブリケットの連結は円周方向の溶接によって行うのが望ましい。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A high-resistance layer 5 is provided at the connection between the side face of the lower wiring 2 and the via plug 4 in case the via plug 4 extending from the upper surface of the interlayer insulating film 3 to the lower wire 2 fails to be formed correctly landing on the lower wiring 2.例文帳に追加

層間絶縁膜３の上面から下層配線２に至るビアプラグ４が、下層配線２に対して踏み外して形成され場合において、下層配線２の側面部とビアプラグ４とが接続している部分に高抵抗層５を備える。 - 特許庁

The base materials 10, 20 and 12 for the flooring comprise a pad made of a first heat-meltable material 10, a stabilizing mesh 20 formed of a second heat-meltable material and a connection layer 12 between a pad 10 and a mesh 20.例文帳に追加

床張り材のための基材１０、２０、１２であって、第１の熱融解可能材料からなるパッド１０と、第２の熱融解可能材料からなる安定化メッシュ２０と、上記パッド１０と上記メッシュ２０との間の接続層１２とを備える。 - 特許庁

For example, an external connection terminal 31 for drain line has a four-layer structure of a metal film 31a including any one of Cr, Ti, W, Ta, and Mo, an ITO film 31b, an ITO film 31c, and an ITO film 31d.例文帳に追加

例えば、ドレインライン用外部接続端子３１は、下から順に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか１種を含む金属膜３１ａ、ＩＴＯ膜３１ｂ、ＩＴＯ膜３１ｃおよびＩＴＯ膜３１ｄの４層構造となっている。 - 特許庁

The element conduction part 71 and the connection part 61 are formed from the same layer as the power source line 15, and are located on one side in a width direction (a Y direction) of the power source line 15 across the driver transistor Tdr while viewing from a direction perpendicular to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

Then openings 10a for grooves are formed in the third mask layer 10, connecting openings 12b for connection holes are formed in the first and second mask layers 8 and 9 and first to third insulating films 4-6 by performing etching by using a resist pattern 11 as a mask, and the pattern 11 is removed.例文帳に追加

次に、第３マスク層１０に溝用開口１０ａを形成し、レジストパターン１１をマスクしたエッチングによって、第２マスク層９〜第３絶縁膜６に接続孔用の接続用開口１２ｂを形成し、レジストパターン１１を除去する。 - 特許庁

Since a first insulating layer 50 is intervened between the lowermost first conductor pattern 58 and an electrode body 60 forming an external substrate connection pad 60P, it is hard to generate short-circuit between the first conductor pattern 58 and the pad 60P.例文帳に追加

最下層の第１導体パターン５８と外部基板接続用のパッド６０Ｐを形成する電極体６０との間に、第１絶縁層５０が介在しているので、第１導体パターン５８とパッド６０Ｐとの間で短絡が発生し難い。 - 特許庁