「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

In these conductive particulates, the surface of porous base material particulates made of resin is covered by a metal layer, and the conductive connection structure is constructed by using the conductive particulates.例文帳に追加

樹脂からなる多孔質な基材微粒子の表面が金属層に覆われてなることを特徴とする導電性微粒子、及び前記導電性微粒子を用いられてなることを特徴とする導電接続構造体。 - 特許庁

To give a semiconductor device having at least two layers of wiring layers a structure, where the connection of an upper wiring layer with a semiconductor substrate can be reliably made.例文帳に追加

少なくとも２層の配線層を有する半導体装置であって、上層配線層と半導体基板との接続を確実に行なうことの可能な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve reliability of connection between a bump electrode and a device electrode in a semiconductor module having a structure that the bump electrode formed on a wiring layer is connected to the device electrode formed on a semiconductor device.例文帳に追加

配線層に設けられた突起電極が半導体素子に設けられた素子電極に接続された構造を有する半導体モジュールにおいて、突起電極と素子電極との接続信頼性を向上させる。 - 特許庁

An instantaneous bandwidth required for each on-line subscriber unit is then met by dynamically allocating none, one or multiple subchannels as needed on the basis of each network layer connection.例文帳に追加

各オンライン加入者装置の必要瞬時帯域幅は、必要に応じて各ネットワーク層接続に基づいて１つまたは複数のサブチャネルに動的に割当てる（または割当てない場合もある）ことにより適合させる。 - 特許庁

To the output terminal 21, a 1st connection terminal group 9 of the driver IC 8 is joined via a 1st joint terminal group 24 of the FPC 20 and an ACF 14 and connected via a wiring line 23 of a wiring layer 36.例文帳に追加

出力端子部２１には、ドライバＩＣ８の第１の接続端子群９がＦＰＣ２０の第１の接合端子群２４とＡＣＦ１４を介して接合し、配線層３６の配線２３を通じて接続されている。 - 特許庁

In the heat insulation resin part 1 in contact with a caliper, other portions than an area necessary minimum for connection and seal out of the surface thereof is reduced in wall thickness as much as possible, and an air heat insulation layer is formed between the caliper and the heat insulation resin part.例文帳に追加

キャリパと接触する断熱樹脂部１については、その表面のうち接続およびシールに必要な最低限の面積以外の部分は極力肉を削ってキャリパとの間に空気断熱層を設ける。 - 特許庁

To provide an electro-optic device having a driving circuit which reduces resistance related to an electric connection between a semiconductor layer of a TFT and a wiring, and also reduces consumption current by preventing the malfunction of the driving circuit.例文帳に追加

電気光学装置の駆動回路において、ＴＦＴの半導体層と配線との電気的接続に係る抵抗を小さくし、更には当該駆動回路の動作不良を防止して消費電流を小さくする。 - 特許庁

To provide a connector device allowing a metal oxide layer to be accurately and simply formed on the surface of a lead terminal, and capable of preventing connection failure of the lead terminal while enhancing soldering strength of the lead terminal.例文帳に追加

本発明は、リード端子の表面に金属酸化層を精度よく簡単に形成することができ、リード端子の半田付け強度を高めつつ、リード端子の接続不良を防止できるコネクタ装置の提供を目的とする。 - 特許庁

The package includes a base body 101 for storing the piezoelectric element; an electrode 102 to which the piezoelectric element is connected; an outer connection terminal 103; a through-hole 104; and a conductor layer 105 formed on the inner surface of the through-hole.例文帳に追加

圧電素子が収容される基体１０１と、圧電素子が接続される電極１０２と、外部接続端子１０３と、貫通孔１０４と、貫通孔の内面に形成された導体層１０５とを備えている。 - 特許庁

To provide a conductive particle hardly generating a large crack in a conductive layer even when imparting large force to the conductive particle, and to provide an anisotropic conductive material and a connection structure using the conductive particle.例文帳に追加

導電性粒子に大きな力が付与されても、導電層に大きな割れが生じ難い導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた異方性導電材料及び接続構造体を提供する。 - 特許庁

In a pixel 1a of the solid-state imaging device 1, a light shielding interlayer connection member 15 for connecting each layer of a multilayered structure are provided to at least a part of a peripheral wiring part 14 in a periphery of a photodiode 17.例文帳に追加

固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。 - 特許庁

A shell-shaped metal ring 11 is brazed on a metallization layer 7 for connection formed around the upper surface of the substrate 1 with metallic wax material, and a metallic lid body 12 is subjected to seam welding to the ring 11.例文帳に追加

セラミック基体１の上面の周囲に形成した接合用メタライズ層７上に金属ろう材によりシェル状金属リング１１をろう付けし、シェル状金属リング１１に金属蓋体１２をシーム溶接する。 - 特許庁

An opposite substrate 40 disposed opposite a TFT substrate 16 across a radiation conversion layer 50 therebetween covers the substrate end part 16A, in plan view at the side in which the connection terminals 38, 39 are disposed.例文帳に追加

放射線変換層５０を間に挟んでＴＦＴ基板１６に対向して配置された対向基板４０が、接続端子３８、３９が配置された側の基板端部１６Ａを平面視にて覆っている。 - 特許庁

The conductive connection member 2 is composed of a core 7 having a height H greater than its max. width 5 and a solder layer 6 which are bonded to pads 4, 5 and covers at least the outer side of the core 7.例文帳に追加

接続部材２は、その高さＨがその最大幅Ｄ５よりも大きく形成された核７と、パッド４と５にそれぞれ接合せしめられ且つ少なくとも核７の外側面を覆うはんだ層６とから構成される。 - 特許庁

To provide a multilayered printed wiring board capable of realizing a high density conductor pattern and of improving reliability of a through-hole conductor by making thin the thickness of a panel plated layer by increasing the thickness of the through-hole conductor and increasing a connection area of the through-hole conductor and the panel plated layer.例文帳に追加

貫通孔導体の膜厚を増大すると共に貫通孔導体とパネルメッキ層との接続面積を増大することにより、パネルメッキ層の膜厚を薄くして、高密度導体パターンを実現すると共に貫通孔導体の信頼性を向上した多層プリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A connection hole 17 and a U-shaped wiring groove 21 which reach the adjacent area are formed on the surface 2S of the lower insulation layer 2 from the exposed surface of the silicon oxide film, by using photolithographic technology, so as to form a porous silica layer 3, an HSQ film 4 and a silicon oxide film 5.例文帳に追加

そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、上記シリコン酸化膜の露出している表面から下部絶縁層２の表面２Ｓの内で接続孔１７及びその近傍の領域に至るＵ字型配線溝２１を形成することによって、ポーラスシリカ層３，ＨＳＱ膜４及びシリコン酸化膜５を形成する。 - 特許庁

Accordingly, when the aluminum adhesive tape is wrapped around the outer peripheral surface of the outer layer 5 of a duct hose having excellent flexibility and heat insulation, the aluminum adhesive tape is satisfactorily adhered to the outer layer 5, and the connection thereof with an air conditioning apparatus can be stably maintained for a long period.例文帳に追加

従って、可撓性及び断熱性に優れるとともに、ダクトホースにおける外層(５)の外周面にアルミ粘着テープを巻き付けて、ダクトホースを空調設備に接続する際に、外層(５)にアルミ粘着テープが良好に接着して、空調設備との接続を長期に亘って安定的に維持することができる。 - 特許庁

The structural element (1) for the solar cell panel including at least one dielectric layer (3) includes a conductive means (5) contacting with the dielectric layer (3), and an electric connection means (9) for connecting the conductive means (5) to a grounding part of the structure.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１つの誘電体層（３）を含む太陽電池パネルの構造要素（１）に関し、この構造要素は、上記誘電体層（３）に接触する導電手段（５）と、導電手段（５）を上記構造のアースに接続するための電気的接続手段（９）とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The connecting element is a conductive sheet having conductivity in a pressurized direction consisting of a conductive material coated with an insulating layer, that is an insulation coating particle, and a binder, on either or both faces of which, an insulating adhesive layer with a lower fusion viscosity at connection than the above sheet is formed.例文帳に追加

導電材料が絶縁層で被覆された絶縁被覆粒子である導電材料とバインダとよりなる加圧方向に導電性を有する導電性シートの片面または両面に、前記シートより少なくとも接続時の溶融粘度が低い絶縁性の接着剤層を形成した接続部材。 - 特許庁

When discontinuity occurs in the source signal line 6, as a disconnected source signal line 6 is connected in the order of the conduction layer 16 to the connection electrode 8 to TFT 3 to the source signal line 6 by electrically connecting the conduction layer 16 and the TFT 3 by radiation of a laser beam and separating a gate electrode, discontinuity can be prevented.例文帳に追加

ソース信号線６に断線が生じた場合、導電層１６とＴＦＴ３をレーザー照射により電気的に接続させ、ゲート電極を分離させることにより、断線したソース信号線６は、導電層１６→接続電極８→ＴＦＴ３→ソース信号線６と接続されるので、断線を回避することができる。 - 特許庁

To provide wiring substrate having an electronic component such as an IC chip mounted on a major surface of a main body of the substrate having a core insulating layer, which facilitates connection between terminals such as power and grounding terminals and through-hole conductors formed in the core insulating layer.例文帳に追加

コア絶縁層を有する配線基板本体の主面側にＩＣチップなどの電子部品を搭載する配線基板において、電子部品の端子と接続する接続端子のうち、電源端子や接地端子などの端子とコア絶縁層に形成するスルーホール導体との接続を容易とした配線基板を提供すること。 - 特許庁

A plurality of second housing parts 42 which house electric wires in a state connected to each first housing part 16 of a sheath tube and surrounded by a shield layer and third housing parts 44 which communicate with each second housing part 42 and house in a lot the electric wires surrounded by the shield layer are provided in a connection member 40.例文帳に追加

接続部材４０には、鞘管の各第１収容部１６に接続されてシールド層に包囲された状態の電線を個別に収容する複数の第２収容部４２と、各第２収容部４２と連通して前記シールド層に包囲された電線を一括して収容する第３収容部４４とが設けられている。 - 特許庁

In addition, since the extension electrode 431 is electrically connected with a high voltage wiring 432 outside of the inner wall of the protection member 442, an operation for connecting the extension electrode 431 with the high voltage wiring 432 is allowed in a condition that the protection member 442 surrounds the photoconductive layer 404 to suppress deterioration of the photoconductive layer 404 even in the connection operation.例文帳に追加

また、延長電極部431は、保護部材442の内壁より外側で、高電圧線432と電気的に接続されるので、保護部材442で光導電層404を囲んだ状態において、延長電極部431と高電圧線432の接続作業が可能となるので、接続作業中においても光導電層404の劣化を抑制できる。 - 特許庁

The second thermal contraction tube 13 is used in a double tube comprising a thermal melting adhesive 25 of an inner layer and a thermal contraction tube 26 of an outer layer 26, covers connection parts of the first thermal contraction tube 12, the lead terminals 15a and 15b, the cable core wires 16b and 16c, and the ends of a cable outer covering 27.例文帳に追加

第２の熱収縮チューブ１３は、内層の熱溶融接着剤２５と、外層の熱収縮性のチューブ２６とからなる二重チューブが用いられ、温度感知素子１１、第１の熱収縮チューブ１２、リード端子１５ａ，１５ｂとケーブル芯線１６ｂ，１６ｃとの接続部およびケーブル外被２７の端部を被覆する。 - 特許庁

Here, by press-fitting the circuit board 10 to the circuit board 6, the conduction part 8a is laminated and embedded in the insulating layer 3 together with the conduction part 5a, and a connection part 11 is formed in the insulating layer 3 by the conduction part 8a and the conduction part 5a, to electrically connect the circuit board 10 and the circuit board 6.例文帳に追加

ここで、回路基板１０を回路基板６に圧着することにより、導電部８ａは導電部５ａとともに絶縁層３内に積層して埋設され、導電部８ａと導電部５ａとは絶縁層３内で接続部１１を形成し、回路基板１０と回路基板６とを電気的に接続している。 - 特許庁

Mutual cable conductors 21b, 21a of a water barrier cable 20b, having a water-barrier layer and a non-water barrier cable 20a having no water-barrier layer, are compressively connected by a conductor connection pipe 1 to a partition 1a, and an insulating cylinder 31 is mounted astride between cable insulating layers 23b, 23a of both the cables 20b, 20a.例文帳に追加

遮水層を有する遮水ケーブル２０ｂと遮水層を有しない非遮水ケーブル２０ａのそれぞれのケーブル導体２１ｂ、２１ａ同士を隔壁１ａ付き導体接続管１で圧縮接続すると共に両ケーブル２０ｂ、２０ａのケーブル絶縁層２３ｂ、２３ａ間に跨がって絶縁筒３１を取り付ける。 - 特許庁

A side packaged type printed circuit board includes: the circuit board having a surface and a side surface which adjoin each other; an inner circuit covering a portion of the surface of the circuit board; and a first side electrical connection pad electrically connected to the inner circuit and located in the same additional layer as the inner circuit where solder bumps 224 and 226 are formed on a metal protective layer 222.例文帳に追加

互いに隣接する表面と側面を有する回路基板と、前記回路基板の前記表面の一部を覆う内部回路と、前記内部回路に電気接続され、前記内部回路と同一の追加層に位置する第一サイド電気接続パッドを含み、金属保護層２２２にはんだバンプ２２４，２２６を形成する。 - 特許庁

A semiconductor element comprises: a first substrate having a transistor layer where transistors are formed; a second substrate having a metal wiring layer where metal wiring is formed; and a connection electrode for electrically connecting the transistors formed on the first substrate to the metal wiring formed on the second substrate.例文帳に追加

実施例に係る半導体素子は、トランジスタが形成されたトランジスタ層を備える第１基板と、金属配線が形成された金属配線層を備える第２基板と、前記第１基板に形成されたトランジスタと前記第２基板に形成された金属配線とを電気的に連結する連結電極と、を含む。 - 特許庁

A portion between a ground conductor layer of the microstrip line on the substrate end for inputting/outputting signals and a lower-most ground conductor layer of the multilayer substrate is grounded by forming castellation structure to hold a transmission mode of the microstrip line up to the substrate end and suppress unnecessary radiation generated due to differences of connection routes of the ground.例文帳に追加

信号入出力基板端のマイクロストリップ線路のグランド導体層と、多層基板の最下層のグランド導体層との間を、キャスタレーション構造を形成することにより接地することで、基板端までマイクロストリップ線路の伝送モードを保持し、グランドの接続経路差により生じる不要放射を抑制する。 - 特許庁

The signal lines 9a/9b of the first wiring layer are connected to the signal connection pad of the second wiring layer by signal vias 13 as piercing vias, and the signal lines 9a/9b are each provided with a signal line tapered portion 16 formed near the signal vias 13 so that its line width gradually becomes wider toward the signal vias 13.例文帳に追加

第一配線層の信号線路９ａ・９ｂと第二配線層の信号接続パッドは、貫通ビアである信号ビア１３によって接続され、信号線路９ａ・９ｂは、信号ビア１３の近傍で信号ビア１３に向けて徐々に線幅が広くなるように形成された信号線路テーパ部１６を備える。 - 特許庁

Cuts 11 are made in a pressure-sensitive adhesive layer 15b of the both-sided adhesive tape 15 at the same positions as the cut lines 12 and the sheet pieces 3 are cut and separated from the connection piece 16, so that the pressure-sensitive adhesive layer 15b is cut and separated through the cuts 11 and also peeled off the separators 15a at the same time.例文帳に追加

その両面テープ１５の粘着層１５ｂに、前記切目線１２と同一位置の切れ込み１１を設け、前記シート片３を前記連結片１６から切り離すことにより、粘着層１５ｂが前記切れ込み１１を介して切り離されるとともに同時に前記セパレータ１５ａから剥離されるようにする。 - 特許庁

To improve solder the connection reliability and adhesion between metal layers and a resin-insulating layer, even when the heat dissipation characteristics are improved and the difference in the coefficient of thermal expansion between a heating element 1 and a first metal layer 3 is large in a wiring board, on at least one surface of which electric wiring is provided and the heating element is mounted.例文帳に追加

少なくとも片面に電気配線を有し、発熱部品を実装した配線板において、放熱特性を向上させ、かつ、発熱素子１と第１金属層３の熱膨張率差が大きい場合にも、はんだ接続信頼性および金属層と樹脂絶縁層との密着性を向上させる。 - 特許庁

The conductor layer 13 is formed on a first substrate 15, the wireless tag chip section 14 is mounted on a second substrate 16, and the conductor layer 13 and wireless chip section 14 are electrically connected across a step between the first substrate 15 and second substrate 16 by an inter-substrate connection path 22 formed of a conductive paste material.例文帳に追加

導体層１３は第１基板１５に形成され、無線タグチップ部１４は第２基板１６に搭載され、導電性ペースト材によって形成される基板間接続路２２によって第１基板１５と第２基板１６と段差を乗り越えて、導体層１３と無線タグチップ部１４とが電気的に接続される。 - 特許庁

A first metallic layer containing pads 14 electrically connected to the integrated circuit 12, second metallic layers 22 projected in a height higher than the first metallic layer without an electrical connection to the integrated circuit 12, and insulating layers 26 coating the first and second metallic layers except for the pads, are formed to the chip 1.例文帳に追加

半導体チップ1には、集積回路12に電気的に接続されたパッド14を含む第１の金属層と、集積回路12に電気的に接続されずに第１の金属層よりも高く突起した第２の金属層22と、パッドを避けて第１及び第２の金属層を覆う絶縁層26とが形成されている。 - 特許庁

The wiring 112b of these is formed of the same layer as the scanning lines in a display area, and the wiring 181b is formed of the same layer as the TFT barrier film in the display area, therefore, although both wiring 112b, 181b are singly of high resistance, they are reduced in resistance in parallel connection.例文帳に追加

このうち、配線１１２ｂは、表示領域における走査線と同一層からなるものであり、配線１８１ｂは、表示領域におけるＴＦＴのバリア膜と同一層からなるものであるので、両配線１１２ｂ、１８１ｂは単独では高抵抗であるが、並列接続することにより低抵抗化を図る。 - 特許庁

When a reinforcement insulation layer 10 of a cable connection part is bridged, gas mixture of nitrogen gas and oxygen gas is supplied to the inside of a metallic mold for bridge 19 as a pressure gas in order to enhance the cumyl alcohol which is generated by a bridging agent contained in the reinforcement insulation layer 10 being decomposed to be secondarily decomposed by oxygen gas.例文帳に追加

ケーブル接続部の補強絶縁層１０を架橋する際、架橋用金型１９内に加圧ガスとして窒素ガスと酸素ガスの混合ガスを供給することで、補強絶縁層１０に含まれる架橋剤が分解して生成したクミルアルコールを酸素ガスによって２次分解することを促進することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which it is possible to suppress the generation of a notch at the bottom of a through-hole in an insulating layer during the formation of the through-hole on a semiconductor substrate and to reduce the deterioration in electrical insulating properties and poor connection of the through-hole to a wiring layer, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板に貫通孔を形成する際の、貫通孔の底部での絶縁層のノッチの発生を抑制し、絶縁層のノッチによる電気的絶縁性の低下や貫通孔の配線層の接続不良を低減することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a conductive connecting material having a laminate structure of a resin composition layer containing a resin component and a metal layer, which enables excellent electric connection between connecting terminals opposing each other and high insulation reliability between adjacent terminals.例文帳に追加

本発明の目的は、対向する接続端子間において、良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることを可能にする、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と金属層の積層構造を有する導電接続材料の製造方法を提供することである。 - 特許庁

A thick film circuit component comprises: an insulated substrate 11; and thick film electrode wiring 12 disposed on the substrate, and the thick film electrode wiring 12 includes a bonding connection of an aluminum wire overlapping an Ag-Pt thick film 12a disposed in a lower layer, and an Ag-Pd thick film 12b disposed in an upper layer.例文帳に追加

絶縁性基板１１と、該基板上に配置された厚膜電極配線１２とを備えた厚膜回路部品であって、前記厚膜電極配線１２は、下層に配置されたＡｇ−Ｐｔ系厚膜１２ａと上層に配置されたＡｇ−Ｐｄ系厚膜１２ｂとを重ねた、アルミワイヤのボンディング接続部を含むものである。 - 特許庁

In a circuit board for mounting a semiconductor where a semiconductor device is flip-chip mounted, (1) an inner layer pattern 61 is provided for even connection between a bump 5 and a surface pattern P at an inner layer below the surface pattern P of a circuit board 3 connected with the bump 5 formed at flip chip 1.例文帳に追加

半導体デバイスをフリップチップ実装する半導体実装用回路基板において、 フリップチップ１に形成されたバンプ５が接続する回路基板３の表面パターンＰ下の内層に、該バンプと該表面パターンとを均一に接続させるための内層パターン６１を設けた半導体実装用回路基板。 - 特許庁

In the state in which one end of the coaxial cable 24ai is supported by a connection substrate 20, having a conductive layer 20G, an outer conductor 24I thereof is connected to the conductive layer 20G, and an internal conductor 24C of the coaxial cable 24ai is connected directly to the lower end of the contact terminal 14ai in the IC socket 10.例文帳に追加

同軸ケーブル２４ａｉの一端が導電層２０Ｇを有する接続基板２０に支持されるもとで、その外部導体２４Ｉが導電層２０Ｇに接続され、かつ、同軸ケーブル２４ａｉの内部導体２４ＣがＩＣソケット１０におけるコンタクト端子１４ａｉの下端に直接的に接続されるもの。 - 特許庁

Since the end part of the insulating coat layer 4 is covered and overlapped by the anisotropic conductive adhesive layer 5 from the upper outer side and adhesion and connection are performed using a portion including this part, probability of a crack or a severance of wire occurring in the conductive pattern 3 is reduced even when stress such as bending is applied.例文帳に追加

絶縁性皮膜層４の端部を異方導電性接着剤層５で上方外側から被覆してこれらを重ね合わせ形成し、この部分を含む箇所を用いて接着・接続するので、折り曲げ等の応力が作用しても、導電パターン３にクラックや断線の発生する確率が低くなる。 - 特許庁

To provide a method for substrate treatment which obtains successful connection between lower layer Cu wiring and upper layer Cu wiring in a damascene method by simultaneously carrying out reduction treatment to an oxidized Cu exposure surface and degassing an SOD film by the same process in spite of reducing wiring resistance by using the SOD film.例文帳に追加

本実施形態の基板処理方法によれば、ＳＯＤ膜を用いて配線抵抗の低減化を図るも、酸化したＣｕ露出表面の還元処理及び当該ＳＯＤ膜の脱ガスを同一工程で同時に実行し、ダマシン法における下層Ｃｕ配線と上層Ｃｕ配線との間の良好な接続を実現する。 - 特許庁

When a wiring groove and a connection hole are formed by etching in the porous insulating film employed as the inter-layer insulating film, a permeation-preventive film 22 is formed on only the surface of the porous insulating film 20 exposed in an opening 21a of a mask layer 21 to prevent permeation into an antireflective film 23 and a resist 24.例文帳に追加

層間絶縁膜として採用するポーラス絶縁膜２０に配線溝と接続孔をエッチング加工する際に、マスク層２１の開口２１ａに露出したポーラス絶縁膜２０の表面上にのみ浸透防止膜２２を形成することで、反射防止膜２３やレジスト２４の浸透を防止する。 - 特許庁

The channel layers 2a, 2b comprise a prescribed conductivity type, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b, which form pn junctions with each channel layer 2a, 2b under a gate electrode 7, respectively, are formed, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b are electrically connected by a connection layer 5.例文帳に追加

チャネル層２ａ，２ｂは、所定の導電型を有し、ゲート電極７下における各チャネル層２ａ，２ｂとｐｎ接合をそれぞれ形成する少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂが形成され、少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂは、接続層５により電気的に接続されている。 - 特許庁