「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

The piezoelectric layer 5B is formed with two through holes 9B for connecting upper and lower electrodes 6B electrically, a through hole 10B for connecting the upper and lower electrodes 6A electrically, and a connection pattern 11B connected electrically with the through hole 10B.例文帳に追加

圧電体層５Ｂには、上下の電極６Ｂ同士を電気的に接続する２つのスルーホール９Ｂと、上下の電極６Ａ同士を電気的に接続するスルーホール１０Ｂと、スルーホール１０Ｂと電気的に接続された接続用パターン１１Ｂとが形成されている。 - 特許庁

Two electrodes 5, 5 are formed to have a connection section 11 that is along a rear 1b of the resistor 1 and is connected to the rear 1b, and an extension section 13 for radiating heat extended along the side of the resistor 1 and along the surface of the insulating layer 3.例文帳に追加

２つの電極５，５は、抵抗体１の裏面１ｂに沿い且つ裏面１ｂに接続される接続部１１と、抵抗体１の側面に沿い且つ絶縁層３の表面に沿うように延びる放熱用延長部１３とをそれぞれ有するように形成する。 - 特許庁

One part of the metallized layer 6 for connection, which remains on the outer peripheral side surface 1b of the insulation substrate 1, functions as a shock absorbing member for absorbing shock whereby the generation of cracks or cutouts on the insulation substrate 1 can be prevented even when the insulation substrates are collided hard against each other.例文帳に追加

絶縁基体１の外周側面１ｂに残った接続用メタライズ層６の一部が衝撃吸収用の緩衝材として機能し、絶縁基体１同士が激しく衝突しても絶縁基体１にクラックや欠けが発生することを防止できる。 - 特許庁

By constructing the connection studs of a magnetic material, they can be constructed in the same manufacturing processes used to manufacture various magnetic structures of the write head such as a magnetic forming layer 308 and/or back-gap layers 310, 332.例文帳に追加

接続スタッドを磁性材料で構成することによって、磁気整形層３０８および／またはバックギャップ層３１０，３３２など、書込みヘッドの様々な磁気構造を製造するのに使用されるのと同じ製造工程で、磁性スタッドを構成することができる。 - 特許庁

Further, there is provided a method of connection of the planar element which includes, as an important step, passing of the adhesive agent flowing through cut-outs of the contact layer, whereby, the planar element of one-side adhesiveness is changed into the planar element of both-side adhesiveness.例文帳に追加

さらに、本発明は、重要なステップとして、接触層の切欠を通る接着剤の通過を含み、それにより片面接着性の平面要素を両面接着性の平面要素に変える、この平面要素の結合のための方法を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that the resin of a lower layer is softened by a heat generated in a flip chip mounting step, in an electrode pad of an interposer substrate that is formed on the external electrode of an electronic device to receive an Au stud bump, for the electrode pad to sag, resulting in connection failure or degradation of reliability.例文帳に追加

電子デバイスの外部電極上に形成されたＡｕスタッドバンプを受けるインターポーザー基板の電極パッドは、フリップチップ実装工程の熱によって下層の樹脂が軟化するため、電極パッドが沈み込み、接続不良や信頼性の低下が発生する。 - 特許庁

Then a sensor cover 24 is placed on the image sensor chip 2, and the sensor cover configures a shutter mechanism comprising: two transparent electrodes; a liquid crystal layer placed between the transparent electrodes; and a shutter mechanism for which an external connection section to apply a voltage to the transparent electrodes.例文帳に追加

そして、センサカバー２４がイメージセンサチップ２の上に載置され、このセンサカバーは、２枚の透明電極と透明電極間に位置する液晶層と、前記透明電極に電圧を印加するための外部接続部から構成されるシャッター機構を構成している。 - 特許庁

A thin-film capacitor wherein a metal oxide of perovskite crystal structure is used as a dielectric layer is formed on a first substrate, which is then transferred on a second substrate where an electronic circuit is formed, for patterning and electric connection of the thin-film capacitor.例文帳に追加

ペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物を誘電体層とする薄膜コンデンサを第１の基板上に形成し、その後、電子回路が形成された第２の基板上に転写した後、上記薄膜コンデンサのパターニング、電気的な接続を行う。 - 特許庁

To provide a high performance thin film transistor that is not only applicable to a structure where a high mobility and low molecule organic semiconductor material is used but also small in connection resistance between source-drain electrodes and an organic semiconductor layer while maintaining the good transistor characteristics.例文帳に追加

移動度の高い低分子系の有機半導体材料を用いた構成にも適用可能で、かつトランジスタ特性が良好でありながらもソース／ドレイン電極と有機半導体層との間の接続抵抗が小さく高性能な薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents the generation of air bubbles between upper metal layers for wiring when laminating a dry film resist to form a columnar electrode on the upper surface of a connection pad in the upper metal layer for wiring by electrolytic plating.例文帳に追加

配線用上部金属層の接続パッド部上面に柱状電極を電解メッキにより形成するためのドライフィルムレジストをラミネートするとき、配線用上部金属層間への気泡の発生を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric layer 5A is formed with two through holes 9A for connecting upper and lower electrodes 6A electrically, a through hole 10A for connecting upper and lower electrodes 6B electrically, and a connection pattern 11A connected electrically with the through hole 10A.例文帳に追加

圧電体層５Ａには、上下の電極６Ａ同士を電気的に接続する２つのスルーホール９Ａと、上下の電極６Ｂ同士を電気的に接続するスルーホール１０Ａと、スルーホール１０Ａと電気的に接続された接続用パターン１１Ａとが形成されている。 - 特許庁

The anode electrode 22 and cathode electrode 23 on the lower surface of the connection board 2 are disposed adjacent to each other, and a solder resist layer 26 is formed in a trench portion between the electrodes so that the same is not in contact with at least either of the anode electrode and cathode electrode.例文帳に追加

接続板２の下面の、陽極電極２２と陰極電極２３は近接して配置され、これらの電極の間の溝部に、陽極電極と陰極電極の少なくとも一方とは接触しないように半田レジスト層２６を形成する。 - 特許庁

When the semiconductor device 21 is bonded onto a circuit board, the columnar electrodes are connected with connection terminals on the circuit board through solder balls 33, and the dummy electrodes for reinforcement are connected with dummy terminals on the circuit board through the solder layer 34.例文帳に追加

そして、この半導体装置２１を回路基板上に接合した場合、柱状電極が半田ボール３３を介して回路基板上の接続端子に接続され、補強用ダミー電極が半田層３４を介して回路基板上のダミー端子に接続される。 - 特許庁

A pair of terminal electrodes 22 formed adjacent to both the short sides of the ceramic substrate 2 makes continuity with a pair of connection electrodes 21 on the upper surface of the substrate via inner wiring, and makes continuity with a side wiring layer 28 via a corner electrode 22c.例文帳に追加

セラミック基板２の両短辺に近接して形成されている一対の端子電極２２は、基板上面の一対の接続電極２１と内部配線を介して導通しており、また、コーナー電極２２ｃを介して側面配線層２８に導通している。 - 特許庁

A ferroelectric memory comprises a plug, a ferroelectric capacitor, which is formed above the plug and consists of an upper electrode, a lower electrode and a ferroelectric held between the upper electrode and the lower electrode, and a barrier layer covering a connection surface between a plug and a lower electrode.例文帳に追加

強誘電体メモリは、プラグと、プラグの上方に形成され、上部電極、下部電極、および上部電極と下部電極の間に挟まれた強誘電体とから成る強誘電体キャパシタと、プラグと下部電極との接続面を覆うバリア層とを含む。 - 特許庁

To provide a wiring board where the connection between the electrode of a built-in electric part and an inside wiring layer can be performed easily, and also the wiring to electrically connect the electrode with an IC chip mounted on the first main surface can be made short, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

内蔵した電子部品の電極と内部の配線層との接続が容易に行えると共に、上記電極と第１主面上に搭載するＩＣチップとを導通する配線も短くし得る配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the barrel part 26 is caulked, tight attachment is made with a shield layer 13 to generate electric continuity and connection, and the projections 27 formed on the barrel part 26 bite into the shield wire 10 from the opposing sides so that the terminal metal fitting 20 is held by the shield wire 10.例文帳に追加

バレル部２６がかしめられると、シールド層１３に密着して導通接続されると共に、バレル部２６に形成した一対の突起２７，２７がシールド電線１０に相反する方向から食い込んで、端子金具２０がシールド電線１０に保持される。 - 特許庁

The conducive electric connection part 4 is so provided on the stress reducing layer 3 in the through-hole 2 as to close a lower surface opening 21, electrically communicating the lower surface 10 with the upper surface 11 of the substrate 1.例文帳に追加

一方、電気接続部４は、導電性を有し、スルーホール２において、応力緩和層３上に設けられるとともに、下面開口２１を閉塞するように設けられているものであり、基板１の下面１０及び上面１１の導電領域と導通する。 - 特許庁

(1) This three-dimensional knitted fabric comprising front and back two knitted fabric layers and connection yarns for connecting the knitted fabrics is characterized by using cellulosic yarns having a stretching/elongation (SB) of ≥4 % after treated in boiling water in at least one of the two layer knitted fabrics.例文帳に追加

(1) 表裏二層の編地と該編地を連結する連結糸からなる立体編物であって、該二層編地の少なくとも片側の編地に、沸水処理後の伸縮伸長率（ＳＢ）が４％以上であるセルロース系繊維を用いたことを特徴とする立体編物。 - 特許庁

To propose a light-emitting device or the like by which a sealing distance from the end face of a sealing layer to a light-emitting element or the like can be sufficiently secured, even if a terminal for external connection exists in the outer periphery in a light-emitting element panel having a closely sealed structure.例文帳に追加

ベタ封止構造を有する発光素子パネルにおいて、外周部に外部接続用端子部が存在する場合であっても、封止層の端面から発光素子等までの封止距離を充分に確保することができる発光装置等を提案する。 - 特許庁

A lower layer circuit pattern 16, including a connecting pad 6, is formed on the main surface of a core substrate 11, a via hole bottom strengthening pad 7 is formed on this connection pad 6, and a via hole 5 reaching the via hole bottom strengthening pad 7 is formed on an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

コア基板１１の主面に接続パッド６を含む下層の回路パターン１６が形成され、この接続パッド６上にビアホール底強化パッド７を形成され、層間絶縁膜１０にビアホール底強化パッド７に達するビアホール５が形成されている。 - 特許庁

Arranging a unique electrical connection means to insulating adhesive films (4, 8, 12) arranged between a substrate (2) and a lowest layer semiconductor element (6), and between semiconductor elements, together with each semiconductor element itself, avoids the necessity of the wire-bonding method.例文帳に追加

各半導体素子自体と共に、基板（２）と最下層半導体素子（６）との間及び各半導体素子間に配設されている絶縁性接着フィルム（４、８、１２）に、独特な電気的接続手段を配設することによって、ワイヤーボンディング方式の必要性を回避する。 - 特許庁

In a circuit apparatus, a projection 60 projecting in a thickness direction is provided on the upper surface of and the lower surface of a conductive pattern 11 of a metal core layer, and an interlayer connection for making wiring layers conduct to each other is provided on a region in which the projection 60 is provided.例文帳に追加

回路装置では、金属コア層である導電パターン１１の上面および下面に厚み方向に突出する突出部６０を設けており、この突出部６０が設けられた領域に、各配線層同士を導通させる層間接続部を設けている。 - 特許庁

By such a connection, a gate insulating film 8 can be prevented from being broken due to the charge-up of the n-channel MISFET in the logical section, and all channels on the upper layer formed in the following steps can be used for wiring in the cell or between the cells.例文帳に追加

この接続により、論理部のｎチャネルＭＩＳＦＥＴのチャージアップによるゲート絶縁膜８の破壊を防ぐことができ、さらに後の工程において形成される上層の配線のチャネルを全てセル内またはセル間の配線に用いることができる。 - 特許庁

First type band-shaped coil conductor patterns 11a, 11b and 11c and via holes 21, 22, 23 and 24 for an inter-layer connection constitute spiral sections wound in one turn or more respectively at the places of virtual surfaces S1 and S2 vertical in the direction of the coil axis of the coil L1.例文帳に追加

第１種の帯状コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと層間接続用ビアホール２１，２２，２３，２４は、コイルＬ１のコイル軸の方向と垂直な仮想面Ｓ１，Ｓ２の位置で、それぞれ１ターン以上周回する渦巻き部を構成している。 - 特許庁

An integral part of the metallic filter 2, the solder invasion prevention layer 3, and the rear metal unit 4 is pressurized by laminating the resin slide member 1 on a surface of the metallic filter 2 after raising temperature up to temperature exceeding a melting point of resin to impregnate resin in the metallic filter 2 for connection.例文帳に追加

金属フィルター２とロウ侵入防止層３と裏金４の一体品を、樹脂の融点以上の温度に昇温後、金属フィルター２の表面に樹脂系摺動部材１を積層し、加圧して、樹脂を金属フィルター２に含浸して結合する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which a faulty connection in a storage capacitor element caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to conductive contamination or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

In a solder ball 100 formed on a surface of a connection terminal 41 on a printed circuit board 40, a surface of the solder core 10 that is partially deposited on the board 41 is coated with a solder layer 20 having a lower melting point than that of a solder core 10.例文帳に追加

プリント配線板４０等の接続端子４１の表面に形成されたはんだボール１００であって、前記接続端子４１に一部が溶着されたはんだ核１０の表面に該はんだ核１０よりも溶融温度の低いはんだ層２０を被覆した。 - 特許庁

Current poured from the p-type pad 24 is conducted to flow a into pn-connection region, while detouring the resistor region 20 and light released from the light emitting layer 16 is discharged to the outside of the device through the transparent electrode 22 without being shielded by the p-type pad 24.例文帳に追加

ｐ型パッド２４から注入された電流は抵抗領域２０を迂回するようにｐｎ接合領域に流れ、発光層１６から放出された光はｐ型パッド２４に遮蔽されることなく透明電極２２を介して外部に放出される。 - 特許庁

The conductor wiring pattern is formed on a base insulating layer 1 by plating so as to be formed by a plurality of wirings 5 each having a shape in which a center 7 rises against both side ends 8 of a widthwise direction, and the connection terminals 5 are connected to bump electrodes of a semiconductor element.例文帳に追加

ベース絶縁層１の上に、導体配線パターンを、幅方向の両側端部８に対して中央部７が盛り上がる形状の複数の配線５からなるように、めっきにより形成し、この接続端子５と半導体素子のバンプ電極とを接続する。 - 特許庁

The wiring group has a structure where connection is switched so that wiring on the starting end side of J-th (J is the integer satisfying K<J≤N) wiring position is routed to wiring of the terminating end side of (J-K)th wiring position in a wiring layer above an arrangement region of the buffer circuit.例文帳に追加

配線群は、バッファ回路の配置領域の上層の配線層において、第Ｊ（Ｊは、Ｋ＜Ｊ≦Ｎを満たす整数）の配線位置の始端側の配線が第Ｊ−Ｋの配線位置の終端側の配線に接続替えされて配線される構造を有する。 - 特許庁

To establish an electrical connection between a capacitive element, which includes a capacitive film comprising an upside ferroelectric or highly dielectric material, and a contact plug, by converting a predetermined region of a hydrogen barrier film into a conductive hydrogen barrier layer, without etching a fine contact hole in the hydrogen barrier film which resists microprocessing.例文帳に追加

微細加工が困難な水素バリア膜を微小コンタクトホールエッチングすることなく、所定領域のみ導電性水素バリア層として上部の強誘電体または高誘電体からなる容量膜を含む容量素子とコンタクトプラグとを電気的に接続する。 - 特許庁

The third wiring layer includes a fifth wiring 17a located in the upper part of the first element region 1a, and a sixth wiring 17b located in the upper part of the second element region 1b and electrically connected to the third wiring 11b via the conductive pattern 14b for connection.例文帳に追加

第３配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第５配線１７ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて接続用導電パターン１４ｂを介して第３配線１１ｂに電気的に接続する第６配線１７ｂを具備する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the faulty connection in a storage capacitor element as caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to a conductive foreign material or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

The contact 11 has single layer of insulating board 13 formed with an opening part 14 at a position corresponding to the bump 21, a compaction part 24A to be connected to the bump 21 and a contact part 12A arranged in the insulating board 13 so that the connection part 24A is positioned inside of the opening part 14.例文帳に追加

そして、コンタクタ11を、バンプ21との対応位置に開口部14が形成された単層の絶縁基板13と、バンプ21が接続される接続部24A 及びこの接続部24A が開口部14の内部に位置するよう絶縁基板13に配設されるコンタクト部12A とを有した構成する。 - 特許庁

To enhance a shielding effect for an electromagnetic wave by making the shielding effect be obtained over a long period of time from a wafer stage to after completion and avoid an influence of the electromagnetic wave sufficiently, while avoiding an event that a connection electrode is connected to a shielding layer.例文帳に追加

接続電極が遮蔽層に接続される事態を回避しつつ、ウェハの段階から完成後に至るまでの長期間にわたり電磁波の遮蔽効果が得られるようにすることで遮蔽効果を高め、電磁波の影響を十分に回避できるようにする。 - 特許庁

In order to impart directivity during growth of plating, a hydrophobic surface repelling electroless plating liquid is formed for the protective film 12 and the electroless Ni plating layer 13 is self-deposited selectively in the direction directly above the electric connection area.例文帳に追加

メッキ成長時に指向性を持たせるために、保護膜１２に対し無電解メッキ液を寄せ付けない疎水化表面が構成され、この無電解Ｎｉメッキ層１３は、選択的にこの電気的接続領域の直上方向へ自己析出させた構成となっている。 - 特許庁

The thin film capacitor includes a pair of electrodes facing each other in the same plane on a support substrate, a dielectric layer located between the pair of electrodes in the same plane, and connection electrodes for packaging each connected with the pair of electrodes.例文帳に追加

薄膜キャパシタは、支持基板上の同一平面内で互いに対向する一対の電極と、前記同一平面内で前記一対の電極の間に位置する誘電体層と、前記一対の電極の各々に接続される実装用の接続電極とを備える。 - 特許庁

A laminate body is formed by laminating a reinforcing plate 4 via an adhesive layer 3 on one surface of a silicon wafer 2 wherein an integrated circuit and a connection terminal are formed, and when it is diced and divided into IC chips, laser is used to dice at least the reinforcing plate.例文帳に追加

集積回路及び接続端子が形成されたシリコンウエハ２の片面に接着層３を介して補強板４を貼り合わせた積層体形成し、これをダイシングして、ＩＣチップに個片化する際に、少なくとも補強板のダイシングにレーザを用いる。 - 特許庁

To obtain coin-shaped electric double-layer capacitor and coin-shaped battery and method of manufacture which are manufactured easily and are highly reliable by improving a connection of wrapping case which is made so that pressure is not applied to the internal electrode material, and the internal volume of the container is enlarged.例文帳に追加

内部の電極材料に圧力がかからないように外装ケースの接合を改善し、容器内の内容積を拡大した、製造が容易で、信頼性の高いコイン形電気二重層キャパシタおよびコイン形電池およびその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide an integrated circuit manufacturing device and its method and program, for easily executing the change of wiring connection in manufacturing an integrated circuit by arranging cells configured of the combination of a plurality of logic circuits with prescribed array configurations, and integrating them into multi-layer wiring.例文帳に追加

複数の論理回路を組にしたセルを所定の配列形態をもって配置し、多層配線化する集積回路の作製において、配線接続の変更が容易に実行できる集積回路作製装置およびその方法、並びにプログラムを提供する。 - 特許庁

Even when a source bus line or a drain wiring line in the data wiring layer 20 is short-circuited to the metal wire 31 through a conductive foreign matter or the like depositing in a manufacturing process, electric connection between the source bus line and the drain wiring line can be cut or prevented by the discontinuity 32.例文帳に追加

データ配線層２０のソースバスラインまたはドレイン配線と金属線３１とが、製造工程で付着した導電性異物などを介して短絡した場合にも、切れ目３２によりソースバスラインとドレイン配線との電気的接続が切断ないし阻止される。 - 特許庁

A metal pattern (e.g. terminals) on the outermost surface of an incorporated LSI has a plurality of arbitrary shapes, and at least one connection of the metal pattern and the wiring layer of an incorporating substrate is arranged to deviate from the arrangement of array in order to facilitate withdrawal of incorporated wiring.例文帳に追加

内蔵されたＬＳＩの最表面の金属パターン（端子等）を複数の任意形状とし、内蔵配線の引き出しが容易となるように、金属パターンと内蔵基板の配線層との接続部を少なくとも１つの接続部がアレイ配置から逸れた配置とする。 - 特許庁

In the combination layer 32, the granular bodies can be prevented from spilling outside through vent holes 22a by the connection material 28 connecting the granular bodies 26 with each other even when the diameter of the granular bodies 26 is equal to below the diameter of the vent holes 22a.例文帳に追加

混合層３２においては、繋材２８が粒状体２６相互同士を結合することにより、粒状体２６の直径が通気口２２ａの直径以下であったとしても、粒状体２６が該通気口２２ａを介して外部に漏れることが防止される。 - 特許庁

In the manufacturing method of the connection structure 1 according to the invention, the minimum melting viscosity at 60-100°C of the anisotropic conductive material layer of the laminate before the temporary crimp is made 3000 Pas or more and at 20000 Pas or less.例文帳に追加

本発明に係る接続構造体１の製造方法では、上記積層体を仮圧着する前の上記積層体における上記異方性導電材料層の６０〜１００℃での最低溶融粘度を、３０００Ｐａ・ｓ以上、２００００Ｐａ・ｓ以下にする。 - 特許庁