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「connection layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索
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connection layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3007



例文

To provide a manufacturing method with a high yield suppressing a defect at a multi-layered connection position in manufacturing a multi-layer POP structure semiconductor device by multi-layering the semiconductor device in the state of a multiple patterning wiring substrate package, and thereafter cutting it by collective cutting.例文帳に追加

多数個取り配線基板実装パッケージの状態で多層化し、その後、一括切断による個片化をおこなって多層POP構造半導体装置を製造するとき、多層化接続個所での欠陥を抑止した、高歩留りでの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive layer provided with the function of an antenna conductor and to install a coupling electrode without exerting influence to be optical interference in a glass area not coated with a decoration frame that is an area to see through, while maintaining originally advantageous capacitive coupling between an antenna connection conductor and the conductive layer.例文帳に追加

アンテナ導体の機能を有する導電層(5)を備えており、アンテナ接続導体と導電層との間で本来有利な容量結合を維持しながら、装飾枠によって被覆されないガラス領域すなわち透かして見るための領域に、光学的に妨げとなる影響を与えないで結合電極を設置できるように構成した自動車用のアンテナ付きガラスを提供する。 - 特許庁

Wiring layers 31 and 34 are formed on the electronic component 41 and the plate-like integrated frame 51, respectively; the electrical resistance is measured using the wiring layer 34 formed on the plate-like integrated frame 51 as an inspection electrode, for conductive inspection; and based on the result, the electrical state of connection between the electric component 41 and the wiring layer 31 is determined.例文帳に追加

電子部品41上、及び板状一体枠51上には、それぞれ配線層31,34が形成されており、板状一体枠51上に形成された配線層34を検査用電極として電気抵抗を測定することにより、その導通検査を行い、さらに、その結果に基づいて、電子部品41と配線層31との電気的な接続状態を判定することができる。 - 特許庁

In the outer peripheral surface of an inside rubber layer 4 in a pressure-proof hose body 2, the outer peripheral surface portion over a predetermined longitudinal range L from a hose fastening portion for a connection metal fitting 3 or its neiborhood toward downstream of the ready-mixed concrete pressure feeding direction is circumferentially wound at pedetermined pitch intervals P with a colored tapelike body 7 having different hue from the inside rubber layer 4.例文帳に追加

耐圧ホース本体2における内面ゴム層4の外周面で、接続用口金具3に対するホース締結部位またはその近傍から生コンクリート圧送方向の下流側に向けて所定の長さ範囲Lに亘る外周面部分に、内面ゴム層4とは異なる色相を有する有色テープ状体7を周方向に所定のピッチ間隔Pで巻き付けている。 - 特許庁

例文

In the substrate connection structure, a flexible wiring board 29 having wiring patterns 32a and 32b formed thereon and an element substrate 21 having an electro-optical element formed thereon are joined with an adhesive layer 27 therebetween, and the flexible wiring board 29 has a bend portion 40 bending toward the element substrate 21, and a part of the adhesive layer 27 is stored in the bend portion 40.例文帳に追加

配線パターン32a、32bが形成された可撓性配線基板29と、電気光学素子が形成された素子基板21と、が接着層27を介して接合された基板接続構造体であって、可撓性配線基板29は、素子基板21の側方に屈曲部40を有し、当該屈曲部40は接着層27の一部を収容することを特徴とする。 - 特許庁


例文

To provide a surface treatment method and a surface treating agent, with which a smear occurring in a via and the like can effectively be removed without performing treatment using permanganate and the like which is a large load to an environment and an operator and which is expensive and without etching an inner layer metal, and adhesion and connection reliability of an inner layer metal circuit and a plated metal are improved.例文帳に追加

環境や作業員への負荷が大きく高コストである過マンガン酸塩等を用いた処理を行うことなく、また内層金属をエッチングすることなく、ビア等に発生したスミアを効果的に除去し、内層金属回路とめっき金属との密着性、接続信頼性を向上させるための表面処理方法及び表面処理剤を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a microelectronic device which has a top surface wide enough to make excellent electric connection between a first electric element and a second electric element distributed to a first layer and a second layer stacked one over the other on a substrate, and also has an interconnection having a cross section small enough not to cause damage due to thermal expansion.例文帳に追加

基板上に上下に積層された第1の階層と第2の階層とにそれぞれ分配された第1の電気素子と第2の電気素子との間の良好な電気的接続を可能にするほどに広い上面を有し、かつ熱膨張に伴う損傷を生じないほどに小さな断面を有する相互配線を備えたマイクロ電子デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel, allowing easy inspection using a general-purpose tester, for determining whether electrical connection is reliably carried out between an inside face shield layer arranged in a color filter and common routing wiring on an array substrate in production of an in-plane switching liquid crystal display panel where a liquid crystal layer is held between a first substrate (the array substrate) and a second substrate (the color filter substrate).例文帳に追加

第1基板(アレイ基板)と第2基板(カラーフィルタ基板)で液晶層を挟んでなる横電界方式の液晶表示パネルの製造時に、カラーフィルターに設けられた内面シールド層と、アレイ基板上のコモン引き回し配線との電気的接続が確実になされているか否かを、汎用のテスターを用いて簡単に検査できるようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

A wiring required for high-speed operation is appropriately and easily practiced, because a block 20 for interlayer connection for connecting from the fifth uppermost level wiring layer 25 with its wiring pitch can be made wide and wiring itself wide and thick to the first lowermost level wiring layer 21 via through-holes 35 to 32 by the shortest route is automatically wired beforehand.例文帳に追加

比較的配線ピッチが広くかつ配線自身の幅が広く厚さも厚くできる最上位の第5配線層25から最下位の第1配線層21まで最短距離でスルーホール35〜32を介して接続する層間接続用ブロック20を予め備えて自動配線を行なうので、要求される高速動作のための配線を適切に容易に実施できる。 - 特許庁

例文

In a semiconductor chip 1 with an adhesive layer according to the present invention, a first semiconductor chip is arranged on an electronic component, and the first semiconductor chip and at least one area of wiring are laminated on a laminate structure, in which the wiring is pulled from an electric connection terminal provided on an upper face of the first semiconductor chip, so that they are embedded in the adhesive layer.例文帳に追加

本発明は、電子部品上に第1の半導体チップが配置されており、かつ該第1の半導体チップの上面に設けられた電気接続端子から配線が引き出されている積層構造体上に、上記第1の半導体チップと上記配線の少なくとも一部の領域とを接着剤層に埋め込むように積層される接着剤層付き半導体チップ1に関する。 - 特許庁

例文

The hybrid integrated circuit device 10 is provided with a metal substrate 11 wherein an insulating layer 17 is formed on its surface, a conductive pattern 12 formed on the surface of the insulating layer 17, a circuit element fixed onto the conductive pattern 12, and a lead 14 as an external connection means that is fixed onto the conductive pattern 12 around the metal substrate 11.例文帳に追加

本発明の回路装置である混成集積回路装置10は、表面に絶縁層17が設けられた金属基板11と、絶縁層17の表面に形成された導電パターン12と、導電パターン12上に固着された回路素子と、金属基板11の周辺部で導電パターン12に固着された外部接続手段としてのリード14とを具備する。 - 特許庁

A adhesive film for circuit connection 10 has: a conductive adhesive layer 3b containing an adhesive composition 4b and conductive particles 5; and an insulation adhesive layer 3a containing an adhesive composition 4a and not containing the conductive particles.例文帳に追加

本発明は、接着剤組成物4b及び導電粒子5を含有する導電性接着剤層3bと、接着剤組成物4aを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層3aと、を備え、絶縁性接着剤層3aの厚みTiと、導電性接着剤層3bの厚みTcとが、下記式(1)の関係を満たす回路接続用接着フィルム10に関する。 - 特許庁

There is provided a rectifying device, comprising for the purpose of protecting a diode 1, at least one heat sink 2, at least one diode 1 allocated on the heat sink, at least one protective layer 7 allocated on the diode 1 and heat sink 2 and at least one receptor 12 for connection to the protective layer 7 on this heat sink.例文帳に追加

ダイオード(1)をより良好に保護する目的で、少なくとも1つの冷却体(2)と、冷却体上に配置された少なくとも1つのダイオード(1)と、このダイオード(1)及びこの冷却体(2)上に配置された少なくとも1つの保護層(7)と、この冷却体におけるこの保護層(7)への接続用の少なくとも1つの受け口(12)とを有する整流デバイスを提案する。 - 特許庁

When a connection hole 20 corresponding to a part of the wiring layer 14 is formed in the interlayer insulating film by dry etching using a resist layer as a mask, etching is applied up to the insulating film 16b wherein sand etching tends to progress under a condition with high deposition containing no N_2, and the insulating film 16a is etched thereafter under a condition with low deposition containing N_2.例文帳に追加

レジスト層18をマスクとするドライエッチング処理により配線層14の一部に対応する接続孔20を層間絶縁膜に形成する際に、サイドエッチが進行しやすい絶縁膜16bまではN_2を含まないデポジション性の強い条件でエッチングを行い、その後はN_2を含むデポジション性の弱いい条件で絶縁膜16aのエッチングを行なう。 - 特許庁

In the substrate connection structure, a flexible wiring substrate 29 on which wiring patterns 32a, 32b are formed and an element substrate 21 on which an electrooptical element is formed are mutually joined through an adhesive layer 27, wherein the flexible wiring substrate 29 has a bent part 40 on the side of the element substrate 21, and the bent part 40 stores a part of the adhesive layer 27.例文帳に追加

配線パターン32a、32bが形成された可撓性配線基板29と、電気光学素子が形成された素子基板21と、が接着層27を介して接合された基板接続構造体であって、可撓性配線基板29は、素子基板21の側方に屈曲部40を有し、当該屈曲部40は接着層27の一部を収容することを特徴とする。 - 特許庁

Electrodes 2a-2f and 3a-3f and a wiring metal layer for connection with a photoelectric converting element are formed on both sides of the insulating substrate 1, and on the side face of a slit-like opening formed previously in the insulating substrate, and a dividing part 9 is formed by removing part of the metal layer formed on the side face of the opening selectively by machining or chemical etching.例文帳に追加

予めスリット状の開口部を形成して絶縁基板1の表裏両面及び前記開口部の側面に光電変換素子へ接続するための電極2a〜2f、3a〜3f及び配線用の金属層を形成するとともに、前記開口部側面に形成された金属層の一部を機械加工または化学エッチングにより選択的に除去して分断部9を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes, on a semiconductor surface having a necessary circuit formed thereon, at least one insulating layer having a resin composition including an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and the components of an organic filler having a primary average particle size of not larger than 1 μm, wherein a circuit using copper as a wiring conductor for interlayer connection in the same layer is formed on an optional portion.例文帳に追加

必要な回路が形成された半導体表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径1μm以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 11 having bumps 12 formed at least on the surface, a resin layer 13 sealing the surface of the semiconductor element 11 on which the bumps 12 are formed such that the forward end part of the bump 12 projects, and protrusion electrodes 90 for external connection formed at the forward end part of the bumps 12 projecting from the resin layer 13.例文帳に追加

少なくとも表面上にバンプ12が形成されてなる半導体素子11と、このバンプ12の先端部が突出するように半導体素子11のバンプ12が形成された面を封止する樹脂層13と、この樹脂層13から突出したバンプ12の先端部に形成された外部接続用突起電極90とを具備し、かつ、外部接続用突起電極90をバンプとする。 - 特許庁

To provide a seamed felt comprising a base fabric having a structure in which a woven fabric layer having connection loops disposed therein is laminated to a woven layer woven in an endless state independently of the woven fabric, which can avoid troubles such as the halfway breaking of wefts to project from a paper-making surface and the fraying of the wefts at places near to the cut ends of warps.例文帳に追加

接合ループが設けられた織物層に、これとは独立して無端状に織り上げられる織物層を重ね合わせた構造を備えた基布を有するシーム付きフェルトにおいて、有端状に仕上げるための切断作業の際に、緯糸が途中で切断されて紙形成面から突き出たり、経糸の切断端の近傍の緯糸が解れる不都合を避ける。 - 特許庁

This design support system includes: a module physical information storage part 380; a module logical information storage part 370; a required specification selection input reception means 332; a use module determination means 338; a physical arrangement processing means 334 performing physical arrangement processing for determining arrangement of a use module in a bulk layer; and a logical connection processing means 336 performing logical connection processing between the use modules.例文帳に追加

設計支援システムであって、モジュール物理情報記憶部380と、モジュール論理情報記憶部370と、要求仕様選択入力受け付け手段332と、使用モジュール決定手段338と、使用モジュールのバルク層における配置を決定する物理的配置処理を行う物理的配置処理手段334と、使用モジュール間の論理的接続処理を行う論理的接続処理手段336とを含む。 - 特許庁

There are provided a connection pad 12 formed on a semiconductor substrate 11, a wire 21 electrically connected with the connection pad, a columnar electrode 22 electrically connected with the wire, a resin core 31 formed on the surface of the columnar electrode, solder 32 formed on the columnar electrode around the resin core and covering the resin core, and a sealing layer 26 formed on the semiconductor substrate around the electrode.例文帳に追加

半導体基板11上に形成された接続パッド12と、接続パッドと電気的に接続された配線21と、配線と電気的に接続された柱状電極22と、柱状電極の表面に形成された樹脂コア31と、樹脂コアを覆い、樹脂コアの周囲における柱状電極上に形成された半田32と、電極の周囲における半導体基板上に形成された封止層26と、を備える。 - 特許庁

This organic electroluminescent display panel is composed of a board containing a display panel region comprising a plurality of organic electroluminescent elements comprising a plurality of display electrodes and an organic substance layer laminated each other, and a conductive connection line electrically connected to electrodes formed in a region surrounding the display panel region on the board, and the connection line is given a lower resistance compared with the electrodes formed on the display panel region.例文帳に追加

有機エレクトロルミネセンス表示パネルは、各々が積層された複数の表示電極及び有機材料層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の複数からなる表示パネル領域を含む基板と、基板上の表示パネル領域を囲む領域に形成された電極に電気的に接続された導電性の接続ラインと、からなり、接続ラインは表示パネル領域上に形成された電極に比して低抵抗とした。 - 特許庁

To provide a pretreatment liquid for promoting starting of electroless palladium plating reaction for forming a film of uniform thickness by suppressing non-formation of electroless palladium plating film formed on a plated body functioned as a protective layer for an electroless nickel plating alloy film or reduction in thickness, an electroless plating method using the same, a connection terminal, a semiconductor package using the connection terminal, and its manufacturing method.例文帳に追加

無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a laminated ceramic electronic part includes a pattern formation step to form a plurality of conductor patterns and a connection pattern for connecting the conductor patterns on the same layer with each other by using thin-film formation method, a lamination step to stack ceramic green sheets wherein the conductor patterns and the connection pattern are formed, and a cutting step to cut a laminated body formed in the lamination step.例文帳に追加

複数の導体パターンと、同一層上の各導体パターンどうしを連結する連結パターンとを、薄膜形成法を用いてセラミックグリーンシート上に形成するパターン形成ステップと、前記導体パターン及び前記連結パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層する積層ステップと、前記積層ステップで得られる積層体を切断する切断ステップとを含む積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of obtaining high connection reliability by connecting all bumps definitely, and a member for a circuit substrate for the same without causing a big deformation by a pressure unevenness in the bump series formed on an electronic part to the member for the circuit substrate in which highly precise connection pattern excellent in the dimensional accuracy is formed by laminating a flexible film on a reinforced plate through an organic layer.例文帳に追加

可撓性フイルムを有機物層を介して補強板に貼り合わせた、寸法精度に優れた高精度な回路パターンを形成した回路基板用部材に、電子部品上に形成されたバンプ列に圧力ムラによる大きな変形を引き起こすことなく、かつ確実に全てのバンプを接続させることで高い接続信頼性が得られる方法とそのための回路基板用部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a connection mode control apparatus or the like in a network capable of continuing reproduction processing or the like in a node being a subordinate node of a node whose function is stopped without interruption even when the function of the node belonging to a higher-order layer in the tree-structure network is stopped.例文帳に追加

ツリー構造のネットワークにおいて上位階層に属するノードの機能が停止した場合でも、その停止したノードの下位にあったノードにおける再生処理等を中断することなく継続させることが可能なネットワークの接続態様制御装置等を提供する。 - 特許庁

To provide a heat conduction plate high in radiation and conduction and high in earth connection reliability by electrically connecting an earth pattern and a radiation plate at the arbitrary position of the insulation layer inside of the heat conduction board, its manufacturing method and a power module enabling miniaturization and high density.例文帳に追加

熱伝導基板の絶縁層内部の任意の位置で接地パターンと放熱板を電気的に接続することにより、放熱性や導電性が高く、アース接続信頼性が高い熱伝導基板とその製造方法及び小型高密度化が可能なパワーモジュールを提供する。 - 特許庁

Next, by electrolytically plating copper using the backing metal layer 11 as a plating current path, a columnar electrode composed of a lower columnar electrode 12a and an upper columnar electrode portion 12b is formed on the connection pad portion of the wire 8 in the opening 10 of the overcoat film 9.例文帳に追加

次に、下地金属層11をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、オーバーコート膜9の開口部内10における配線8の接続パッド部上に下部柱状電極12aおよび上部柱状電極部12bからなる柱状電極を形成する。 - 特許庁

Such an embedded and fixed bonding pad provides both of a conductive pad and a nonconductive pad, which are used for the connection of the integrated circuit as a method for preventing the release of a layer or peel-off phenomenon due to the influence of tensile stress existing in the bonding pad, giving contact reliability.例文帳に追加

このように埋没固定されたボンディングパッドは、ボンディングパッドに存在する引張りストレス影響下で層離脱や剥離現象を防止する方法として集積回路の連結のために使われる導電性及び非導電性パッドどちらにもコンタクト信頼性を提供する。 - 特許庁

To suppress unevenness in the thickness of a metal wiring film thickness constituted by laminating a substrate film prepared by sputtering and an Au plating layer formed by a low temperature film forming process on the substrate film on the surface of a sealing substrate to form connection with a driving circuit for driving an actuator substrate in a liquid droplet discharge head.例文帳に追加

液滴吐出ヘッドにおいて、アクチュエータ基板を駆動する駆動回路と接続するために封止基板表面に、スパッタによる下地膜と、その上に低温成膜プロセスであるAuめっきを重ねて構成される金属配線の膜厚ムラの発生を抑制する。 - 特許庁

In the high-temperature structure having a panel 4 on one face 4b of which a circuit consisting of pipes for admitting a fluid is mounted, an outside wall of each pipe is covered with a high heat transfer textile layer 3 to form a thermal connection portion resistant to mechanical distortion.例文帳に追加

内部に流体が流れる管(2)からなる回路を装着する一方の面(4b)を有するパネル(4)を有する高温構造体内において、機械的な歪みに耐える熱的接続部を提供するために、管の外側壁が、それぞれの高熱伝達性テキスタイル層(3)内に被覆される。 - 特許庁

Thus the toilet bowl-side fixing member 5 and the floor-side fixing member 9 are stuck and fixed to each other via the flexible adhesive layer 7, and therefore even if a vertical force or a horizontal force is applied to the floor surface 8, connection between the fixing members is maintained with flexibility.例文帳に追加

これにより便器側固定部材5と床側固定部材9とは、軟質粘着材層7を介して粘着・固定されているため、床面8に対して、上下方向、平行方向の力がかかった場合でも、柔軟性を持って互いの接続を維持することができる。 - 特許庁

A ring-like second seal ring contact part 32 comprising a peripheral part of a second plating resist film 28 for forming a columnar electrode 10 is formed inside a plating connection terminal 8a on the upper surface of a base material metal layer 8 formed over the entire surface on a semiconductor wafer 21.例文帳に追加

半導体ウエハ21上の全面に形成された下地金属層8の上面においてメッキ用接続端子部8aの内側には、柱状電極10形成用の第2のメッキレジスト膜28の周辺部からなるリング状の第2のシールリング接触部32が形成されている。 - 特許庁

A lid is provided with conductive layers circularly surrounding liquid holes each corresponding to each cell, and the conductive layers are each integrally structured in a direction of electric connection to be connected with a negative electrode terminal, so that static electricity is absorbed through the conductive layer to have breakage due to ignition prevented.例文帳に追加

蓋に、セル毎に対応する液口を有し、液口の周囲を環状に囲む導電層を設け、導電層はセルの電気的接続方向へ一体に構成され負極端子に接続されることで、静電気を導電層を介して吸収し、引火による破損を防止する。 - 特許庁

A physical layer processing circuit 30 of an interface circuit includes: a synchronization determination circuit 32 for generating a detection signal SG1 when a synchronization lost is detected; and a timer 35 for outputting a state transition suppression signal SG3 to a connection management state machine 31 in accordance with the detection signal SG1.例文帳に追加

インターフェース回路の物理層処理回路30は、同期ロストの発生を検出したときに検出信号SG1を生成する同期化判定回路32と、検出信号SG1に応じてステート遷移抑止信号SG3を接続管理ステートマシン31に出力するタイマ35とを備える。 - 特許庁

The material for a type of electron or hole transport layer includes at least a type of conjugate structure and at least a type of connection structure.例文帳に追加

本発明は一種の電子或いは正孔輸送層材料を提供し、それは少なくとも一種類の共役構造と少なくとも一種類の連接構造を包含し、そのうち上述の連接構造は、以下のグループ、即ち、ウレタンと尿素構造中のいずれか或いはその任意の組合せとされる。 - 特許庁

A conductor layer makes a facial electric connection between the supply point Vp and the points A1, A2 to be supplied, and non-conduction parts 5, 6 carry out adjustment so that the shortest distance between the supply point Vp and the point A1 to be supplied is equal to the shortest distance between the supply point Vp and the point A2 to be supplied.例文帳に追加

導電層は、供給点Vpと被供給点A1、A2の間を面で電気的に接続すると共に、非導電部5、6により、供給点Vpから被供給点A1、A2の各々までの電流の流れる最短距離を等しくなるように調整する。 - 特許庁

The outside surface of an undulating tube 11, which is a tube body having a plurality of convex parts 11a and concave parts 11b formed thereon one after another in the tube axis direction, is plated with a metal coating layer 12, and a connection part 11c connecting the adjacent convex parts 11a is formed in a portion of the concave part 11b.例文帳に追加

複数の山部11a、谷部11bを管軸方向に交互に形成した管本体としての波付き管11の外表面を金属被覆層12で被覆しており、谷部11bの一部に、隣接する山部11a,11a同士を接続する接続部11cを形成している。 - 特許庁

To reduce possibility of giving damage to an electrode of a semiconductor element and to improve reliability of connection between a projected structure and the electrode of semiconductor element in a semiconductor module in which a wiring layer, an insulating resin, and a semiconductor element are laminated in such a manner as burying the projected structure in the insulating resin.例文帳に追加

突起構造を絶縁樹脂に埋め込むようにして配線層、絶縁樹脂および半導体素子を積層した半導体モジュールにおいて、半導体素子の電極にダメージを与えるおそれを低減し、かつ突起構造と半導体素子の電極との接続信頼性を向上させる。 - 特許庁

To simply and reliably connect an extra-thin metal back surface electrode layer on a glass substrate that cannot be soldered easily and has low mechanical strength to a ribbon wire at low cost, and to prevent strain or damage caused by a difference in a thermal expansion coefficient between the glass substrate and a connection material.例文帳に追加

ハンダ付けし難く、かつ機械的強度が低いガラス基板上の極薄の金属裏面電極層とリボンワイヤとの接続を、低コストで、簡単かつ確実に行うと共に、ガラス基板及び接続材料間の熱膨張係数の差による歪み又は破損を防止する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board manufacturing method capable of efficiently manufacturing a multilayer wiring board on which all layers are conductively connected by inter-layer connection bodies, capable of preventing laminates from being easily peeled off or turned up from a temporary fitting base material, having a high handling property, and forming guide holes.例文帳に追加

全層が層間接続体で導電接続された多層配線基板を効率良く製造することができ、仮着用基材から積層物の剥がれやメクレが生じにくく、ハンドリング性が良好で、ガイド孔を設けることが可能な多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, an interlayer insulation film is formed to cover an isolation region, the Si active layer region, the gate electrode and the sidewall, and a contact hole for electrical connection is made in the interlayer insulation film at a position on the border line of the isolation region and the silicide film.例文帳に追加

次に、前記の素子分離領域,Si活性層領域,ゲート電極,サイドウォールを覆うように層間絶縁膜を形成した後、その層間絶縁膜に対し素子分離領域とシリサイド膜との境界線上の位置で電気的接続用のコンタクト孔を開孔する。 - 特許庁

Next, the NiFe magnetic layer 13 on the bottom surface of the connection hole 30 and the groove 31 for wiring, and on the surface of an interlayer insulating film 11 is selectively removed by varying the film-forming condition with the use of the identical NiFe chamber of the identical PVD device.例文帳に追加

次に、同一のPVD装置の同一のNiFeチャンバを用いて、成膜条件を変更することにより、接続孔30及び配線用溝31の底面上及び層間絶縁膜11の表面上におけるNiFe磁性層13を選択的に除去する。 - 特許庁

Since heat conduction from a heat tool to the electronic element can be retarded upon mounting of the flip chip, fluidization or setting of the electronic device adhesive layer 4 formed in the electronic element during transportation of the electronic element can be retarded and thus mounting of the electronic element can be realized with a high electric connection reliability.例文帳に追加

フリップチップ実装時にヒートツールから電子素子への熱伝導を遅らせることができるので、電子素子の搬送中に電子素子に形成された電子デバイス用接着層4の流動化や硬化を遅らせることができ、電気的接続信頼性の高い電子素子の実装を実現する。 - 特許庁

To provided a bonding structure of a bonding wire, which is adapted to solve the problems of conventional technologies in practical applications of a multiple layer copper bonding wire for improving formation performance and bonding performance of a ball section, and to enhance the bonding strength of wedge connection, while attaining superior industrial productivity, and to provide a method of forming such a bonding structure.例文帳に追加

複層銅ボンディングワイヤの実用化における従来技術の問題を解決して、ボール部の形成性、接合性を改善し、ウェッジ接続の接合強度を高め、工業生産性にも優れたボンディングワイヤの接合構造及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、電流源接続用の第1パッド1と、一端が、第1パッド1に接続され、他端が、基板20と同じ導電型の拡散層21を介して基板20に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第2パッド2及び第3パッド3とを具備する。 - 特許庁

There is provided the semiconductor device which includes a conductive metal pattern having a semiconductor element connected thereto and in which they are sealed with a sealing material, wherein the conductive metal layer pattern is partly protruded and exposed in the thickness direction on the side opposite to the connection surface of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子が接続されている導電性金属層パターンを含み、これらが封止材により封止されている半導体装置において、半導体素子接続面と反対側で導電性金属層パターンが厚さ方向で一部突出して露出している半導体装置。 - 特許庁

To provide a conductive material using silver oxide with excellent conductivity after a heating treatment, as well as excellent adhesiveness to a base material, suitable for an inter-layer connection by filling of a through-hole and production of a metal silver image by screen printing.例文帳に追加

本発明の課題は、加熱処理後の導電性が良好であり、かつ同時に基材への接着性も良好な、貫通孔の充填による層間接続やスクリーン印刷による金属銀画像の作製に好適な、酸化銀を用いた導電材料を提供することである。 - 特許庁

The conductive layer 30 includes a first overlapping section 36 overlapping the first wiring 24, a second overlapping section 38 overlapping the second wiring 26, and a connection section 40 for connecting the first overlapping section 36 to the second overlapping section 38 between the first overlapping section 36 and the second overlapping section 38.例文帳に追加

導電層30は、第1配線24と重なる第1重複部36と、第2配線26と重なる第2重複部38と、第1重複部36と第2重複部38の間で第1重複部36及び第2重複部38を接続する接続部40と、を含む。 - 特許庁

例文

The plurality of relay connection bodies 51 are arranged between the first base body 11 and the second base body 21, in contact with the plurality of current-collecting electrodes 41 and a translucent conductive layer 14, so as to electrically connect the both 41, 14.例文帳に追加

複数の中継接続体51は、第1基体11及び第2基体21間に配置され、複数の集電電極41及び透光性導電層14に対して接触することで、複数の集電電極41と透光性導電層14とを導通させる。 - 特許庁




  
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