「deposition rate」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing an electronic component for executing Cu plating of high film deposition rate even when a Cu-plated film is formed on the surface of an electrode of the electronic component without using any power source or without performing any catalyst treatment.例文帳に追加

電子部品の電極表面に対し、電源を用いず、かつ触媒処理も行わずＣｕめっき皮膜を形成する場合においても、成膜速度の高いＣｕめっきを可能とする電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, by applying electroless plating treatment to the substrate 11 in which the first substrate layer 13A and the second substrate layer 13B are formed, the film deposition rate in the first region D1 is made higher than that in the second region D2.例文帳に追加

よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film solar cell capable of increasing the input of high-frequency power to enhance a film deposition rate of a photoelectric conversion layer, and increasing photoelectric conversion efficiency of the thin film solar cell up to a high value.例文帳に追加

高周波電力の入力を上げて光電変換層の成膜速度を増加させ、かつ薄膜太陽電池の光電変換効率を高い値にすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for controlling scan is characterized by inputting waveform data for making the molten surface flat to MPU 11, based on the molten surface of the vapor deposition material obtained by scanning of the electron beam by the use of a generally used triangular wave having a constant scan rate.例文帳に追加

一般的に用いられているスキャン速度が一定の三角波により電子ビームをスキャンして得られる蒸着材料の溶融面を基にした、溶融面が平坦となる波形データをＭＰＵ１１に入力する。 - 特許庁

To provide a method for forming a deposition film, which can form a reaction film in a satisfactory bottom-coverage rate even on a substrate with a groove of a high aspect ratio and a hole and even on a substrate with a low heat-resistance such as a resin substrate, regardless of material of the substrate.例文帳に追加

アスペクト比の高い溝、及びホールを有する基板に基板の材質を問わず、例えば樹脂基板のような耐熱性の低い基板にボトムカバレッジ率よく反応膜を成膜できる堆積膜形成法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and a device for obtaining a galvanized wire having excellent surface property by using foam as a refrigerant in solidifying molten zinc when manufacturing the galvanized wire having a zinc deposition rate of ≥300 g/m^2.例文帳に追加

３００ｇ／ｍ^２以上の亜鉛付着量を有する亜鉛めっき線製造時に、溶融亜鉛を凝固させる際に、冷媒として泡沫を使用し、良好な表面性状のめっき線を得るための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This hydrophobic polymer-fixed Lewis acid catalyst is constituted so that a metallic Lewis acid group is deposited connectively on an aromatic ring of a hydrophobic macromolecule consisting mainly of an aromatic polymer at a deposition rate in which the metallic Lewis acid group is controlled through a SO_3 group.例文帳に追加

芳香族重合体を主とする疎水性高分子の芳香族環にＳＯ_3基を介して金属ルイス酸基が制御された担持率で結合担持されていることを特徴とする疎水性高分子固定化ルイス酸触媒とする。 - 特許庁

Consequently, a high quality photovoltaic element having excellent uniformity and reduced defects can be produced by forming a semiconductor thin film while satisfying contradictory purposes of high deposition rate and high film quality at high level.例文帳に追加

よって、高堆積速度および高膜質という相反する目的を高いレベルで両立させて半導体薄膜を形成し、高品質で優れた均一性を有し、欠陥の少ない光起電力素子を生産することが可能となる。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a sputtering system by which sputtering particles are less liable to be diffused to the region other than a substrate, thus a film deposition rate can be improved, and further, the utilization efficiency of a target material can be improved.例文帳に追加

スパッタ粒子が基板以外の領域に発散し難くでき、これにより成膜速度を向上させることができ、さらにターゲット材の利用効率を向上させることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of raising an operation rate of the apparatus, by arranging a means for removing a film forming material deposited on a deposition shield and a substrate mask, and by extending a repairing cycle for the sputtering apparatus, and to provide a method.例文帳に追加

防着板や基板マスクへ付着する成膜材料を除去する手段を設け、スパッタリング装置の補修周期を高めることで、前記装置の稼働率を上げることが可能なスパッタリング装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a particulate-dispersed thin film in which the dispersing precision of the particles is high, the deposition rate is high, the fine adjustment of the compositional control is possible, and the latitude of design increases, and to provide a thin film production method.例文帳に追加

微小粒子を分散させた薄膜形成において、その薄膜中の微小粒子の分散精度がよく、堆積速度が速く、組成コントロールの微調整が可能で設計自由度が増加する薄膜及び薄膜製造方法。 - 特許庁

This vapor deposition apparatus has a flow-rate control device 6 for individually controlling amounts of a spouted gas to a plurality of sectioned regions by which a plurality of gas-spouting holes in a shower head 14 are concentrically sectioned from the center part toward the outer perimeter.例文帳に追加

シャワーヘッド１４における複数のガス噴出孔を中心部から外周に向かって同心に区画した複数の領域に対して、ガスの噴出量を個別に制御する流量制御装置６が設けられている。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus in which the stability of the production system is improved and the rate of operation of the apparatus is enhanced by improving the durability of a vacuum seal of a rotary shaft to rotatably support a holder to hold a substrate.例文帳に追加

堆積膜形成装置において、基板を保持するホルダーを回転可能に支持する回転軸シャフトの真空シール耐久性を向上させ、それによって生産システムの安定性向上、装置稼働率向上を図る。 - 特許庁

A synthetic quartz glass preform 4 is manufactured by manufacturing a quartz glass fine particle deposited body by controlling at least one of a hydrogen gas flow rate, an exhaust pressure and a depositional surface temperature so that the growth rate fluctuation in the growth axial direction during soot deposition becomes less than ±5%, and intercalating the fine particle deposited body into a sintering furnace B and sintering the body.例文帳に追加

スス付け中の成長軸方向での成長速度変動が±５％以内になるように、水素ガス流量、排気圧、及び、堆積面温度の少なくとも１つを制御して石英ガラス微粒子堆積体を製造し、この微粒子堆積体を焼結炉Ｂに挿入、焼結して合成石英ガラス母材４を製造する。 - 特許庁

The thin film deposition method for forming the thin films consisting of oxide on the surfaces of the substrates by forming a gaseous mixture containing monomer gas and oxidative reaction gas to plasma comprises forming the gaseous mixture to the plasma while changing a supply rate ratio of the monomer gas to the reaction gas in such a manner that the supply flow rate ratio includes at least a specific range.例文帳に追加

モノマーガスと、酸化性の反応ガスとを含有する混合ガスをプラズマ化し、基材の表面に酸化物からなる薄膜を形成する薄膜成膜方法において、前記反応ガスに対する前記モノマーガスの供給流量比が少なくとも特定範囲を含むように、前記供給流量比を変化させながら混合ガスをプラズマ化する。 - 特許庁

During the arc start period, the changes of the wire feed rate and the welding voltage are synchronously and continuously controlled, and the welding voltage corresponding to the wire feed rate is applied for the predetermined time to realize the excellent arc starting property, and to reduce production and deposition of spatter without any unstable arc immediately after the arc starts.例文帳に追加

アークスタート期間において、ワイヤ送給速度と溶接電圧との変化を同期するように連続的に制御し、さらにワイヤ送給速度に対応付けられた溶接電圧を所定時間の長さ印加することにより、アークスタート性を良化させ、スタート直後のアーク不安定を起こすことなくスパッタの発生およびスパッタの付着を低減する。 - 特許庁

The thickness of the phosphore layer is measured using laser displacement gauges 20a-20f or the like during film forming, heat generation of crucibles 50a-50f is adjusted by a heating control means 24 in response to the measurement result, and the deposition rate every crucible is controlled.例文帳に追加

成膜中にレーザ変位計２０ａ〜２０ｆ等を用いて蛍光体層の膜厚を測定し、その測定結果に応じて、加熱制御手段２４によりルツボ５０ａ〜５０ｆの発熱を調整して、ルツボ毎の蒸着レートを制御する。 - 特許庁

To easily and inexpensively manufacture an excellent silicon wafer which is increased in an oxygen deposition rate without addition of special equipment or process steps, is enhanced in the IG ability of the contaminated atoms in the silicon wafer and can be handled in the same manner as the conventional polished silicon wafer.例文帳に追加

特別な装置または工程を付加することなく酸素析出量を増やし、シリコンウエーハ中の汚染原子のＩＧ能力を高め、かつ従来のポリッシュドウエーハと同様に扱える優れたシリコンウエーハを簡単かつ安価に製造する。 - 特許庁

To form a microcrystalline semiconductor having high quality which can be directly formed at or lower than 500°C over a large substrate with high productivity, without causing reduction in deposition rate, and to provide a photoelectric conversion device which employs the microcrystalline semiconductor as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

堆積速度を低下させることなく、５００℃以下で直接形成される良質な微結晶半導体を大面積基板に生産性良く形成し、当該微結晶半導体を光電変換層とする光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond-like carbon film which is lowered in a coefficient of friction and is raised in hardness by a method of small surface roughness and little in lowering of a deposition rate by sputtering.例文帳に追加

表面粗さが小さく、自己スパッタによる成膜レートの低下が少ない方法で、摩擦係数を低下させ、且つ硬度を上昇させたダイヤモンド状炭素被膜を形成することができるダイヤモンド状炭素被膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

An optical detector coupled to an optoelectric sensor which receives light through a mask with an aperture is used to monitor a physical dimension of the deposit, and a feedback controller (104) adjusts a laser in accordance with an electrical signal, thereby controlling the rate of material deposition.例文帳に追加

穴付きマスクを通して光を受け取るオプトエレクトリックセンサに接続された光学検出手段を使用して、付着物の物理的寸法を監視し、そしてフィードバックコントローラ(104)は、電気信号に基づいてレーザを調整し、材料付着率を制御する。 - 特許庁

To provide a vacuum film deposition system where deterioration and corrosion caused by cleaning treatment in a heating mechanism such as a heater in a chamber are prevented without requiring temperature control upon the cleaning, working time accompanying temperature control is made needless, and reduction in the working rate therein is suppressed.例文帳に追加

チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。 - 特許庁

In the second condition, the deposition gas including silicon or germanium and hydrogen are supplied to the process chamber while periodically increasing or decreasing the flow rate ratio therebetween, and the pressure in the process chamber is set to 1333 Pa or more and 13332 Pa or less.例文帳に追加

第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比を周期的に増減させながら処理室に供給し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

To provide a plasma CVD system and a plasma CVD method, by which controllability of film quality can be improved restraining ion damage to a thin film and the thin film of excellent uniformity in a film thickness can be deposited, even at a high film deposition rate.例文帳に追加

薄膜へのイオンダメージを抑制し、膜質の制御性を向上することができ、高速成膜時においても膜厚均一性に優れた薄膜を形成することができるプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ方法を提供する。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of the semiconductor circuit device includes a step of forming a second film by depsositing a TiN film by the chemical vapor phase deposition method (CVD) with a flow rate of tetrakis dimethylamino titanium (TDMAT) of 2 to 5 mg per minute.例文帳に追加

更に半導体回路装置の製造方法は、第１膜の上に、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）の流量を毎分２〜５ｍｇとして化学気相蒸着法（ＣＶＤ）にてＴｉＮ膜を成膜して第２膜を形成するステップとを備えている。 - 特許庁

During deposition of lubricants, by heating and holding the substrate at 80 to 140°C, compared with the case of no heating, a coupled lubricant layer is made thicker, i.e., a rate of the coupled lubricant layer with respect to the total film thickness of the lubricant layer is set higher.例文帳に追加

潤滑剤の蒸着時に、基板を８０〜１４０℃に加熱保持することによって、加熱なしと比べて結合潤滑層を厚く、すなわち潤滑層の総膜厚に対する結合潤滑層の割合を高くすることができる。 - 特許庁

To provide an air battery suppressing concentrated deposition of a discharge product by enhancing an oxygen diffusion coefficient in a nonaqueous electrolyte even during high rate operation, and obtaining high output and high capacity, and to provide an air battery stack.例文帳に追加

高負荷運転時にも非水系電解液内の酸素拡散率を向上させて放電生成物が集中的に析出することを抑制し、高出力および高容量を実現可能な空気電気と空気電池スタックを提供する。 - 特許庁

An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers.例文帳に追加

低い堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層７８をｇ−ＳｉＮ_X層７４の上に堆積して界面７６を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のａ−Ｓｉ層８０を堆積してａ−Ｓｉ層を完成させる。 - 特許庁

To obtain rainwater permeation facilities capable of preventing deposition of sediment into the rainwater permeation facilities to prevent lowering of permeable capacity extending over a long period of time, and installing a mud accumulating tank facilitating maintenance and having a high acquisition rate of sediment.例文帳に追加

雨水浸透施設内への土砂の堆積を防止し、長期に渡って浸透能力の低下を防止することができ、且つ保守管理が容易な土砂の捕捉率の高い泥溜め槽を設置することで、雨水浸透性に優れた浸透施設を得る - 特許庁

The deposition-preventing layer 6 has a thin layer formed of hydrophobic wet silica particles made by imparting hydrophobicity to wet silica particles and having an average particle size of 2.0-7.0 μm, and having a uniform particle distribution in which the silica particles adhere at an rate of 0.1-1.0 g/m^2.例文帳に追加

該付着防止層６は、湿式シリカ粒子に疎水性を付与した平均粒径２．０〜７．０μｍの疎水性湿式シリカ粒子をもって該粒子の付着量が０．１〜１．０ｇ／ｍ^２である粒子分布の均一な薄い層に形成する。 - 特許庁

The deposition-preventing layer 6 has a thin layer formed of hydrophobic wet silica particles made by imparting hydrophobicity to wet silica particles and having an average particle size of 0.5-7.0 μm, and having a uniform particle distribution in which the silica particles adhere at an rate of 0.1-0.5 g/m^2.例文帳に追加

該付着防止層６は、湿式シリカ粒子に疎水性を付与した平均粒径０．５〜７．０μｍの疎水性湿式シリカ粒子をもって該粒子の付着量が０．１〜０．５ｇ／ｍ^２である粒子分布の均一な薄い層に形成する。 - 特許庁

To provide a supporting body which is nearly free from thickness unevenness of a magnetic layer and has excellent adhesiveness between a metal vapor deposition layer and the magnetic layer and by which a high density magnetic recording medium nearly free from an error rate can be obtained when especially the magnetic recording medium is formed.例文帳に追加

磁性層の厚み斑が少なく、かつ、金属蒸着層と磁性層との密着性に優れた支持体であって、特に磁気記録媒体とした際に、エラーレートの少ない高密度磁気記録媒体とすることができる支持体を提供する。 - 特許庁

To enable prevention of damage due to MAP (magnesium ammonium phosphate) scale deposition in a digestion tank or a digested sludge transfer pipe, and improvement of phosphorus recovery rate in the subsequent phosphorus recovery process by controlling a pH value during digestion treatment.例文帳に追加

消化処理におけるｐＨ値を制御することによって、消化槽あるいは消化汚泥移送管のＭＡＰスケール析出による被害をこうむることなく、また、後段のりん回収工程におけるりん回収率を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method for extending the life of a quartz oscillator used for a quartz-type thickness tester, in a thin-film-forming apparatus which employs the thickness tester to control a film thickness and a deposition rate, and to enable continuous film-forming over a long time.例文帳に追加

水晶式膜厚計により膜厚制御および成膜速度制御を行う薄膜形成装置において、この膜厚計に用いられる水晶振動子を長寿命化する方法を提供し、長時間にわたる連続成膜を可能にする。 - 特許庁

To provide a coating device capable of suppressing the film deposition rate on a small diameter tool without impairing the cleaning effect and performing the simultaneous treatment with a large diameter tool in a small diameter tool requesting a thin film small in difference between the dimensions before and after the coating.例文帳に追加

コーティング前寸法と後寸法の差が小さい薄膜が要求される小径工具において、クリーニングの効果を損なうことなく、小径工具への成膜速度を抑制し、大径工具との同時処理を可能とするコーティング装置を提供。 - 特許庁

To provide a method for forming an oxide superconductive film, which forms a thick oxide-superconductive film with high superconducting characteristics by improving a film-forming rate, in the method for forming the oxide superconductive film with the use of a laser vapor-deposition process.例文帳に追加

レーザー蒸着法を用いる酸化物超電導膜の成膜方法において、成膜速度を向上させて、高超電導特性の酸化物超電導膜の厚膜を成膜できる酸化物超電導膜の成膜方法の提供を課題とする。 - 特許庁

The first single crystal semiconductor layer is epitaxially grown to form a second single crystal semiconductor layer with the plasma chemical vapor deposition method using the silane system gas and hydrogen of 50 times or more in the flow rate ratio for the silane system gas as the raw material gas.例文帳に追加

シラン系ガスとシラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素とを原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により第１単結晶半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

The composition ratio of the rare earth element RE to copper in the precursor thin film 102 formed is made to stoichiometry of the chemical formula RE_2CuO_4 by controlling the feed rate of the rare earth element RE and copper in vapor deposition.例文帳に追加

蒸着における希土類元素ＲＥおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜１０２における希土類元素ＲＥおよび銅の組成比を、化学式ＲＥ_2ＣｕＯ_4の化学量論組成にする。 - 特許庁

To produce an electroless plating bath capable of depositing a film to form into a barrier metal layer uniformly and also at a film deposition rate higher than the conventional case even in wiring and connecting holes fined or whose aspect ratio is made high and to provide a method for depositing an electrically conductive film using the same.例文帳に追加

微細化や高アスペクト比化した配線や接続孔においても均一に、かつ従来よりも速い成膜レートでバリアメタル層となる膜を成膜できる無電解メッキ浴およびそれを用いた導電層の形成方法を提供する。 - 特許庁

When the high frequency power supplied to the antenna coil 23 is equal to or greater than 2 kW, it is possible to obtain a stable deposition rate without dependenting on the operating time of a target 30 in comparison with the case where the high frequency power is less than 2 kW.例文帳に追加

アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device which can maintain deposition speed, even at a low substrate temperature, can deposit a crystalline silicone thin film at a stable crystallization rate in the film thickness direction, can industrially put direct deposition of the crystalline silicone thin film onto a substrate to practical use and can be turned into high performance by using the silicon thin film.例文帳に追加

低い基板温度であっても成膜速度を維持して膜厚方向の結晶化率が安定した結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a practically excellent method for feeding a metallic material which can set the feed rate of the metallic material at an appropriate amount by a simple structure, stabilizes the film thickness distribution and film quality of the vapor deposition surface of an object for vapor deposition, increases the life time of a crucible, prevents the periphery of the crucible from becoming dirty, and allows easy application to existing facilities.例文帳に追加

簡易な構成で金属材料の供給量を適正量に設定することが可能で、蒸着対象の蒸着面の膜厚分布及び膜質が安定し、また、坩堝の耐用期間が長期化し、更に、坩堝の周辺が汚れ難くなり、しかも、既存設備への適用も容易な極めて実用性に秀れた金属材料供給方法の提供。 - 特許庁

Since a plasma generated in a semiconductor manufacturing apparatus is dispersed to uneven parts of the surface of the sintered compact, and the edge effect having an affect on the stability is reduced, the etching rate is stabilized in a short time and the efficiency of film deposition of the semiconductor wafer can be improved.例文帳に追加

半導体製造装置内で発生させるプラズマが焼結体の表面の凹凸部に分散されて、安定性に影響するエッジ効果を低減できるので、エッチングレートが短時間で安定し、半導体ウエハの成膜効率を向上させることが可能となる。 - 特許庁

In this way, sputtering particles can be deposited on a substrate in a state close to a metal mode without complicating the apparatus constitution, thus metal oxide having a stoichiometric value close to the theoretical one can be efficiently produced at a high thin film deposition rate.例文帳に追加

これによって装置構成を複雑にすることなく、金属モードに近い状態でスパッタ粒子を基板に被着させることができるために薄膜堆積速度が速く、且つ、化学量論的に理論値に近い金属酸化物を効率良く作製することが可能になる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an oxide-based superconductive structure capable of manufacturing a superconductive layer having a high critical temperature and high critical current density particularly in a magnetic field at a practically possible deposition rate and in a condition that there is no risk of the occurrence of a crack.例文帳に追加

臨界温度が高く特に磁場中での臨界電流密度の高い超電導層を、実用化可能な成膜速度で、かつ、割れの発生のおそれのない状態で製造可能な酸化物系超電導構造体の製造方法を提供すること。 - 特許庁