「deposition rate」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Firstly, in the preliminary heating stage before starting the film deposition work, the output of the power supply 51 is controlled so as to be consistent at a desired film deposition rate by using a crystal oscillation type film thickness meter 6.例文帳に追加

まず、成膜作業開始前の予備加熱段階は、水晶発振式膜厚計6を用いて、所望の成膜速度で安定するように電源51の出力を制御する。 - 特許庁

To solve such a problem in vapor deposition that a vapor deposited film is hardly stabilized because of an unstable deposition rate (vapor generation quantity) caused by temperature change or a material to be deposited.例文帳に追加

蒸着において温度変化や蒸着材料の変動によって蒸着速度(蒸気の発生量)が一定にならないために蒸着膜の安定化が困難である。 - 特許庁

To provide a film deposition system or the like capable of ensuring the high film deposition rate without unreasonably increasing the accuracy required for controlling the moving speed of a shielding plate and adjusting the position.例文帳に追加

遮蔽板の移動速度制御や位置調整に要求される精度をやみくもに高くすることなく、高い成膜速度を確保することができる成膜装置等を提供すること。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus, a film thickness measuring device, and a film thickness measuring system capable of consistently measuring the film thickness even when the vapor deposition rate is high or when the thickness of the film to be deposited is large.例文帳に追加

蒸着レートが高い場合や成膜する膜厚が厚い場合でも安定して膜厚を測定できる成膜装置、膜厚測定装置及び膜厚測定システムを提供する。 - 特許庁

To provide a process by which, if deposited by electron-beam deposition process, optimization of relation between splash intensity and deposition (evaporation) rate is achieved while achieving reduction of material cost and productivity improvement.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法にて蒸着しても、スプラッシュ程度と成膜（蒸発）速度との最適化を図ることができ、同時に、材料コストの低減と生産性向上とを図る。 - 特許庁

The surface layer of an a-C system is formed under a film deposition condition (area 2) that the deposition rate of the surface layer is lowered with the increase of high frequency applied power for generating plasma.例文帳に追加

ａ−Ｃ系の表面層を、プラズマ発生用の高周波印加電力の増加に伴い表面層の堆積速度が低下する成膜条件下（領域２）で形成する。 - 特許庁

To provide technique of achieving an increase of a vapor deposition rate of a titanium compound in a gaseous phase vapor deposition method without using special excitation and activation means.例文帳に追加

本発明は、特別な励起、活性化手段を用いることなく気相蒸着法におけるチタン化物の蒸着速度の増大を達成させる技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

To improve deposition rate without degrading the film thickness and characteristics of Ti film, Ti compound film, or the like, at the time of performing the sputter deposition of these films by using a Ti sputtering target.例文帳に追加

Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて、Ｔｉ膜やＴｉ化合物膜などをスパッタ成膜する際に、これらの膜の膜厚や特性などを劣化させることなく、堆積速度を向上させる。 - 特許庁

A first dependence relationship of a deposition rate of the layer on an operating parameter, selected from cathode voltage, cathode current, and cathode power, is provided prior to deposition of the layer.例文帳に追加

層の堆積に先だって、陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される動作パラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。 - 特許庁

In this method a layer composed of indium gallium nitride is formed by metal chemical vapor deposition in a range of a deposition rate of ≥0.5 μm/h and of a temperature between 800°C and 1000°C.例文帳に追加

有機金属気相成長法により、成長速度０．５μｍ/ｈ以上、温度８００℃以上１０００℃以下の範囲において窒化インジウムガリウムからなる層を形成する。 - 特許庁

In deposition of a silicon carbide film on a substrate by a CVD method, the deposition rate is controlled to control volume resistivity of the silicon carbide film.例文帳に追加

基体上に化学的気相成長法によって炭化珪素膜を成膜するのに際して、炭化珪素膜の成膜速度を制御することによって炭化珪素膜の体積抵抗率を制御する。 - 特許庁

A donor substrate 3 with an organic donor layer 13 formed at a deposition rate of 1 nm/sec or more by vacuum deposition, and a film-formed substrate 5 with a first electrode 17 formed are prepared.例文帳に追加

真空蒸着により有機ドナー層１３が蒸着レート１ｎｍ／ｓｅｃ以上で形成されたドナー基板３と、第一電極１７が形成された被成膜基板５とを用意する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a base material for film formation, which can increase a deposition rate while preventing lowering of adhesion of a polyimide coating film in vapor-deposition polymerization.例文帳に追加

蒸着重合において、ポリイミド被膜の密着力が低くなることを防止しつつ成膜速度を大きくすることができる成膜基材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve such a problem in vapor deposition that a vapor deposited film is hardly stabilized because of an unstable deposition rate (vapor generation quantity) caused by a temperature change or a material to be deposited.例文帳に追加

蒸着において温度変化や蒸着材料の変動によって蒸着速度（蒸気の発生量）が一定にならないために蒸着膜の安定化が困難である。 - 特許庁

A flow rate adjusting mechanism 10 for adjusting the amount of emission of the vapor deposition material into the vacuum chamber 1 is provided on the pipe 9 with smaller conductance out of the pipes 8, 9 with different conductance, and capable of finely adjusting the film deposition rate.例文帳に追加

蒸着材料の真空チャンバー１内への放出量を調整する流量調整機構１０は、コンダクタンスの異なる配管８，９のうちのコンダクタンスの小さい配管９に設けられ、成膜速度を微細に調整することができる。 - 特許庁

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

At this point, an a-Si layer of high quality is deposited on a g-SiNx layer at a low deposition rate to form an interface 56, and an a-Si layer of average quality is deposited thereon at a high deposition rate to have the formation of an a-Si layer 58 completed.例文帳に追加

その際は先ず低堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層をｇ−ＳｉＮ_X層上に堆積して界面５６を形成後、高堆積速度で平均的品質のａ−Ｓｉ層を堆積してａ−Ｓｉ層５８を完成させる。 - 特許庁

To provide a method for depositing a Cu film having a realistic film deposition temperature and a realistic film deposition rate and preventing the phenomenon that the reduction of migration on the surface of a Cu film occurs during film deposition, and Cu is flocculated and is grown to an island shape.例文帳に追加

半導体プロセスとして現実的な成膜温度と成膜レートを有し、成膜中にＣｕ膜表面マイグレーションの減少が生じてＣｕが凝集し、島状に成長することを防止したＣｕ膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the prescribed vapor deposition rate is maintained and the thickness of the evaporated film formed on the surface of a substrate 5 is controlled.例文帳に追加

これにより、所定の蒸着速度が維持され、基板５の表面上に形成される蒸着膜の厚さが制御される。 - 特許庁

Moreover, by using a filmy substance for a substrate and rotating the cylindrical electrode, the film deposition rate of the carbon film is improved.例文帳に追加

また、基体にフィルム状の物質を用い、円筒状の電極を回転させることで、炭素膜の成膜速度が向上する。 - 特許庁

To provide an alkaline electrogalvanizing bath giving a high plating deposition rate and excellent leveling properties and to provide a plating method.例文帳に追加

早いめっき析出速度と優れたレベリング性を与えるアルカリ性電気亜鉛めっき浴およびめっき方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the exhaust gas cleaning filter demonstrating a high capturing rate even if the PM deposition layer is not formed on the filter can be obtained.例文帳に追加

これによって、フィルタ上にＰＭ堆積層がない場合にも高い捕集率を発揮できる排ガス浄化フィルタが得られる。 - 特許庁

To provide an optical information recording medium having a more heightened film-deposition rate of a low refractive index dielectric layer and excellent productivity.例文帳に追加

低屈折率誘電体層の成膜レートがより高められた、生産性に優れる光情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

As a result, the grain growth of the catalytic metal can be avoided and the metal catalyst having high activity and the high deposition rate can be obtained.例文帳に追加

これにより、金属触媒の粒成長を避けることができ、活性、担持率ともに高い触媒を得ることができる。 - 特許庁

By this method aluminum nitride having preferred crystal orientation can be obtained at high deposition rate, and the characteristics of the layers can be improved.例文帳に追加

本発明により、好ましい結晶配向を有する窒化アルミニウムが高い蒸着速度で得られ、層の特性が改善される。 - 特許庁

Cross-talk is avoided by directing the opening part 4a when measuring the vapor deposition rate in the direction different from the substrate direction.例文帳に追加

蒸着レートを測定するときの開口部４ａを基板方向と異なる方向に向かせることでクロストークを回避する。 - 特許庁

To provide a method for producing a dielectric film by which a film deposition rate and a yield can be improved and film thickness can be more uniformed.例文帳に追加

成膜速度、収率を向上し、膜厚をより均一にすることが可能な誘電体膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this way, the supply amount and supply rate of the raw material gas are risen, and film deposition treatment is efficiently and swiftly performed.例文帳に追加

これにより、原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行う。 - 特許庁

To provide a shower head in which temperature can be controlled in accordance with film deposition conditions, and to provide a thin film production apparatus and a production method excellent in productivity and mass-productivity which enable continuous film deposition to stably be performed over a long period causing the reduced number of particles while reproducing satisfactory film deposition distribution, compositional distribution and film deposition rate.例文帳に追加

成膜条件に合わせて温度制御可能なシャワーヘッド、良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。 - 特許庁

During base operation where a target air-fuel ratio is set near stoichi, a residual rate P_s and a deposition rate R_s in the base operation are calculated with reference to a map (Step 104).例文帳に追加

目標空燃比がストイキ近傍に設定されるベース運転中である場合には、マップを参照してベース運転時の残留率P_s及び付着率R_sを算出する（ステップ１０４）。 - 特許庁

Since the thin film is deposited through thermal decomposition caused by the reaction of alcohol vapor and a precursor, the deposition rate is high and a high deposition rate can also be attained even when a β-diketone based organic metal compound is used as the precursor.例文帳に追加

また、アルコールの蒸気と前駆体との化学反応による熱分解で薄膜が蒸着されるために蒸着速度が速く、特にβ−ジケトン系の有機金属化合物を前駆体として使用する場合にも速い蒸着速度を得ることができる。 - 特許庁

With an Si target material 23 used as a target for an ECR sputter device, argon gas of flow rate 30 cc/min and an oxygen gas of flow rate 4.5 cc/min which is less than at deposition are introduced in a thin-film deposition chamber 22 for generating an ECR plasma.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ装置におけるターゲットにＳｉターゲット材２３を用い、流量が３０ｃｃ／ｍｉｎのアルゴンガス及び流量が４．５ｃｃ／ｍｉｎで堆積時よりも少量の酸素ガスを薄膜堆積室２２に導入しながらＥＣＲプラズマを生成する。 - 特許庁

To provide a method for forming an inorganic alignment film capable of suppressing the rise of an internal pressure of a chamber by ejection gas of an evaporation material and improving vapor deposition efficiency and deposition rate.例文帳に追加

蒸発材料の放出ガスによるチャンバ内圧力の上昇を抑制し、蒸着効率及び成膜レートの向上を図ることができる無機配向膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the first step, the optimum flow rate of CIF_3 gas (cleaning gas) for etching a produced film, deposited in the deposition gas nozzle 40, is supplied from the deposition gas nozzle 40 into the reactor 31.例文帳に追加

第１段階では、成膜ガスノズル４０内に堆積した生成膜をエッチングするのに最適な流量のＣｌＦ_3ガス（クリーニングガス）を、成膜ガスノズル４０より反応炉３１内に供給する。 - 特許庁

To improve a deposition rate of a microcrystalline semiconductor layer formed by a deposition method, and to improve productivity in a display device composed by a TFT of a microcrystalline semiconductor.例文帳に追加

堆積法で形成される微結晶半導体層の成膜速度を向上させ、微結晶半導体ＴＦＴにより構成される表示装置の生産性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating an optical fiber preform, capable of depositing glass particles with high deposition rate without reducing deposition efficiency and fabricating an optical fiber preform having little bubbles.例文帳に追加

ガラス微粒子の堆積効率を低下させることなくガラス微粒子の堆積速度を向上させることができるとともに、気泡の少ない光ファイバ用母材を製造可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solution serving as a raw material for organometallic chemical vapor deposition with which uniform, stable vaporization can be performed and a desired titanium-containing thin film of high purity can be obtained at a high film deposition rate, and to provide a titanium-containing thin film which has excellent barrier properties as the base of a copper thin film.例文帳に追加

均一で安定した気化が行われ、高い成膜速度で高純度の所望のチタン含有薄膜が得られる有機金属化学蒸着用の溶液原料を提供する。 - 特許庁

In this way, even when oxygen is sufficiently introduced, there is no phenomenon that an oxide mode is formed to reduce a film deposition rate as shown in ordinary sputtering, and the high speed deposition of a tungsten oxide thin film is made possible.例文帳に追加

これにより十分な酸素を導入しても通常のスパッタリングのように酸化物モードになって成膜速度が低下することはなく、酸化タングステン薄膜の高速成膜が可能となる。 - 特許庁

PROCESS FOR ADJUSTING FEED RATE IN ELECTRON-BEAM PHYSICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS, ELECTRON BEAM PHYSICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-COMPONENT CONDENSATE FREE OF LAMINATION USING THE APPARATUS例文帳に追加

電子ビーム物理蒸着装置において送り速度を調整する方法、電子ビーム物理蒸着装置、およびこの装置を用いた層状化の発生していない多成分凝縮物の製造方法 - 特許庁

Since a raw material gas contains more iodine of halogen compounds, corrosion of components of a carbon film deposition apparatus 1 can be reduced, and the film deposition rate is further increased.例文帳に追加

また原料ガスがハロゲン化合物のヨウ素をさらに含むことにより、炭素膜形成装置１の部品が腐食されることを低減できるとともに、成膜速度をさらに高めることが可能となる。 - 特許庁

To prevent functional trouble as well as an operational defect of an air flow rate adjusting lever due to deposition by eliminating the deposition of dust entering through an auxiliary air duct in a suction implement for a vacuum cleaner.例文帳に追加

電気掃除機用の吸込具において、補助空気ダクトより侵入する塵埃の堆積をなくし、堆積に伴う風量調整レバーの操作不良の防止等、機能障害も防止すること。 - 特許庁

The scan film deposition is carried out while the gas flow rate of the first gas with a low sputtering rate is always increased, and the gas flow rate of the second gas with a high sputtering rate is always reduced correspondingly to the secular change of the target shape caused by the erosion of the target 5, thus a film thickness change is prevented.例文帳に追加

ターゲット５のエロージョンに起因するターゲット形状の経時変化に対応させて、スパッタレートの小さい第１のガスのガス流量を常に増加させ、スパッタレートの大きい第２のガスのガス流量を常に減少させながらスキャン成膜を行うことで、膜厚変化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a film deposition system and a film deposition method by which exact film deposition rate of a film deposited on an object to be treated can be detected and the film thickness of the film deposited on a substrate can be uniformized based on a detected potential.例文帳に追加

非処理物に形成される膜の正確な成膜レートを検出することができ、また、検出した電位に基づいて、基板に形成される膜の膜厚を均一にすることができる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a surface inspection apparatus for an electrolytically refined metal deposition plate which photographs the surface of the metal deposition plate and automatically determines the grade of the metal deposition plate according to the sizes of nodules on the photographed surface and their distribution rate per surface.例文帳に追加

金属析出板の表面を撮影し、撮影された表面の小塊の大きさと面当たりの分布比率に応じて自動で金属析出板の等級を判定できる電解精錬された金属析出板の表面検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a catalytic chemical vapor deposition method and a catalytic chemical vapor deposition device in which the control of a substrate temperature can easily be performed without the limitation of substrate materials, the efficiency of energy is high while increasing a thin film deposition rate, and the stabilization of film performance is possible.例文帳に追加

基板材料の制約がなく、基板温度の制御が容易にでき、薄膜形成速度を増大させながらエネルギー効率がよく、皮膜性能の安定化が可能な触媒化学気相成長方法および触媒化学気相成長装置を提供する。 - 特許庁