「deposition rate」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.例文帳に追加

キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁

To provide a method for reducing, minimizing or avoiding deposition of metal or metal oxide particles on various constituents in high temperature/high flow rate water by plating one or more noble metals on the surface so as to avoid or minimize corruption on the constituents surface due to interaction between floating particles and the constituent surface.例文帳に追加

浮遊粒子と構成部品表面とが相互作用して該構成部品表面の汚損を排除又は最少化するように該表面に対して１つ又はそれ以上の貴金属を施工することによって、高温／高流量水内の様々な構成部品上への金属又は金属酸化粒子の堆積を軽減、最少化又は排除する方法に関する。 - 特許庁

To prevent a deposition rate from being lowered, in a film forming apparatus for laminating a thin film, having an isolation region for isolating atmosphere between a first treatment region which is provided along a circumferential direction of a turntable with a substrate mounted thereon and is supplied with a first reaction gas and a second treatment region to which a second reaction gas is supplied.例文帳に追加

基板を載置する回転テーブルの周方向に沿って設けられる第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、第２の反応ガスが供給される第２の処理領域とをこれら処理領域の雰囲気を分離するための分離領域とを備えた、薄膜を積層する成膜装置において、成膜速度の低下を抑えること。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a silicon carbide semiconductor device, wherein source gas can be supplied without requiring a vaporizer, production of tar components that hinders cleaning in an annealing furnace is inhibited at the low temperature part in the furnace by stabilizing the deposition rate and forming a high quality carbon film, and the quality of the silicon carbide semiconductor device is stabilized while improving the yield.例文帳に追加

ベーパライザーなしでソースガスを供給できるとともに、成膜レートを安定させ、良質なカーボン膜を形成して、アニール炉内清浄化の妨げとなる炉内低温部でのタール成分の発生を抑制し、炭化珪素半導体装置の品質の安定と歩留まりの向上を実現する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask cleaning method or a method for cleaning (peeling) the top face of a mask while cleaning (peeling) the back face in a dry cleaning system, and to provide an apparatus for producing an organic EL element having a high operation rate in which a mask can be cleaned in a short time by disposing the mask cleaning device adjoining to a vapor deposition device.例文帳に追加

本発明は、ドライ洗浄方式において、表面を洗浄(剥離)しながら裏面も洗浄(剥離)できるマスク洗浄装置または洗浄方法を提供すること、あるいは上記マスク洗浄装置を蒸着装置に隣接して設けることで短時間に洗浄できる稼働率の高い有機ＥＬ製造装置を提供することである。 - 特許庁

An oxide film present on the surface of titanium or titanium alloy as a result of an electrolytic treatment is further oxidized and the formation of a fibrin network is inhibited in a platelet deposition test using a solution, wherein the platelet count has been adjusted to 1.0×10^5 cells/μL and to which 1.96×10^-2 mol/L of calcium chloride had been added to suppress the coagulation rate.例文帳に追加

チタンまたはチタン合金に電解処理を施すことによって表面に存在する酸化被膜が更に酸化され、血小板数を１．０×１０^５cells／μＬに調整しこれに凝固速度を制御するために塩化カルシウムを１．９６×１０^−２mol／Ｌ添加した溶液を用いた血小板付着試験によりフィブリンネットワークの形成が抑制される。 - 特許庁

In advance, the correlation between the deposition rate of the thin film and ion beam current value or the like are data-tabled by an experiment, an integrated ion beam current value is calculated from the data, the type of the target and the film thickness, the calculated result is set, the ion beam current value is monitored, and, while performing subtracting from the integrated ion beam current value, the emission of an ion beam is performed.例文帳に追加

予め実験によって、薄膜の堆積速度とイオンビーム電流値との相関関係等をデータテーブル化しておき、そのデータと前記ターゲット種類、膜厚とから積算イオンビーム電流値を算出し、その算出結果を設定して、イオンビーム電流値をモニタして、積算イオンビーム電流値から減算しながらイオンビームの照射を行う。 - 特許庁

In formation of the gate insulation film formed of high dielectric metal silicate, ALD deposition is carried out by using a time for saturating a film formation rate owing to a surface adsorption reaction for an exposure time of a precursor containing a metal and the like, and using a time for setting the composition of the metal oxide film 97% or more of a stoichiometric value for an exposure time of an oxidizer.例文帳に追加

高誘電体金属シリケートからなるゲート絶縁膜の形成において、金属等を含む前駆体の暴露時間には、表面吸着反応により成膜レートが飽和する時間を用い、酸化剤の暴露時間には、金属酸化膜の組成が化学量論値の９７％以上となる時間を用いてＡＬＤ堆積を行う。 - 特許庁

In the non-coating type electrophotographic transfer paper, the base paper contains a pigment as filler having ≤0.80 g/ml bulk density by a natural deposition method based on JIS K5101 and having ≥1.10 compression rate of the transfer paper measured by a Parker Print Surf smoothness measurement instrument based on ISO 8791-4:1992.例文帳に追加

非塗工タイプの電子写真用転写紙において、基紙が填料としてＪＩＳ Ｋ５１０１に準拠する自然堆積法かさ密度が０．８０ｇ／ｍｌ以下の顔料を含み、ＩＳＯ ８７９１−４：１９９２に準拠する平滑度測定器パーカープリントサーフによって測定された該転写紙の圧縮率が、１．１０以上である電子写真用転写紙。 - 特許庁

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁

To provide a device for preventing the adhesion of reaction side products to the inside of piping which prevents the adhesion and deposition of the reaction side products to the insider of the piping for connecting a vacuum chamber and a vacuum pump for evacuating this vacuum chamber to each other and does not degrade the working rate of a semiconductor manufacturing apparatus by periodic maintenance.例文帳に追加

真空チャンバーと該真空チャンバーを排気する真空ポンプの間を接続する配管内に反応副生成物が付着堆積することなく、定期的メンテナンスによる半導体製造装置の稼動率を低下させることのない反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法を提供すること。 - 特許庁

To deposit a hard carbon film at a high film deposition rate and also at a low temperature in a method in which Ar plasma by electron cyclotron resonance is generated in a plasma generating chamber 4, the Ar plasma is applied on a substrate 9 arranged in a vacuum chamber 7, simultaneously, gaseous hydrocarbon is fed to the vacuum chamber 7, and a hard carbon film is deposited on the substrate 9.例文帳に追加

プラズマ発生室４に電子サイクロトロン共鳴によるＡｒプラズマを発生させ、該Ａｒプラズマを真空チャンバー７内に配置した基板９に照射すると同時に、真空チャンバー７に炭化水素ガスを供給して、基板９上に硬質炭素被膜を形成する方法において、高い成膜速度でかつ低温で硬質炭素被膜を形成する。 - 特許庁

To provide a polyimide film which satisfies properties of high elastic modulus, low thermal expansion coefficient, low heat shrinking rate and flatness after vapor deposition when used as a base material for a metal circuit board having a metal circuit on its surface such as a flexible printed circuit, CSP, BGA or TAB tape.例文帳に追加

その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路，ＣＳＰ，ＢＧＡまたはＴＡＢテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、低熱収縮率、および蒸着後の平面性を同時に満足したポリイミドフィルム、及びそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁

When a dielectric thin film is formed on a substrate by a chemical vapor growth method, a method of manufacturing a semiconductor device comprises the process for depositing a part of the dielectric thin film on the substrate, the process for heat-treating this dielectric thin film and moreover, the process for depositing the dielectric thin film at a deposition rate higher than that of the dielectric thin film.例文帳に追加

基板上に、化学気相成長法により誘電体薄膜を形成するときに、基板上に誘電体薄膜の一部を堆積する工程と、この誘電体薄膜を熱処理する工程と、さらに上記誘電体薄膜の堆積速度より速い堆積速度で、誘電体薄膜の堆積を行う工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To sustain separation efficiency of a high level for a long period while minimizing the deterioration of separation membranes by preventing the precipitation and deposition of scale (including carbonate) on the separation membrane surfaces of a second stage reverse osmosis membrane apparatus in particular in subjecting seawater to desalting treatment at a high recovery rate by using the reverse osmosis membrane apparatus connected in two stages.例文帳に追加

２段に接続した逆浸透膜装置を用いて海水を高回収率で淡水化処理する際に、特に第２段目逆浸透膜装置の分離膜面へのスケール（炭酸塩を含む）の析出・堆積を防止し、分離膜の劣化を最小限に抑制しつつ、長期間に亘って高レベルの分離効率を持続可能にすること。 - 特許庁

Consequently, a difference in deposition rate in the treatment chamber 10u and in the exhaust chamber 10d is reduced, and hence the precoat films formed in treatment chamber 10u and in the exhaust chamber 10d have more similar film quality and film thickness.例文帳に追加

このようにして，処理室１０ｕおよび排気室１０ｄの圧力差を小さくし，デポラジカルの状態を処理室１０ｕと排気室１０ｄとでほぼ同じ状態とすることにより，処理室１０ｕと排気室１０ｄとの成膜速度差を小さくし，これにより，処理室１０ｕおよび排気室１０ｄのプリコート膜の膜質が均一で膜厚がより等しい膜を形成することができる。 - 特許庁

This method for producing the radiation image conversion panel, comprising heating an evaporation source 3 containing a photostimulable phosphor or a photostimulable phosphor raw material in a vapor deposition apparatus 1 to deposit the produced substance on a support 11 to form the photostimulable phosphor layer, is characterized in that the filling rate of the evaporation source on the basis of the volume of an evaporation source boat is 40 to 100%.例文帳に追加

輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含む蒸発源３を蒸着装置１内で加熱して発生する物質を支持体１１上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸発源ボート容積に対する蒸発源の充填率が４０〜１００％であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an organic EL device manufacturing apparatus, method of manufacturing the same, a file forming device, or a film forming method, for precision deposition by reducing deflection of a substrate and a mask, being able to miniaturize a transportation chamber, capable of reducing generation of dust and gas in vacuum by arranging a drive part on the atmosphere side, for high productivity or operation rate.例文帳に追加

本発明は、基板やマスクの撓みを低減し高精度に蒸着できる、または搬送チャンバを小型化できる、あるいは駆動部等を大気側に配置することで真空内の粉塵やガスの発生を低減し、生産性の高いまたは稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置またはその製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。 - 特許庁

The method of forming the ITO (indium tin oxide) electrode 50 in the semiconductor device 1 includes steps for forming the electrode 50 through electron beam evaporation under a deposition rate of 1 Å/sec or higher and 5 Å/sec or lower and an oxygen pressure of 0.005-0.02 Pa and then calcining the electrode at a predetermined temperature, thereby obtaining the ITO electrode 50 of favorable quality.例文帳に追加

半導体素子１における酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の電極５０の形成方法において、電極５０を、成膜レートにつき１Å／ｓｅｃ以上５Å／ｓｅｃ以下とし、酸素圧力につき０．００５Ｐａ以上０．０２Ｐａ以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成し、良質なＩＴＯ電極５０を得た。 - 特許庁

A space between two electrode layers composed of materials selected from the groups consisting of tin, indium, aluminum, copper, chromium, titanium, iron, nickel and platinum or thin oxide or indium tin oxide whose surfaces may have oxide layers is provided with a sensitive layer composed of an organic vapor deposition film obtd. by vapor-depositing a molecular photoconducting material at a vapor depositing rate of ≤0.07 nm/sec.例文帳に追加

表面に酸化物層を有していても良いスズ、インジウム、アルミニウム、銅、クロム、チタニウム、鉄、ニッケル及び白金からなる群から選ばれる材料、あるいは酸化スズ又はインジウムチンオキシドからなる２つの電極層間に、分子性光導電材料を蒸着速度０．０７ｎｍ／秒以下で蒸着して得られる有機蒸着膜からなる感光層を有する光半導体素子。 - 特許庁

To provide a device capable of attaining uniform evaporation property and uniform reaction property, free from the generation of deposition of solid particles even when a liquid to be treated is slurry and suitable for continuously evaporating a low boiling component by improving the uniformity of the flow rate distribution of the liquid to be treated in a heat exchanger part in a natural circulation type evaporator.例文帳に追加

本発明の目的は自然循環式蒸発缶において、熱交換器部分での被処理液の流速分布の均一性を向上させることにより、均一な蒸発特性、均一な反応特性を得、さらには被処理液がスラリーの場合でも固体粒子の沈殿がない低沸点成分を連続的に蒸発させるに好適な装置を提供することにある。 - 特許庁

The method for producing the thin film formed of oriented crystals of tungsten oxide on the surface of the substrate having low crystallinity includes sputtering a target containing tungsten while controlling a substrate temperature and a deposition rate to form tungsten oxide film with strongly oriented crystals on the (001) surface of monoclinic crystals.例文帳に追加

結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法であって、タングステンを含むスパッタリングターゲットを結晶性の低い基板の表面にスパッタリングすることを含み、スパッタリングを行う際の基板温度及び堆積速度を制御することにより、単斜晶（００１）面に強く結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製することを特徴とする前記方法。 - 特許庁

The silica-titania composite oxide particle produced by a vapor deposition method has a titania content of 50 wt.% or more, a BET specific surface area of 100 m^2/g or less, a containing rate of a silica single particle and a titania single particle by electron microscope observation of 10% or less, favorably 5% or less, and a hydrophobic surface.例文帳に追加

気相法によって製造されたシリカ・チタニア複合酸化物粒子であって、チタニアの含有量が５０重量％以上、ＢＥＴ比表面積が１００ｍ^2／ｇ以下、電子顕微鏡観察下においてシリカ単独粒子およびチタニア単独粒子の割合が１０％以下、好ましくは５％以下であり、表面が疎水化されているシリカ・チタニア複合酸化物粒子。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic EL element having a pair of electrodes and a light-emitting layer arranged between the electrodes, and an intermediate layer includes a process in which the intermediate layer is formed by vapor-depositing metal or a metal compound, under the condition of a vapor-depositing rate of 0.006 nm/sec by an electron beam vapor-deposition method.例文帳に追加

一対の電極と、該電極間に設けられる発光層および中間層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、電子ビーム蒸着法によって蒸着レート０．００６ｎｍ／秒以下の条件で金属又は金属化合物を成膜することにより、前記中間層を形成する工程を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

The film or the bulk body of the functional ceramic material, in which a third element is doped in such a large amount that cannot be doped by a conventional technology because of the deposition of a second phase, can be formed at a sufficiently high rate by a method comprising forcedly dissolving the third element to form a solid solution by rapid cooling and solidification using a thermal spray method.例文帳に追加

溶射法を用いた急冷凝固により第３元素を強制固溶させる方法により、従来技術では第２相の析出により不可能とされていた多量の第３元素をドープした機能性セラミックス材料の膜およびバルク体を、十分に速い速度で形成することができ、得られる機能性セラミックスは、第３元素の大量ドープによる導電率の向上や熱伝導率の低減が容易に達成できる。 - 特許庁