「deposition rate」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering target with which the production efficiency of an Nb oxide film and eventually an optical thin film etc., can be enhanced by improving the deposition rate of the Nb oxide film when the Nb oxide film appropriate for the optical thin film is deposited by sputtering.例文帳に追加

光学薄膜に好適なＮｂ酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、Ｎｂ酸化膜の成膜速度を向上させることによって、Ｎｂ酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Then, while change in the color tone of the ZnS film is identified from the light transmittance or light reflectance at the second specified wavelength, the film deposition rate is controlled so that the light transmittance or light reflectance at the first specified wavelength is held within the prescribed range.例文帳に追加

そして、第２の特定波長での光透過率または光反射率からＺｎＳ膜の色調の変化を識別しつつ、第１の特定波長での光透過率または光反射率が所定範囲内に保持されるように成膜速度を制御する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system of a copper thin film by which a copper thin film having good film quality, desired film thickness and few remaining impurities can be deposited at a high film deposition rate with inexpensive chlorine or hydrogen chloride as a gaseous starting material.例文帳に追加

安価な塩素または塩化水素を原料ガスとして用いて成膜速度が速く、かつ不純物が残留し難い膜質が良好でかつ目的とする膜厚を有する銅薄膜を形成することが可能な銅薄膜の気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode for electrical discharge surface treatment which can stabilize the characteristic of a coating film and the film deposition rate by suppressing the dispersion of the resistance of the electrode by performing the surface treatment by the electrode having less distribution in composition and physical properties in the electrode itself.例文帳に追加

電極自身に組成や物性の分布の少ない電極で表面処理を行なうことで、電極の抵抗ばらつきを抑制し、被膜の特性、成膜速度が安定化する放電表面処理用電極を提提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing metallic foil for printed wiring circuit boards through which three-layered laminates can be continuously produced with a low rolling rate at an ordinary temperature and by which a strip material and dry process deposition layers are surely joined and provide metallic foil for the printed wiring circuit boards.例文帳に追加

常温において低い圧延率で三層積層板の連続生産が可能であり、且つ帯材と乾式成膜層とが確実に接合されるプリント配線基板用金属箔の製造方法及びプリント配線基板用金属箔を提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance ultrasonic transmitter/receiver having high sensitivity and being free from influence due to moisture absorption by applying deposition processing to a ceramic porous body or to provide an ultrasonic flow rate flow meter by using the ultrasonic transmitter/receiver.例文帳に追加

本発明は、吸湿しやすいセラミック多孔体に蒸着処理を施すことにより、高感度でかつ吸湿による影響を受けない高性能な超音波送受波器またはそれを用いた超音波流速流量計を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a gun mover which improves the quality, such as a deposition rate, by eliminating the unevenness of work by an injection gun caused by the skill and individual characteristics of a worker, the unevenness to a working surface and more particularly the thickness and thermal spraying unevenness of thermal spraying films by the thermal spraying gun.例文帳に追加

作業者の技量や個性によって生じる噴射ガンによる作業のムラ、加工面に対する不均一性、特に溶射ガンによる溶射皮膜の厚さや溶射ムラをなくし溶着度等の品質を向上させることのできるガン移動装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass rod-like body by which the deposition rate of glass fine particles on the outer periphery of a starting member is improved to efficiently manufacture the glass rod-like body such as an optical fiber preform without degrading the quality.例文帳に追加

ガラス微粒子の出発部材の外周部への堆積速度を向上させることができ、その結果、光ファイバ用母材等のガラス棒状体を品質を落とすことなくしかも効率良く生産することができるガラス棒状体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the variation of effective magnetic flux, to increase the uniformity of a film, and increase the film deposition rate so as to improve the productivity by reducing the generation of eddy current caused by the rotation of a magnet and suppressing the variation in the speed of the revolution of the magnet.例文帳に追加

マグネットの回転によって生ずる渦電流の発生をできるだけ減少させ、マグネットの回転数の変動を抑制することによって、実効磁束の変動を抑制し、膜の均一性を高め、かつ成膜速度を上げ生産性を向上させる。 - 特許庁

Simultaneously with this, a dancer roller head 28 lowers to the lower part of the first sub chamber 10 in accordance with the carrying rate of the web 23, and the web 23 stored in the first sub chamber 10 is carried to the main chamber 11, and a state where film deposition is continued is made.例文帳に追加

これと同時にダンサーローラーヘッド２８はウェブ２３の搬送速度に合わせて、第１サブチャンバー１０の下部に下りて行き、第１サブチャンバー１０内に溜められたウェブ２３は、メインチャンバー１１へ搬送され、成膜が続行されている状態が出来る。 - 特許庁

To control a coupling rate between a carbon protective film and liquid lubricant molecules by depositing lubricants on a substrate heated to a fixed temperature, or depositing the lubricants in the exposed state of the deposit-target substrate in an oxygen atmosphere before the deposition.例文帳に追加

一定温度に加熱した基板に潤滑剤を蒸着する、もしくは蒸着させる基板を蒸着前に酸素雰囲気に暴露した状態で潤滑剤を蒸着することにより、カーボン保護膜と液体潤滑剤分子の結合率を制御すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a silicon oxide film electret by which a sufficiently high deposition rate is obtained with less contained materials such as moisture and hydrogen, the silicon oxide film electret and an ECM(Electret Capacitor Microphone) provided with the silicon oxide film electret.例文帳に追加

水分や水素等の挟雑物が少なく、十分に高い成膜速度が得られるシリコン酸化膜エレクトレットの製造方法、同製造方法によって得られたシリコン酸化膜エレクトレット、および、同シリコン酸化膜エレクトレットを備えたＥＣＭを提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition device provided with a driving mechanism capable of performing stable scanning operation of a vaporization source to a large-sized substrate having e.g. one side length of >1 m without depending on a pressure state in an inner part of a vacuum chamber and having high reliability, a high operation rate, stable deposition or reduced production cost and device conveying cost.例文帳に追加

本発明の目的は、真空チャンバ内部の圧力状態に依存せずに、例えば、１辺の長さが１ｍを超える大形基板に対して、蒸発源の安定したスキャン動作が行える駆動機構を備えた信頼性の高いまたは稼働率の高いあるいは安定して蒸着が可能なまたは軽量で製作コスト、装置輸送コストの低減を図った真空蒸着装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a vaporizer and a device for feeding a gaseous CVD raw material into a chemical vapor deposition(CVD) apparatus used for manufacturing semiconductor and the like, which efficiently vaporize and feed the material at a desired concentration and flow rate, without causing precipitation and deposition of the solid CVD raw material at a raw material supply port, even when a solid CVD raw material is used.例文帳に追加

半導体の製造等に用いられる化学気相成長（ＣＶＤ）装置にガス状のＣＶＤ原料を供給するための気化器、気化供給装置において、固体ＣＶＤ原料を用いた場合においても、原料供給口で固体ＣＶＤ原料が析出して付着することなく、所望の濃度及び流量で効率よく気化供給が可能な気化器、気化供給装置を提供する。 - 特許庁

That is to say, the manufacturing method of the organic light emitting element comprises a process of heating the alkali metal containing cesium carbonate or the like by 8 wt.% or less at a temperature of 400°C or less, and forming a film at a rate of 0.1 Å/sec. or less by vapor deposition.例文帳に追加

すなわち炭酸セシウム等のアルカリ金属の濃度をアルカリ金属として８重量％以下とし、４００℃以下の加熱温度、毎秒０．１Å以下の成膜レートで蒸着する工程を有することを特徴とする有機発光素子の製造方法を用いる。 - 特許庁

To provide a processing method for a silver halide photographic sensitive material by which the amount of effluent can be reduced by reusing a used photographic solution at a high regeneration rate, and which is not accompanied by adverse effects such as faulty desilvering, deposition of crystals and deterioration of image preservability.例文帳に追加

写真廃液を高い再生率で再利用することによって廃液量を低減することができて、しかも脱銀不良、結晶の析出、画像保存性の悪化などの悪影響を伴わないハロゲン化銀写真感光材料の処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index thin film by a DC sputtering process, and allows a high film deposition rate of the high refractive index thin film and high productivity, and to provide a method of depositing the high refractive index thin film using the target.例文帳に追加

本発明は、高屈折率薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、高屈折率薄膜の成膜速度が速く生産性が高いスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率薄膜の形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method for depositing a catalytic metal on the surface of a carrier in such a state that the catalytic metal exhibits high efficiency as a catalyst, namely, has minute particle size of ≤1 nm and is deposited at a high deposition rate and to provide a metal catalyst manufactured by this depositing method.例文帳に追加

本発明の目的は、担体表面に、触媒としての効率の高い状態、すなわち粒径１ｎｍ以下の微小な状態、かつ担持率の高い状態で、触媒金属を担持させる方法及びその方法で製造した金属触媒を提供することである。 - 特許庁

The production method of the silica-coated aluminum pigment comprises a step of dispersing aluminum particles in a solution containing a hydrolyzing catalyst, water and a hydrophilic organic solvent, and a step of adding a solution containing an Si-containing compound to the dispersion at a maximum silica film deposition rate of ≤3 nm/hr.例文帳に追加

アルミニウム粒子を加水分解触媒、水、親水性有機溶剤を含む溶液に分散させる工程、該分散液にＳｉ含有化合物を含む溶液をシリカ膜の最大堆積速度が３ｎｍ／ｈｒ以下にして添加する工程、を含むシリカ被覆アルミニウム顔料の製造方法。 - 特許庁

As a result, the activity of the chemical reaction energy on the first catalyst nuclei may be made nearly equal on the occasion of an electrode forming stage and therefore the electroless plating method capable of making the deposition rate of the plating films in the necessary positions nearly uniform may be obtained.例文帳に追加

これによって、電極形成工程に際しては第１の触媒核上での化学的な反応エネルギーの活性度をほぼ等しくすることが可能になるので、必要な位置におけるメッキ膜の成膜速度を均一にすることができる無電解メッキ方法を得ることができる。 - 特許庁

In the period (t2), the catalytic activity deteriorated by the poisoning due to the deposited carbon is recovered even in a low temperature operation to improve the average value of conversion rate to hydrogen from the fuel by increasing the partial pressure of the oxidizing agent to oxidize and remove the deposition carbon.例文帳に追加

期間ｔ２で、酸化剤分圧を向上させ、析出炭素を酸化除去することにより、低温運転時でも析出炭素の被毒により低下した触媒活性を回復させることができ、燃料から水素への転化率の平均値を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a shower head used for a CECVD system by which, when vapor-depositing a metallic thin film by a CVD method by chemical treatment with a catalyst, chemical treatment is uniformly performed, and the vapor deposition rate, texture, adhesive properties or the like of the metallic thin film can be improved.例文帳に追加

触媒などの化学的処理によってＣＶＤ法で金属薄膜を蒸着する際、化学的処理を均一に行えるようにして、金属薄膜の蒸着速度、質感、粘着特性などを改善することができる、ＣＥＣＶＤ装備に用いられるシャワーヘッドを提供すること。 - 特許庁

To provide a horizontal type fluid support plating device in which the flow of a plating solution in an electrolytic cell is made uniform, the deposition of sludge in the electrolytic cell is prevented even when a plating solution producing a large quantity of the sludge is used and the deterioration of plating quality due to the effect of the flow rate is prevented.例文帳に追加

電解槽のめっき液の流れを均一にし、スラッジ発生の多い電解液を使用する場合でも、電解槽内のスラッジ堆積を防止し、流速の影響を受けて、めっき品質の低下を生じさせない水平型流体支持めっき装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dense, low-resistive metal film having a smooth film surface at a low temperature in such a manner that its quality is made better compared with a titanium nitride film formed by a CVD method and the film deposition rate is made higher compared with a titanium nitride film formed by an ALD method, i.e., at high productivity.例文帳に追加

低温にて膜表面が滑らかであって緻密な抵抗率の低い金属膜を、ＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質とし、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition material formed by adding metal silicon, silicon dioxide and silicon monoxide which are non-sublime, in other words, vaporized after they are melted, and capable of raising the evaporation rate, suppressing any splash, and manufacturing a barrier film with excellent barrier property.例文帳に追加

昇華性ではない、すなわち溶融した後に蒸発する金属ケイ素と二酸化ケイ素と一酸化ケイ素とを添加した蒸着材料であって、蒸発速度が上昇し、スプラッシュが抑制され、バリア性の良好なバリアフィルムを製造できる蒸着材料を提供する。 - 特許庁

A silicon nitride layer is deposited on a base film at a ratio P/Q of less than 10 [W/sccm], with Q being the silane gas flow rate and P being the plasma-generating electric power, a deposition pressure of 20 to 200 Pa, and at a base film temperature of not more than 70°C, under a bias potential of not more than -100V applied to the base film.例文帳に追加

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a titanium-containing organic precursor that is stable in the atmosphere, shows excellent volatioity, permits simple decomposition reaction on the substrate, can be easily handled because it has high deposition rate even at a low temperature (≤470°C) consequently is useful as a MOCVD material.例文帳に追加

本発明は、大気中で安定で、揮発性に優れており、基板での分解反応が簡単であり、低い温度（４７０℃以下）でも蒸着速度が高くて取扱が容易であるため、ＭＯＣＶＤ材料として有用なチタン含有有機化合物前駆体とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a sputtering target for oxide film formation which can increase production efficiency of a metal oxide film, e.g. an optical thin film etc. by inhibiting a decrease in film-forming rate of the metal oxide film at sputter-deposition of the oxide film which is suitably used as an optical thin film.例文帳に追加

光学薄膜に好適な金属酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、金属酸化膜の成膜速度の低下を抑制することによって、金属酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にした酸化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

There are provided (a) an article including zinc sulfide or zinc selenide, and (b) a method for depositing a layer of alumina with a thickness of >20 μm on the zinc sulfide or zinc selenide at a deposition rate of ≥60 Å/min by a micro wave assisted magnetron sputtering.例文帳に追加

ａ）硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し；並びに、ｂ）マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、２０μｍを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、６０Å／分以上の堆積速度で堆積させる；ことを含む方法。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 is a GaN based semiconductor laser element having an optical film 30 formed on the end face of a resonator by sputtering an Al target under sputtering conditions of high film deposition rate in an atmosphere containing Ar gas and oxygen gas by ECR plasma method.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、ＧａＮ系半導体レーザ素子であって、ＥＣＲプラズマ法を用いて、Ａｒガスと酸素ガスを含む雰囲気中で、速い成膜速度のスパッタ条件でＡｌターゲットをスパッタすることによって成膜された光学被膜３０を共振器端面に有する。 - 特許庁

Then, based on the first setting temperature profile, an hourly varied setting temperature obtained by hourly varying the setting temperature in deposition is applied to decide the second setting temperature profile for uniformizing the distribution of the film thickness in a substrate surface by adjusting the rate of the change of the setting temperature.例文帳に追加

そして、第１の設定温度プロファイルを基に、成膜中の設定温度を時間的に変化させた時間変化設定温度を適用し、設定温度の変化率を調整することによって基板面内の膜厚分布の均一化を図る第２の設定温度プロファイルを決定する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which enables an oxide film superior in electroconductivity and transparency for visible light to be formed at a high deposition rate, and decreases transmissivity for visible light little even when a large number of such electroconductive films are stacked as are made from an oxide film, silver or the like, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

導電性および可視光透過性に優れた酸化物膜を速い成膜速度で形成でき、かつ該酸化物膜および銀等からなる導電膜の積層数を多くしても可視光透過率の低下が少ないスパッタリングターゲットおよび成膜方法を提供する。 - 特許庁

The antibacterial thin film is formed by forming an Ag-Sn multilayered thin film on the surface of the article through plating or physical vapor deposition and subjecting it to a heat-treatment in which this Ag-Sn multilayered thin film is heated and kept at 200-300°C and then cooled at a cooling rate of ≤50°C/min.例文帳に追加

物品の表面に、めっきあるいは物理蒸着によりＡｇ−Ｓｎ積層薄膜を形成し、このＡｇ−Ｓｎ積層薄膜を２００℃以上３００℃以下の温度で加熱・保持し、５０℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で冷却する熱処理をすることにより、抗菌性薄膜を形成させる。 - 特許庁

This transparent sheet 6 is provided with a light-shielding material 5 by an adequate method, e.g. incorporation, insertion, deposition or coating, to form the monolithic body, in such a way to reduce difference between the calculated light-shielding rate and that observed by an illuminometer by finely adjusting width or the like of the light-shielding material 5.例文帳に追加

照度計を用い、計算されている遮光率に合わせるため、遮光材５の幅など細かく調節することにより、計算上と実際との誤差を少なくするように、練り込み、挟み込み、蒸着、塗装等の方法で透明シート６に遮光材を一体化させる。 - 特許庁

Using a vacuum flow rate control valve dealing with ALD composed of the main valve 1 for operating the opening and closing of a valve member 15 via a valve shaft 20 by a valve driving mechanism part 4 and a butterfly valve 2 fitted to the main port 11 of the main valve, a film deposition operation by ALD is performed.例文帳に追加

弁駆動機構部４により弁シャフト２０を介して弁部材１５を開閉操作する主弁１と、主弁のメインポート１１に付設したバタフライ弁２によって構成されたＡＬＤ対応真空流量調整バルブを用いて、ＡＬＤによる成膜操作を行う。 - 特許庁

A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (such as temperature and flow rate) during the growth of a film (such as a metallic film) on a wafer to produce different film properties and different film depths.例文帳に追加

温度および（または）反応物の投与量を調節可能な原子層堆積（ＶＴＤ−ＡＬＤ）プロセスは、異なるフイルム特性および異なるフイルムの奥行きを生成するために、ウェーハ上のフイルム（例えば金属）の成長段階において、ＡＬＤ反応装置の条件（例えば温度、流量など）を調節する。 - 特許庁

To provide a vaporizer which is used for supplying a gaseous CVD (chemical vapor deposition) material into a CVD system for use in semiconductor fabrication, etc., and by which high-quality vapor gas can be obtained by efficiently performing vaporization at desired concentration and flow rate even in the case where a solid CVD material is used.例文帳に追加

半導体の製造等に用いられる化学気相成長（ＣＶＤ）装置にガス状のＣＶＤ原料を供給するための気化器において、固体ＣＶＤ原料を用いた場合においても、所望の濃度及び流量で効率よく気化させることにより高品質の気化ガスが得られる気化器を提供する。 - 特許庁

Adding at least one non-silicon precursor (such as a germanium precursor and a carbon precursor) during formation of a silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride or silicon carbide film improves the deposition rate, and/or allows properties, such as the stress, of the film to be adjusted.例文帳に追加

窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、または炭化シリコン被膜の形成中、少なくとも１つの非シリコン前駆体（ゲルマニウム前駆体や炭素前駆体など）を添加することによって、堆積速度が改善され、または被膜の応力を調整するなどこの被膜の特性を調整することが可能になり、あるいはその両方が可能になる。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film by an aerosol pyrolysis method which is a method of forming the thin film of a low manufacturing cost by a thin film forming apparatus of a simple structure capable of forming the thin film under the atmospheric pressure and which is capable of forming the thin metal oxide film of good quality having high uniformity at a high deposition rate.例文帳に追加

大気圧下で薄膜形成が可能であり、構造が簡単な薄膜形成装置による製造コストの低い薄膜形成方法であって、かつ、均一性の高い良質な金属酸化物薄膜を大きな堆積速度で形成することが可能なエアロゾル熱分解法による薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of providing a titanium nitride film that is higher in quality than a titanium nitride film formed by the conventional CVD method at a higher film-forming rate, that is, with higher productivity than a titanium nitride film formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method.例文帳に追加

従来のＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質な窒化チタン膜を、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a reforming catalyst of a hydrocarbon which reforms the hydrocarbon with high-speed reaction rate, controls an amount of carbon deposition to the minimum, also controls deactivation due to sulfur poisoning even when the hydrocarbon contains a sulfur compound such as H_2S and COS, and endures long-term use.例文帳に追加

炭化水素を高い反応速度で改質し、炭素析出量を最小限におさえ、かつ炭化水素中に硫化水素や硫化カルボニル等の硫黄化合物を含有する場合でも硫黄被毒による活性劣化を極力抑制し、長時間の使用に耐えることができる炭化水素の改質用触媒を提供する。 - 特許庁

To suppress the deposition and accumulation of sludge in blow-by gas on a measurement part or a spring to prevent damage to an engine by improving the flow rate of the blow-by gas in the measurement part formed in a body passage of a PCV valve and suppressing the turbulent flow thereof to smooth the flow of the blow-by gas in the body passage.例文帳に追加

ＰＣＶバルブ内の体内通路に形成された計量部でのブローバイガスの流速を高めるとともに乱流を抑制し、ブローバイガスの体内通路内での流れをスムーズにして、ブローバイガス中のスラッジが計量部やスプリングに付着堆積することを抑制し、エンジンの損傷を防止する。 - 特許庁

By providing a device applying external force in a direction narrowing a gap and external force in a direction widening the gap as electrical driving force with respect to the gap of a boundary face of a solid and solid applied with coating such as deposition, minute flow rate control is changed quickly, and a degree of separation can be electrically controlled.例文帳に追加

蒸着等のコーティングを施した固体と固体の界面の隙間に対し、隙間を小さくする方向の外力と大きくする方向の外力を電気駆動力として与えるデバイスをつくることにより、迅速に微小流量制御が変えられ、かつ電気的に分離度を制御できる方法の発明による。 - 特許庁

By using an aerosol deposition method for forming a thin film, an aerosol prepared by mixing metal silicide fine particles with a carrier gas is jetted, in an atmosphere at ordinary temperature and reduced pressure, onto a substrate through a nozzle at a predetermined rate, and the fine particles are attached onto the substrate using an impact solidification phenomenon to thereby produce a metal silicide thin film.例文帳に追加

エアロゾル薄膜堆積法を用い、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを、常温減圧下の雰囲気で、ノズルを通じて所定の速度で基板に噴射し、衝撃固化現象を利用して微粒子を基板上に付着させることによって、金属珪化物の薄膜を製造する。 - 特許庁

The control part 90 controls the supply mechanism 70 to supply the first material gas and the second material gas and controls the substrate heating part 62 to heat the substrate held by the substrate holding part 44 to a temperature range in which a thermal polymerization reaction occurs so as to control the deposition rate of the polyimide film.例文帳に追加

制御部９０は、供給機構７０により第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部６２により、基板保持部４４に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 - 特許庁