「deposition rate」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A helium gas is used to lower the deposition rate of plasma-enhanced silane oxide, silane oxynitride, and silane nitride processes.例文帳に追加

ヘリウムガスを用いてプラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトライドプロセスの堆積速度を下げる。 - 特許庁

It is preferable that the substrate temperature in the sputtering step is 400°C to 700°C and the deposition rate is 0.2 μm/h to 1.0 μm/h.例文帳に追加

スパッタリングを行う際の基板温度は、４００℃〜７００℃であり、堆積速度は０．２μｍ／ｈ〜１．０μｍ／ｈであることが好ましい。 - 特許庁

The film deposition rate detector 3 is arranged at a position on the side opposite to the side of the cylindrical heating element 2 to the shielding body 4.例文帳に追加

前記成膜速度検出器３は、前記遮蔽体４に対して筒状加熱体２側とは反対側の位置に配設されている。 - 特許庁

To enhance the reliability of a coil by reducing the pattern width dependency of an upward deposition rate regarding a thin-film coil and its manufacturing method.例文帳に追加

薄膜コイル及びその製造方法に関し、上方向成膜レートのパターン幅依存性を低減して、コイルの信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that reduces the difference in deposition rate between a broad groove and a narrow groove, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

広い溝と細い溝との析出速度の差を小さくすることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a hard carbon film by which a deposition rate is made higher while maintaining the hardness of the film.例文帳に追加

膜の硬さを維持しつつ成膜速度を速くすることが可能な硬質炭素膜の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the first condition, a deposition gas including silicon or germanium is diluted with the flow rate of hydrogen set to 50 times or more and 1000 times or less relative to the flow rate of the deposition gas, and the pressure in a process chamber is set to 67 Pa or more and 1333 Pa or less.例文帳に追加

第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

In the first condition, a deposition gas including silicon or germanium is diluted with hydrogen of the flow rate set to 50 times or more and 1000 times or less with respect to the flow rate of the deposition gas, and the pressure in a process chamber is set to more than 1333 Pa and less than or equal to 13332 Pa.例文帳に追加

第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａより大きく１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

In this process, an amorphous thin piezoelectric substance film layer is deposited in the state that the crystallization rate R is smaller than the deposition rate S by making the substrate heating temperature lower than the crystallization temperature after the nucleation time C_1 when the sputter deposition is performed by heating to the crystallization temperature of a piezoelectric material.例文帳に追加

この工程で、圧電体材料の結晶化温度に加熱してスパッタ成膜を行う核生成時間Ｃ_1 の後に、基板加熱温度を結晶化温度より下げて結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより小さい状態で非晶質の圧電体薄膜層を成膜する。 - 特許庁

In the second condition, the deposition gas including silicon or germanium is diluted with hydrogen of the flow rate set to 100 times or more and 2000 times or less with respect to the flow rate of the deposition gas, and the pressure in the process chamber is set to more than or equal to 1333 Pa and less than or equal to 13332 Pa.例文帳に追加

第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

The step of forming the silicon film includes a first step of depositing amorphous silicon, and a second step of producing silicon crystal grains with the deposition of the amorphous silicon, and of setting the deposition rate of the amorphous silicon higher than the growth rate of the silicon crystal grains.例文帳に追加

前記シリコン膜を形成する工程は、アモルファスシリコンを堆積させる第１工程と、アモルファスシリコンを堆積させると共にシリコン結晶粒を生成し、前記シリコン結晶粒の成長速度よりも前記アモルファスシリコンの堆積速度を高くする第２工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a conductive oxide as a target enabling high deposition rate of an oxide semi-conductor film by the sputtering, and high etching rate of the deposited oxide semi-conductor film.例文帳に追加

スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method capable of suppressing deterioration in an etching rate caused by the coexistence of an etching gas and a reaction gas for protective film formation, and improving the film deposition rate of the protective film.例文帳に追加

エッチングガスと保護膜形成用の反応ガスとの共存を原因とするエッチングレートの低下を抑制でき、かつ、保護膜の成膜レートを向上させることができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The first undercoat insulation film 2 may be formed by a conventional method but the second undercoat insulation film 3 is formed at a deposition rate lower than that of the first undercoat insulation film 2 and etching rate by hydrofluoric acid is lowered.例文帳に追加

第一アンダーコート絶縁膜２は従来通りの方法で形成してよいが、第二アンダーコート層３は、第一アンダーコート絶縁膜２よりも堆積速度を遅くし、フッ酸によるエッチング速度を遅くする。 - 特許庁

To provide an evaporation source in a vapor-deposition apparatus, which shows little overshoot, can easily control a vapor-deposition rate, can heat a vapor-deposition material to a predetermined temperature in a short period of heating time, also makes the material deposited on the whole substrate in a short period of time to shorten tact time, and is superior in practicability.例文帳に追加

オーバーシュートが小さく蒸着レートコントロールが容易で、蒸着材料を短い加熱時間で所定温度に到達させることができ、また基板全体に短時間に蒸着しタクトタイムを短縮する事が可能な実用性に秀れた蒸着装置における蒸発源の提供。 - 特許庁

To provide evaporation sources for an organic material with which film deposition with a uniform film thickness distribution is made possible to a large sized substrate, and further, the control of heating temperature and evaporation rate at the time of vapor deposition can be correctly performed with high reproducibility, and to provide an organic vapor deposition system using the same.例文帳に追加

大型基板に対して均一な膜厚分布の成膜が可能になるとともに、蒸着時における加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことが可能な有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus which can have a less quantity of reaction by-product and less deposition on an exhaust gas passage and so on than in the prior art, in a plasma CVD method capable of obtaining a high quality of deposition film at a high deposition rate and in a system therefore.例文帳に追加

高品質な堆積膜を速い堆積速度で得ることができるプラズマＣＶＤ方法およびその装置において、従来よりも反応副生成物の発生量および排気経路等への堆積が少なく、生産性や生産コストが向上した装置を提供する。 - 特許庁

To provide an evaporation source for an organic material with which the control of a heating temperature and an evaporation rate at the time of vapor deposition can be correctly performed with high responsibility, and to provide an organic vapor deposition system using the same.例文帳に追加

蒸着時における加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことが可能な有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機蒸着装置を提供する。 - 特許庁

Output ports of the controller of a film deposition system are commonly used so that control signals can be output to control the flow rate of all gases A to F that can be used in deposition chambers 1 to 3.例文帳に追加

成膜装置のコントローラの出力ポートは、成膜室１〜３で使用される可能性のある全てのガスＡ〜Ｆの流量を制御する制御信号を出力することができるように、共通のポートを有する。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition apparatus that forms an aluminum metal thin film having a uniform film thickness for an organic EL upper electrode on a large-size substrate at high rate and can continuously operate for a long time period, and to provide a film deposition apparatus.例文帳に追加

大型基板上に膜厚が均一で有機EL上部電極用のアルミ金属薄膜を高速に成膜させ、長時間連続運転可能な真空蒸着装置及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

A CDV-Cu film is deposited onto monovalent copper amidinate as a film deposition raw material at a low temperature and also at a practical film deposition rate, using carboxylic acid having high reduction capacity to monovalent copper amidinate as a reducing agent.例文帳に追加

成膜原料である１価のアミジネート銅に対し、還元剤として１価のアミジネート銅に対する還元能力が高いカルボン酸を用い、低温でかつ実用的な成膜レートでＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a fluorine compound thin film production method by which a fluorine compound thin film free from light absorption and having satisfactory adhesion is deposited on a substrate at high speed and also at a stable film deposition rate by a vacuum deposition process.例文帳に追加

光吸収のなく密着性の良好なフッ素化合物薄膜を基材上に真空蒸着法により高速で、且つ安定した成膜速度で形成するフッ素化合物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the capacitance of the anode electrode 103 is adjusted to be constant, the cell bias voltage generated on the film deposition surface becomes constant, the incident energy from plasma is also stabilized, and the film deposition rate becomes constant.例文帳に追加

アノード電極１０３のキャパシタンス容量を一定になるように調整しているので、成膜表面に発生するセルバイアス電圧は一定となり、プラズマからの入射エネルギも安定し、成膜速度を一定にする。 - 特許庁

To provide a DC or DC-pulse sputtering system capable of increasing the film deposition rate and enhancing the uniformity of the film thickness distribution.例文帳に追加

成膜速度を上げ、かつ、膜厚分布の均一性を向上させることができるＤＣ又はＤＣパルススパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a film formation method and a film formation apparatus where a film deposition rate is high, and a film of high quality can be deposited at a desired thickness.例文帳に追加

成膜速度が大きく、高品質な膜を所望の厚さで形成することができる成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MEASURING DISTRIBUTION OF SPUTTER DEPOSITION RATE FOR SIMULATION CALCULATION, METHOD FOR PROCESSING MEASURED DATA, AND METHOD FOR ESTIMATING GENERAL DISTRIBUTION CHARACTERISTICS例文帳に追加

シミュレーション計算のためのスパッタ堆積速度分布測定装置及び方法、測定データの処理方法、総合分布特性の予測方法 - 特許庁

To provide a method for depositing a Cu film capable of depositing a CVD-Cu film having excellent surface property at a high film deposition rate.例文帳に追加

表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を高い成膜速度で成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To meet the needs of thin film and to achieve a high deposition rate by improving the shortcomings of conventional CVD method and ALD method.例文帳に追加

従来のＣＶＤ法の欠点とＡＬＤ法の欠点を改善し、薄膜化の要求に応えるとともに、高い成膜速度を実現する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD apparatus in which deposition rate can be enhanced when a film is deposited on a substrate.例文帳に追加

この発明は基板に成膜する際に、その成膜速度を向上させることができるようにしたプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。 - 特許庁

In that case, deposition of an Al layer 143 is attained in a short time by sputtering power which gave priority to sputtering rate over coverage of the hole 13 (fig (a)).例文帳に追加

ここではＡｌ層１４３の成膜は、ホール１３のカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで短時間に達成する（図１（ａ））。 - 特許庁

To provide new processes for forming amorphous GST, GeTe, and other films in an amorphous manner, but with a relatively high deposition rate.例文帳に追加

ＧＳＴ、ＧｅＴｅ、及び他の膜を非晶質の形態で、ただし比較的高い蒸着速度で形成する新規な方法を提供すること。 - 特許庁

On sputtering, the preliminarily heated target material 5 is further heated by plasma, so that the sputtering efficiency improves, and the film deposition rate improves.例文帳に追加

スパッタリング時には、予備加熱されたターゲット材料５がプラズマによって、さらに加熱され、スパッタ効率が向上し、成膜レートが向上する。 - 特許庁

To provide an ECR sputtering system capable of improving a deposition rate and of preventing the contamination of a microwave introducing window by sputter particles.例文帳に追加

成膜速度が向上し、かつ、スパッタ粒子によるマイクロ波導入窓の汚染を防止することができるＥＣＲスパッタリング装置の提供。 - 特許庁

To provide a silicon monoxide sintered compact which combines securement of a film deposition rate and stability of film properties by an RF (radio-frequency reactive sputtering) method.例文帳に追加

ＲＦ法によって、成膜速度を確保するとともに膜特性の安定化を両立させる一酸化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁

In the shielding body 4, a plurality of holes 6 passing from the side of the cylindrical heating element 2 to the side of the film deposition rate detector 3 are formed.例文帳に追加

前記遮蔽体４には筒状加熱体２側から成膜速度検出器３側へ貫通する複数の孔６が形成されている。 - 特許庁

To provide a vacuum evaporation system and method for controlling a vapor deposition rate without using a quartz oscillator.例文帳に追加

この発明は、水晶振動子を用いることなく蒸着速度を制御する真空蒸着装置及び方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Then, the temperature of the semiconductor substrate 1 is elevated to 210-280°C by the same method to deposit the copper thin film 4 at a high deposition rate.例文帳に追加

その後、同じ手法により、半導体基板の温度を２１０〜２８０℃に上昇させ、高い堆積率によって、銅薄膜を堆積する。 - 特許庁

The operation rate of the apparatus is improved by carrying out the release and the discharge of the particles during the cycle of the film deposition process.例文帳に追加

成膜プロセスのサイクルの間にパーティクル１１１の離脱および排出を行うことにより、装置の稼働率向上を図ることができる。 - 特許庁

The transparent gas barrier film is obtained by: heat-treating a plastic film to shrink to have a specific thermal shrinkage rate to prepare a plastic base film; forming a vapor deposition film on at least one side of the plastic base film to obtain a vapor deposition film; and additionally heat-treating the vapor deposition film to shrink to have a specific thermal shrinkage rate.例文帳に追加

プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させることを特徴とする透明ガスバリア性フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide an air flow rate measuring device 1 improving measurement detection accuracy of an air flow rate by suppressing deposition of intake dust on the upstream/downstream ends of a chip support member, concerning a thermal air flow rate measuring device having a chip sensor structure.例文帳に追加

チップセンサ構造の熱式空気流量測定装置において、チップ支持部材の上下流側端部への吸気ダストの堆積を抑制することにより、空気流量の測定検出精度を向上できる空気流量測定装置１を提供する。 - 特許庁

Further, a temperature elevation rate is made low before brought into the second crystallization starting temperature, when conducting the heat treatment concerned in the deposition of the nano-crystal phase.例文帳に追加

更に、ナノ結晶相の析出に係る熱処理を行う際に、第２結晶化開始温度に至る前に昇温速度を下げることとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that reduces the difference in plating deposition rate between a central region and a outer region of a wafer to be reduced, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

ウェハの中心部と外周部でのメッキの析出速度の差を小さくできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition system capable of correctly measuring the evaporation rate of a film-forming material, highly precisely performing composition control and stably depositing even a thick film.例文帳に追加

成膜材料の蒸発量を正確に測定し、高精度に組成制御を行い、膜厚の厚い成膜においても安定蒸着を可能とする。 - 特許庁

To provide an electroplating device where the film deposition rate in the center of a substrate is increased, and the uniformity in a film thickness can be secured.例文帳に追加

本発明は、基板中心の成膜レートを上げての膜厚の均一性を確保することができる電解メッキ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To obtain a plasma CVD system and a method for forming a non- single crystal semiconductor thin film in which a high quality semiconductor thin film can be formed at a high deposition rate while suppressing defects.例文帳に追加

高い堆積速度で欠陥が少なく高品質に形成可能な、プラズマＣＶＤ装置および非単結晶半導体薄膜形成方法を得る。 - 特許庁