「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The ground conductor layer 11, in the antenna transmission line, is so formed as to cover only a partial region of the second main surface MP' of the dielectric substrate 42, and the region on the first main surface MP side of the ground conductor layer 11 corresponding to a non-formation region 12' is assured as an antenna mounting space 12.例文帳に追加

アンテナ用伝送線路は、接地用導体層１１が誘電体基板４２の第二主表面ＭＰ’の一部領域のみを覆う形態にて形成され、該接地用導体層１１の非形成領域１２’に対応する第一主表面ＭＰ側の領域がアンテナの実装スペース１２として確保される。 - 特許庁

To measure the thickness of a recessed area and the thickness of a projected area of a wafer and to securely grind the projected area to an optimum thickness in a processing method of removing only a reverse-side region corresponding to a device formation region by a desired thickness and then removing the projected area of the wafer whose outer circumferential excessive region forms the projected area as a result.例文帳に追加

デバイス形成領域に対応する裏面側の領域のみを所望厚さ除去して、その結果、外周余剰領域が凸部となったウェーハの凸部を除去する加工方法において、凹部の厚さおよび凸部の厚さを測定し、凸部を最適の厚さまで確実に研削する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can fully maintain activity of ions implanted in a well region at the formation of this region and minimizes the damages on a semiconductor substrate in the process of the ion implantation and suppresses the TED phenomenon to ions in the well region.例文帳に追加

ウェル領域形成の際にこの領域に注入されたイオンの活性化を最大限維持し、前記イオン注入工程の際に半導体基板の損傷を最小化するとともに、ウェル領域のイオンに発生するＴＥＤ現象を抑制することを可能にする半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the CSP type semiconductor device having the stress relaxation layer 5, a recessed groove 12 that is formed by removing one portion of a first insulating film 14 and is arranged so that the second bonding pad arrangement region can be surrounded is formed between the formation region of the first bonding pad 2 and the arrangement region of a second bonding pad 8.例文帳に追加

応力緩和層５を有するＣＳＰタイプの半導体装置において、第１ボンディングパッド２形成領域と第２ボンディングパッド８配列領域との間に、第１絶縁膜４の一部を除去することにより形成され、かつ第２ボンディングパッド配列領域を取り囲むように配列された凹溝１２を形成する。 - 特許庁

This device comprises an epitaxial layer formed on a P-type silicon substrate, a P+ diffusion layer 3 that insolates the epitaxial layer into an N- epi-layer 4 of an element formation region and an N- epi-layer 2 of an ineffective region, and an aluminum wiring 6 that electrically connects the N- epi-layer 2 of the ineffective region and the P+ diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を素子形成領域のＮ−エピ層４と無効領域のＮ−エピ層２とに分離するＰ＋拡散層３と、無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３とを電気的に接続するアルミ配線６とを備える。 - 特許庁

In the channel formation region 110, a carrier supply part 111 is formed so that it is in contact with the first n+ region 121, a carrier acceleration injection part 112 is formed so that it is in contact with the second n+ region 122, and the carrier supply part 111 and the carrier acceleration injection part 112 are connected each other.例文帳に追加

前記チャネル形成領域１１０では、第１のｎ^+ 領域１２１と接するようにキャリア供給部１１１が形成され、第２のｎ^+ 領域１２２と接するようにキャリア加速注入部１１２が形成され、前記キャリア供給部１１１およびキャリア加速注入部１１２は相互に接している。 - 特許庁

A head controller controlling a line head creates a margin equivalent to a margin Ym at a top part of an image by delaying start of a latent image formation according to the margin Ym between a tip position in an image carrying region Rmax and a tip position in an actual image region Rim excluding the margin from the region on a transfer belt 81.例文帳に追加

ラインヘッドを制御するヘッドコントローラは、転写ベルト８１上の画像担持可能領域Ｒmaxの先端位置と、該領域から余白を除いた実画像領域Ｒimの先端位置との間のマージンＹmに応じて潜像形成開始を遅らせることにより、マージンＹm相当の余白を画像上部に作り出す。 - 特許庁

The liquid crystal display can be manufactured by combining formation of a gettering sink outside a p-channel type TFT region and a process of self-alignedly removing a part of a region, where the elements of a catalyst are gettered that is located outside the TFT region, by a source interconnection or drain interconnection.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＴＦＴ領域の外側にゲッタリングシンクを設けることと、触媒元素をゲッタリングさせた領域の内、ＴＦＴ領域の外側に設けられている領域をソース配線あるいはドレイン配線により自己整合的に除去する工程とを組み合わせることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁

A weight (4) whose thickness is increased to that of a printed wiring board (1) is integrally molded using a resin (5) with a section other than a winding type air core coil arrangement region and the commutator member formation region of a commutator base material composed of the printed wiring board.例文帳に追加

印刷配線基板（１）で構成されるコミュテータ基材の巻線型空心コイル配置領域と整流子片形成領域以外の部分に、印刷配線基板の厚み分まで厚みを増したウエイト（４）を樹脂（５）で一体成型する。 - 特許庁

In the going path recording, width I2 can be shortened by making the width C2 of deceleration region of a recording head from point N to point R2 shorter than the width A of acceleration region from a going path acceleration starting position L1 to a going path pixel formation starting position M (operation shown at (a)).例文帳に追加

往路記録では、往路加速開始位置Ｌ１から往路画素形成開始位置Ｍまでの、記録ヘッドの加速領域の幅Ａよりも、点Ｎから点Ｒ２までの減速領域の幅Ｃ２を短くして、幅Ｉ２を短くできる（（ａ）に示す動作）。 - 特許庁

A barrier layer 7 comprising an impurity region of the same conductive type as source-drain regions 4 and 5 is provided, just under the source-drain regions 4 and 5 of transistor 10, 20 formation region subject to element separation by an STI2 comprising an embedded insulating film.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜からなるＳＴＩ２により素子分離されたトランジスタ１０、２０形成領域のソース・ドレイン領域４、５の直下に、ソース・ドレイン領域４、５と同一導電型の不純物領域からなるバリア層７を設ける。 - 特許庁

At the preparation mode preceding the inspection, the position and attitude of the work W are fixed so as to image, by dividing into a plurality of imaging objective region, and furthermore, the inspection objective region to the formation image is defined.例文帳に追加

検査に先立つ準備モードでは、ワークＷの被検査面を複数の撮像対象領域に分けて撮像するように、ワークＷの位置および姿勢が定められ、さらに生成された画像に対する検査対象領域が定められる。 - 特許庁

Further, LP-nitride silicon forming an etching stopper film 5A to be used for formation of the optical waveguides is attached on a region other than the optical receiving region such as the top layer of a transistor for example, which prevents hydrogen penetration to avoid characteristic deterioration.例文帳に追加

また、光導波路を形成する際に用いるエッチングストッパ膜５Ａを構成するＬＰ−窒化シリコンを受光領域以外の領域、例えばトランジスタの上層に設けることにより、水素の浸入を防止し、特性劣化を防止する。 - 特許庁

Before executing a process of forming a light shielding part 300 and gate electrodes 22G, 23G, 24G, 25G of pixel transistors PTr, the film formation of a conductive material (polysilicon) with a light shielding nature is carried out so as to cover a region including a forming region thereof, and a polysilicon film 400 is formed.例文帳に追加

遮光部３００と画素トランジスタＰＴｒのゲート電極２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，２５Ｇを形成する工程の実施前に、その形成領域を含む領域を被覆するように、遮光性の導電材料（ポリシリコン）を成膜して、ポリシリコン膜４００を形成する。 - 特許庁

In a display panel 10A which is a display of the light-emitting device, a region (an EL element formation region) Rel forming an organic EL element OEL of each pixel PIX is defined by a partition wall 13, protruding from one surface side of a substrate 11 and having a plurality of openings 13a.例文帳に追加

表示パネル１０Ａは、基板１１の一面側から突出し、複数の開口部１３ａが設けられた隔壁１３により、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelが画定されている。 - 特許庁

To solve the problem that an impurity non-formation region is generated in a region by ion implantation from one direction since a shoulder is generated in an opening shape at a sensor part in terms of machining accuracy when ions are implanted with a vertical transfer electrode as a mask.例文帳に追加

垂直転送電極をマスクにしてイオン注入を行う場合、加工精度上の問題から、センサ部の開口形状にくびれが発生するため、一方向からのイオン注入ではこの領域に不純物未形成領域が発生する。 - 特許庁

The relative external quantum efficiency is a value relative to external quantum efficiency set as 100 when a total mounting region obtained by adding a formation part of the wiring conductor layer to the mountable region is covered with a silver reflection film having reflectance of 95%.例文帳に追加

なお、相対外部量子効率は、搭載可能領域に配線導体層の形成部を加えた搭載全体領域を反射率９５％の銀反射膜で覆った場合の外部量子効率を１００としたときの相対値である。 - 特許庁

A separation groove 7 whose sidwall makes an acute angle of θ a with the surface of an n-type matrix 1 is formed on a isolation area of the surface of the n-type matrix 1 by etching, and a p-type diffusion region (emitting part) 5, etc., is formed on an LED array formation region.例文帳に追加

ｎ型基材１表面の分離領域に、エッチングにより、側壁がｎ型基材１表面に対し鋭角θａをなす分離溝７を形成し、またＬＥＤアレイ形成領域に、ｐ型拡散領域（発光部）５等を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which has a region whose surface is flattened having a trench groove wherein an epitaxial film is buried and also has an alignment mark of higher recognition property in the alignment mark formation region thereof, and its manufacturing method.例文帳に追加

エピタキシャル膜が埋設されたトレンチ溝を有してその表面が平坦化される領域を有していながら、そのアライメントマーク形成領域に、より認識性の高いアライメントマークを備える半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁

Diffused layers 4 are formed on each side of the control gate 3 on the silicon substrate 1 through ion implantation to serve as a source region and a drain region for the formation of a memory transistor, and thus a MONOS- type semiconductor nonvolatile memory device is fabricated.例文帳に追加

コントロールゲート３の両側の部分のシリコン基板１に、イオン注入によりソース領域およびドレイン領域としての拡散層４を形成してメモリトランジスタを形成し、ＭＯＮＯＳ型半導体不揮発性記憶装置を製造する。 - 特許庁

To provide a heat exchanger improved in its heat exchanger effectiveness by reducing frost formation on a fin caused by condensed water or the like, and reducing a dead water region formed at a downstream region of a heat transfer tube, and to provide an air conditioner including the heat exchanger.例文帳に追加

凝縮水等によるフィンでの着霜が低減されると共に、伝熱管の後流域に形成される死水域が低減されて熱交換率が高まる熱交換器、ならびに、かかる熱交換器を含む空気調和機を提供すること。 - 特許庁

Related to the region 31 where the conductor is embedded in the element separation region, a plurality of element formation regions 11 (11a-11d) compromising a single crystal silicon and the like are enclosed with integral conductor 38 through an insulating film 37, to be a block.例文帳に追加

素子分離領域の中に導電体が埋め込まれた領域３１は、単結晶シリコンなどからなる複数の素子形成領域１１（１１ａ〜１１ｄ）が絶縁膜３７を介して一体の導電体３８に囲まれて、ブロック化されている。 - 特許庁

At the boundary of a bottom wall 13 and a sidewall 11A, a slit 15 including a region that corresponds to at least the information range of a pressure welding blade 11B is formed, and a bending part 16 is formed within the formation region of the slit 15 on the bottom wall 13.例文帳に追加

底壁１３と側壁１１Ａとの境界部には、少なくとも圧接刃１１Ｂの形成範囲と対応する領域を含むスリット１５が形成され、底壁１３におけるスリット１５の形成領域内には屈曲部１６が形成されている。 - 特許庁

After formation of the first oxide film 4, a polycrystalline silicon film 5, the second oxide film 6, and a nitride film on an n-type epitaxial layer 3, those films are removed, excluding the region where a base region is to be made, and a sidewall nitride film is made at the side.例文帳に追加

ｎ^-型エピタキシャル層３上に第１酸化膜４と多結晶シリコン膜５と第２酸化膜６と窒化膜を形成した後、ベース領域が形成される領域以外のそれらの膜を除去し側面に側壁窒化膜を形成する。 - 特許庁

The interval between a plurality of the LED elements 18 is 1.5 mm or less, and the width W2 of the mounting region 17 of a plurality of the LED elements 18 in a place where the width of the light-emitting part 16 is widest, is 80% or more the width W1 of the formation region of the phosphor layer 19.例文帳に追加

複数のＬＥＤ素子18間の間隔は１．５ｍｍ以下で、かつ発光部16の幅が最も広い箇所での複数のＬＥＤ素子18の実装領域17の幅W2は蛍光体層19の形成領域の幅W1に対して８０％以上である。 - 特許庁

To provide a pattern formation method and a method of manufacturing a semiconductor device, capable of forming a pattern in which a pattern region where pattern elements are periodically arrayed and a pattern region without such periodicity coexist with a high resolution.例文帳に追加

パターン要素が周期的に配列されたパターン領域と、このような周期性のないパターン領域とが混在しているパターンを高い解像度で形成することができるパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a local impact force P1 acts upon the range where the formation density of the slits 7 is high, the impact force concentrates on a region where intervals of the slits 7 are narrow, and the impact force is transmitted to the first layer 3 in a range corresponding to the region where the intervals of the slits 7 are narrow.例文帳に追加

スリット７の形成密度が高い範囲に局部的な衝撃力Ｐ１が作用すると、スリット７間の狭い領域に衝撃力が集中し、その狭い領域に対応する範囲内で衝撃力が第１層３へと伝わる。 - 特許庁

To provide a swirl combustion boiler capable of reducing generation of NOx by reducing high-temperature oxygen remaining region formed at an outer periphery of flame, by preventing or suppressing formation of a low-temperature region inside of the flame.例文帳に追加

火炎内部に低温領域が形成されることを防止または抑制することにより、火炎外周に形成される高温酸素残存領域を抑制してＮＯｘ発生量の低減が可能となる旋回燃焼ボイラを提供する。 - 特許庁

In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.例文帳に追加

ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁

A punching region which is positioned on the side surface of a lead formation region 12 is divided into a plurality of regions, and two or more regions positioned diagonally among the plurality of regions having been divided are punched at the same time to form a lead.例文帳に追加

本発明の特徴は、リード形成領域（１２）の側面に位置する打ち抜き領域を複数の領域に分割し、該分割した複数領域のうち、対角に位置する２以上の領域を同時に打ち抜いて、リードを形成することにある。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MIS transistor provided with an FUSI gate electrode and the polysilicon resistor, a part provided in a contact formation region of the polysilicon resistor is silicified simultaneously with the gate electrode or an impurity diffusion region.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲート電極とポリシリコン抵抗体とを有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置において、ポリシリコン抵抗体のうちコンタクト形成領域に設けられた部分は、ゲート電極または不純物拡散領域と同時にシリサイド化される。 - 特許庁

In the liquid crystal device, extended parts of reset signal lines 81, 82 and the extended part of a constant potential wiring 84 and the formation region of a sealing material GS overlap each other via a dielectric film 4 and the overlapped region is arranged on the recessed part 110 of a first substrate 1.例文帳に追加

シール材ＧＳの形成領域にリセット信号線８１，８２の延在部と定電位配線８４の延在部が誘電体膜４を介して重なるとともに、その重なりの領域は第１基板の凹部１１０上に配置されてなる - 特許庁

In this semiconductor device where a first n-channel type TFT is arranged in a display region and a second n-channel type TFT and a p-channel type TFT are arranged in a drive circuit, the p-channel type TFT includes a channel formation region and an impurity region adjacent to it, wherein an impurity element added for the n-channel type TFT is not included in the impurity region.例文帳に追加

表示領域に第１のｎチャネル型ＴＦＴが配置され、駆動回路に第２のｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴが配置された半導体装置であって、ｐチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と、これに隣接した不純物領域を有し、不純物領域にはｎチャネル型ＴＦＴのために添加された不純物元素を含ませない。 - 特許庁

In a photolithography process, element isolation formation of a thin film semiconductor layer and formation of the video signal wiring and drain electrode are achieved simultaneously through single-time photolithography by using a photomask capable of modulating an exposure light quantity of a channel region of a thin film transistor element.例文帳に追加

その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と、映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で、同時に形成する。 - 特許庁

In the integrated circuit chip 150, level shifters 154a, 154b and 154c, that are separated by a dielectric 153 for each circuit formation region different in reference potential, and transmit signals between the circuit formation regions separated by the dielectric 153.例文帳に追加

また集積回路チップ１５０において、基準電位の異なる回路形成領域ごとに誘電体１５３により分離し、誘電体１５３により分離された回路形成領域間での信号の伝送を行うレベルシフタ１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃを配置する。 - 特許庁

A single-crystal silicon germanium layer 324 and a single-crystal silicon layer 326 are formed on a substrate 202 on which a plurality of SOI formation regions are arranged, and a support hole 332 is formed which is adjacent while including only one side of the SOI formation region 204.例文帳に追加

複数のＳＯＩ形成領域が配置された基板２０２上に単結晶シリコンゲルマニウム層３２４、および単結晶シリコン層３２６を形成し、ＳＯＩ形成領域２０４の一辺のみを含むように隣接する支持体穴３３２を形成する。 - 特許庁

The image forming apparatus is provided with the image formation section which forms a toner image on a sheet, a fixing device which fixes the toner image formed on the sheet by the image formation section by heating it, and a cooling fan which cools a region sandwiched between a frame pair constituting both flanks of a sheet conveyance part including the image formation section in a sheet conveyance direction.例文帳に追加

用紙上にトナー像を形成する画像形成部と、画像形成部によって用紙上に形成されたトナー像を加熱して用紙に定着させる定着装置と、画像形成部を含む用紙搬送部の用紙搬送方向の両側面を構成する枠対に挟まれた領域を冷却する冷却ファンとを設ける。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 10 has the semiconductor substrate 12 having an element formation region 14 around which a scribe region 34 is arranged, at least one wiring layer formed on the semiconductor substrate 12 via the insulating layer, a seal ring 36 formed so as to surround the element formation region 14, a rewiring 48 connected with a pad consisting of the top-layer wiring layer, and a second resin layer 32 covering the rewiring 48.例文帳に追加

半導体装置１０は、スクライブ領域３４が周囲に配置される素子形成領域１４を有する半導体基板１２と、絶縁層を介して半導体基板１２上に形成される少なくとも１層の配線層と、素子形成領域１４を囲むように形成されるシールリング３６と、最上層の配線層から成るパッドと接続された再配線４８と、再配線４８を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。 - 特許庁

The material gas G jetted from the nozzles 4 comes into contact with the whole part of a region Wa of the substrate W which part is necessary for film formation, before a prescribed time passes from the jetting time of gas.例文帳に追加

ノズル４から吐出された成膜用原料ガスＧは、吐出時より所定の時間を経過する前に基板Ｗの成膜を必要とする領域Ｗａの全域と接する。 - 特許庁

The heat- treated impurity region has a concentration of ≥1×1017 cm-3 of the metal element and a channel formation area has a concentration of <1×1020 cm-3 of the metal element.例文帳に追加

熱処理された不純物領域は前記金属元素の濃度が1×１０^17ｃｍ^-3以上とし、チャネル形成領域は前記金属元素の濃度が1×１０^20ｃｍ^-3未満とする。 - 特許庁

To provide a composition for coating type insulating film formation capable of forming an insulating film excellent in high heat resistance, transparency in a visible light region, low dielectric constant, and flexibility.例文帳に追加

高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる絶縁膜を形成することが可能な、塗布型絶縁膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

When the output terminal T1 is at a negative potential, the auxiliary transistor Qa is turned on and the region 4b including a second position P2 is also at a negative potential to prevent the formation of the parasitic transistor Qx.例文帳に追加

出力端子Ｔ1 が負電位になると、補助トランジスタＱa が導通し、第２の位置Ｐ2 を含む分離領域４ｂも負電位となり、寄生トランジスタＱx の形成が阻止される。 - 特許庁

To provide, in lower cost, a heat treatment apparatus for preventing the formation of a part of a process tube heated excessively higher than an equally heated region by surely controlling a temperature in the process tube.例文帳に追加

プロセスチューブ内の温度を確実に制御して均熱領域の温度を大きく超える部分が生じるのを防止することが可能な熱処理装置を低コストに提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using an oxide semiconductor film for a channel formation region, which inhibits variation in electric characteristics due to a short channel effect, and achieves microfabrication and improved ON-state current.例文帳に追加

酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタにおいて、短チャネル効果による電気特性の変動を抑制し、微細化した半導体装置を提供する。 - 特許庁