「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

After etching is selectively developed along the modified regions 71, 73, etching is selectively developed along the modified region 72 while thinning the machining object 1 by performing the anisotropic etching treatment and formation of the through-hole 24 is completed when the machining object 1 has a target thickness M.例文帳に追加

そして、異方性エッチング処理を施すことにより、加工対象物１を薄化させながら、改質領域７１，７３に沿ってエッチングを選択的に進展させた後に改質領域７２に沿ってエッチングを選択的に進展させ、加工対象物１が目標厚さＭのときに貫通孔２４の形成を完了させる。 - 特許庁

With this composition, a recrystallization region of a molten ball 2 is shortened, thereby a bump height L is shortened and stabilized and a distance between a tip of the wire W and a discharge rod g is stabilized, which enables successive bump formation by preventing occurrence of machine stop due to a spark error and achieves improvement of long-term junction reliability.例文帳に追加

この組成であると、溶融ボール２の再結晶領域が短くなってバンプ高さＬが短く安定化し、かつ、ワイヤＷの先端と放電棒ｇの距離が安定するため、スパークエラーによるマシンストップが発生することなく連続でバンプ形成が可能となるとともに、長期接合信頼性を向上し得る。 - 特許庁

A flattening electrically insulating layer 9 is formed at a non-formation region of the detection electrodes 6a and 6b at the electrically insulating layer 4 for heaters, and the surface of the flattening electrically insulating layer 9 including the surface of the detection electrodes 6a and 6b is flattened while the surface of the detection electrodes 6a and 6b is exposed.例文帳に追加

ヒータ用電気絶縁層４における検出電極６ａ、６ｂの非形成領域に平坦化電気絶縁層９を形成し、検出電極６ａ、６ｂの表面を表出させた状態で検出電極６ａ、６ｂの表面を含めて平坦化電気絶縁層９の表面を平坦化する。 - 特許庁

After the formation of a gate electrode 14 and oxide film sidewalls 15, amorphous silicon layers 19a and 19b are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 14 and a source drain region by implanting arsenic ions into the entire surface for making silicon into amorphous form at an energy of 40 keV and a dose of 3×1014 atoms/cm2.例文帳に追加

ゲート電極１４、酸化膜サイドウォール１５を形成後、ウエハ全面にアモルファス化のために、ヒ素をエネルギー４０ＫｅＶ、ドーズ量３×１０^14ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2で注入し、ゲート電極１４の表面にアモルファスシリコン層１９ａ、ソース・ドレイン領域の表面にアモルファスシリコン層１９ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, with which a microlens array of uniform thickness efficiently condensing light from a backlight light source to a transmission region is formed on the rear surface of a liquid crystal panel, and further strength of the liquid crystal panel subsequent to the microlens array formation is increased, so as to make handling thereof easy.例文帳に追加

バックライト光源の光を透過領域に効率よく集光できる均一な厚さのマイクロレンズアレイを液晶パネル裏面に形成することができ、かつ、マイクロレンズアレイ形成後の液晶パネル強度を高めて取り扱いを容易にすることができる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A PN junction diode 22 which comprises an N type impurity diffusion region 21 and a P type semiconductor support substrate 11 by which padding formation is carried out after this embedded insulating film 12 has dissociated electrically SOI layer 13 is formed at a portion which is in the P type semiconductor support substrate 11, and touches the embedded insulating film 12.例文帳に追加

Ｐ型の半導体支持基板１１にあって埋込絶縁膜１２に接する部位に、該埋込絶縁膜１２によってＳＯＩ層１３とは電気的に分離された状態で埋め込み形成されるＮ型の不純物拡散領域２１とＰ型の半導体支持基板１１とからなるＰＮ接合ダイオード２２を形成した。 - 特許庁

When a preview image 81 of image data is displayed on a preview screen 213 prior to image formation, a part of the preview image is made invisible by a preceding paper sheet because of page feeding in the preview display of second and subsequent information subjected to staple processing but such an invisible region 83 is displayed together with the preview image.例文帳に追加

画像形成を行う前のプレビュー画面２１３において、画像データのプレビュー画像８１を表示する際に、ステープル処理を行った２枚目以降のプレビュー表示では、ページ送りによって前の用紙のためにプレビュー画像の一部が見えなくなるが、この見えなくなる領域８３をプレビュー画像とともに表示している。 - 特許庁

A stencil mask manufacturing process in the preceding back etching process includes forming gradations of a film thickness of a resist left in a pattern field, after developing by adjusting the amount of exposed light, and selectively thinning a masking substrate film in a minute pattern formation field, with an aspect ratio higher than that of the surrounding region, prior to patterning.例文帳に追加

先行バックエッチングプロセスのステンシルマスク製造工程において、現像後のパターン領域のレジスト残膜厚に露光量を調整することにより階調をつけ、周辺領域よりアスペクト比が高い微細パターン形成領域のマスク基板膜厚を選択的にパターニング以前に薄膜化することにより、ステンシルマスクを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a sealing portion 10 to cover a semmiconductor chip 6 formed on a wiring board 1, and also has a first mark 11 formed on the upper surface of the sealing portion 10 and a second mark 12, smaller in size than the first mark 11, formed in the formation region of the first mark 11.例文帳に追加

配線基板１上に形成された半導体チップ６を覆う封止部１０を有する半導体装置１００であって、封止部１０の上面に形成された第１のマーク１１と、第１のマーク１１の形成領域内に第１のマーク１１よりも小さく形成された第２のマーク１２とを有する。 - 特許庁

The bonding apparatus contains a two-vertical-field-of-view camera 3 for photographing a circuit board 5 having a bump formation surface for a semiconductor chip 8 and an opening 51, and a lower camera 4 which is located below a substrate mounting portion 1 and photographs a region including the opening 51 of the circuit board mounted on the substrate mounting portion 1.例文帳に追加

ボンディング装置は、半導体チップ８のバンプ形成面と、開口５１を有する回路基板５を撮影する上下二視野カメラ３と、基板搭載部１の下方に設置され、基板搭載部１上に搭載された回路基板５の開口５１を含む領域を撮影する下方カメラ４を含む。 - 特許庁

The recess gate forming method of the semiconductor device can improve the process failure by sufficiently taking an overlap margin between the recess gate region and a gate electrode, and minimize the amount of Vt movement between right/left cells for preventing a phenomenon generated by incorrect matching at the time of recess gate electrode formation.例文帳に追加

本発明は半導体素子のリセスゲート形成方法に関し、リセスゲート電極形成時の誤整合により発生する現象を防止するため、リセスゲート領域とゲート電極間のオーバーラップマージンを十分取るようにして工程不良の改善、及び左右セル間のＶｔ移動量を最少化させる技術に関するものである。 - 特許庁

This temperature-controlling passage formation means of an electronic unit 4 mounted to a case 3 for an electronic unit attached to a housing 2 is formed into a structure comprising: partition plates 51 and 61 mounted to the electronic unit 4; and partition receiving plates 52 and 62 mounted to the case 3, and abutting on the partition plates 51 and 61 to form a seal region.例文帳に追加

筐体２に取り付けられた電子ユニット用のケース３に搭載される、電子ユニット４の温度制御用流路形成手段が、電子ユニット４に設けられた仕切り板５１、６１と、ケース３に設けられ、仕切り板５１、６１と当接し、シール領域を形成する仕切り受け板５２、６２とを備えた構成としてある。 - 特許庁

After all, for having the low absorption capacity and the high acid initiator efficiency in an ultraviolet region, even if the subject photo-acid initiator ≥10 pts.mass is added to a photosensitive polyimide precursor composition, lowering permeability of the whole composition is not great, resultingly, even a film having a thickness of ≥10 μm, the pattern formation of a high resolution can be stably formed.例文帳に追加

結局、紫外線領域で吸収度が低く酸発生効率が高いため、感光性ポリイミド前駆体組成物に１０質量部以上多量添加しても全体組成物の透過度低下が大きくなく、結果的に１０μｍ以上の高いフィルム厚さでも高解像度のパタン形成が安定的に形成できる。 - 特許庁

Since formation of a thin dot is started in the region of the gradation data or below where the recording rate of the thin dot is the maximum, on the occasion, mixing of colors at a joint from recording with the thin dot to one with the dense dot is very smooth in the table referred to and the quality of printing can be made very high.例文帳に追加

このとき、参照するテーブルでは、淡ドットの記録率が最大値となる階調データ以下の領域で濃ドットの形成を開始しているので、淡ドットによる記録から濃ドットによる記録へのつなぎ目における混色が極めてスムースであり、印刷の品質を極めて高くすることができる。 - 特許庁

In the optical deflection element wherein a chiral smectic C liquid crystal is provided between a pair of transparent substrates, a plurality of ribs 10 for regulating the distance (gap) between the substrates are formed on the surface of the transparent substrate 2 having an inclined region (an inclined part formation substrate) and each tip of each rib is in contact with a standard substrate (transparent substrate) 3.例文帳に追加

一対の透明基板間にキラルスメクチックＣ液晶を設けた光偏向素子において、基板間距離（ギャップ）を規制するための複数のリブ１０が傾斜領域を有する側の透明基板（傾斜部形成基板）２の表面に形成され、それぞれのリブ先端が基準基板（透明基板）３に接触している。 - 特許庁

To easily discriminate from a step part caused by cutting, an image processing abnormal portion caused by that, even when the SN ratio is extremely lowered as in the case where the brightness of an optically-cut image in optically-cut images collected at the measuring time is extremely lowered up to the same degree as the brightness of a region (formation part) other than the image, or the like.例文帳に追加

測定時に採取される光切断画像中の光切断像の輝度が極端に低下し、それを外れた領域（地合部）の輝度と同程度になるなど極めてＳＮ比が低くなった場合であっても、そのことに起因する画像処理異常部位を切削により生ずる段差部と容易に識別可能とする。 - 特許庁

After flattening by polishing, an oxide film 106' to be embedded is etched to reduce the difference in levels between the oxide film 106' and the oxide film 102 on a region planned for formation of an element, so that gouging of the end of a trench due to wet etching can be reduced, and adverse effects on transistor characteristics such as inverse narrow channel effect can be prevented.例文帳に追加

また、研磨により平坦化されたのち埋め込み用酸化膜１０６’をエッチングして素子形成予定領域上の酸化膜１０２との段差を軽減しておくことによりウェットエッチによるトレンチの端部のえぐれを軽減でき、逆狭チャネル効果などのトランジスタ特性への悪影響を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

A polysilicon film is formed on the entire surface, and then is patterned with a resist film as a mask, to form a common contact section 11A stretched over the adjacent first gate electrodes 4 in a source and drain formation region, and a second gate electrode 11B on the second gate oxide film 9.例文帳に追加

全面に形成したポリシリコン膜をレジスト膜をマスクにパターニングして、前記絶縁膜を介して隣り合う第１のゲート電極４に跨り、かつソース・ドレイン形成領域上にコンタクトする共通コンタクト部１１Ａを形成すると共に、前記第２のゲート酸化膜９上に第２のゲート電極１１Ｂを形成する。 - 特許庁

To increase a capacitor's capacitance without enlarging a step to a peripheral circuit part and with less photolithography processes required for capacitor formation, by, related to a DRAM of COB(capacitor over bit line) structure, forming a stack electrode in the region below a bit line as well.例文帳に追加

ＣＯＢ構造のＤＲＡＭにおいて、ビット線以下の領域にもスタック電極を形成することにより、周辺回路部との段差を大きくすることなく、キャパシタ容量を増加することができると共に、キャパシタ形成に必要なフォトリソグラフィ工程を低減することができるＤＲＡＭ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, capable of forming a pattern which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, proper pattern profile and satisfactory line edge roughness, particularly in an electron beam, X-ray or EUV lithography in an ultrafine region, and to provide a pattern formation method that uses the composition.例文帳に追加

超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、および良好なラインエッジラフネスを同時に満足するパターンを形成可能な感活性光線または感放射線性樹脂組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The non-capacity formation region 28 and the extraction electrode portion 24 are formed in such a manner that they may be parallel to a first side face of the capacitor element assembly L1 and may overlap each other in a second direction perpendicular to a first direction, when viewed from the first direction.例文帳に追加

非容量形成領域２８と引き出し電極部分２４とは、第１の方向から見たときに、非容量形成領域２８と引き出し電極部分２４とが、コンデンサ素体Ｌ１の第１の側面に平行で且つ第１の方向に直交する第２の方向で重なりを有するように設定されている。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of performing image formation with high image quality in correspondence with the sensitivity distribution of a photoreceptor by measuring the sensitivity distribution of the photoreceptor over the whole image forming region, in an image forming method in which high image quality is obtained even if a photoreceptor not uniform in sensitivity distribution is used.例文帳に追加

感度分布に不均一のある感光体を使用しても、高画質が得られる画像形成法において、感光体の感度分布を画像形成域全面にわたって測定し、感光体の感度分布に対応して、高画質の画像形成を行うことができる画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since a non-conductor coating 6 can be formed on only the first flat region 14a when a semiconductor device determined as an unacceptable product in the electric characteristic test is electrically disconnected from a common wiring, the burn-in test and the formation of the external connection terminal can be positively and stably formed.例文帳に追加

電気特性検査によって不良と判定された半導体装置を共通配線から電気的に切り離す際に第１の平坦領域１４ａのみに不導体被膜６を形成することができ、バーンイン試験および外部接続端子の形成を確実に安定して行うことが可能となる。 - 特許庁

An exposure method for transferring an exposure light pattern to an object surface includes: a pattern formation step of forming a pattern; a projection step of projecting the pattern on the object surface using a projection optical system; and an adjustment step of dividing the pattern according to the shape of the projection region on which the pattern is projected on the object surface.例文帳に追加

露光光のパターンを対象面に転写する露光方法であって、パターンを形成するパターン形成ステップと、投影光学系を用いてパターンを対象面に投影する投影ステップと、対象面のうちパターンが投影される投影領域の形状に応じて、パターンを分割する調整ステップとを含む。 - 特許庁

To provide an image display device in which there is less influence on a power supply and peripheral circuits, in which stable brightness is retained for a long term, and in which there are less irregularities in brightness in a image formation region by an efficient driving method of an ion pump in case the ion pump is used for the image display device.例文帳に追加

本発明は、画像表示装置にイオンポンプを用いた場合に、効率的なイオンポンプの駆動方式によって、電源や周辺回路に対する影響が少なく、長期間にわたり安定した輝度を保ちかつ画像形成領域内での輝度むらも少ない画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a pixel portion of a liquid crystal display device having pixels arranged in matrix in which the input of an image signal is controlled by a transistor whose channel formation region includes a polycrystalline semiconductor or a single-crystal semiconductor, the image signals are supplied simultaneously to the pixels disposed in plural lines, of which are arranged in matrix.例文帳に追加

多結晶半導体又は単結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタによって画像信号の入力が制御される画素がマトリクス状に配設された液晶表示装置の画素部において、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給する。 - 特許庁

The adjustment light source device 7 is provided with a support plate arranged so that the end face thereof faces the light modulation device 140, and a plurality of solid emission element arranged along the end face of the support plate, and composed of plane illumination irradiating the adjustment light flux uniformed substantially in an image formation region of the light modulation device 140.例文帳に追加

調整用光源装置７は、端面が光変調装置１４０に対向するように配設される支持板と、支持板の端面に沿って配設される複数の固体発光素子とを備え、光変調装置１４０の画像形成領域に略均一化した調整用光束を照射する面照明で構成されている。 - 特許庁

While the prefectures in the Tohoku region are all promoting medical device industry cluster formation, Fukushima Prefecture in particular is one of Japan’s top prefectures for the production of medical device, and R&D related to medical device is being actively advanced at Fukushima Medical University, the Nihon University College of Engineering, Fukushima University and University of Aizu. 例文帳に追加

東北地方の各県は、医療機器産業の集積の推進を行っているが、特に、福島県は、全国有数の医療機器生産県であり、また、福島県立医科大学や、日本大学工学部、福島大学、会津大学においても医療機器関連の研究開発が積極的に進められている。 - 経済産業省

At the same time, making use of the trend toward the formation of manufacturing bases in the Tohoku region by automobile and semiconductor companies, efforts are advancing toward the agglomeration of next-generation manufacturing industry to lead the future local economy centered on next-generation automobiles, medical device, the environment, energy and other growth fields. 例文帳に追加

あわせて、近年、東北地方に、自動車、半導体関連企業の製造拠点が形成されつつある動きを活かし、次世代自動車、医療機器、環境エネルギー産業等の成長分野を中心に、将来の地域経済を牽引する次世代ものづくり産業の集積を目指す取組を進めている。 - 経済産業省

Furthermore, greater efforts have been made for the spontaneous development of regional economies in recent years. For example, the industrial cluster plan through which researchers from small- and medium-sized companies, universities, and other organizations gathered in each region actively communicate with one another in order to develop an environment in which innovation is achieved based on the formation of human networks has been promoted since 2001.例文帳に追加

加えて、2001年からは地域に集積する中堅・中小企業、大学等の研究者が活発に交流し、人的ネットワークの形成を核としてイノベーションを創出する環境を整備する、産業クラスター計画が推進されるなど、近年、内発型の地域経済発展への取組みに重点がおかれている。 - 経済産業省

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.例文帳に追加

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon wafer, which has necessary volume of BMD(Bulk Micro-Defect) in a gettering region, for removing metal impurities in a device formation surface layer of the silicon single crystal wafer by gettering, without causing inconvenience such as strength reduction of the single crystal silicon wafer that has been observed in the prior art IG gettering treatment.例文帳に追加

従来のＩＧゲッタリング実施の際にみられたシリコン単結晶ウエハの強度低下等の不都合を招来することなく、シリコン単結晶ウエハのデバイス形成表層に存在する金属不純物を有効にゲッタリング除去するのに必要な体積量のＢＭＤがゲッタリング領域中に生成されたシリコン単結晶ウエハを提供する。 - 特許庁

An oxide semiconductor layer containing SiOx is used in a channel formation region, and in order to reduce contact resistance between source and drain electrode layers formed of a metal material with a low electric resistance value, source and drain regions are provided between the source and drain electrode layers and the oxide semiconductor layer containing SiOx.例文帳に追加

チャネル形成領域にＳｉＯｘを含む酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極層及びドレイン電極層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含む酸化物半導体層との間にソース領域またはドレイン領域を設ける。 - 特許庁

Related to a manufacturing process for a semiconductor device of a cobalt silicide process structure on a cobalt film 37 formed over a silicide formation region, an oxidation suppressing film (cobalt nitride film 38) comprising the same component as the cobalt film 37 is laminated, and then via the cobalt nitride film 38, a process is included in which the cobalt film 37 is thermally processed for siliciding.例文帳に追加

コバルトシリサイドプロセス構造の半導体装置の製造方法において、シリサイド形成領域上に形成したコバルト膜３７上にこのコバルト膜３７と同一成分を含む酸化抑止膜（窒化コバルト膜３８）を積層した後に、この窒化コバルト膜３８を介して前記コバルト膜３７を熱処理してシリサイド化する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a light transmissive optical component 12 includes: a first etching process for etching a silicon region 11 of a plate-like member to form a concavity; a thermal oxidation process for thermally oxidizing an inner surface of the concavity to form a silicon oxide film 14; and a nitride film formation process for forming a silicon nitride film 16 for covering the silicon oxide film 14.例文帳に追加

光透過性光学部品１２を製造する方法であって、板状部材のシリコン領域１１をエッチングして凹部を形成する第１のエッチング工程と、凹部の内側面を熱酸化させて酸化シリコン膜１４を形成する熱酸化工程と、酸化シリコン膜１４を覆う窒化シリコン膜１６を形成する窒化膜形成工程とを含む。 - 特許庁

After the mask 15 is removed, the gallium nitride semiconductor film 13 is thermally treated in an atmosphere 21 containing at least either ammonia or hydrazine compound, without the formation of a cap film, or the like, on the surface of a gallium nitride semiconductor film 13e, at a temperature T_A, forming a p-type gallium nitride semiconductor region 13h.例文帳に追加

マスク１５を除去した後に、窒化ガリウム系半導体膜１３ｅの表面上にキャップ膜等を形成することなく、アンモニア及びヒドラジン系化合物の少なくともいずれか一つを含む雰囲気２１中で窒化ガリウム系半導体膜１３を温度Ｔ_Ａにおいて熱処理してｐ型窒化ガリウム系半導体領域１３ｈを形成する。 - 特許庁

A reticle 11 made of a glass substrate as a photomask is provided with a light shielding film pattern 12 relating to formation of elements and integrated circuits on a semiconductor wafer as well as with an auxiliary pattern 13 which corrects degeneracy of lines due to influences of the optical proximity effect during exposure in an isolated pattern P1 in at least a sparse pattern region, as shown in Figures (a) and (b).例文帳に追加

図１（ａ），（ｂ）において、フォトマスクとして、ガラス基板であるレチクル１１に、半導体ウェハ上への素子及び集積回路形成に関する遮光膜パターン１２と共に、少なくとも疎パターン領域における孤立パターンＰ１に、露光時の光近接効果の影響によるライン縮退を補正する補助パターン１３が付加されている。 - 特許庁

In the image formation device, a message display region 621 displays a message "there is received data" indicating that a print command has been received and a message "please perform authentication" for urging the input of specific information by a user, and an input area 622 displays a form for inputting a "password" corresponding to a "user name".例文帳に追加

メッセージ表示領域６２１には、プリント指令が受信済であることを示す「受信データが有ります」というメッセージおよびユーザによる特定情報の入力を促すための「認証を行って下さい」というメッセージが表示されるとともに、入力領域６２２には、「ユーザ名」と対応する「パスワード」を入力するためのフォームが表示される。 - 特許庁

In regions located on both sides of the gate electrode out of the element formation region 170, sidewalls inclined with respect to a principal surface of the semiconductor substrate 101 for exposing a facet surface of a semiconductor single crystal are included, recesses 130 having corners rounded are formed, and the source/drain regions 150 are formed of a silicon mixed crystal embedded in the recess 130.例文帳に追加

素子形成領域１７０のうちゲート電極の両側方に位置する領域には、半導体基板１０１の主面に対して傾いた半導体単結晶のファセット面を露出させる側壁を有し、コーナー部が丸められたリセス１３０が形成されており、ソース／ドレイン領域１５０は、リセス１３０に埋め込まれたシリコン混晶で構成されている。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit such as an LSI, a CPU, or a memory is manufactured using a thin film transistor in which a channel formation region is formed using an oxide semiconductor which becomes an intrinsic or substantially intrinsic semiconductor by removing impurities serving as electron donors (donors) in the oxide semiconductor and has larger energy gap than that of a silicon semiconductor.例文帳に追加

酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタを用い、ＬＳＩやＣＰＵやメモリなどの半導体集積回路を作製する。 - 特許庁

Then, at a position inside the periphery of the semiconductor substrate 7 by a prescribed width, a groove 18 reaching a surface layer section of the semiconductor substrate 7 through the second interlayer film 11 and the first interlayer film 9 from the surface of the uppermost layer wiring coating film 15 is formed while surrounding an element formation region B of the semiconductor substrate 7.例文帳に追加

そして、半導体基板７の周縁から所定幅だけ内側の位置においては、最上層配線被覆膜１５の表面から第２層間膜１１および第１層間膜９を貫通して半導体基板７の表層部に達する溝１８が半導体基板７の素子形成領域Ｂを取り囲んで形成されている。 - 特許庁

Furthermore, this device has a forward bias voltage supply means (row bias circuit) 21, which supplies a forward bias voltage having a voltage value reducing an off-leak current from an unselected cell to the gate electrodes of the unselected memory transistors M12 and M22 among the memory transistors M11 to M22, in the direction of the forward bias to the channel formation region.例文帳に追加

読み出し時に、複数のメモリトランジスタＭ１１〜Ｍ２２のうち非選択のメモリトランジスタＭ１２，Ｍ２２のゲート電極に、チャネル形成領域に対し順バイアスとなる方向で、かつ、非選択セルからのオフリーク電流を低減する電圧値の順バイアス電圧を供給する順バイアス電圧供給手段（行バイアス回路）２１を有する。 - 特許庁

To provide a negative blue-violet laser photosensitive composition that is highly sensitive to laser beams of blue-violet region, excels in not only safe light properties under a yellow light but also the resolution and rectangularity of obtained image, and is suitable for use in direct lithography, and to provide an image forming material, an image former and a method of image formation using the same.例文帳に追加

青紫色領域のレーザー光に対して高感度であり、又、黄色灯下でのセーフライト性に優れると共に、画像の解像性及び矩形性に優れ、直接描画に好適に用いられるネガ型青紫色レーザー感光性組成物、並びにそれを用いた画像形成材料、画像形成材、及び画像形成方法を提供する。 - 特許庁

In the thin film transistor, a laser beam oscillating continuously is applied to an amorphous semiconductor thin film where the concentration of carbon, nitrogen, and oxygen is equal to or less than 5×1019 cm-3, and a semiconductor thin film obtained by crystallization without melting the amorphous semiconductor thin film is used for a channel formation region.例文帳に追加

本発明は、炭素、窒素および酸素の濃度がいずれも５×１０^19ｃｍ^-3以下のアモルファス半導体薄膜に連続発振のレーザ光を照射し、該アモルファス半導体薄膜を溶融させることなく結晶化させて得た半導体薄膜をチャネル形成領域に用いたことを特徴とする薄膜トランジスタに関する発明である。 - 特許庁

When a pair of introduction rollers 11 and the pair of delivery rollers 13 are rotated and driven with a tip part of a photosensitive material P sandwiched between sandwiching parts 14a of a chucker device 14, the photosensitive material P above the loop formation region L becomes loose upwardly from a conveying path, due to its core set, and abuts on the two rotating rollers 18.例文帳に追加

感光材料Ｐの先端部がチャッカ装置１４の挟持部１４ａで挟持された状態で、導入ローラ対１１及び送り出しローラ対１３が回転駆動されると、ループ形成領域Ｌの上方の感光材料Ｐは、その巻き癖によって、搬送経路よりも上方に弛み、２つの回転ローラ１８に当接するようになる。 - 特許庁