「formation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

In the case where a lubricant is enclosed in the bearing 5, even if the lubricant liquifies at high temperature and leaks out of the bearing 5, the lubricant flowing from the bearing 5 into the region 4a contributing to image formation is intercepted by the intercepting member 10, whereby contamination of the region 4a by the lubricant is prevented.例文帳に追加

この軸受付き電子写真感光体においては、軸受５に潤滑剤が封入される場合に、高温により、軸受付き電子写真感光体１の軸受５から潤滑剤が液状化して漏出することがあっても、遮断部材１０により、軸受５から画像形成寄与領域４ａに流れ込む潤滑剤が遮断され、潤滑剤による画像形成寄与領域４ａの汚染が防止される。 - 特許庁

An inlay lens 109 having a convex lens shape only downward is formed without increasing a distance between an on-chip micro lens 112 and a silicon substrate as a lens formation region, by realizing high refractive index in a metallic ion implantation region alone in a first flattening layer 108 by injecting metallic ion into the first flattening layer 108 of an existing interlaminar film without using an inlay lens material.例文帳に追加

層内レンズ材料を用いずに、既存層間膜の第１平坦化層１０８中に金属イオンを注入することによって、第１平坦化層１０８中の金属イオン注入領域のみ高屈折率化してレンズ形成領域として、オンチップマイクロレンズ１１２とシリコン基板間の距離を増加させることなく、下にのみ凸形状のレンズ形状を持つ層内レンズ１０９を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device including a first silicon nitride film, having a thickness of 200 to 500 nm formed on a glass substrate; a second silicon nitride film formed on the first silicon nitride film; and an amorphous semiconductor film which is formed on the second silicon nitride film and includes a region which serves as a channel formation region, the configuration includes boron at the interface between the first insulating film and the second insulating film.例文帳に追加

上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 - 特許庁

Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster]○Commercialization of an ultra-small sensor capable of directly measuring radicals in plasma Previously, radicals in plasma, which play an important role in fine processing and formation of thin films, could be measured only by largesize optical spectrometers. The Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster reduced the size of optical spectrometers capable of measuring radicals in plasma to several millimeters in diameter by developing a new lighting source and succeeded in commercializing a radical monitor that enables the easy, precise measurement of radicals.例文帳に追加

プラズマ中のラジカルを直接計測できる超小型センサーを商品化これまでに大型の光分光計測装置でしか計測できなかったプラズマ中のラジカルは、微細加工や薄膜形成に重要な役割を担っているが、新規の光源等を開発することで数mm径まで小型化し、簡単に高精度でラジカルを計測できるラジカルモニターの商品化に成功した。 - 経済産業省

In the COC type semiconductor mounted body, each of a first and a second electrode pads 1, 9 of a first semiconductor chip 2 and a second semiconductor chip 10 is disposed after being redesigned for re-wiring in the chip region to constitute each contact pad, and electrode formation at the semiconductor mounting process level is enabled corresponding to the electrode arrangement and number to improve the degree of freedom of the electrode formation.例文帳に追加

ＣＯＣ型の半導体実装体は、第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ１０の第１，第２の電極パッド１，９は各々チップ領域内において再配線で引き回されて配置され、各コンタクトパッドを構成したものであり、個々の半導体チップの電極配置、数に対応させて半導体実装工程レベルで電極形成が可能になり、電極形成の自由度を向上させることができるものである。 - 特許庁

By plotting the relationship between the changes in the composition ratio of public capital formation to the grossprefectural product and the changes in the regional increase rate of the employed and the ratio of the number ofworkers in the construction industry to the number of workers in the region, we can see that the decrease of publiccapital formation had a more profound effect on the decrease of the number of workers in the regional blocksincluding Hokkaido, Tohoku and Shikoku, than the 3 major urban regions, i.e. South Kanto, Kinki and Tokai(Figure 17).例文帳に追加

地域ブロック別に、1999年度からの10年間の県内総生産に占める公的資本形成の構成比変化と地域の就業者増加率、地域の就業者数に占める建設業就業者割合の変化との関係をプロットしてみると、公的資本形成の減少が、3 大都市圏に比べ北海道、東北、四国といった地域ブロックにおける就業者の減少に大きな影響を及ぼしたことがわかる（第１７図） 。 - 厚生労働省

The first channel formation region and the second channel formation region include an oxide semiconductor, and the second electrode is directly connected to the second gate electrode.例文帳に追加

ソースまたはドレインの一方となる第１の電極と、ソースまたはドレインの他方となる第２の電極と、第１のチャネル形成領域に絶縁膜を介して重畳して設けられた第１のゲート電極と、を有する第１のトランジスタと、ソースまたはドレインの一方となる第３の電極と、ソースまたはドレインの他方となる第４の電極と、第２のチャネル形成領域が第２のゲート電極と第３のゲート電極との間に絶縁膜を介して設けられた第２のトランジスタと、を有するメモリセルを複数有し、第１のチャネル形成領域及び第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含んでおり、第２の電極は、第２のゲート電極に直接接続されている記憶装置とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first transistor which includes a first channel formation region including a first semiconductor material, and a first gate electrode; and a second transistor which includes one of a second source electrode and a second drain electrode combined with the first gate electrode, and a second channel forming region, including a second semiconductor material and electrically connected to the second source electrode and the second drain electrode.例文帳に追加

第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 - 特許庁

When a metal wiring layer connected with a gate layer is formed above the gate layer in order to transmit an electric signal to the gate layer of a MOS transistor formed in a functional circuit region adjacent to the cell formation region of an SRAM memory cell, the metal wiring layer is arranged in a layer different from a wordline layer formed above the gate layer at a metal damascene process using a second metal damascene process.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルのセル形成領域に隣接した機能回路領域に形成されるＭＯＳトランジスタのゲート層に電気的信号を伝達するために前記ゲート層と接続される金属配線層を前記ゲート層の上方に形成する場合に、前記ゲート層の上方に金属ダマシン工程で形成されるワードライン層とは互いに異なる層で第２の金属ダマシン工程を用いて前記金属配線層を配置する。 - 特許庁

In the process for fabricating a solid electrolytic capacitor element comprising a step for forming a masking on a part of a positive electrode substrate having a dielectric film on the surface to section that surface, and forming a solid electrolyte layer in at least a partial region on the surface of the positive electrode substrate sectioned by masking, a step performing formation processing in a region including the fringe of masking after forming the masking is included.例文帳に追加

表面に誘電体皮膜を有する陽極基材の一部にその表面を区画するようにマスキングを形成し、マスキングで区画された陽極基材表面の少なくとも一部の領域に固体電解質層を形成する工程を含む固体電解コンデンサ素子の製造方法において、前記マスキングの形成後にマスキングの縁部を含む領域に化成処理を施す工程を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which permits formation of a film improved in optical transparency in a visible light region, while keeping proper adhesiveness upon forming the film on a semiconductor substrate, and further, which permits proper adhesiveness and light transparency, simultaneously even if the film is a carbon film.例文帳に追加

半導体基板上に膜を形成する際、良好な密着性を保ったまま、可視光領域での光透過性を向上させた成膜を可能とし、更に、その膜がカーボン膜であっても、良好な密着性と光透過性を同時に有することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In dry etching for patternizing a silicon nitride 12 and silicon oxide film 11 by using a resist pattern 13, introduction defects at the time of growth in a silicon substrate 10, which cause conical pattern defects, are removed by digging the surface part of the groove formation region of the silicon substrate 10 at overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

By forming successively overlapped layer that follows the external structure of the underlaying layer through forming of the concavo-convex structure at the lowest layer, formation of the emitting layer with the concavo-convex structure results, and accordingly, an emitting region that causes exciton recombination therein is increased, and long durability in the electroluminescent device is realized.例文帳に追加

最低一層に凹凸構造を形成することにより、その上に形成される層が下層の表面構造を追随し、凹凸構造を有する発光層が形成されることで、励起子の再結合が起こる発光領域を増やし、高輝度時の長寿命化を実現した有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide an apparatus manufacturing inorganic spheroidized particles, which can efficiently obtain excellent inorganic spheroidized particles by keeping the ambient temperature in a flame formation region of a melting chamber within a prescribed temperature range, and cope with various processing conditions such as the type and particle size of inorganic raw material powder, and retention time.例文帳に追加

溶融室の火炎形成域における雰囲気温度を所定温度範囲内に維持して良好な無機質球状化粒子を効率よく得るとともに、無機質原料粉体の種類や粒径、滞留時間等の種々の処理条件に対応できる無機質球状化粒子製造装置を提供する。 - 特許庁

Then, a base plating layer 4 is formed so as to cover the resistor 2 and the insulator layer 3, a resist pattern is formed in the non-electrode forming region of the base plating layer 4, and the surface of the base plating layer 4 exposed from the resist is electroplated with an electrode material for the formation of a pair of electrodes 5.例文帳に追加

次いで、抵抗体２と絶縁体層３を覆うように下地めっき層４を形成し、この下地めっき層４の非電極形成領域にレジストパターンを形成した後、このレジストから露出する下地めっき層４の表面に電極材料を電解めっきして一対の電極５を形成する。 - 特許庁

A solder resist 22 is formed at the element mounting surface side of a circuit pattern 21 formed on a carrier tape 32, the solder resist is patterned for exposing a wire-bonding section, and a support member 26 is attached to a portion that is at the element mounting surface side of the circuit pattern and is also outside the formation region of the mold resin of the semiconductor device.例文帳に追加

キャリアテープ（３２）上に形成した回路パターン（２１）の素子搭載面側にソルダレジスト（２２）を形成し、このソルダレジストをパターニングしてワイヤボンディング部を露出させ、回路パターンの素子搭載面側であって、半導体装置のモールド樹脂の成形領域の外側に支持部材（２６）を貼着する。 - 特許庁

Application, to a rolled silicon core 5, of stress upon insulation layer formation of an insulation layer 2 covering the rolled silicon core 5 is relaxed by a protective case 12; measurement errors of the primary current and the secondary current are reduced by usage of the protective case 13; and a measurement range up to a small current region can be widened.例文帳に追加

巻回珪素鉄心５を被覆した絶縁層２の絶縁層形成時の応力が、保護ケース１２により巻回珪素鉄心５に印加されるのを緩和し、一次電流と二次電流の誤差は保護ケース１３を使用した分だけ、測定誤差が少なくなり、小電流領域までの測定範囲を広くできる。 - 特許庁

An image formation system includes: calculation means for calculating RIP times of respective drawn objects; and image processing means for, when the calculated RIP time of the first drawn object exceeds a given time, performing processing to reduce data size on a region of the object not superimposed on the other object.例文帳に追加

画像形成システムは、描画されるオブジェクト毎にＲＩＰ時間を算出する算出手段と、描画順が先頭であるオブジェクトの前記算出されたＲＩＰ時間が所定の時間を越える場合、当該オブジェクトの他のオブジェクトと重ならない領域に対して、データサイズを削減する処理を行う画像処理手段とを備える。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride substrate for carrying a light emitting element, having excellent reflecting characteristics in a visible light region, requiring no formation of a gap for insulation between the surface of the aluminum nitride substrate and wiring, and having a reflective layer excellent in corrosion resistance, and to provide a light emitting device using this aluminum nitride substrate.例文帳に追加

可視光域で優れた反射特性を有し、安価で、窒化アルミニウム基板表面の配線との間に絶縁用のギャップの形成が不要で、耐食性に優れた反射層を有する発光素子搭載用窒化アルミニウム基板、およびこの窒化アルミニウム基板を用いた発光デバイスを提供すること。 - 特許庁

In the production method of a semiconductor device including a process of transferring a specified pattern by overlapping two photomasks and exposing to light, one photomask 3 having a phase shifter 3d has a shading region 3B3 which functions as the auxiliary pattern to correct the pattern to prevent formation of a constriction.例文帳に追加

２枚のフォトマスクを用いた重ね合わせ露光処理によって、所定のパターンを転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、位相シフタ３ｄを有する一方のフォトマスク３に、パターンのくびれが生じるのを補正するための補助パターンとして機能する遮光領域３Ｂ3 を設けたものである。 - 特許庁

To prevent any electric wave from being reflected on a boundary surface between an air layer and a water film by suppressing the formation of the water film, to prevent any electric wave transmitted from a transmission antenna from excessing beyond (behind) a communication region, and to realize the stability of an electric wave communication system (ETC) by preventing the generation of the erroneous recognition of a vehicle.例文帳に追加

水膜の形成を抑制して、電波が空気層と水膜との境界面で反射することを防止するとともに、送信アンテナから発信された電波が通信領域以遠（後方）に到達することを防止し、車両の誤認識発生が生じないようにして電波通信システム（ＥＴＣ）の安定性を図る。 - 特許庁

In the ejection step, while scanning, the driving waveforms of mutually different ejection timing among two or more driving waveforms are applied onto the energy generating means of adjacent nozzles concerning the film formation region 2 among a nozzle row 22a composed of two or more nozzles and further a combination of driving waveforms to be applied is changed at least once.例文帳に追加

吐出工程では、前記走査において、複数のノズルからなるノズル列２２ａのうち、膜形成領域２に掛かる隣り合うノズルのエネルギー発生手段に、複数の駆動波形のうち互いに異なる吐出タイミングの駆動波形を印加すると共に、印加する駆動波形の組み合わせを少なくとも１回以上変える。 - 特許庁

To provide an electron beam curable composition for formation of a light diffusion film or a sheet being excellent in light diffusion of a cured product, having a chromaticity coordinate of a transmitted beam in a white light region, preventing wavelength dependence of a transmitted beam and allowing a smaller degree of yellowing after light resistance test; and a light diffusion film or a sheet obtained from the composition.例文帳に追加

硬化物の光拡散性に優れ、透過光の色度座標は白色光領域であり、透過光に波長依存性がほとんどなく、耐光性試験後の黄変度が小さい光拡散フィルム又はシート形成用電子線硬化型組成物、及び当該組成物から得られた光拡散フィルム又はシートの提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can form a conductive film serving as a pseudo lower electrode and a lower electrode so as to enlarge the inner diameter of the lower electrode and can prevent the formation of a cavity in a region from a boundary area to a peripheral circuit area and respond to a demand for miniaturization.例文帳に追加

偽下部電極および下部電極となる導電膜を形成し、下部電極の内径を十分に大きくすることができ、しかも、境界領域から周辺回路領域にわたって空洞が形成されることを防止できる微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加

ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

To provide a configuration for securing a normal film formation region, which is free of a quality defect such as frame color unevenness and peeling, in a color filter formed on a pixel portion of a high-sensitivity solid-state imaging element in which a pixel portion whose surface position is low and a multilayer wiring portion whose surface position is high at a periphery thereof form a step.例文帳に追加

表面位置の低い画素部とその周囲の高い多層配線部とが段差を有する高感度の固体撮像素子の画素部上に形成するカラーフィルタにおいて、枠色ムラや剥がれ等の品質不良のない正常な膜形成領域を広く確保するための構成を提供すること。 - 特許庁

Then, the device heat-treats the substrate 11, which is in a state where an organic solution 14x is applied to and filled in the slits 21a, in all columns under reduced pressure, to uniformly and totally dry it to film-deposit an organic EL layer 14, on a pixel electrode 12 exposed to an EL element formation region Re1 of each pixel PIX.例文帳に追加

次いで、全ての列のスリット２１ａ内に有機溶液１４ｘが塗布、充填された基板１１を、減圧した状態で加熱処理して、均一かつ一括して乾燥させて、各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極１２上に有機ＥＬ層１４を成膜する。 - 特許庁

To provide a catalytic chemical vapor deposition device that can form a film with desired precision while suppressing twisting of a catalyst line suspended in a chamber to be folded back in a vertical direction, especially, a catalytic chemical vapor deposition device which is effective for forming the film in a film formation region of large area.例文帳に追加

垂直方向に折り返すようにチャンバの内部に吊り下げられた触媒線のねじれを抑制し、所望の精度で成膜を行うことが可能な触媒化学気相成長装置、特に、大面積の成膜領域に成膜を行う場合に有効な触媒線化学気相成長装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for a wafer level lens superior in hardenability and reducing a residual object originated in a photosensitive resin outside a formation region of a shading film, and also to provide a titanium black dispersion for the wafer level lens used for the photosensitive resin composition, and the wafer level lens provided with the shading film using the photosensitive resin composition.例文帳に追加

硬化性に優れ、遮光膜の形成領域外における感光性組成物由来の残渣物を低減しうるウエハレベルレンズ用感光性樹脂組成物及び該感光性樹脂組成物に用いるウエハレベルレンズ用チタンブラック分散物、並びに、該感光性樹脂組成物を用いてなる遮光膜を備えたウエハレベルレンズの提供。 - 特許庁

The steel shell 4 has a biasing structure for suppressing formation of a gap 15 at a boundary area 15x between an upper end of the main refractory layer 11 and the sub refractory layer 13 by biasing the upper end of the main refractory layer 11 toward the sub refractory layer 13 with the biasing force F in at least a normal temperature region.例文帳に追加

鉄皮４は、少なくとも常温領域において、主耐火物層１１の上端部を副耐火物層１３に向けて付勢力Ｆで付勢させることにより、主耐火物層１１の上端部と副耐火物層１３との境界域１５ｘにおける隙間１５の生成を抑制する付勢構造を備えている。 - 特許庁

To provide a multilayer inductor with a high inductance and superior DC superposed characteristics by increasing the formation area of a coil electrode by forming a drawing via hole in a region where a magnetic flux does not pass, by using the configuration of the multilayer inductor containing a coil including a coil electrode wound with a length of one turn.例文帳に追加

１ターンの長さで周回するコイル電極により構成されているコイルを内蔵する積層インダクタの構成を用いて、磁束の回らない領域の内側に引出ビアホールを形成することで、コイル電極の形成面積を大きくとり、その結果インダクタンス及び直流重畳特性の良い積層インダクタを提供する。 - 特許庁

In a pixel portion of a liquid crystal display device having pixels arranged in matrix in which the input of an image signal is controlled by a transistor whose channel formation region includes an amorphous semiconductor or a microcrystalline semiconductor, the image signal is supplied simultaneously to the pixels disposed in plural lines out of the pixels arranged in matrix.例文帳に追加

非晶質半導体または微結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタによって画像信号の入力が制御される画素がマトリクス状に配設された液晶表示装置の画素部において、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給する。 - 特許庁

An impurity element that gives one conductivity-type is contained in a layer closer to a gate insulating film out of highly crystalline layers so as to form a channel formation region in a highly crystalline layer to be formed later, not in a poorly crystalline layer to be formed at an initial stage when deposition is started, out of the microcrystal semiconductor films.例文帳に追加

微結晶半導体膜のうち、成膜を開始した当初に形成される結晶性の劣った層ではなく、その後に形成される結晶性の高い層においてチャネル形成領域が形成されるように、結晶性の高い層のうちゲート絶縁膜に近い層に、一導電型を付与する不純物元素を含ませる。 - 特許庁

When forming the sacrifice layer 2, the sacrifice layer 2 is formed so that the opposite ends of the sacrifice layer 2 reach a virtual formation region VS in the silicon substrate 1 of a minimal quadrangular-pyramid-shaped recess 11 which communicates with each etching hole 7 and is formed in the main surface of the silicon substrate 1, in the course of anisotropic etching for forming the recess 12.例文帳に追加

犠牲層２の形成時には、凹所１２を形成する異方性エッチングの途中でエッチングホール７ごとに連通しシリコン基板１の主表面に形成される最小の四角錘状凹部１１のシリコン基板１における仮想形成領域ＶＳに犠牲層２の両端が達するように犠牲層２を形成する。 - 特許庁

In a personal computer body 22 having a space for sucking outside air for cooling the inside thereof therefrom, and provided with a USB port 41 and a card slot 42, an air suction part non-formation region 28 where such a space is not present, and an exhaust opening 27 exhausting the air sucked from such a space are formed.例文帳に追加

内部を冷却するために外部の空気を吸入する隙間が形成されたＵＳＢポート４１やカードスロット４２が設けられているパソコン本体２２には、そのような隙間が存在しない空気吸入部非形成領域２８、および、そのような隙間から吸入した空気を排出する排気口２７が形成されている。 - 特許庁

To prevent formation of a void in a trench and to simultaneously realize a low ON resistance and a high withstand voltage, in a trench lateral power MOSFET (TLPM) having a gate electrode formed in the trench of two layers, a drain electrode and a source electrode formed in the upper and lower parts of the trench and an extended drain region formed in the lateral wall part of the trench.例文帳に追加

２段のトレンチ内に形成されたゲート電極と、トレンチの上下に形成されたドレイン電極、ソース電極と、トレンチの側壁部に形成された拡張ドレイン領域を有するトレンチラテラルパワーＭＯＳＦＥＴ（ＴＬＰＭ）において、トレンチ内のボイドの形成を防止し、低オン抵抗化、高耐圧を同時に実現する。 - 特許庁

In the reflecting surface 24a of a reflector 24, a part of a reflective region 24a1 contributing to formation of the opposing lane side horizontal cutoff line of a light distribution pattern for the low beam is formed as a reflecting surface 24e for condensation to reflect light from a light source 22a toward the vicinity of the rear side focus F of a projection lens 28.例文帳に追加

リフレクタ２４の反射面２４ａにおいて、ロービーム用配光パターンの対向車線側の水平カットオフラインの形成に寄与する反射領域２４ａ１の一部を、光源２２ａからの光を投影レンズ２８の後側焦点Ｆ近傍へ向けて反射させる集光用反射面２４ｅとして構成する。 - 特許庁

To provide a thin-film manufacturing device, capable of forming a thin film of oxide superconductor formed uniformly about the longitudinal direction of the base material and stretching longer than conventional by maintaining the temperature of that portion of base material, where the thin film is deposited (film-forming region) to a temperature range suitable for film formation over a long time.例文帳に追加

基材のうち薄膜を堆積させる部分（成膜領域）の温度を、長時間にわたって成膜に適切な温度範囲に維持して、基材の長さ方向に沿って均一で、かつ従来よりも長尺な酸化物超電導体の薄膜形成を可能にする薄膜の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method which enables the formation of a film at a low cost in a local region on the inner peripheral face of a through-hole provided on a base material, a liquid feeding head equipped with a liquid repellent film formed by such a method for forming the film as this, and a liquid feeding apparatus equipped with this liquid feeding head.例文帳に追加

基材に設けられた貫通孔の内周面の局所領域に、簡易な工程・設備を用いながら、低コストで膜を形成することができる成膜方法、かかる成膜方法により形成された撥液膜を備える液体供給ヘッド、この液体供給ヘッドを備えた液体供給装置を提供すること。 - 特許庁

A plurality of recesses 21 corresponding to the formation region of a semiconductor device on a substrate 6 are formed on the surface of a mount table 20, an exhaust port 24 of a first refrigerant for cooling the substrate 6 is opened at the center of a recess 21, and an inlet 25 of the first refrigerant is opened at the periphery of the recess 21.例文帳に追加

載置台２０の表面に基板６の半導体装置の形成領域に対応した複数の凹部２１が設けられ、凹部２１の中央部に基板６を冷却する第１冷媒の噴出口２４が開口されるとともに、凹部２１の周辺部に第１冷媒の吸入口２５が開口されていることを特徴とする。 - 特許庁

A print controller generates dot data being supplied to a print section for forming a print image by mutually combining, in a common print region, each dot group formed for each of a plurality of pixel groups for which physical difference is assumed in dot formation.例文帳に追加

本発明は、ドットの形成において物理的な相違が想定された複数の画素グループ毎に形成されるドット群の各々を共通の印刷領域で相互に組み合わせることによって印刷画像を形成する印刷部に供給するためのドットデータを生成する印刷制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask for a semiconductor device, which can improve the work efficiency while eliminating formation of a waste region as a semiconductor device even when a plurality of mask patterns are formed separately in one photomask, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device by using the photomask.例文帳に追加

複数のマスクパターンを１枚のフォトマスク内に領域を分けて形成する場合であれ、半導体装置として無駄な領域ができることを排除しつつ、その作業効率をより高めることのできる半導体装置用フォトマスク及び該フォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

(4) The term "formation of industrial clusters" as used in this Act means the formulation of industrial clusters through the establishment of new business facilities or business innovation within a region that constitutes a coherent whole in terms of natural, economic and social conditions, centering on business operators who conduct said establishment of new business facilities or business innovation. 例文帳に追加

４　この法律において「産業集積の形成」とは、自然的経済的社会的条件からみて一体である地域において企業立地又は事業高度化が行われることにより、当該企業立地又は事業高度化を行う事業者を中核とした産業集積の形成が行われることをいう。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

At least a part just under the light extraction plane EA is a target to be notched, and a notch 1j is formed in the light absorbing compound semiconductor substrate so that at least a part of the region just under the light extraction electrode 9 is included in a residual substrate 1, resulting from notch formation.例文帳に追加

そして、主光取出面ＥＡの直下部分の少なくとも一部が切り欠き対象部となり、かつ、該切欠きの結果として生ずる残留基板部１に光取出側電極９の直下部分の少なくとも一部が含まれるように光吸収性化合物半導体基板に切欠き部１ｊを形成する。 - 特許庁

To maximize the number of semiconductor elements being acquired per one sheet of semiconductor wafer when arrangement of a plurality of unit element forming regions, i.e. rectangular regions for forming semiconductor elements, is determined in the element formation effective region of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハにおける素子形成有効領域内に、半導体素子を形成するため矩形状の領域である複数の単位素子形成領域の配置を決定する半導体素子形成領域の配置決定において、上記半導体ウェハ１枚あたりの上記半導体素子の取得数の最大化を図る。 - 特許庁