「gate region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS EQUIPPED WITH EMBEDDED FLOATING GATE, MOUNTAIN-SHAPED FLOATING GATE AND MOUNTAIN-SHAPED CHANNEL REGION例文帳に追加

埋込型浮動ゲート、山形浮動ゲート及び山形チャネル領域を備えた浮動ゲートメモリセルの半導体メモリアレイ - 特許庁

A gate electrode film 5 is provided on the surface of a channel region 8 through a gate insulating film (gate oxide film) 4.例文帳に追加

チャネル領域８の表面にはゲート絶縁膜（ゲート酸化膜）４を介してゲート電極５が設けられている。 - 特許庁

A plurality of gate connecting lines connecting the gate driver and a plurality of the gate lines is stacked together on the peripheral region.例文帳に追加

ゲートドライバと複数のゲート線とを接続する複数のゲート接続線は周辺領域で積層されている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with: a first region 12; a source region 20; a second region 14; a drain region 30; a gate insulation layer 60; a field insulation layer 50; and a gate electrode 40.例文帳に追加

半導体装置は、第１領域１２、ソース領域２０、第２領域１４、ドレイン領域３０、ゲート絶縁層６０、フィールド絶縁層５０、ゲート電極４０を具備する。 - 特許庁

A p-type gate contact region 104 is provided on a position separated from the source region 107 and the drain region 106 in order to connect the gate region 103 to an interconnect.例文帳に追加

ゲート領域１０３を配線に接続するためにＰ型ゲートコンタクト領域１０４がソース領域１０７及びドレイン領域１０６から離れた位置に設けられている。 - 特許庁

The semiconductor element includes an epitaxial layer EP, a back gate region BG, a source region SR, a drain region DR, a gate electrode GE, an impurity region IM1.例文帳に追加

半導体素子は、エピタキシャル層ＥＰとバックゲート領域ＢＧとソース領域ＳＲとドレイン領域ＤＲとゲート電極ＧＥと不純物領域ＩＭ１とを含む。 - 特許庁

The source region is formed in a part of active region adjacent to the gate fingers.例文帳に追加

ソース領域は、ゲートフィンガーに隣接するアクティブ領域の一部に形成される。 - 特許庁

Each of the semiconductor devices can include an n-type semiconductor region, an n+ region in the n-type semiconductor region, a metal gate, and a gate insulator.例文帳に追加

各半導体装置は、ｎ型半導体領域と、ｎ型半導体領域におけるｎ＋領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。 - 特許庁

A control gate 16 is formed in a region directly below the gate oxide film 28.例文帳に追加

そして、ゲート酸化膜２８直下の領域には制御ゲート１６が形成されている。 - 特許庁

A gate pressure resistance holding region 27 is then formed along the grid-shaped gate trenches 15.例文帳に追加

そして、格子状のゲートトレンチ１５に沿ってゲート耐圧保持領域２７を形成する。 - 特許庁

The floating diffusion layer is formed in the active region between the transfer gate and the reset gate.例文帳に追加

トランスファゲート及びリセットゲートの間の活性領域内に浮遊拡散層を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 210 is formed on the base region via a gate insulating film.例文帳に追加

ベース領域上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極２１０が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode is formed on the base region 206 through a gate insulating film.例文帳に追加

ベース領域２０６上には、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 7 is formed on the element isolation region via a gate oxide film 6.例文帳に追加

素子分離領域上には、ゲート酸化膜６を介してゲート電極７が形成される。 - 特許庁

A gate electrode 14 is formed on the drift region 11 through a gate oxide film 3.例文帳に追加

ドリフト領域１１上にはゲート酸化膜３を介してゲート電極１４を形成する。 - 特許庁

A gate region 11a and an FD region 104 are arranged between the photo diode region 101 and the capacitor region 102.例文帳に追加

また、ゲート領域１１ａ及びＦＤ領域１０４は、フォトダイオード領域１０１とコンデンサ領域１０２の間に配置する。 - 特許庁

A pn column region is integrally provided correspondingly to an element region, a gate pad as a conductive region, and an outer peripheral region.例文帳に追加

ｐｎコラム領域は、素子領域、導電領域としてのゲートパッド、及び外周領域に対応して一体的に設けられる。 - 特許庁

A floating-gate pattern is formed on an active region.例文帳に追加

前記活性領域上に浮遊ゲートパターンが形成される。 - 特許庁

A sacrificial first gate (112) is formed in the first region.例文帳に追加

第１の領域に犠牲第１ゲート（１１２）が形成される。 - 特許庁

An upper gate trench crossing the active region is formed.例文帳に追加

その活性領域を横切る上部ゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer 18 is formed in a region on the gate insulating film 16 in a region which overlaps with at least the gate electrode 14.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１６上の少なくともゲート電極１４と重なる領域に半導体層１８を形成する。 - 特許庁

As viewed from above, the length of the active region 1b along the gate width is not greater than the length of the active region 1c along the gate width.例文帳に追加

上面視上において、活性領域１ｂのゲート幅方向の長さは活性領域１ｃのそれ以下である。 - 特許庁

The gate oxide film of the gate withdrawal-wiring region is made a thicker structure than that of the cell region.例文帳に追加

これにより、セル領域よりもゲート引き出し配線領域の方がゲート酸化膜が厚い構造とすることができる。 - 特許庁

A semiconductor transistor is formed on a substrate which has an activated source region, drain region, gate region, channel formed between the source region and the drain region and arranged under the gate region, and a high dielectric constant material which is not thermally deteriorated and formed in at least a part of the gate region.例文帳に追加

活性化されたソース領域、ドレン領域、ゲート領域、およびソース領域とドレン領域の間にあり、ゲート領域の下にあるチャネルを備え、ゲート領域の少なくとも一部分が熱的に劣化しない高誘電率材料を備える、基板上の半導体トランジスタに関する。 - 特許庁

A gate driver 2 selects the gate line GLn+1 in a dummy element region 12 in a horizontal period subsequent to a period when the driver selects the gate line GLn in the display region 11.例文帳に追加

ゲートドライバ２は、表示領域１１のゲートラインＧＬｎを選択した次の水平期間で、ダミー素子領域１２のゲートラインＧＬｎ＋１を選択する。 - 特許庁

The gate insulating film is made thicker in the vicinity of the buried gate contact region, and the MOS gate electrode and the buried contact region are separated from each other.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の膜厚を埋込ゲートコンタクト領域近傍において厚くし、ＭＯＳゲート電極と埋込ゲートコンタクト領域の間を離す。 - 特許庁

The source region is existent on the gate insulating later, wherein it is over a region outside the notch 203 of the gate electrode, and overlaps a portion of the gate electrode.例文帳に追加

ソース領域はゲート絶縁層上にあり、そしてゲート電極の切欠き２０３の外部の領域上にあってゲート電極の一部にオーバラップする。 - 特許庁

Thereafter, when a gate oxide film 23 and a gate electrode 23 are formed, the gate electrode 23 is never sneaked to the side of an active region (channel region).例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜２２やゲート電極２３を形成しても、ゲート電極２３が活性領域（チャネル領域）の側方に回り込むことがない。 - 特許庁

The gate insulator is inserted between the metal gate and the n-type semiconductor region, and carriers tunnel through the metal gate and the n-type semiconductor region.例文帳に追加

ゲート絶縁体は、メタルゲートとｎ型半導体領域との間に挿入され、メタルゲートとｎ型半導体領域とを通りキャリアはトンネリングする。 - 特許庁

The memory cell includes a select gate 3a, a floating gate 6, a first diffusion region 7a, a second diffusion region 7b, and a first control gate 11a.例文帳に追加

メモリセル部は、セレクトゲート３ａと、フローティングゲート６、第１の拡散領域７ａ、第２の拡散領域７ｂ、第１のコントロールゲート１１ａを有する。 - 特許庁

The second LDD region is self-aligned to the gate and spaced laterally apart from the gate such that the gate does not overlap the second LDD region.例文帳に追加

第２のＬＤＤ領域は、ゲートに自己整合され、かつゲートから横方向に離隔され、その結果ゲートは第２のＬＤＤ領域に対して重ならない。 - 特許庁

The depth of the termination gate region 72 is shallower as compared with the depth (equivalent to the depth of the p^- body region 41) of the gate electrode 22 in the gate trench 21.例文帳に追加

終端ゲート領域７２の深さは，ゲートトレンチ２１内のゲート電極２２の深さ（Ｐ^- ボディ領域４１の深さと同等）と比較して浅い。 - 特許庁

The MOS transistor comprises a source region 20A, a drain region 20B, and a gate region arranged between the source region 20A and the drain region 20B.例文帳に追加

前記モストランジスタは、ソース領域２０Ａ、ドレイン領域２０Ｂ及びソース領域２０Ａとドレイン領域２０Ｂとの間に配置されたゲート領域を有する。 - 特許庁

The MOS gate structure 30 is formed of the first collector region 21, the second collector region 26, the first base region 24, a gate insulating film 31 and a gate electrode 32.例文帳に追加

ＭＯＳ型ゲート付き構造３０は、第１コレクタ領域２１、第２コレクタ領域２６、第１ベース領域２４、ゲート絶縁膜３１およびゲート電極３２によって形成されている。 - 特許庁

The gate electrode 15 is insulated in the region of the body zone 20 from the side wall by a trench-oxide region thicker than a thin gate-oxide region and the gate oxide.例文帳に追加

ゲート電極１５は、ボディゾーン２０の領域内において、薄いゲート酸化物区域およびゲート酸化物より厚いトレンチ酸化物区域によって上記側壁から絶縁される。 - 特許庁

The second control gate 11b controls a channel in a region between the select gate 3a and the first diffusion region 7a, or between the select gate 3a and the second diffusion region 7b.例文帳に追加

第２のコントロールゲート１１ｂは、セレクトゲート３ａと第１の拡散領域７ａの間、又は、セレクトゲート３ａと第２の拡散領域７ｂの間の領域のチャネルを制御する。 - 特許庁

On either side of the memory cell gate 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed.例文帳に追加

メモリセルゲート２の両側に、ソース領域３およびドレイン領域４を形成する。 - 特許庁

The gate electrode 18 is opposed to the body region 8 with the channel region 14 interposed therebetween.例文帳に追加

ゲート電極１８は、チャネル領域１４を介してボディ領域８に対向している。 - 特許庁

The region just below a photo-gate electrode PG is composed of an electric field concentration region 1G.例文帳に追加

フォトゲート電極ＰＧ直下の領域は、電界集中領域１Ｇからなる。 - 特許庁

A trench gate 30 is formed between the source region 12 and the drain region 14.例文帳に追加

ソース領域１２とドレイン領域１４との間にはトレンチゲート３０が形成されている。 - 特許庁

Further, the channel layer is existent on the gate dielectric layer and between the source region and the drain region.例文帳に追加

さらにチャンネル層は、ゲート絶縁層上の、ソース領域とドレイン領域との間にある。 - 特許庁

The second conductive gate region 18 is formed in a depth direction across the channel region.例文帳に追加

第２導電型のゲート領域は、チャネル領域を挟んで深さ方向に形成される。 - 特許庁

This MOS transistor consists of a source region, a channel region, a drain region, an interlayer oxide film formed on a region between the source region and the drain region, a gate oxide film which is formed on the channel region by self alignment, and a gate electrode which is formed on the channel region via the gate oxide film by self alignment.例文帳に追加

ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との領域上に形成された層間酸化膜と、チャネル領域上に自己整合的に形成されたゲート酸化膜と、チャネル領域上にゲート酸化膜を介して自己整合的に形成されたゲート電極とからなるＭＯＳトランジスタ。 - 特許庁

A region REgd between a gate and a drain that is adjacent to a region immediately under the gate on one side in a gate length direction includes a first region REgd1 and a second region REgd2 as regions adjacent to each other in a gate width direction.例文帳に追加

ゲート長方向の一方の側でゲート直下の領域に隣接しているゲート・ドレイン間領域ＲＥｇｄが、ゲート幅方向に互いに隣接する領域として、第１領域ＲＥｇｄ１と第２領域ＲＥｇｄ２とを有する。 - 特許庁

A gate region 17 is provided in a channel area 16 between a source region 14 and a drain region 15.例文帳に追加

ソース領域１４とドレイン領域１５との間のチャネル領域１６にはゲート領域１７が設けられている。 - 特許庁